JP3276460B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング装置
に関する。詳しくは、超音波を用いて半導体装置のワイ
ヤボンディングを行うときの超音波の効率向上を図った
ワイヤボンディング装置に関する。
【0002】最近の電子技術の進展に伴ってICやLS
Iの様な半導体装置は、その集積度が急激に増大しつつ
ある。この事は、半導体装置を構成するチップ上のボン
ディングパッド数の増加及びパッドピッチの縮小化を意
味しており、従って、パッドの大きさも従来より小さく
なり、圧着するボールの大きさも小さくならざるを得な
い状態である。
【0003】一方、各ボンディングパッドに、ワイヤで
接続されるリード部分を持つリードフレームは、プレス
打抜き等の機械的手段やエッチング等の化学的手段で形
成される為、パターンの微小化には限界はあるが、70
μm程度に狭くなっている。直径30μm程度の金線
を、狭い部分に圧着するには、位置精度も重要なことで
あるが、超音波を効率良く使用する事が重要になってい
る。
【0004】
【従来の技術】図4及び図5は従来のワイヤボンディン
グ装置におけるトランスデューサの固定方法を示す図で
ある。図4に示す方法は、(a)の側面図及び(b)の
断面図に示すように、ホーン部2と、マウント部3及び
振動子部4とで構成されたトランスデューサ1の該マウ
ント部3を、ホルダ5で支持し、そのネジ6を締めつけ
ることで固定している。
【0005】また図5に示す方法は、(a)の斜視図及
び(b)の正面図に示すように、ホルダ7の内部にカラ
ー8とトランスデューサ1のマウント部3が挿入され、
ホルダ7のネジ9を締め込むことでカラー8を介してマ
ウント部3を固定している。
【0006】なお、トランスデューサは、通常、ホーン
部2とマウント部3を一体で形成し、振動子部4とはネ
ジで固定するのが一般的である。ホーン部2の長さは、
トランスデューサの周波数によって決定される。一般的
に周波数は64KHz 程度及び100KHz 程度が使用され
るので、例えば64KHz 程度の場合は図6(a)の如
く、2.5波長を使用すると長さL1 は約100mmとな
り、図6(b)の如く1.5波長を使用するときは長さ
2 は約60mmとなる。この波形の基準となっている所
がノード部10である。
【0007】このようなトランスデューサにおいて、図
7に示すように、ノード部10を点で固定できれば超音
波は最も効率良く発生するが、トランスデューサ1が高
速で上下し、且つ前後左右に動作する為、完全に固定す
る事は困難である。そこで図4に示した様に、トランス
デューサ1のマウント部3を全体的に押さえたり、図5
に示した様に、マウント部3の前後を押さえて固定する
のが一般的となっている。
【0008】しかし、ノード部10の近辺に接触した場
合、図4(b)に示す様に、マウント部3とホルダ5
が、どちらも丸い形状になっている為、完全に密着して
固定することは困難であり、一部(Z部)が浮いている
事になる。この僅かに浮いているZ部がボンディング時
に高速で動く事で、接触したり離れる為に、超音波が不
安定となる。
【0009】トランスデューサの効率はその抵抗値を測
定することで良否を判定することができる。トランスデ
ューサの抵抗を測定するには図8(a)に示すように、
発振電源12とトランスデューサ1との間に既知の抵抗
R(図では4.7Ω)を直列に挿入し、端子OとGND
間の電圧Eと、端子PとGND間の電圧E′を測定する
ことにより、オームの法則から、トランスデューサの抵
抗Zを、Z=(E/E′)×R(Ω)として計算するこ
とができる。
【0010】また、図8(b)に示すように、トランス
デューサ1の先端を指13等で押さえて発振電源12か
ら電圧を印加すると、振動しようとするトランスデュー
サ1を振動しないように妨害する事となる。その結果振
動子4には電流が流れにくくなりトランスデューサの抵
抗値Zは大きくなる。これは、トランスデューサの抵抗
値が無負荷状態より大きくなるように変化すれば効率が
悪くなることを意味している。
【0011】図9にトランスデューサの抵抗値を測定し
た例を示しているが、図9(a)の如くホルダに取付け
ない場合は8.7Ωであったものが、図9(b)の如く
ホルダ5に取付けた場合は32.7Ωとなり、後者の方
が3倍以上抵抗値が高くなっており、効率が悪くなって
いることを示している。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】従来のトランスデュー
サの固定方法では、前述のように超音波を効率良く伝播
する事が困難で超音波が不安定であった。このため、ワ
イヤボンディング時に、圧着したボールが変形して隣接
するパッドと接触し、障害の原因となったり、ワイヤが
リードに完全に圧着せず、次工程の封止工程でワイヤが
リードから剥離する等の障害が発生するという問題があ
った。
【0013】本発明は、トランスデューサに効率良く超
音波を発生させることができるワイヤボンディング装置
を実現しようとする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明のワイヤボンディ
ング装置に於いては、超音波を用いて半導体装置のワイ
ヤボンディングを行うワイヤボンディング装置におい
て、超音波を発生させるトランスデューサ20を、該ト
ランスデューサ20を固定するホルダ21に固定する際
に、トランスデューサ20のノード部26をホルダ21
に接触させない手段を用いたことを特徴とする。
【0015】また、それに加えて、前記ノード部26を
ホルダ21に接触させない手段として、トランスデュー
サ20の円柱形マウント部24に対し、ホルダ21に設
けられたマウント部支持穴27の前記ノード部26に対
応する開口端に逃げ29を設けたこと、あるいは、トラ
ンスデューサ20の円柱形マウント部24のノード部2
6部分をホルダ21に設けられたマウント部支持穴27
から突き出したこと、あるいはホルダ21に設けられた
円筒形のマウント部支持穴27に対し、トランスデュー
サ20の円柱形マウント部24のノード部26部分をテ
ーパー状に形成したことを特徴とする。
【0016】この構成を採ることにより、トランスデュ
ーサに効率良く超音波を発生させることができるワイヤ
ボンディング装置が得られる。
【0017】
【作用】本発明では、図1乃至図3に示すように、、ト
ランスデューサ20をホルダ21に固定する際に、トラ
ンスデューサ20のノード部26及びその近傍を避けて
固定しているため、超音波を効率良く発生させることが
できる。またそれにより、圧着ボールの形状のばらつき
及びワイヤとリードの圧着不良を防止することが可能と
なる。
【0018】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例を示す図であ
り、(a)は斜視図、(b)は一部断面を示す側面図で
ある。同図はワイヤボンディング装置の本体は図示を省
略し、トランスデューサのみを示している。図におい
て、20はトランスデューサ、21は該トランスデュー
サを支持するホルダである。そして、トランスデューサ
20は先端にキャピラリ22を有するホーン部23と、
該ホーン部23に接続した円柱形のマウント部24と、
該マウント部24に接続した振動子部25とよりなるこ
とは図4で説明した従来例と同様である。そして該トラ
ンスデューサ20のノード部26はマウント部24のホ
ーン部23に近接した位置にある。
【0019】本実施例の特徴はホルダ21にある。即ち
該ホルダ21はトランスデューサ20のマウント部24
を挿入できるマウント部支持穴27と、外側から該マウ
ント部支持穴27に通ずるすり割り28が設けられてい
る。そしてマウント部支持穴27の一方の開口部にはラ
ッパ状に加工された逃げ29が設けられている。また、
すり割り部28の外側には、該すり割りを締付けて、そ
のすき間を縮小することができる締付ねじ30が設けら
れている。
【0020】そして、トランスデューサ20は、そのノ
ード部26がホルダ21のラッパ状の逃げ部29に位置
するようにホルダ21のマウント部支持穴27にマウン
ト部24を挿入し、締付ねじ30の締付けにより該ホル
ダ21に固定される。
【0021】このように構成された本実施例は、ホルダ
21がトランスデューサ20を、そのノード部26に接
触せずに固定しているため、超音波を効率良く発生させ
ることが可能となる。ちなみに本実施例の抵抗値は図9
(a)に示したホルダに取付けない状態と同じ値である
8.7Ωであった。また本実施例では、トランスデュー
サが不良となって交換する際も、容易にトランスデュー
サを効率の良い状態に固定することが可能な為、メンテ
ナンス性も良好となる。なお、本実施例においては、逃
げ部29をラッパ状としたが、この形状に限らず円筒状
としても良い。
【0022】図2は本発明の第2の実施例を示す図であ
る。本実施例は、基本的には前実施例と同様であり、異
なるところは、ホルダ21の厚さTを薄くしてトランス
デューサ20を支持固定したとき、トランスデューサ2
0のマウント部24のノード部26がホルダ21から突
き出るようにしたことである。このように構成された本
実施例は、トランスデューサ20のノード部26がホル
ダ21に接触していないため、前実施例と同様な作用の
効果が得られる。
【0023】図3は本発明の第3の実施例を示す図であ
る。本実施例は基本的には第1の実施例と同様であり、
異なることろは、第1の実施例のホルダ21に設けた逃
げ29の代わりにトランスデューサ20のマウント部2
4の一端をテーパ状31としてノード部26をホルダ2
1に接触しない様にしたことである。このように構成さ
れた本実施例は、ノード部26がホルダ21に接触して
いないため、第1の実施例と同様な作用・効果が得られ
る。
【0024】
【発明の効果】本発明に依れば、トランスデューサをホ
ルダに固定する際、ノード部をホルダに接触させないよ
うにして固定しているため、従来発生していた超音波の
伝播効率のばらつきを防止できるので、ワイヤボンディ
ング時に圧着ボールの形状が安定し、更に、リードへの
圧着性もばらつきが無くなるので、生産性向上に大きく
寄与する。また、従来方式より小さい径のボールも圧着
可能となるため、集積度の更なる向上も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す図で、(a)は斜
視図、(b)は一部断面を示す側面図である。
【図2】本発明の第2の実施例を示す図である。
【図3】本発明の第3の実施例を示す図である。
【図4】従来のワイヤボンディング装置におけるトラン
スデューサの固定方法を示す図で、(a)は側面図、
(b)は(a)図のb−b線における断面図である。
【図5】従来のワイヤボンディング装置におけるトラン
スデューサの固定方法の他の例を示す図で、(a)は斜
視図、(b)は(a)図のZ矢視図である。
【図6】トランスデューサの振動を説明する図である。
【図7】トランスデューサのノード部固定方式の1例を
示す図である。
【図8】トランスデューサの抵抗を説明するための図で
ある。
【図9】トランスデューサの抵抗値測定例を示す図であ
る。
【符号の説明】
20…トランスデューサ 21…ホルダ 22…キャピラリ 23…ホーン部 24…マウント部 25…振動子部 26…ノード部 27…マウント部支持穴 28…すり割り 29…逃げ 30…締付ねじ 31…テーパー部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−291937(JP,A) 特開 平5−235116(JP,A) 特開 平6−21163(JP,A) 特開 昭62−196000(JP,A) 実開 平6−52146(JP,U) 実開 昭63−197684(JP,U) 実開 平2−117077(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 301 B60B 1/06 H01L 21/607

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 超音波を用いて半導体装置のワイヤボン
    ディングを行うワイヤボンディング装置において、 超音波を発生するトランスデューサ(20)を、該トラ
    ンスデューサ(20)を固定するホルダ(21)に固定
    する際に、トランスデューサ(20)のノード部(2
    6)をホルダ(21)に接触させない手段を用いたこと
    を特徴とするワイヤボンディング装置。
  2. 【請求項2】 前記ノード部(26)をホルダ(21)
    に接触させない手段は、トランスデューサ(20)の円
    柱形マウント部(24)に対し、ホルダ(21)に設け
    られたマウント部支持穴(27)の前記ノード部(2
    6)に対応する開口端に逃げ(29)を設けたことを特
    徴とする請求項1のワイヤボンディング装置。
  3. 【請求項3】 前記ノード部(26)をホルダ(21)
    接触させない手段は、トランスデューサ(20)の円
    柱形マウント部(24)のノード部(26)部分をホル
    ダ(21)に設けられたマウント部支持穴(27)から
    突き出したことを特徴とする請求項1のワイヤボンディ
    ング装置。
  4. 【請求項4】 前記ノード部(26)をホルダ(21)
    に接触させない手段は、ホルダ(21)に設けられた円
    筒形のマウント部支持穴(27)に対し、トランスデュ
    ーサ(20)の円柱形マウント部(24)のノード部
    (26)部分をテーパー状に形成したことを特徴とする
    請求項1のワイヤボンディング装置。
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