JP3257936B2 - ボンド磁石用フエライト粉末およびこれを用いたボンド磁石 - Google Patents
ボンド磁石用フエライト粉末およびこれを用いたボンド磁石Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ＡＶ，ＯＡ機器，
自動車電装部品等に使用される小型モーターや，複写機
のマグネットロール等に使用される高磁力のボンド磁石
を構成するためのフエライト粉末に関する。
自動車電装部品等に使用される小型モーターや，複写機
のマグネットロール等に使用される高磁力のボンド磁石
を構成するためのフエライト粉末に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に，磁石の磁力を示す最大エネルギ
ー積（ＢＨ）ｍａｘは，残留磁束密度Ｂｒと保磁力ｉＨ
ｃにより決まる。残留磁束密度Ｂｒは磁石の密度ρと磁
粉の飽和磁化σｓ，配向度（Ｂｒ／４πＩｓ）により下
式で表される。 Ｂｒ＝４π×（ρ）×（σｓ）×（配向度）
ー積（ＢＨ）ｍａｘは，残留磁束密度Ｂｒと保磁力ｉＨ
ｃにより決まる。残留磁束密度Ｂｒは磁石の密度ρと磁
粉の飽和磁化σｓ，配向度（Ｂｒ／４πＩｓ）により下
式で表される。 Ｂｒ＝４π×（ρ）×（σｓ）×（配向度）
【０００３】一方，保磁力ｉＨｃはフエライト系の場
合，結晶異方性と形状異方性および単磁区構造の理論で
説明されている。
合，結晶異方性と形状異方性および単磁区構造の理論で
説明されている。
【０００４】ボンド磁石と焼結磁石の大きな違いは密度
ρである。フエライト系焼結磁石の密度５.０ｇ／ｃｍ
3 に対し，ボンド磁石では樹脂やゴム等のバインダーが
入るため当然密度はこれより低くなり，磁力は下がる。
したがって，ボンド磁石の磁力を高くするには，フエラ
イト粉末の含有率を増やすことが必須の課題となる。し
かし，フエライト粉末の含有率を増やすとバインダーと
の混練時に高粘度となり，負荷が増大して混練物の生産
性が低下し，極端な場合には混練不可になる。そして，
混練物の成形時にも流動性が悪いのでやはり生産性が低
下し，極端な場合には成形不可になる。
ρである。フエライト系焼結磁石の密度５.０ｇ／ｃｍ
3 に対し，ボンド磁石では樹脂やゴム等のバインダーが
入るため当然密度はこれより低くなり，磁力は下がる。
したがって，ボンド磁石の磁力を高くするには，フエラ
イト粉末の含有率を増やすことが必須の課題となる。し
かし，フエライト粉末の含有率を増やすとバインダーと
の混練時に高粘度となり，負荷が増大して混練物の生産
性が低下し，極端な場合には混練不可になる。そして，
混練物の成形時にも流動性が悪いのでやはり生産性が低
下し，極端な場合には成形不可になる。
【０００５】このボンド磁石特有の課題を解決するため
に，バインダーの選定やフエライト粉末の表面処理等の
面での改良が行われているが，基本的にはフエライト粉
末自身の高充填性を確保することが最も重要である。フ
エライト粉末の充填性は一般的には粒度分布と圧縮密度
との関連性が高い。
に，バインダーの選定やフエライト粉末の表面処理等の
面での改良が行われているが，基本的にはフエライト粉
末自身の高充填性を確保することが最も重要である。フ
エライト粉末の充填性は一般的には粒度分布と圧縮密度
との関連性が高い。
【０００６】従来，このようなフエライト粉末の製造方
法として例えば特公昭５５−２６６０５号公報および特
公昭６３−３４６１０号公報に記載された方法が知られ
ている。前者は高温で焼成して粗大結晶粒子を成長さ
せ，これを粉砕して粗大粒子の間隙を埋めるような微粒
子を作る方法であり，後者は平均粒径０.５〜１.５μｍ
のフエライト微粉末と平均粒径３０〜２５０μｍのフエ
ライト粗粉とを配合する方法である。
法として例えば特公昭５５−２６６０５号公報および特
公昭６３−３４６１０号公報に記載された方法が知られ
ている。前者は高温で焼成して粗大結晶粒子を成長さ
せ，これを粉砕して粗大粒子の間隙を埋めるような微粒
子を作る方法であり，後者は平均粒径０.５〜１.５μｍ
のフエライト微粉末と平均粒径３０〜２５０μｍのフエ
ライト粗粉とを配合する方法である。
【０００７】これらの方法でも圧縮密度が高く，高充填
性のフエライト粉末は得られるが，充填性以外にボンド
磁石として高磁力化に必要な特性要因についての考慮が
不充分で，得られるボンド磁石の最大エネルギー積（Ｂ
Ｈ）ｍａｘは最高レベルでも２.２〜２.３ＭＧＯｅが限
度であった。
性のフエライト粉末は得られるが，充填性以外にボンド
磁石として高磁力化に必要な特性要因についての考慮が
不充分で，得られるボンド磁石の最大エネルギー積（Ｂ
Ｈ）ｍａｘは最高レベルでも２.２〜２.３ＭＧＯｅが限
度であった。
【０００８】例えば単に圧縮密度だけを追求したフエラ
イト粉末では，バインダーとの混練負荷を下げたり，そ
の混練物の流動性を上げて成形性を改善するには十分で
はない。粉体の混練性や流動性は確かに圧縮密度によっ
ても影響も受けるが，その他の要因として粒子形状，粒
子の表面状態の影響も無視できないからである。また粒
子形状や粒子の表面状態は配向度および保磁力との関連
性も強い。
イト粉末では，バインダーとの混練負荷を下げたり，そ
の混練物の流動性を上げて成形性を改善するには十分で
はない。粉体の混練性や流動性は確かに圧縮密度によっ
ても影響も受けるが，その他の要因として粒子形状，粒
子の表面状態の影響も無視できないからである。また粒
子形状や粒子の表面状態は配向度および保磁力との関連
性も強い。
【０００９】粒子形状の点からフエライト粒子を見る
と，配向に適した粒子形状はＣ軸方向の異方性が高い六
角板状であるが，射出成形等の磁場配向タイプでは板状
比（ａ軸方向の粒径／ｃ軸方向の粒径）が小さいほど，
粒子が動き易く高流動性が得られる。また，当然粒子間
焼結が少ないほど配向しやすい。
と，配向に適した粒子形状はＣ軸方向の異方性が高い六
角板状であるが，射出成形等の磁場配向タイプでは板状
比（ａ軸方向の粒径／ｃ軸方向の粒径）が小さいほど，
粒子が動き易く高流動性が得られる。また，当然粒子間
焼結が少ないほど配向しやすい。
【００１０】粒子の表面形態については不明な点が多い
が，バインダーとの親和性から，混練時，成形時におけ
る粘度との関連がありそうである。粘度が低いほど高流
動性となり配向度が上がり，また機械的ストレスが弱い
ので保持力の低下も少ないであろう。
が，バインダーとの親和性から，混練時，成形時におけ
る粘度との関連がありそうである。粘度が低いほど高流
動性となり配向度が上がり，また機械的ストレスが弱い
ので保持力の低下も少ないであろう。
【００１１】保磁力ｉＨｃについては，結晶異方性と形
状異方性，単磁区構造等によって説明されている。例え
ばストロンチウムフエライトは，バリウムフエライトよ
りも結晶異方性が大きいので高ｉＨｃが得られる。また
板状比は小さいほど形状異方性による減磁が少ないので
高ｉＨｃになる。粉砕して平均粒子径が小さくなると単
磁区構造に近づくので（ただし，同時に歪みも生じるの
でこの歪みをアニールで除去すると）高ｉＨｃが得られ
る。なお，アニールしたものは混練および成形時に機械
的ストレスを受けてｉＨｃが下がるが，平均粒子径が小
さいとこのストレスを受けにくい。
状異方性，単磁区構造等によって説明されている。例え
ばストロンチウムフエライトは，バリウムフエライトよ
りも結晶異方性が大きいので高ｉＨｃが得られる。また
板状比は小さいほど形状異方性による減磁が少ないので
高ｉＨｃになる。粉砕して平均粒子径が小さくなると単
磁区構造に近づくので（ただし，同時に歪みも生じるの
でこの歪みをアニールで除去すると）高ｉＨｃが得られ
る。なお，アニールしたものは混練および成形時に機械
的ストレスを受けてｉＨｃが下がるが，平均粒子径が小
さいとこのストレスを受けにくい。
【００１２】残留磁束密度Ｂｒについては飽和磁化σｓ
が決め手となる。マグネトプランバイト型（以下Ｍ型と
略称することがある）フエライトにおける飽和磁化σｓ
の理論値としては，ストロンチウムフエライトが７２ｅ
ｍｕ／ｇ，バリウムフエライトが７１ｅｍｕ／ｇである
のに対し，一般市販品は７０ｅｍｕ／ｇ程度とかなり理
論値に近いところまで向上しているので，これ以上のσ
ｓの大幅な向上は難しい。現在，飽和磁化を上げる手段
とし，Ｍ型よりも高い理論値７８ｅｍｕ／ｇを有するＷ
型フエライトも一部検討されているが，製法が複雑でコ
ストも高いため実用化には達してない。
が決め手となる。マグネトプランバイト型（以下Ｍ型と
略称することがある）フエライトにおける飽和磁化σｓ
の理論値としては，ストロンチウムフエライトが７２ｅ
ｍｕ／ｇ，バリウムフエライトが７１ｅｍｕ／ｇである
のに対し，一般市販品は７０ｅｍｕ／ｇ程度とかなり理
論値に近いところまで向上しているので，これ以上のσ
ｓの大幅な向上は難しい。現在，飽和磁化を上げる手段
とし，Ｍ型よりも高い理論値７８ｅｍｕ／ｇを有するＷ
型フエライトも一部検討されているが，製法が複雑でコ
ストも高いため実用化には達してない。
【００１３】以上のように，フエライト粉末の組成，粒
度，粒度分布，表面性は，ボンド磁石の充填性，混練
性，成形性，配向性，保磁力，飽和磁化と複雑に絡んで
おり，これらをバランス良く制御することによって初め
てボンド磁石の高（ＢＨ）ｍａｘ化が達成される。これ
らの制御には，組成（原料，モル比，添加物），焼成，
粉砕，アニール等の単位操作が一般的であるが，これら
の組み合わせを最適化することが重要となる。
度，粒度分布，表面性は，ボンド磁石の充填性，混練
性，成形性，配向性，保磁力，飽和磁化と複雑に絡んで
おり，これらをバランス良く制御することによって初め
てボンド磁石の高（ＢＨ）ｍａｘ化が達成される。これ
らの制御には，組成（原料，モル比，添加物），焼成，
粉砕，アニール等の単位操作が一般的であるが，これら
の組み合わせを最適化することが重要となる。
【００１４】しかし，前記の特公昭５５−２６６０５号
公報および特公昭６３−３４６１０号公報では，特に充
填性だけを重視し，その他の複数要因については十分に
考慮されていない。そのため，特性を制御する単位操作
も単純すぎるため，複雑な特性要因を十分に制御するの
は困難であり，フエライト系ボンド磁石の（ＢＨ）ｍａ
ｘは２.２〜２.３ＭＧＯｅが最高レベルであった。事
実，現状の市場においても，この最高レベルを超えるフ
エライト系ボンド磁石は出現していない。
公報および特公昭６３−３４６１０号公報では，特に充
填性だけを重視し，その他の複数要因については十分に
考慮されていない。そのため，特性を制御する単位操作
も単純すぎるため，複雑な特性要因を十分に制御するの
は困難であり，フエライト系ボンド磁石の（ＢＨ）ｍａ
ｘは２.２〜２.３ＭＧＯｅが最高レベルであった。事
実，現状の市場においても，この最高レベルを超えるフ
エライト系ボンド磁石は出現していない。
【００１５】このため，（ＢＨ）ｍａｘ＝２.５〜４.０
ＭＧＯｅが要求される分野ではフエライト系焼結磁石が
使用されている。だが，焼結磁石は欠け割れが発生した
り，研磨が必要なため生産性に劣ることと，複雑な形状
への加工が困難であるという固有の問題がある。最近，
希土類磁石を用いたボンド磁石がこの分野で一部使用さ
れているが，希土類磁石はフエライトの２０倍のコスト
高であり，また錆びやすいという問題がある。
ＭＧＯｅが要求される分野ではフエライト系焼結磁石が
使用されている。だが，焼結磁石は欠け割れが発生した
り，研磨が必要なため生産性に劣ることと，複雑な形状
への加工が困難であるという固有の問題がある。最近，
希土類磁石を用いたボンド磁石がこの分野で一部使用さ
れているが，希土類磁石はフエライトの２０倍のコスト
高であり，また錆びやすいという問題がある。
【００１６】このような背景から，加工性が良好で安価
なフエライト系Ｍ型ボンド磁石において（ＢＨ）ｍａｘ
≧２.５ＭＧＯｅを達成することが，ＡＶ，ＯＡ機器，
自動車の電装部品等の小型モーターや複写機のマグネッ
トロールの用途分野で強く要望されている。
なフエライト系Ｍ型ボンド磁石において（ＢＨ）ｍａｘ
≧２.５ＭＧＯｅを達成することが，ＡＶ，ＯＡ機器，
自動車の電装部品等の小型モーターや複写機のマグネッ
トロールの用途分野で強く要望されている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】したがって 本発明
は，上記したフエライト系ボンド磁石の問題点を解決
し，前記の要望に応えるべく，従来技術の水準を越える
（ＢＨ）ｍａｘ≧２.５ＭＧＯｅのフエライト系ボンド
磁石の開発を課題としたものである。
は，上記したフエライト系ボンド磁石の問題点を解決
し，前記の要望に応えるべく，従来技術の水準を越える
（ＢＨ）ｍａｘ≧２.５ＭＧＯｅのフエライト系ボンド
磁石の開発を課題としたものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記の課題は，平均粒子
径が０.３０〜０.５０μｍの微粉１５〜４０重量％と，
平均粒子径が１.００〜２.５０μｍの粗粉残部とを混合
して得た平均粒子径が０.９〜１.５μｍであって，粉体
ＰＨが７〜１０の範囲，下記のＭＦＲ測定法に従ってフ
エライト量９３重量％で測定したメルトフローレートが
７ｇ／１０ｍｉｎ以上であるマグネトプランバイト型フ
エライト粉末によって実質上解決できることがわかっ
た。
径が０.３０〜０.５０μｍの微粉１５〜４０重量％と，
平均粒子径が１.００〜２.５０μｍの粗粉残部とを混合
して得た平均粒子径が０.９〜１.５μｍであって，粉体
ＰＨが７〜１０の範囲，下記のＭＦＲ測定法に従ってフ
エライト量９３重量％で測定したメルトフローレートが
７ｇ／１０ｍｉｎ以上であるマグネトプランバイト型フ
エライト粉末によって実質上解決できることがわかっ
た。
【００１９】すなわち本発明によれば，マグネトプラン
バイト型フエライトの粉末であって，平均粒子径が０.
９〜１.５μｍ，ＪＩＳ Ｋ−５１０１で測定した粉体
ＰＨが７〜１０，更には下記のＭＦＲ測定法に従ってフ
エライト量９３重量％で測定したメルトフローレートが
７ｇ／１０ｍｉｎ以上である，１ton/ｃｍ2 の圧力で圧
縮したときの圧縮密度が３.４０ｇ／ｃｍ3 以上のボン
ド磁石用フエライト粉末を提供する。
バイト型フエライトの粉末であって，平均粒子径が０.
９〜１.５μｍ，ＪＩＳ Ｋ−５１０１で測定した粉体
ＰＨが７〜１０，更には下記のＭＦＲ測定法に従ってフ
エライト量９３重量％で測定したメルトフローレートが
７ｇ／１０ｍｉｎ以上である，１ton/ｃｍ2 の圧力で圧
縮したときの圧縮密度が３.４０ｇ／ｃｍ3 以上のボン
ド磁石用フエライト粉末を提供する。
【００２０】このフエライト粉末の粒度分布の幾何標準
偏差σｇが１.８〜２.５であるのが一層好ましく，また
ＢＥＴ法で測定した比表面積が１.５〜４.０ｍ2/ｇであ
る。
偏差σｇが１.８〜２.５であるのが一層好ましく，また
ＢＥＴ法で測定した比表面積が１.５〜４.０ｍ2/ｇであ
る。
【００２１】このフエライト粉末は，平均粒子径が０.
３０〜０.５０μｍのマグネトプランバイト型フエライ
トの微粉と，平均粒子径が１.００〜２.５０μｍのマグ
ネトプランバイト型フエライトの粗粉を準備する工程，
前記の微粉１５〜４０重量％と前記の粗粉残部とを混合
する工程，およびこの混合工程の前または後においてこ
れらの粉体を８００〜１１００℃でアニールする工程，
更には，アニール工程後の粉体のＰＨを７〜１０に調整
する工程からなる製造方法によって製造することができ
る。
３０〜０.５０μｍのマグネトプランバイト型フエライ
トの微粉と，平均粒子径が１.００〜２.５０μｍのマグ
ネトプランバイト型フエライトの粗粉を準備する工程，
前記の微粉１５〜４０重量％と前記の粗粉残部とを混合
する工程，およびこの混合工程の前または後においてこ
れらの粉体を８００〜１１００℃でアニールする工程，
更には，アニール工程後の粉体のＰＨを７〜１０に調整
する工程からなる製造方法によって製造することができ
る。
【００２２】そして，本発明によれば，平均粒子径が
０.９〜１.５μｍのマグネトプランバイト型フエライト
の粉末９３重量％以上を樹脂系バインダーを用いて成形
してなる（ＢＨ）ｍａｘが２.５ＭＧＯｅ以上のフエラ
イト系ボンド磁石を提供する。該磁石の成形密度は３.
９０ｇ／ｃｍ3 以上である。
０.９〜１.５μｍのマグネトプランバイト型フエライト
の粉末９３重量％以上を樹脂系バインダーを用いて成形
してなる（ＢＨ）ｍａｘが２.５ＭＧＯｅ以上のフエラ
イト系ボンド磁石を提供する。該磁石の成形密度は３.
９０ｇ／ｃｍ3 以上である。
【００２３】
【発明の実施の形態】フエライト系ボンド磁石において
高磁力化を達成するには，フエライト粉末のボンド磁石
中へ高充填することと配向度を上げることが必須条件で
ある。そして，高充填性のフエライト粉末を得るには粒
度分布を広くし，圧縮密度を高くする方法が効果的であ
る。
高磁力化を達成するには，フエライト粉末のボンド磁石
中へ高充填することと配向度を上げることが必須条件で
ある。そして，高充填性のフエライト粉末を得るには粒
度分布を広くし，圧縮密度を高くする方法が効果的であ
る。
【００２４】Ｆｕｒｎａｓ等によって二成分系のランダ
ム充填モデルが提案されている。最密充填された大粒子
間隙をちょうど満たすように小粒子を最密充填する場
合，大粒子の重量割合が７０％付近で最大充填率を与え
る。ただし，粒径比は０.２以下がであることが必要で
ある。
ム充填モデルが提案されている。最密充填された大粒子
間隙をちょうど満たすように小粒子を最密充填する場
合，大粒子の重量割合が７０％付近で最大充填率を与え
る。ただし，粒径比は０.２以下がであることが必要で
ある。
【００２５】本発明者らは，マグネトプランバイト型フ
エライト粉末について，充填性と配向度の高い製造条件
を知るべく広汎な試験研究を行った。その結果，平均粒
子径が０.３０〜０.５０μｍのマグネトプランバイト型
フエライトの微粉１５〜４０重量％と，平均粒子径が
１.００〜２.５０μｍのマグネトプランバイト型フエラ
イトの粗粉残部を混合して得た平均粒径０.９〜１.５μ
ｍの粉末が高充填性と高配向度をもたらすことがわかっ
た。
エライト粉末について，充填性と配向度の高い製造条件
を知るべく広汎な試験研究を行った。その結果，平均粒
子径が０.３０〜０.５０μｍのマグネトプランバイト型
フエライトの微粉１５〜４０重量％と，平均粒子径が
１.００〜２.５０μｍのマグネトプランバイト型フエラ
イトの粗粉残部を混合して得た平均粒径０.９〜１.５μ
ｍの粉末が高充填性と高配向度をもたらすことがわかっ
た。
【００２６】この場合，粒度分布の幾何標準偏差σｇが
１.８〜２.５の範囲となるものが特に充填性と配向度が
高い。この幾何標準偏差σｇは公知のレーザー回折式粒
度分布測定装置によって測定できる。本発明例では日本
電子株式会社製の商品名“ＨＥＬＯＳ ＆ ＲＯＤＯ
Ｓ”のレーザー回折式粒度分布測定装置を用いてσｇを
測定した。
１.８〜２.５の範囲となるものが特に充填性と配向度が
高い。この幾何標準偏差σｇは公知のレーザー回折式粒
度分布測定装置によって測定できる。本発明例では日本
電子株式会社製の商品名“ＨＥＬＯＳ ＆ ＲＯＤＯ
Ｓ”のレーザー回折式粒度分布測定装置を用いてσｇを
測定した。
【００２７】この充填性と配向度の高いマグネトプラン
バイト型フエライト粉末を得るには，先ず微粉原料とし
て，平均粒子径０.８〜１.５μｍの例えばストロンチウ
ムフエライトまたはバリウムフエライトを使用し，これ
を粉砕するか或いは粉砕後に分級して平均粒子径０.３
０〜０.５０μｍの範囲に入る微粉を準備する。この粉
砕時に平均粒子径を０.３μｍ未満にまで粉砕すること
は必要ではない。このような超微粉にまで粉砕すると，
粉砕時間が長くなり生産性の観点からマイナスであるば
かりでなく，ボンド磁石化後の磁気特性も低下する。他
方，０.５μｍを越える場合には，粗粉との混合したと
きに圧縮密度が低くなりボンド磁石への高充填に不適当
となる。
バイト型フエライト粉末を得るには，先ず微粉原料とし
て，平均粒子径０.８〜１.５μｍの例えばストロンチウ
ムフエライトまたはバリウムフエライトを使用し，これ
を粉砕するか或いは粉砕後に分級して平均粒子径０.３
０〜０.５０μｍの範囲に入る微粉を準備する。この粉
砕時に平均粒子径を０.３μｍ未満にまで粉砕すること
は必要ではない。このような超微粉にまで粉砕すると，
粉砕時間が長くなり生産性の観点からマイナスであるば
かりでなく，ボンド磁石化後の磁気特性も低下する。他
方，０.５μｍを越える場合には，粗粉との混合したと
きに圧縮密度が低くなりボンド磁石への高充填に不適当
となる。
【００２８】一方，粗粉原料としては平均粒子径３.０
〜４.０μｍの例えばストロンチウムフエライトまたは
バリウムフエライトを使用し，これを粉砕するか或いは
粉砕後に分級して平均粒子径１.００〜２.５０μｍの範
囲に入る粗粉を得る。１.００μｍ未満では微粉との混
合粉は圧縮密度が低くなり，ボンド磁石への高充填に不
適当である。他方，２.５０μｍを越える場合はボンド
磁石化後の配向度と保磁力が著しく低下するようにな
る。
〜４.０μｍの例えばストロンチウムフエライトまたは
バリウムフエライトを使用し，これを粉砕するか或いは
粉砕後に分級して平均粒子径１.００〜２.５０μｍの範
囲に入る粗粉を得る。１.００μｍ未満では微粉との混
合粉は圧縮密度が低くなり，ボンド磁石への高充填に不
適当である。他方，２.５０μｍを越える場合はボンド
磁石化後の配向度と保磁力が著しく低下するようにな
る。
【００２９】このようにして準備した平均粒子径０.３
０〜０.５０μｍの微粉と，平均粒子径１.００〜２.５
０μｍの粗粉を用いて，微粉１５〜４０重量％で残部が
粗粉となる混合比率を有するフエライト粉末を作る。微
粉が１５重量％未満では混合粉の圧縮密度が低く高充填
に不適当となり，またボンド磁石に成形後の保磁力も低
くなる。他方微粉が４０重量％を越えると，ボンド磁石
製造の際，バインダーとの混練および成形時の粘度が高
くなりすぎてボンド磁石化が困難になり，また成形でき
ても磁粉の配向度が低くなって残留磁束密度Ｂｒが下が
る。
０〜０.５０μｍの微粉と，平均粒子径１.００〜２.５
０μｍの粗粉を用いて，微粉１５〜４０重量％で残部が
粗粉となる混合比率を有するフエライト粉末を作る。微
粉が１５重量％未満では混合粉の圧縮密度が低く高充填
に不適当となり，またボンド磁石に成形後の保磁力も低
くなる。他方微粉が４０重量％を越えると，ボンド磁石
製造の際，バインダーとの混練および成形時の粘度が高
くなりすぎてボンド磁石化が困難になり，また成形でき
ても磁粉の配向度が低くなって残留磁束密度Ｂｒが下が
る。
【００３０】以上のような混合比で微粉と粗粉を混合後
にアニール処理を施すか，或いは微粉と粗粉を別々にア
ニール処理してから混合する。このアニール処理によっ
て，微粉・粗粉製造時の粉砕の際に結晶粒子中に発生し
た歪みを除去することができる。アニール温度は８００
〜１１００℃が好ましい。８００℃未満ではアニールの
効果が十分に達成されず，保磁力と飽和磁化が低くな
る。また１１００℃を越えると焼結が進んで，圧縮密度
と配向性が低下する。
にアニール処理を施すか，或いは微粉と粗粉を別々にア
ニール処理してから混合する。このアニール処理によっ
て，微粉・粗粉製造時の粉砕の際に結晶粒子中に発生し
た歪みを除去することができる。アニール温度は８００
〜１１００℃が好ましい。８００℃未満ではアニールの
効果が十分に達成されず，保磁力と飽和磁化が低くな
る。また１１００℃を越えると焼結が進んで，圧縮密度
と配向性が低下する。
【００３１】そして，最終的に粉体のＰＨを７〜１０に
調整する。このＰＨ調整には水洗や酸性物質による処理
等が採用できる。酸性物質としては，塩酸，硫酸，硝酸
等の無機酸が好ましい。カップリング剤等の有機物の表
面処理剤はフエライト粉末の表面に付着残留することに
よってその効果が発揮されるが，水洗および酸性物質に
よるＰＨ調整後には，かようなカップリング剤の使用量
を減らすことができるため，ボンド磁石における磁粉の
含有率低下を抑えられる。本発明粉の場合，アニール後
の粉体ＰＨは１１以上となり，この状態ではバインダー
との親和性に問題があり，高充填での混練および成形が
困難になる。粉体ＰＨを７〜１０に調整するとバインダ
ーとの親和性が増し粘度が下がるため，混練時の負荷を
下げ，成形時の流動性を上げることができる。なおＰＨ
値はＪＩＳ Ｋ−５１０１に規定の測定方法による。
調整する。このＰＨ調整には水洗や酸性物質による処理
等が採用できる。酸性物質としては，塩酸，硫酸，硝酸
等の無機酸が好ましい。カップリング剤等の有機物の表
面処理剤はフエライト粉末の表面に付着残留することに
よってその効果が発揮されるが，水洗および酸性物質に
よるＰＨ調整後には，かようなカップリング剤の使用量
を減らすことができるため，ボンド磁石における磁粉の
含有率低下を抑えられる。本発明粉の場合，アニール後
の粉体ＰＨは１１以上となり，この状態ではバインダー
との親和性に問題があり，高充填での混練および成形が
困難になる。粉体ＰＨを７〜１０に調整するとバインダ
ーとの親和性が増し粘度が下がるため，混練時の負荷を
下げ，成形時の流動性を上げることができる。なおＰＨ
値はＪＩＳ Ｋ−５１０１に規定の測定方法による。
【００３２】このようにして，平均粒子径が０.９〜１.
５μｍ，比表面積が１.５〜４.０ｍ2／ｇ，粒度分布の
幾何標準偏差が１.８〜２.５，圧縮密度が３.４０〜３.
６０ｇ／ｃｍ3 ，粉体ＰＨが７〜１０のマグネトプラン
バイト型フエライト粉末が得られる。ここで，平均粒子
径は空気透過法による比表面積測定装置で測定できる。
かような測定装置として例えば島津製作所製の商品名Ｓ
Ｓ−１００型の装置がある。また，比表面積はＢＥＴ法
によって測定したものを意味する。この比表面積測定装
置としては，例えばユアサアイオニクス株式会社製のモ
ノソーブが使用できる。
５μｍ，比表面積が１.５〜４.０ｍ2／ｇ，粒度分布の
幾何標準偏差が１.８〜２.５，圧縮密度が３.４０〜３.
６０ｇ／ｃｍ3 ，粉体ＰＨが７〜１０のマグネトプラン
バイト型フエライト粉末が得られる。ここで，平均粒子
径は空気透過法による比表面積測定装置で測定できる。
かような測定装置として例えば島津製作所製の商品名Ｓ
Ｓ−１００型の装置がある。また，比表面積はＢＥＴ法
によって測定したものを意味する。この比表面積測定装
置としては，例えばユアサアイオニクス株式会社製のモ
ノソーブが使用できる。
【００３３】本発明のフエライト粉末は，メルトフロー
レート（ＭＦＲ）が従来品のものにはない高い値を示す
という特質がある。その具体例は，後記実施例にも示す
が，従来品の水準を超えるフエライト量９３重量％で測
定したメルトフローレートが７ｇ／１０ｍｉｎ以上の高
流動を示す。ここで，ＭＦＲの値は，ＪＩＳ Ｋ−７２
１０に規定の熱可塑性プラスチックの流れ試験方法に準
じてフエライト粉末と樹脂のコンパウンドの流動性を測
定したものを意味する。その具体的な試験例を以下に挙
げる。
レート（ＭＦＲ）が従来品のものにはない高い値を示す
という特質がある。その具体例は，後記実施例にも示す
が，従来品の水準を超えるフエライト量９３重量％で測
定したメルトフローレートが７ｇ／１０ｍｉｎ以上の高
流動を示す。ここで，ＭＦＲの値は，ＪＩＳ Ｋ−７２
１０に規定の熱可塑性プラスチックの流れ試験方法に準
じてフエライト粉末と樹脂のコンパウンドの流動性を測
定したものを意味する。その具体的な試験例を以下に挙
げる。
【００３４】メルトフローレート (ＭＦＲ) の測定 ＪＩＳ Ｋ−７２１０に規定の熱可塑性プラスチックの
流れ試験方法に準じてフエライト粉末と樹脂のコンパウ
ンドの流動性を評価するにあたり，フエライト粉末試料
を，次の条件で１次表面処理，乾燥，樹脂調合，２次表
面処理，乾燥，混練の工程を順次経たうえ，これをＭＦ
Ｒ測定装置でメルトフローレートを測定する。
流れ試験方法に準じてフエライト粉末と樹脂のコンパウ
ンドの流動性を評価するにあたり，フエライト粉末試料
を，次の条件で１次表面処理，乾燥，樹脂調合，２次表
面処理，乾燥，混練の工程を順次経たうえ，これをＭＦ
Ｒ測定装置でメルトフローレートを測定する。
【００３５】 (1) フエライト粉末：２５００ｇ採取 (2) １次表面処理：Ｓ−３２０ ２０ｇ 水 １０ｇ メタノール ２３.８ｇ 処理装置；ハイスピードミキサー (3) 乾燥 ：１００℃×９０分 (4) 樹脂混合 ：前記の乾燥粉 ２４５０ｇ １２−ナイロン １５７.８ｇ（フエライト９３％の場合） 混合装置；ハイスピードミキサー（実施例記載のもの） (5) ２次表面処理：該樹脂と粉末の混合粉 全量 ２６０７.８ｇ 処理剤：オレイン酸 ９.７ｇ メタノール ２４.８ｇ 処理装置；ハイスピードミキサー (6) 乾燥 ：１００℃×３０分 (7) 混練 ：温度 ２２０℃ 混練装置 ＫＣＫ７０−２２ＶＥＸ（６） (8) ＭＦＲ測定 ：温度 ２７０℃ 荷重 １０Ｋｇ 試料挿入量 １５ｇ 測定装置 メルトインデクサー
【００３６】この測定に使用する樹脂と装置の具体例は
後記の実施例に記載した。本発明のフエライト粉はフエ
ライト９３重量％で残部が樹脂のコンパウンドでも流動
性を示し，ＭＦＲ値が７ｇ／１０ｍｉｎ以上となるのに
対し，従来品はフエライト９３重量％では全く流動性を
示さない。
後記の実施例に記載した。本発明のフエライト粉はフエ
ライト９３重量％で残部が樹脂のコンパウンドでも流動
性を示し，ＭＦＲ値が７ｇ／１０ｍｉｎ以上となるのに
対し，従来品はフエライト９３重量％では全く流動性を
示さない。
【００３７】この流動特性を有した本発明のフエライト
粉は，これをフエライト９３重量％以上となるように樹
脂系バインダーを用いて成形することによって（ＢＨ）
ｍａｘが２.５ＭＧＯｅ以上のフエライト系ボンド磁石
が得られる。この場合の成形密度は３.９０ｇ／ｃｍ3
以上である。
粉は，これをフエライト９３重量％以上となるように樹
脂系バインダーを用いて成形することによって（ＢＨ）
ｍａｘが２.５ＭＧＯｅ以上のフエライト系ボンド磁石
が得られる。この場合の成形密度は３.９０ｇ／ｃｍ3
以上である。
【００３８】以下に本発明の実施例を挙げて，その効果
を具体的に示す。
を具体的に示す。
【００３９】
〔実施例１〕 (1)微粉の製造 酸化鉄と炭酸ストロンチウムをモル比で５.２になるよ
うに秤量して混合し，これを水で造粒し，乾燥後，電気
炉中１０００℃で２時間焼成した。この焼成品をハンマ
ーミル（商品名サンプルミル）で粉砕し，さらに湿式粉
砕機（商品名ウエットミル）で湿式粉砕し，平均粒子径
が０.４３μｍのストロンチウムフエライト微粉を得
た。
うに秤量して混合し，これを水で造粒し，乾燥後，電気
炉中１０００℃で２時間焼成した。この焼成品をハンマ
ーミル（商品名サンプルミル）で粉砕し，さらに湿式粉
砕機（商品名ウエットミル）で湿式粉砕し，平均粒子径
が０.４３μｍのストロンチウムフエライト微粉を得
た。
【００４０】(2)粗粉の製造 酸化鉄と炭酸ストロンチウムをモル比で５.７になるよ
うに秤量して混合し，これを水で造粒し，乾燥後，電気
炉中１２００℃で２時間焼成した。この焼成品をサンプ
ルミルで粉砕し，さらに該ウエットミルで湿式粉砕し
て，平均粒子径が１.６１μｍのストロンチウムフエラ
イト粗粉を得た。
うに秤量して混合し，これを水で造粒し，乾燥後，電気
炉中１２００℃で２時間焼成した。この焼成品をサンプ
ルミルで粉砕し，さらに該ウエットミルで湿式粉砕し
て，平均粒子径が１.６１μｍのストロンチウムフエラ
イト粗粉を得た。
【００４１】(3)混合粉（フエライト粉末）の製造 (1)の微粉３０重量％と(2)の粗粉残部（７０重量％）を
秤量し，これを良く混合し，その混合粉を電気炉中９５
０℃で１時間焼成（アニール）した。得られた焼成品を
２０％の濃度になるように水中でリパルプ水洗した。こ
れを濾過，乾燥し，解砕して最終粉末として，次のスト
ロンチウムフエライト粉末を得た。 平均粒子径：１.２７μｍ， 比表面積 ：２.３５ｍ2／ｇ， 粒度分布の幾何標準偏差：２.０４， 圧縮密度 ：３.４４ｇ／ｃｍ3 ， 粉体ＰＨ ：９.５
秤量し，これを良く混合し，その混合粉を電気炉中９５
０℃で１時間焼成（アニール）した。得られた焼成品を
２０％の濃度になるように水中でリパルプ水洗した。こ
れを濾過，乾燥し，解砕して最終粉末として，次のスト
ロンチウムフエライト粉末を得た。 平均粒子径：１.２７μｍ， 比表面積 ：２.３５ｍ2／ｇ， 粒度分布の幾何標準偏差：２.０４， 圧縮密度 ：３.４４ｇ／ｃｍ3 ， 粉体ＰＨ ：９.５
【００４２】(4)ボンド磁石の製造 前記の(3)で得られたフエライト粉末９３部をミキサー
で攪拌しながらシラン系カップリング剤０.６部で表面
処理し，粉末状の１２−ナイロン６.０４部を混合し,
さらにオレイン酸０.３６部を添加する。次いで, 混練
機で２２０℃で混練ペレット化した後，１２ＫＯｅの磁
界中で射出成形し，直径１５ｍｍ×高さ８ｍｍの円柱状
異方性ボンド磁石を得た。この磁石をＢＨトレーサーで
測定したところ，最大エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘ＝
２.６３ＭＧＯｅの高磁力品であった。
で攪拌しながらシラン系カップリング剤０.６部で表面
処理し，粉末状の１２−ナイロン６.０４部を混合し,
さらにオレイン酸０.３６部を添加する。次いで, 混練
機で２２０℃で混練ペレット化した後，１２ＫＯｅの磁
界中で射出成形し，直径１５ｍｍ×高さ８ｍｍの円柱状
異方性ボンド磁石を得た。この磁石をＢＨトレーサーで
測定したところ，最大エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘ＝
２.６３ＭＧＯｅの高磁力品であった。
【００４３】(5)メルトフローレート (ＭＦＲ) の測定 ＪＩＳ Ｋ−７２１０に規定の熱可塑性プラスチックの
流れ試験方法に準じてフエライト粉末と樹脂のコンパウ
ンドの流動性を評価する。フエライト粉末試料を本文に
記載したＭＦＲの測定順序(1) 〜(7) に従って処理し，
前記(8) のＭＦＲ値を測定する。ここで，使用した処理
装置および樹脂は次のとおりである。
流れ試験方法に準じてフエライト粉末と樹脂のコンパウ
ンドの流動性を評価する。フエライト粉末試料を本文に
記載したＭＦＲの測定順序(1) 〜(7) に従って処理し，
前記(8) のＭＦＲ値を測定する。ここで，使用した処理
装置および樹脂は次のとおりである。
【００４４】１次表面処理，樹脂混合および２次表面処
理に使用したハイスピードミキサーとして，深江工業株
式会社製の商品名ＦＳ−ＧＣ−５ＪＤを使用した。この
ミキサーは缶体全容量が１１リットルのインペラー型高
速攪拌装置であり，いずれの処理も周速：８ｍ／ｓｅ
ｃ，処理時間：５分である。
理に使用したハイスピードミキサーとして，深江工業株
式会社製の商品名ＦＳ−ＧＣ−５ＪＤを使用した。この
ミキサーは缶体全容量が１１リットルのインペラー型高
速攪拌装置であり，いずれの処理も周速：８ｍ／ｓｅ
ｃ，処理時間：５分である。
【００４５】混練に使用した混練装置はＫＣＫ株式会社
製の連続混練押出式の型式：ＫＣＫ７０−２２ＶＥＸ
（６）を用いた。
製の連続混練押出式の型式：ＫＣＫ７０−２２ＶＥＸ
（６）を用いた。
【００４６】ＭＦＲの測定に用いたメルトインデクサー
は，東洋精機株式会社製の型式：Ｃ−５０５９Ｄ２を用
いた。この装置の構造はＪＩＳ−Ｋ７２１０に準ずるも
のである。
は，東洋精機株式会社製の型式：Ｃ−５０５９Ｄ２を用
いた。この装置の構造はＪＩＳ−Ｋ７２１０に準ずるも
のである。
【００４７】１次表面処理に使用したＳ−３２０は，チ
ッソ株式会社製のシラン系カップリング剤である。ま
た，樹脂混合工程で使用した樹脂は１２−ナイロン樹脂
（比重１.０２〜１.０４）である。
ッソ株式会社製のシラン系カップリング剤である。ま
た，樹脂混合工程で使用した樹脂は１２−ナイロン樹脂
（比重１.０２〜１.０４）である。
【００４８】この条件でメルトフローレート（ＭＦＲ
値）を測定したところ，本例のＭＦＲ値は１０.３ｇ／
１０ｍｉｎであった。
値）を測定したところ，本例のＭＦＲ値は１０.３ｇ／
１０ｍｉｎであった。
【００４９】〔実施例２〜５〕微粉の平均粒子径と混合
比率を変えた以外は，実施例１と同様にして混合フエラ
イト粉末およびボンド磁石を得た。得られたフエライト
粉末およびボンド磁石の特性を表１および表２に示し
た。また，各フエライト粉末のＭＦＲ値を表２に示し
た。表示のように，実施例２〜５のボンド磁石はいずれ
も（ＢＨ）ｍａｘが２.５ＭＧＯｅ以上の高磁力品であ
った。
比率を変えた以外は，実施例１と同様にして混合フエラ
イト粉末およびボンド磁石を得た。得られたフエライト
粉末およびボンド磁石の特性を表１および表２に示し
た。また，各フエライト粉末のＭＦＲ値を表２に示し
た。表示のように，実施例２〜５のボンド磁石はいずれ
も（ＢＨ）ｍａｘが２.５ＭＧＯｅ以上の高磁力品であ
った。
【００５０】〔比較例１〜４〕微粉の平均粒子径と混合
比率を変えた以外は，実施例１と同様にして混合フエラ
イト粉末およびボンド磁石を得た。得られたフエライト
粉末およびボンド磁石の特性を表１および表２に，また
各フエライト粉末のＭＦＲ値を表２に示した。比較例１
は微粉の混合比率が低いもの，比較例２は微粉の混合比
率が高いもの，比較例３は微粉の平均粒子径が小さいも
の，そして比較例４は微粉の平均粒子径が大きいもので
ある。比較例３で得られたボンド磁石は（ＢＨ）ｍａｘ
が２.３ＭＧＯｅ台と低かった。また，比較例１，２お
よび４で得られたフエライト粉末のＭＦＲは測定不可で
あり，これを射出成形したら流動性が悪いため成形機に
詰まり成形不可であった。
比率を変えた以外は，実施例１と同様にして混合フエラ
イト粉末およびボンド磁石を得た。得られたフエライト
粉末およびボンド磁石の特性を表１および表２に，また
各フエライト粉末のＭＦＲ値を表２に示した。比較例１
は微粉の混合比率が低いもの，比較例２は微粉の混合比
率が高いもの，比較例３は微粉の平均粒子径が小さいも
の，そして比較例４は微粉の平均粒子径が大きいもので
ある。比較例３で得られたボンド磁石は（ＢＨ）ｍａｘ
が２.３ＭＧＯｅ台と低かった。また，比較例１，２お
よび４で得られたフエライト粉末のＭＦＲは測定不可で
あり，これを射出成形したら流動性が悪いため成形機に
詰まり成形不可であった。
【００５１】
【表１】
【００５２】
【表２】
【００５３】〔実施例６〜８〕粗粉の平均粒子径を変更
した以外は，実施例１と同様にして混合フエライト粉末
およびボンド磁石を得た。得られたフエライト粉末およ
びボンド磁石の特性を表３および表４に，また各フエラ
イト粉末のＭＦＲ値を表４に示した。表４に見られるよ
うに，実施例６〜８のボンド磁石はいずれも（ＢＨ）ｍ
ａｘが２.５ＭＧＯｅ以上の高磁力品であった。
した以外は，実施例１と同様にして混合フエライト粉末
およびボンド磁石を得た。得られたフエライト粉末およ
びボンド磁石の特性を表３および表４に，また各フエラ
イト粉末のＭＦＲ値を表４に示した。表４に見られるよ
うに，実施例６〜８のボンド磁石はいずれも（ＢＨ）ｍ
ａｘが２.５ＭＧＯｅ以上の高磁力品であった。
【００５４】〔比較例５〜６〕粗粉の平均粒子径を変更
した以外は，実施例１と同様にして混合フエライト粉末
およびボンド磁石を得た。得られたフエライト粉末およ
びボンド磁石の特性を表３および表４に，また各フエラ
イト粉末のＭＦＲ値を表４に示した。表示のように，比
較例５は粗粉の平均粒子径が小さいものであり，得られ
たフエライト粉末は成形不可であった。また，比較例６
は粗粉の平均粒子径が大きいものであるが，得られたボ
ンド磁石の（ＢＨ）ｍａｘは２.３２ＭＧＯｅであっ
た。
した以外は，実施例１と同様にして混合フエライト粉末
およびボンド磁石を得た。得られたフエライト粉末およ
びボンド磁石の特性を表３および表４に，また各フエラ
イト粉末のＭＦＲ値を表４に示した。表示のように，比
較例５は粗粉の平均粒子径が小さいものであり，得られ
たフエライト粉末は成形不可であった。また，比較例６
は粗粉の平均粒子径が大きいものであるが，得られたボ
ンド磁石の（ＢＨ）ｍａｘは２.３２ＭＧＯｅであっ
た。
【００５５】
【表３】
【００５６】
【表４】
【００５７】〔実施例９〜１０〕アニール温度を変えた
以外は，実施例１と同様にして混合フエライト粉および
ボンド磁石を得た。得られたフエライト粉末およびボン
ド磁石の特性を表５および表６に，また各フエライト粉
末のＭＦＲ値を表６に示した。表示のように，実施例９
〜１０のボンド磁石は，いずれも（ＢＨ）ｍａｘが２.
５ＭＧＯｅ以上の高磁力品であった。
以外は，実施例１と同様にして混合フエライト粉および
ボンド磁石を得た。得られたフエライト粉末およびボン
ド磁石の特性を表５および表６に，また各フエライト粉
末のＭＦＲ値を表６に示した。表示のように，実施例９
〜１０のボンド磁石は，いずれも（ＢＨ）ｍａｘが２.
５ＭＧＯｅ以上の高磁力品であった。
【００５８】〔実施例１１〕実施例１で得られたアニー
ル後のフエライト粉末について，次のように粉体ＰＨを
調整した。すなわち，フエライト粉末が２０％の濃度と
なるように水中でリパルプしたスラリーに，１％濃度の
希塩酸を滴下し，スラリーＰＨが６.０になるように調
整した。これを濾過，乾燥し，解砕して得られたフエラ
イト粉末およびこのフエライト粉末を用いて実施例１と
同様な方法で製造したボンド磁石の特性を表５および表
６に示した。フエライト粉末のＰＨは８.３であり，ボ
ンド磁石の（ＢＨ）ｍａｘは２.６４ＭＧＯｅの高磁力
品であった。
ル後のフエライト粉末について，次のように粉体ＰＨを
調整した。すなわち，フエライト粉末が２０％の濃度と
なるように水中でリパルプしたスラリーに，１％濃度の
希塩酸を滴下し，スラリーＰＨが６.０になるように調
整した。これを濾過，乾燥し，解砕して得られたフエラ
イト粉末およびこのフエライト粉末を用いて実施例１と
同様な方法で製造したボンド磁石の特性を表５および表
６に示した。フエライト粉末のＰＨは８.３であり，ボ
ンド磁石の（ＢＨ）ｍａｘは２.６４ＭＧＯｅの高磁力
品であった。
【００５９】〔比較例７〜８〕アニール温度を変えた以
外は，実施例１と同様にして混合フエライト粉およびボ
ンド磁石を得た。得られたフエライト粉末およびボンド
磁石の特性を表５および表６に，また各フエライト粉末
のＭＦＲ値を表６に示した。比較例７はアニール温度が
低いもの，比較例８はアニール温度が高いものである。
表示のように比較例７のボンド磁石の（ＢＨ）ｍａｘは
２.３１ＭＧＯｅであった。また比較例８で得られたフ
エライト粉末は成形不可であった。
外は，実施例１と同様にして混合フエライト粉およびボ
ンド磁石を得た。得られたフエライト粉末およびボンド
磁石の特性を表５および表６に，また各フエライト粉末
のＭＦＲ値を表６に示した。比較例７はアニール温度が
低いもの，比較例８はアニール温度が高いものである。
表示のように比較例７のボンド磁石の（ＢＨ）ｍａｘは
２.３１ＭＧＯｅであった。また比較例８で得られたフ
エライト粉末は成形不可であった。
【００６０】〔比較例９〕実施例１で得られたアニール
後のフエライト粉末について，次のように粉体ＰＨを調
整した。フエライト粉末が２０％の濃度となるように水
中でリパルプしたスラリーに，１％濃度の希塩酸を滴下
し，スラリーＰＨが４.０になるように調整した。これ
を濾過，乾燥し，解砕して得られた最終粉末の特性を表
５に示した。この粉体のＰＨは５.７であった。このフ
エライト粉末を用いて，実施例１と同様にボンド磁石の
製造を試みたが，バインダーとの混練物の流動性が悪い
ために，射出成形できなかった。またＭＦＲの測定もで
きなかった。
後のフエライト粉末について，次のように粉体ＰＨを調
整した。フエライト粉末が２０％の濃度となるように水
中でリパルプしたスラリーに，１％濃度の希塩酸を滴下
し，スラリーＰＨが４.０になるように調整した。これ
を濾過，乾燥し，解砕して得られた最終粉末の特性を表
５に示した。この粉体のＰＨは５.７であった。このフ
エライト粉末を用いて，実施例１と同様にボンド磁石の
製造を試みたが，バインダーとの混練物の流動性が悪い
ために，射出成形できなかった。またＭＦＲの測定もで
きなかった。
【００６１】〔比較例１０〕実施例１で得られたアニー
ル後のフエライト粉末について，粉体ＰＨの調整をしな
いで，実施例１と同様の方法でボンド磁石を製造するこ
とを試みたが，バインダーとの混練物の流動性が悪いた
めに射出成形できなかった。またＭＦＲの測定もできな
かった。
ル後のフエライト粉末について，粉体ＰＨの調整をしな
いで，実施例１と同様の方法でボンド磁石を製造するこ
とを試みたが，バインダーとの混練物の流動性が悪いた
めに射出成形できなかった。またＭＦＲの測定もできな
かった。
【００６２】
【表５】
【００６３】
【表６】
【００６４】〔実施例１２〕微粉と粗粉を混合してから
アニールする代わりに，微粉と粗粉を混合する前に各々
別々に９５０℃で１時間アニールしてから混合した以外
は，実施例１と同様にして混合フエライト粉およびボン
ド磁石を得た。得られたフエライト粉末とボンド磁石の
特性を表７および表８に，またフエライト粉末のＭＦＲ
値を表８に示した。表示のように得られたボンド磁石の
（ＢＨ）ｍａｘは２.６１ＭＧＯｅの高磁力品であっ
た。
アニールする代わりに，微粉と粗粉を混合する前に各々
別々に９５０℃で１時間アニールしてから混合した以外
は，実施例１と同様にして混合フエライト粉およびボン
ド磁石を得た。得られたフエライト粉末とボンド磁石の
特性を表７および表８に，またフエライト粉末のＭＦＲ
値を表８に示した。表示のように得られたボンド磁石の
（ＢＨ）ｍａｘは２.６１ＭＧＯｅの高磁力品であっ
た。
【００６５】〔実施例１３〕微粉の原料である炭酸スト
ロンチウムを炭酸バリウムに変えた以外は実施例１と同
様にして混合フエライト粉およびボンド磁石を得た（粗
粉の原料は実施例１と同じである）。得られたフエライ
ト粉末とボンド磁石の特性を表７および表８に，またフ
エライト粉末のＭＦＲ値を表８に示した。表示のよう
に，得られたボンド磁石の（ＢＨ）ｍａｘは２.５９Ｍ
ＧＯｅの高磁力品であった。
ロンチウムを炭酸バリウムに変えた以外は実施例１と同
様にして混合フエライト粉およびボンド磁石を得た（粗
粉の原料は実施例１と同じである）。得られたフエライ
ト粉末とボンド磁石の特性を表７および表８に，またフ
エライト粉末のＭＦＲ値を表８に示した。表示のよう
に，得られたボンド磁石の（ＢＨ）ｍａｘは２.５９Ｍ
ＧＯｅの高磁力品であった。
【００６６】〔実施例１４〕 (1)微粉の製造 酸化鉄と炭酸ストロンチウムをモル比で５.７になるよ
うに秤量して混合し，これを水で造粒し，乾燥後，電気
炉中１１００℃で２時間焼成した。この焼成品をサンプ
ルミルで粉砕し，さらに，ウエットミルで湿式粉砕し
て，平均粒子径が０.８５μｍのストロンチウムフエラ
イト粉末をえた。これを気流式遠心分級機で分級して，
平均粒子径０.４１μｍの微粉を得た。
うに秤量して混合し，これを水で造粒し，乾燥後，電気
炉中１１００℃で２時間焼成した。この焼成品をサンプ
ルミルで粉砕し，さらに，ウエットミルで湿式粉砕し
て，平均粒子径が０.８５μｍのストロンチウムフエラ
イト粉末をえた。これを気流式遠心分級機で分級して，
平均粒子径０.４１μｍの微粉を得た。
【００６７】(2)粗粉の製造 実施例１で得られた粗粉を気流式遠心分級機で分級し
て，平均粒子径２.１０μｍの粗粉を得た。
て，平均粒子径２.１０μｍの粗粉を得た。
【００６８】(3)混合粉（フエライト粉末）の製造 前記 (1)の微粉３０重量％と (2)の粗粉残部（７０重量
％）を秤量後，良く混合し，その混合粉を電気炉中９５
０℃で１時間焼成（アニール）した。ついで，焼成品を
２０％の濃度になるように水中でリパルプ水洗した。こ
れを濾過，乾燥し解砕して，最終粉末として，次のスト
ロンチウムフエライト粉末を得た。 平均粒子径：１.３７μｍ， 比表面積：２.３３ｍ2／ｇ， 粒度分布の幾何標準偏差：２.３５， 圧縮密度：３.５８ｇ／ｃｍ3 ， 粉体ＰＨ：９.７
％）を秤量後，良く混合し，その混合粉を電気炉中９５
０℃で１時間焼成（アニール）した。ついで，焼成品を
２０％の濃度になるように水中でリパルプ水洗した。こ
れを濾過，乾燥し解砕して，最終粉末として，次のスト
ロンチウムフエライト粉末を得た。 平均粒子径：１.３７μｍ， 比表面積：２.３３ｍ2／ｇ， 粒度分布の幾何標準偏差：２.３５， 圧縮密度：３.５８ｇ／ｃｍ3 ， 粉体ＰＨ：９.７
【００６９】(4)ボンド磁石の製造 前記 (3)のフエライト粉末を用いて実施例１と同様にし
てボンド磁石を製造した。表８に示したように，得られ
たボンド磁石の（ＢＨ）ｍａｘは２.６７ＭＧＯｅの高
磁力品であった。
てボンド磁石を製造した。表８に示したように，得られ
たボンド磁石の（ＢＨ）ｍａｘは２.６７ＭＧＯｅの高
磁力品であった。
【００７０】〔実施例１５〕ボンド磁石の製造時に，フ
エライト粉末９３.５部，シランン系カップリング剤０.
６部，１２−ナイロン５.５４部，オレイン酸０.３６部
に変更した以外は，実施例１４と同様にボンド磁石を製
造した。表８に示したように，得られたボンド磁石の
（ＢＨ）ｍａｘは２.７７ＭＧＯｅの高磁力品であっ
た。
エライト粉末９３.５部，シランン系カップリング剤０.
６部，１２−ナイロン５.５４部，オレイン酸０.３６部
に変更した以外は，実施例１４と同様にボンド磁石を製
造した。表８に示したように，得られたボンド磁石の
（ＢＨ）ｍａｘは２.７７ＭＧＯｅの高磁力品であっ
た。
【００７１】
【表７】
【００７２】
【表８】
【００７３】
【発明の効果】以上説明したように，本発明のフエライ
ト粉末は，従来のボンド磁石で達成されたことのない
（ＢＨ）ｍａｘが２.５ＭＧＯｅ以上のボンド磁石が得
られる特性を有する。したがって，ＡＶ，ＯＡ機器，自
動車電装部品等に使用される小型モーターや，複写機の
マグネットロール等の分野において従来のものにはない
高磁力のボンド磁石を提供することができる。
ト粉末は，従来のボンド磁石で達成されたことのない
（ＢＨ）ｍａｘが２.５ＭＧＯｅ以上のボンド磁石が得
られる特性を有する。したがって，ＡＶ，ＯＡ機器，自
動車電装部品等に使用される小型モーターや，複写機の
マグネットロール等の分野において従来のものにはない
高磁力のボンド磁石を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 天羽 隆一 岡山県和気郡佐伯町矢田1099−３ 日本 弁柄工業株式会社内 (72)発明者 延岡 則明 岡山県和気郡佐伯町矢田1099−３ 日本 弁柄工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−64407（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−297216（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−98857（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−302101（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−147809（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−155508（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 1/09 - 1/117 C01G 49/00 C04B 35/26
Claims (10)
- 【請求項１】 マグネトプランバイト型フエライトの粉
末であって，平均粒子径が０.９〜１.５μｍ，粒度分布
の幾何標準偏差σｇが１.８〜２.５，１ton/ｃｍ2の圧
力で圧縮したときの圧縮密度が３.４０ｇ／ｃｍ3以上お
よびＪＩＳ Ｋ−５１０１で測定した粉体ＰＨが７〜１
０であるボンド磁石用フエライト粉末。 - 【請求項２】 マグネトプランバイト型フエライトの粉
末であって，平均粒子径が０.９〜１.５μｍ，ＢＥＴ法
で測定した比表面積が１.５〜４.０ｍ 2 /ｇ，１ton/ｃｍ
2の圧力で圧縮したときの圧縮密度が３.４０ｇ／ｃｍ3
以上およびＪＩＳ Ｋ−５１０１で測定した粉体ＰＨが
７〜１０であるボンド磁石用フエライト粉末。 - 【請求項３】 マグネトプランバイト型フエライトの粉
末であって，平均粒子径が０.９〜１.５μｍ，１ton/ｃ
ｍ2の圧力で圧縮したときの圧縮密度が３.４０ｇ／ｃｍ
3以上，ＪＩＳ Ｋ−５１０１で測定した粉体ＰＨが７
〜１０およびＭＦＲ測定法に従ってフエライト量９３重
量％で測定したメルトフローレートが７ｇ／１０ｍｉｎ
以上であるボンド磁石用フエライト粉末。 - 【請求項４】 平均粒子径０.９〜１.５μｍは，平均粒
子径０.３０〜０.５０μｍのマグネトプランバイト型フ
エライトの微粉１５〜４０重量％と，平均粒子径１.０
０〜２.５０μｍのマグネトプランバイト型フエライト
の粗粉残部とを混合して得られたものである請求項１，
２または３に記載のボンド磁石用フエライト粉末。 - 【請求項５】 粒度分布の幾何標準偏差σｇが１.８〜
２.５である請求項２，３または４に記載のボンド磁石
用フエライト粉末。 - 【請求項６】 ＢＥＴ法で測定した比表面積が１.５〜
４.０ｍ2/ｇである請求項１，３または４に記載のボン
ド磁石用フエライト粉末。 - 【請求項７】 平均粒子径が０.３０〜０.５０μｍのマ
グネトプランバイト型フエライトの微粉と，平均粒子径
が１.００〜２.５０μｍのマグネトプランバイト型フエ
ライトの粗粉を準備する工程，前記の微粉１５〜４０重
量％と前記の粗粉残部とを混合する工程，およびこの混
合工程の前または後においてこれらの粉体を８００〜１
１００℃でアニールする工程からなる，平均粒子径が
０.９〜１.５μｍで１ton/ｃｍ2の圧力で圧縮したとき
の圧縮密度が３.４０ｇ／ｃｍ3以上を示すボンド磁石用
フエライト粉末の製造方法。 - 【請求項８】 平均粒子径が０.３０〜０.５０μｍのマ
グネトプランバイト型フエライトの微粉と，平均粒子径
が１.００〜２.５０μｍのマグネトプランバイト型フエ
ライトの粗粉を準備する工程，前記の微粉１５〜４０重
量％と前記の粗粉残部とを混合する工程，この混合工程
の前または後においてこれらの粉体を８００〜１１００
℃でアニールする工程，およびアニール工程後の粉体の
ＰＨを７〜１０に調整する工程からなる，平均粒子径が
０.９〜１.５μｍで１ton/cm2の圧力で圧縮したときの
圧縮密度が３.４０ｇ／ｃｍ3以上を示すボンド磁石用フ
エライト粉末の製造方法。 - 【請求項９】 平均粒子径が０.９〜１.５μｍのマグネ
トプランバイト型フエライトの粉末９３重量％以上を樹
脂系バインダーを用いて成形してなる（ＢＨ）ｍａｘが
２.５ＭＧＯｅ以上のフエライト系ボンド磁石。 - 【請求項１０】 平均粒子径が０.９〜１.５μｍのマグ
ネトプランバイト型フエライトの粉末９３重量％以上を
樹脂系バインダーを用いて成形密度３.９０ｇ／ｃｍ3以
上に成形してなる（ＢＨ）ｍａｘが２.５ＭＧＯｅ以上
のフエライト系ボンド磁石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28816395A JP3257936B2 (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | ボンド磁石用フエライト粉末およびこれを用いたボンド磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28816395A JP3257936B2 (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | ボンド磁石用フエライト粉末およびこれを用いたボンド磁石 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106904A JPH09106904A (ja) | 1997-04-22 |
| JP3257936B2 true JP3257936B2 (ja) | 2002-02-18 |
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ID=17726628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28816395A Expired - Lifetime JP3257936B2 (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | ボンド磁石用フエライト粉末およびこれを用いたボンド磁石 |
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| JP (1) | JP3257936B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007113973A1 (ja) | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | ボンド磁石用フェライト磁性粉およびその製造方法、並びにボンド磁石 |
| WO2010117070A1 (ja) | 2009-04-09 | 2010-10-14 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ボンド磁石用フェライト粉末およびその製造方法並びにこれを用いたボンド磁石 |
| KR20170062504A (ko) * | 2014-09-30 | 2017-06-07 | 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 본드 자석용 페라이트 분말과 이의 제조방법 및 페라이트계 본드 자석 |
| US20170316857A1 (en) * | 2014-09-30 | 2017-11-02 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Ferrite powder for bonded magnets, method for producing the same and ferrite bonded magnet |
| EP3203484A4 (en) * | 2014-09-30 | 2018-06-13 | DOWA Electronics Materials Co., Ltd. | Ferrite powder for bonded magnet, production method therefor, and ferrite bonded magnet |
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| JP2004327669A (ja) | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Dowa Mining Co Ltd | ボンド磁石およびボンド磁石用フェライト磁性粉 |
| JP4674370B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2011-04-20 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ボンド磁石用フェライト磁性粉 |
| JP2007129168A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Kaneka Corp | 樹脂磁石組成物およびその製造方法。 |
| JP2008244322A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Tdk Corp | 複合磁石、その製造装置及び製造方法 |
| KR101385869B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2014-04-17 | 도다 고교 가부시끼가이샤 | 본드 자석용 페라이트 입자 분말, 본드 자석용 수지 조성물및 이들을 이용한 성형체 |
| JP4538020B2 (ja) * | 2007-05-09 | 2010-09-08 | キヤノン化成株式会社 | マグネットローラ及び該マグネットローラを用いた現像装置 |
| JP5578777B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2014-08-27 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ボンド磁石用フェライト粉末およびその製造方法、並びに、これを用いたボンド磁石 |
| JP5005595B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-08-22 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ボンド磁石用フェライト粉末およびその製造方法 |
| JP5774146B2 (ja) * | 2009-04-09 | 2015-09-02 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ボンド磁石用フェライト粉末およびこれを用いたボンド磁石 |
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-
1995
- 1995-10-11 JP JP28816395A patent/JP3257936B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US9460850B2 (en) | 2006-03-31 | 2016-10-04 | Dowa F-Tec Co., Ltd. | Ferrite magnetic powder for bond magnet and manufacturing method of the same, and bond magnet |
| WO2010117070A1 (ja) | 2009-04-09 | 2010-10-14 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | ボンド磁石用フェライト粉末およびその製造方法並びにこれを用いたボンド磁石 |
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| EP3203486A4 (en) * | 2014-09-30 | 2018-06-13 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Ferrite powder for bonded magnet, production method therefor, and ferrite bonded magnet |
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