JP3292719B2 - 複合ミリ波アセンブリを接続するためのソルダーボール・グリッド・アレイ - Google Patents

複合ミリ波アセンブリを接続するためのソルダーボール・グリッド・アレイ

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、概して連結装置に
関し、より特別には、回路基板に高周波の複合ミリ波ア
センブリを取り付けるための連結装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】技術の急速な進歩は、他のファクタの間
に、接続要件、より高い作動周波数並びに集積回路の入
力及び出力の数の増加に適合することができるパッケー
ジ装置の必要性を加速して来た。従来のパッケージ装置
としては、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、ワイ
ヤーボンディング、テープ自動化ボンディング（タブ：
ＴＡＢ）、クワッド・フラット・パック（ＱＦＰ）及び
制御された潰れチップによる接続（Ｃ４又はフリップ・
チップ）がある。ＢＧＡパッケージは、ＱＦＰのような
細かいピッチの周辺リードパッケージよりもプリント回
路基板上の表面に取り付けるのがより容易であるので、
特に一般的である。これは、ＢＧＡパッケージの外方リ
ードが、パッケージの外周に限定されていてより壊れ易
いのではなく、むしろパッケージの下面に分布されてい
るからである。更に、ＢＧＡパッケージは周辺リードを
含まないので、プリント回路基板上で占める空間がより
少なく且つ近接させて配置することができる。この近接
した配置は、パッケージ間の連結長さがより短くて済
み、改良された電気特性をもたらす。
【０００３】しかしながら、ＢＧＡパッケージを含む従
来のパッケージ技術は、高周波集積マイクロ波アセンブ
リ（ＩＭＡ）の特別なニーズ、特に、損失が少なく、再
生可能な電気的連結部を高周波ＩＭＡを取り付けるため
の回路基板面に提供することができない。特に、公知の
パッケージ技術は、高周波信号発生、信号の受信及びデ
ジタル処理が、単一の回路基板の如きコンパクトな空間
において結合されるのを可能にする連結部を提供するこ
とができない。むしろ、高周波ＩＭＡを回路基板とイン
ターフェースするためには、別個の高周波同軸コネクタ
が必要とされる。
【０００４】高周波ＩＭＡにおいては、ＩＭＡモジュー
ルから延びている同軸線の列は、回路基板に連結されな
ければならない。ＩＭＡにおけるマイクロ波電力の伝達
のために一般的に採用される同軸伝送線は、円筒形の管
状外側導線内に配設された円筒形の中心導線を含んでい
る。同軸線は、架空裸伝送線よりも高くつくけれども、
電磁場を完全に包囲して発散損失を防止し且つ近辺の回
路からのシールドを提供する。同軸コネクタにおいて
は、信号導線から発散される電場の殆ど全てが電気的に
封じ込められたままであるので、信号の損失は最少化さ
れる。従って、同軸導体は、中心の信号経路を近辺の他
のあらゆる信号から電気的に絶縁するであろう。
【０００５】このような連結が適正に適合されない場合
には、特に極めて高い周波数におけるＩＭＡの性能に関
する欠陥が存在し得る。これは、信号経路のインピーダ
ンスの若干の変動が、伝送性能に対して劇的に悪い影響
を与えるかも知れないからである。更に、高周波連結
は、低廉であって市場において使用ができる必要があ
る。
【０００６】従って、必要とされているのは、ミリ波ア
センブリを基板上の同軸線に結合して、高周波の信号発
生、信号の受信及びデジタル処理が単一の回路基板内で
結合できるようにするための低コストで経済的な装置で
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おける前記及びその他の欠点に取り組み且つ解決するこ
とである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、中心及び接地
導体を有している同軸装置と接続するための装置であっ
て、アレイ（列）状に配設された複数の導電性の構造を
含み、中心導体を受け入れるための中心に配設された構
造と、中心に配設された構造の周囲に配設されて接地導
体を受け入れるための複数の接地構造と、を含んでい
る。
【０００９】別の特徴によれば、本発明は、第１及び第
２の導体を有している同軸線への接続を提供するための
高周波同軸連結ボール・グリッド・アレイを提供する。
このボール・グリッド・アレイは、第１の導体と接続す
るための中心に配設された導電性のボールと、第２の導
体と接続するために前記中心に配設されたボールの周囲
に配設された複数の外側導電性ボールと、を含んでい
る。
【００１０】更に別の特徴によれば、本発明は、回路基
板と、前記回路基板に接続された回路基板チップパッケ
ージであって、中心の及び接地の導体を有する少なくと
も一つの同軸インターフェースを含む、回路基板チップ
パッケージと、アレイ状に配置された複数の導電性構造
であって、前記中心導体を受け入れるように中心に配置
された構造と、前記接地導体を受け入れるために前記中
心に配置された構造の周囲に配置された複数の接地構造
と、を含み、前記アレイは、前記回路基板と前記回路基
板チップパッケージとの間に配置されている、アレイ状
の配置された複数の導電性構造と、を含むパッケージ構
造体を提供する。
【００１１】更に別の特徴においては、本発明は、集積
マイクロ波アセンブリを回路基板アセンブリと連結する
ための高周波連結ボール・グリッド・アレイであって、
このアレイは、同軸線の内側導体とかみ合うための中心
に配置されたソルダーボールと、同軸線の外側導体とか
み合うための複数の外側に配置されたソルダーボール
と、を含んでいる連結ボール・グリッド・アレイを提供
する。
【００１２】本発明の上記及びその他の特徴及び利点
は、以下の詳細な説明及び添付図面から明らかとなるで
あろう。図面及び説明においては、符号は本発明の種々
の特徴を示しており、図面及び詳細な説明の両方を通し
て同様の符号は同様の特徴を示している。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１及び２を参照すると、高周波
ＩＭＡモジュールの如き一以上の高周波構成部品を取り
付けるための回路基板面に、低損失で再生可能な電気的
接続を形成するための高周波同軸連結ボール・グリッド
・アレイ１０が示されている。特に、取り付けられるべ
き高周波構成部品から延びている同軸線のアレイは、ミ
リ波周波数（典型的には６０Ｇｈｚ以下）で回路基板に
接続されても良い。同軸の連結ボール・グリッド・アレ
イ１０は、一般的により大きいボール・グリッド・アレ
イの一部分として装備されることができるか或いは装備
されるので、高周波信号発生、信号の受信及びデジタル
処理は、回路基板１４の如き単一の電子構成部品内に結
合され得る。同軸の連結ボール・グリッド・アレイ１０
は、限定的ではないが、エポキシ巻装ワイヤ（Ｆｕｚｚ
ｂｕｔｔｅｒ）及び金による接続を含む他の接続が同
様に使用することができるけれども、半田による接続に
よって取り付けられるのが好ましい。
【００１４】本発明の高周波同軸連結ボール・グリッド
・アレイ１０は、本明細書に示され且つ説明されている
特定の形状に限定されない。プリント回路基板と能動的
なマイクロ波構成部品との間に高度な隔離連結構造を提
供するために、所定の幾何学的パターンの導電性ボー
ル、突起又はその他の物を使用するあらゆる連結構造を
利用することができる。更に、本発明は、高周波ＩＭＡ
モジュールのための連結を提供することに限定されず、
むしろ、集積回路（ＩＣ）アセンブリモジュール又は一
般的な回路基板チップパッケージを連結するために利用
しても良い。このような集積回路アセンブリモジュール
は、限定的ではないが、完全な特注及び半特注用途の特
定の集積回路（ＡＳＩＣｓ）及びその他の高性能ＩＭＡ
Ｃチップを含んでも良い。本発明は、ＩＣアセンブリモ
ジュールをプリント回路基板に接続することに限定され
ない。むしろ、本発明の同軸連結ボール・グリッド・ア
レイ１０は、モジュールを、同軸インターフェースを有
する電子構成部品に接続するために利用しても良い。従
って、本明細書に示され且つ説明されている本発明の同
軸高周波連結を利用してもよい多くの他の形状があるこ
とが理解できる。
【００１５】図１，２及び３に示されているように、同
軸の連結ボール・グリッド・アレイ１０は、ミリ波モジ
ュール１２の同軸穴をポリマー製の回路基板１４の如き
電子構成部品の同軸穴と連結する。本発明は、回路基板
１４からの６０Ｇｈｚ以下の高周波信号をミリ波モジュ
ール１２に接続し、それによって、高度に集積されたマ
イクロ波回路網が複数のモジュール１２から作られるの
を可能にする。本発明を利用して連結することができる
ミリ波モジュール１２は、限定的ではないが、高周波送
信器、受信器又は発信器を含んでいる。
【００１６】図１を参照すると、同軸状の連結は、好ま
しくは、３×３の正方形アレイの形状とされた複数のソ
ルダーボールによって作られている。特に、同軸の連結
ボール・グリッド・アレイ１０は、同軸線２６の中心に
配置された導体１８と連結するための単一の中心に配置
されたソルダーボール１６を含んでいる。同軸の連結ボ
ール・グリッド・アレイ１０はまた、単一の中心に配置
されたソルダーボール１６を包囲している複数のソルダ
ーボール２０及び２２をも含んでおり、これらのソルダ
ーボールのうちのいくつかのボール２０は、同軸線２６
の同軸接地シールド２４と連結している。接続同軸線２
６の各中心導体１８は、このようにして単一のソルダー
ボール１６を利用して連結されている。図１を参照する
と、相互に半田付けされたとき、中心に配置されたソル
ダーボール１６と中心に配置された導体１８とは、標準
的な５０オームのインピーダンスを有する直径のロッド
の外観を有している。同軸線２６の外側導電性シールド
２４又は接地信号経路は、多数のソルダーボール２０に
接続されて、より低いインダクタンスの接地対接地接続
を達成している。典型的な形状においては、ソルダーボ
ール２０は、回路基板１４上のシールド２４に半田付け
されている。このようにして、同軸線２６の中心導体１
８は中心のソルダーボール１６に接続され、同じ同軸線
２６の外側導体２４は中心のソルダーボール１６に最も
近接して配置された４つのソルダーボール２０に接続さ
れている。
【００１７】ソルダーボール１６，２０及び２２の各々
の直径は、ほぼ同じであるのが好ましく、この直径は、
中心の導体のインピーダンス要件によって決定され、そ
れによって、製造コストを最少にしている。特に、各ボ
ールの直径及びボール同士の間の間隔は、同軸の連結ボ
ール・グリッド・アレイ１０が同軸線２６のインピーダ
ンスと電気的に適合するようになされるべきであり、こ
のインピーダンスは、約０〜４７．８Ｇｈｚの範囲の周
波数のガラス／エポキシの例示的な装置に対しては、典
型的には約４．２の誘電率、約５０オームの固有インピ
ーダンス、０．００４６１ｃｍ（約１１．７ミル）の中
心導体の内径、０．０２５５９ｃｍ（約６５ミル）の外
側導体の内径を有している。約０〜４７．８Ｇｈｚの範
囲の周波数に対しては、各ソルダーボール１６，２０及
び２２の直径は、約±０．０００７９ｃｍ（２ミル）の
公差で約０．００５１２ｃｍ（１３ミル）であるのが好
ましい。典型的な伝送線における不連続性は、１３ミル
の直径において最少化される。ソルダーボール１６，２
０及び２２は、同一平面に沿ってほぼ等しい空間を隔て
て配置されている。０．００５１２ｃｍ（１３ミル）の
ボール直径と仮定すると、ソルダーボール１６，２０及
び２２は、±約０．０００７９ｃｍ（２ミルの公差で、
中心間で約０．０１１８ｃｍ（３０ミル）だけ相互に隔
てられているのが好ましい。
【００１８】約０．００５１２ｃｍ（１３ミル）の直径
及び約０．０１１８ｃｍ（３０ミル）の間隔に対して、
次のより高い程度のモード（ＴＥ１１）のカットオフ周
波数は約４７．８Ｇｈｚである。しかしながら、本発明
は、約４７．８Ｇｈｚでの作動に限定されてはおらず、
上記した特定の寸法においてはそれよりも低い。本発明
は、むしろ、同軸の連結ボール・グリッド・アレイ１０
を図１に示されているように真っ直ぐに給電して、次の
より高い程度のモードが励起されないようにすることに
よって、約０〜６０Ｇｈｚの如き４７．８Ｇｈｚよりも
高い周波数で利用することができる。更に、隣接するソ
ルダーボール１６，２０及び２２の直径及び相互間の距
離は、接続同軸線に適合し且つ所望の周波数及びインピ
ーダンス要件を提供するように調整しても良い。更に、
基板材料は、適切な誘電率を提供するように変更しても
良い。より高いモードのカットオフ周波数を高くするた
めには、ボールの直径及びグリッド・アレイの大きさを
概して減じなければならない。
【００１９】ソルダーボール１６，２０及び２２は、１
０％の錫に対して９０％の鉛又は３７％の錫に対して６
３％の鉛によって作られたもののような市販のソルダー
ボールとすることができ、製造の際には、最初に加熱さ
れ、次いで、冷却されて、ＩＭＡモジュール１２と回路
基板１４との間に半田接続を形成することができる。し
かしながら、ソルダーボール・アレイ１０の製造方法
は、本発明の実施においては重要ではない。
【００２０】このように、本発明の好ましい実施形態に
従って、同軸状の連結は、好ましくは、３×３の正方形
のアレイ形状とされたソルダーボール・アレイによって
作られる。電磁的な結合構造は、マイクロ波がプリント
回路基板１４から一以上のＩＭＡモジュール１２へと伝
送するのを可能にする。この同軸連結ボール・グリッド
・アレイ１０は、ミリ波マルチファンクション・モジュ
ール１２からの所望の同軸線同士を接続して、多数のミ
リ波モジュール１２が回路基板１４に半田付けされるの
を可能にし且つパッケージのコスト及び複雑さを減じ
る。
【００２１】図２及び３を参照すると、同軸連結ボール
・グリッド・アレイ１０が、より大きい一般的なボール
・グリッド・アレイ２８の一部分として一体化されて示
されている。この結果、高周波の信号発生、信号の受信
及びデジタル処理を回路基板１４の如き単一の電子部品
内に結合することができる。同軸連結ボール・グリッド
・アレイ１０の装着は、図２に示された特定の配置に限
定されない。むしろ、同軸連結ボール・グリッド・アレ
イ１０の位置は、一般的なボール・グリッド・アレイ内
のどこであってもよく且つ回路基板１４及びＩＭＡモジ
ュール１２の同軸要件並びに本発明の幾何学的アレイの
要件によって一般的に決められる。更に、一般的なボー
ル・グリッド・アレイ２８内には、一以上の同軸連結ボ
ール・グリッド・アレイ１０を装備することができ、そ
れによって、従来の及び新しく開発されたＩＭＡモジュ
ール１２の典型的な複合同軸線の要件を容易にすること
ができる。同軸インターフェースとして使用されている
一般的なボール・グリッド・アレイ２８の各部分は、回
路基板１４、ＩＭＡモジュール１２及び／又はその他の
構成部品間のコネクタ又は直接的なインターフェースと
して利用しても良い。このようにして、高周波の信号の
発生、信号の受信及びデジタル処理を、同軸接続部から
高周波の信号を受け取るようになされたＢＧＡパッケー
ジを利用して、単一の回路基板１４内に結合することが
できる。更に、同軸の連結ボール・グリッド・アレイ１
０は、一般的なボール・グリッド・アレイ２８の一部分
として且つＩＭＡモジュール１２と回路基板１４との間
の連結なしで装備されており且つ概して一般的なボール
・グリッド・アレイ２８内の他のボールと区別できない
ので、製造は経済的であり且つ簡単である。
【００２２】図３を参照すると、典型的な形状で、本発
明の同軸連結ボール・グリッド・アレイ１０が、発散パ
ネル３０と発散シールド３２との間に懸垂されている回
路基板１４上に、より大きなピン・グリッド・アレイ２
８の一部分として一体化されている。回路基板１４は、
一般的には、発散パネル３０と一体化された隆起した隔
離碍子又は柱３６上に締結部材３４によって取り付けら
れている。発散シールド３２を発散パネル３０に固定す
るためには、別の締結部材３４が使用されている。同軸
インターフェースを備えた高周波ＩＭＡ１２の如き集積
回路チップ及び／又はチップパッケージが回路基板１４
の上方又は下方に取り付けられている。熱伝導性の接着
剤３８を、チップ及び／又はパッケージ１２と発散パネ
ル３０との間に使用しても良い。チップ又はパッケージ
１２は、発散パネル３０の反対側の面上に配置されたヒ
ートパイプ４０上に直接配置されている。本発明の同軸
連結ボール・グリッド・アレイ１０は、回路基板１４と
ＩＭＡモジュール１２との間に配置されている。このよ
うにして、回路基板１４から出る高周波信号は、この同
軸連結ボール・グリッド・アレイ１０を利用してＩＭＡ
モジュール１２へと伝達され、それによって、高度に集
積されたマイクロ波回路網の製造を容易にしている。例
えば、ＩＭＡモジュール１２は、”スマートボード”
（すなわち、低電力マイクロプロセッサ）を介して相互
に接続することができる。更に、この同軸連結ボール・
グリッド・アレイ１０は、一般的に、より大きい一般的
なボール・グリッド・アレイの一部品として一体化され
るので、高周波信号の発生、信号の受信及びデジタル処
理が、回路基板１４の如き単一の電子部品内に結合する
ことができる。
【００２３】本発明は、上に示し且つ説明したものに限
定されず、又、上記した物理的な装備の大きさの寸法に
も限定されないことは、当業者によって理解されるであ
ろう。本発明の範囲は、特許請求の範囲によってのみ限
定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施形態に従って、ミリ波モ
ジュールの同軸穴を回路基板上の同軸線に接続するため
の高周波同軸連結ボール・グリッド・アレイの斜視図で
ある。
【図２】本発明の同軸連結ボール・グリッド・アレイを
含んでいるボール・グリッド・アレイの断面図である。
【図３】図１に示された同軸連結ボール・グリッド・ア
レイを含んでいる回路基板装置の例示的な実施形態の断
面図である。
【符号の説明】
１０ ボール・グリッド・アレイ、 １２ ＩＭＡモ
ジュール、１４ 回路基板、 １６，２０，２２ ソ
ルダーボール、１８ 中心導体、 ２４ 外側導体、
２６ 同軸線、 ２８ ボール・グリッド・アレイ、
３０ 発散パネル、 ３２ 発散シールド、３４ 締
結部材、 ３６ 柱、 ３８ 接着剤、４０ ヒー
トパイプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ディー・イアン・ストーンズ アメリカ合衆国カリフォルニア州90503, トーランス，グラント・アベニュー 21321 (72)発明者 ケネス・シー・ゼルク アメリカ合衆国カリフォルニア州90254, ハーモサ・ビーチ，プロスペクト・アベ ニュー 2411，ナンバー 301 (72)発明者 ロジャー・エイ・デイヴィドヘイザー アメリカ合衆国カリフォルニア州90266, マンハッタン・ビーチ，サーティーフォ ース・ストリート 120 (72)発明者 アルフレッド・イー・リー アメリカ合衆国カリフォルニア州90505, トーランス，マカフィー・ロード 4612 (56)参考文献 特開 昭63−6892（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−176545（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−297905（ＪＰ，Ａ) 特開2000−77579（ＪＰ，Ａ) 特開2000−114433（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−99572（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/32 H01P 3/08

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 中心導体及び接地導体を有する同軸装置
    とインターフェースするための装置であって、 アレイ状に配置された複数の導電構造であって、前記中
    心導体を受け入れるために中心に配置された導電構造
    と、前記接地導体を受け入れるために前記中心に配置さ
    れた導電構造の周囲に配置された複数の接地導電構造
    と、を含む導電構造を含み、 前記中心に配置された導電構造と、同中心に配置された
    導電構造の周囲に配置された前記複数の接地導電構造
    と、が導電性のボールである、 装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の装置であって、 前記アレイが、複数の前記導電構造を含む第２のアレイ
    内に配置されている、装置。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の装置であって、 前記中心に配置された導電構造と、同中心に配置された
    導電構造の周囲に配置された前記複数の接地導電構造
    と、が半田によって作られている、装置。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載の装置であって、 前記中心に配置された導電構造と、同中心に配置された
    導電構造の周囲に配置された前記複数の接地導電構造
    と、が導電性エポキシを含む、装置。
  5. 【請求項５】 第１及び第２の導体を有する同軸線への
    接続を提供するための高周波同軸連結ボール・グリッド
    ・アレイであって、 前記第１の導体とインターフェースするための中心に配
    置された導電性のボールと、 前記第２の導体とインターフェースするために、前記中
    心に配置されたボールの周囲に配置された複数の外側導
    電性ボールと、 を含む同軸連結ボール・グリッド・アレイ。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載の同軸連結ボール・グリ
    ッド・アレイであって、 前記同軸連結ボール・グリッド・アレイが、複数の導電
    性ボールを含む第２のボール・グリッド・アレイ内に配
    置されている、同軸連結ボール・グリッド・アレイ。
  7. 【請求項７】 請求項５に記載の同軸連結ボール・グリ
    ッド・アレイであって、 前記中心に配置された導電性ボール及び同中心に配置さ
    れた導電性ボールの周囲に配置された外側導電性ボール
    が半田によって作られている、同軸連結ボール・グリッ
    ド・アレイ。
  8. 【請求項８】 請求項５に記載の同軸連結ボール・グリ
    ッド・アレイであって、 前記中心に配置された導電性ボール及び同中心に配置さ
    れた導電性ボールの周囲に配置された外側導電性ボール
    が導電性エポキシを含んでいる、同軸連結ボール・グリ
    ッド・アレイ。
  9. 【請求項９】 回路基板と、 前記回路基板に接続されたチップパッケージであって、
    中心の及び接地の導体を有する少なくとも一つの同軸イ
    ンターフェースを含む、回路基板チップパッケージと、 アレイ状に配置された複数の導電性構造であって、前記
    中心の導体を受け入れるように中心に配置された導電構
    造と、前記接地の導体を受け入れるために前記中心に配
    置された構造の周囲に配置された複数の接地導電構造
    と、を含み、前記アレイは、前記回路基板と前記チップ
    パッケージとの間に配置されている、アレイ状に配置さ
    れた複数の導電性構造と、を含み、 前記中心に配置された導電構造と、同中心に配置された
    導電構造の周囲に配置された前記複数の接地導電構造
    と、が導電性のボールである、パッケージ構造体。
  10. 【請求項１０】 集積マイクロ波アセンブリを回路基板
    アセンブリに同軸接続するための高周波連結ボール・グ
    リッド・アレイであって、 同軸線の内側導体とかみ合うための中心に配置されたソ
    ルダーボールと、 前記同軸線の外側導体とかみ合うための複数の外側に配
    置されたソルダーボールと、 を含む連結ボール・グリッド・アレイ。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載のボール・グリッド
    ・アレイであって、 前記連結ボール・グリッド・アレイが、複数のソルダー
    ボールを含む第２のボール・グリッド・アレイ内に配置
    されている、ボール・グリッド・アレイ。
  12. 【請求項１２】 請求項１０に記載のボール・グリッド
    ・アレイであって、 前記中心に配置されたソルダーボールと外側に配置され
    たソルダーボールとがアレイ状に配置されている、ボー
    ル・グリッド・アレイ。
  13. 【請求項１３】 請求項１０に記載のボール・グリッド
    ・アレイであって、 前記中心に配置されたソルダーボールと外側に配置され
    たソルダーボールとが相互にほぼ等しく隔てられてい
    る、ボール・グリッド・アレイ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6455360B1 (en) 1995-06-26 2002-09-24 Seiko Epson Corporation Method for forming crystalline semiconductor layers, a method for fabricating thin film transistors, and a method for fabricating solar cells and active matrix liquid crystal devices
US6642091B1 (en) 1999-07-15 2003-11-04 Nec Corporation Thin-film semiconductor device and apparatus for fabricating thin-film semiconductor device
CN101572228B (zh) * 2008-04-28 2011-03-23 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 多晶硅薄膜及栅极的形成方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6639154B1 (en) * 2000-10-10 2003-10-28 Teradyne, Inc. Apparatus for forming a connection between a circuit board and a connector, having a signal launch
JP2002298962A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Jst Mfg Co Ltd 樹脂ハンダを用いた電気接触子、電気コネクタ及びこれらのプリント配線板への接続方法
JP2002298940A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Jst Mfg Co Ltd 樹脂ハンダを用いた電気接触子、電気コネクタ及びこれらのプリント配線板への接続方法
JP2002298995A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Jst Mfg Co Ltd 樹脂ハンダを用いた同軸ケーブルの結束部材及び同軸ケーブルの電気コネクタ並びに結束部材の同軸ケーブル又は電気コネクタへの接続方法
JP2002298938A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Jst Mfg Co Ltd 樹脂ハンダを用いたツイストペアケーブルの電気コネクタ及びこの電気コネクタへの電線接続方法
JP2002298946A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Jst Mfg Co Ltd 樹脂ハンダを用いた電気接続具、電気コネクタ及びこれらへの電線接続方法
US6727777B2 (en) 2001-04-16 2004-04-27 Vitesse Semiconductor Corporation Apparatus and method for angled coaxial to planar structure broadband transition
WO2003049149A2 (en) * 2001-11-30 2003-06-12 Vitesse Semiconductor Corporation Apparatus and method for inter-chip or chip-to-substrate connection with a sub-carrier
WO2004105128A1 (ja) 2003-05-20 2004-12-02 Fujitsu Limited 半導体パッケージ
US6768189B1 (en) * 2003-06-04 2004-07-27 Northrop Grumman Corporation High power chip scale package
US6933596B2 (en) * 2003-07-01 2005-08-23 Northrop Grumman Corporation Ultra wideband BGA
WO2005036644A2 (en) * 2003-10-10 2005-04-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electronic device and carrier substrate
US20060226928A1 (en) * 2005-04-08 2006-10-12 Henning Larry C Ball coax interconnect
US20070251719A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Rick Sturdivant Selective, hermetically sealed microwave package apparatus and methods
US8680689B1 (en) 2012-10-04 2014-03-25 International Business Machines Corporation Coplanar waveguide for stacked multi-chip systems
EP2945222A1 (en) * 2014-05-14 2015-11-18 Gapwaves AB A microwave or millimeter wave RF part using pin grid array (PGA) and/or ball grid array (BGA) technologies
CN112086371B (zh) * 2020-08-19 2023-03-14 中国电子科技集团公司第二十九研究所 宽带射频板级互连集成方法、结构及装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7003475A (ja) * 1969-03-28 1970-09-30
US4295183A (en) 1979-06-29 1981-10-13 International Business Machines Corporation Thin film metal package for LSI chips
JP3014503B2 (ja) * 1991-08-05 2000-02-28 日本特殊陶業株式会社 集積回路用パッケージ
US5347086A (en) * 1992-03-24 1994-09-13 Microelectronics And Computer Technology Corporation Coaxial die and substrate bumps
EP0604005A1 (en) * 1992-10-26 1994-06-29 Texas Instruments Incorporated Device packaged in a high interconnect density land grid array package having electrical and optical interconnects
US5376584A (en) 1992-12-31 1994-12-27 International Business Machines Corporation Process of making pad structure for solder ball limiting metallurgy having reduced edge stress
US5401912A (en) * 1993-06-07 1995-03-28 St Microwave Corp., Arizona Operations Microwave surface mount package
US5456004A (en) 1994-01-04 1995-10-10 Dell Usa, L.P. Anisotropic interconnect methodology for cost effective manufacture of high density printed circuit boards
US5593082A (en) 1994-11-15 1997-01-14 Tosoh Smd, Inc. Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby
JP3473923B2 (ja) * 1995-02-27 2003-12-08 新光電気工業株式会社 Ｂｇａパッケージと該パッケージの実装構造
SE9502326D0 (sv) * 1995-06-27 1995-06-27 Sivers Ima Ab Mikrovågskrets, sådan krets av kapslat utförande, samt användning av mikrovågskretsen i ett kretsarrangemang
JP4195731B2 (ja) * 1996-07-25 2008-12-10 富士通株式会社 多層プリント板及びこれを利用した高周波回路装置
JPH10178144A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Fujitsu Ltd Ｂｇａ型電子部品の同軸電極構造

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6455360B1 (en) 1995-06-26 2002-09-24 Seiko Epson Corporation Method for forming crystalline semiconductor layers, a method for fabricating thin film transistors, and a method for fabricating solar cells and active matrix liquid crystal devices
US6746903B2 (en) 1995-06-26 2004-06-08 Seiko Epson Corporation Method for forming crystalline semiconductor layers, a method for fabricating thin film transistors, and a method for fabricating solar cells and active matrix liquid crystal devices
US6642091B1 (en) 1999-07-15 2003-11-04 Nec Corporation Thin-film semiconductor device and apparatus for fabricating thin-film semiconductor device
CN101572228B (zh) * 2008-04-28 2011-03-23 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 多晶硅薄膜及栅极的形成方法

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