JP3251017B2 - 炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法 - Google Patents
炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法Info
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Description
せるための改良された方法に関する。さらに詳細には、
本発明は、炭化ケイ素をベースとした金属酸化物半導体
(MOS)デバイスにおける酸化物や酸化物界面を改良す
ることに関する。
よび高出力用の電子デバイスのための半導体物質として
魅力的な電気的・物理的特性を併せもっている。これら
の特性としては、3.0エレクトロンボルト(eV)のバン
ドギャップ、4ミリボルト/センチメートル(MV/cm)
の電解破壊(electric field breakdown)、4.9W/cm・
Kの熱伝導率、および2.0×107センチメートル/秒(cm
/s)の電子ドリフト速度などがある。さらに、SiCは熱
酸化物を成長させるので、他の化合物半導体を凌ぐ大き
な利点をもたらす。特に、こうした熱酸化物の形成能力
により、金属−酸化物−半導体(MOS)デバイス〔MOS電
界効果トランジスター(MOSFET)、絶縁ゲートバイポー
ラートランジスター(IGBT)、MOS制御によるサイリス
ター(MCT)、および他の関連デバイスを含む〕を形成
できる対応した能力が高められる。MOSFETはさらに、大
規模集積回路における極めて重要なデバイスである。し
たがって、MOSデバイスおよびこれらを使用して得られ
る集積回路においてSiCの電子特性を充分に利用するに
は、適切なSiC酸化技術が必要となる。
C)上の酸化物の品質は、炭化ケイ素MOSデバイスの開発
に対して大きな障害となっている。特に、酸化物の電荷
状態と界面状態は、MOSデバイスの性能に悪影響を及ぼ
す。実際、基板の結晶成長を除いて、酸化物の品質は、
より高度のSiC−MOSパワーデバイス(SiC MOS power de
vices)とMOS集積回路を得る上でのおそらくは最も大き
な障害である。SiC上の酸化物は、MOS用途に使用するに
は許容できない程度に高い、界面状態密度(interface
state densities)及びある一定の酸化物電荷(oxide c
harge)を有することが広く報告されている。
質のある特性(例えば、得られるエネルギーレベルの位
置)を表しており、量子力学を使用して定義されること
が多い。物質における“状態”の存在は、必ずしも良い
ことでも悪いことでもなく、また状態の有無は、必要に
応じて(不必要の場合もあるが)定義するのがおそらく
はより好ましいと思われる。炭化ケイ素上の酸化物層の
場合、状態により、得られるデバイスに望ましくない動
作特性が生成されるようであり、したがって可能なとき
は常に状態を最小に抑えるのが望ましい。
までの研究では、幾つかの一般的な知見が得られている
にすぎない:(1)湿潤酸化物(すなわち、水蒸気の存
在下で熱的に成長したもの)は、乾燥酸化物より低い酸
化物電荷と電面状態密度を有する〔S.M.Tang,W.B.Berr
y,R.Kwor,M.V.Zeller,及びL.G.Matusによる“J.Electro
chem.Soc.,137(1)p.221(1990)”〕;S.Zaima,K.Ono
da,Y.Koide,及びY.Yasudaによる“J.Appl.Phys.,68(1
2)p.6304(1990)”〕;(2)SiCウエハーのSi面(Si
−face)は、酸化が炭素(C)面より遅いが、酸化物電
荷密度(oxide charge densities)が炭素面より低い
〔Nitya N.SinghおよびAndrew Rysによる“Inst.Phys.C
onf.Ser.No.137:Chapter 3,p.325(1993)”〕;(3)
n−型ウエハー上に成長した酸化物は、界面状態がp−
型ウエハー上に成長した酸化物より少なく〔Dale M.Bro
wn,Mario Chezzo,James Kretchmer,Evan Downey,Joseph
Pimbley,およびJohn Palmourによる“IEEE Trans on E
lectron Devices,Vol.41,No.4,p.618(1994)";T.Ouiss
e,N.Becourt,F.Templier,およびC.Jaussaudによる“J.A
ppl.Phys.75(1),(1994)";Singhらによる上記文
献〕、また酸化物電荷密度がp−型ウエハー上に成長し
た酸化物より低い〔Brownらによる上記文献;M.Shinohar
a,M.Yamanoka,S.Misawa,H.Okumura,およびS.Yoshidaに
よる“Jap.J.Appl.Phys.30(2)p.240(1991)";Singh
らによる上記文献〕;ならびに(4)初期の研究(Brow
nらによる上記文献)とは異なり、SiCへのp−型ドーパ
ントとして、ホウ素(B)とアルミニウム(Al)との間
に差はない〔J.N.Shenoy,L.A.Lipkin,G.L.Chindalore,
J.Pan,J.A.Cooper,Jr.,J.W.Palmour,およびM.R.Melloch
による“Inst.Phys.Conf.Ser.No.141:Chapter 4,p.449
(1994)”〕。
測定と得られた結論に対する正確さは、その程度が高い
ものもそれほどでないものもあり、こうした点を考慮し
て正確さを評価し理解しなければならない。
も、正味の酸化物電荷(Qox)と界面状態密度(Dit)の
定量化は、同じ結晶配向、酸化物厚さ、ドーパントのタ
イプ、およびドーパント種を測定する場合でも広範囲に
変化している。これらの変化が表1に示されており、Si
C上のSiO2の酸化物電荷と界面状態密度(種々の研究者
により報告)がまとめられている。報告されている酸化
物厚さは、Weissらによる上記文献で報告されている標
準物のn−型サンプルに対する200Å酸化物を除いて、5
00〜600Åの範囲である。
使用している測定法が種々異なるためであろうと思われ
る。表1からわかるように、最も大きな変動が、報告さ
れている界面状態密度において認められる。正味の酸化
物電荷は、標準的なキャパシタンス−電圧(CV)掃引を
室温にて使用することにより直接測定する。しかしなが
ら、界面状態密度を正確に算出するのはかなりむずかし
い場合がある。Christophe Raynoud,Jean−Lun Autran,
Bernard Balland,Gerard Guillot,Claude Jaussaud,お
よびThierry Billonらによる“J.Appl.Phys.76(2)p.
993(1994)";Shenoyらによる前記文献;ならびにQuiss
eらによる前記文献は、使用できる種々の方法、および
界面状態密度を測定するときに考慮しなければならない
仮定と制約条件について説明している。すべての異なっ
た方法のうち、コンダクタンス法とハイロー法(high−
low technique)が最も確実で且つ再現性があるようで
ある。
きく異なるが、高品質のMOSに使用するための目標は極
めて正確に規定されている:すなわち、酸化物電荷は1
×1011cm-2未満であり、界面状態密度は5×1010cm-2eV
-1未満である。表1からわかるように、SiC上熱酸化物
の品質は大幅な改良を必要とする。しかしながら、酸化
物の品質を改良するための報告されている方法はほとん
どない。現在までのところ、酸化物および予備清浄酸化
物の挿入/取り出し条件を変えることにより最も大幅な
改良がなされている。J.N.Shenoy,G.L.Chindalore,M.R.
Melloch,J.A.Cooper Jr.,J.W.Palmour,及びK.G.Irvine
らによる“Inst.Phys.Conf.Ser.No.141:Chapter 4,p.44
9(1994)”はさらに、9×1011cm-2という正味の最小
酸化物電荷密度と、1.5×1011cm-2eV-1という界面状態
密度を報告しており、これらの値は、以前の酸化状態の
値の1/3〜1/4である。
に改良することにある。本発明は、改良された酸化物
層、および酸化物をベースとするデバイスから改良され
た性能を得るための方法により、本発明の目的を果た
す。本発明の方法は、炭化ケイ素上の酸化物層(元々存
在しているか、蒸着または窒化されたか、あるいは熱的
に成長させた、一般には主として二酸化ケイ素)を、Si
Cがかなりの速度で酸化し始める温度よりは低いが、酸
化性ガス源が酸化物層中に拡散するのを可能にするだけ
の充分に高い温度にて、そしてまた炭化ケイ素の実質的
なさらなる酸化が避けられるような温度にて、酸化物層
を緻密化し、酸化物層と炭化ケイ素層との間の界面を改
良するのに充分な時間にわたって、酸化性ガス源に暴露
する工程を含む。
らびに本発明を実施する方法は、添付の図面を参照しつ
つ、好ましい実施態様と代表的な実施態様について記載
している下記の本発明の詳細な説明を考察すれば容易に
明らかとなろう。
つかのバイアスにて250℃で測定した場合の、幾つかの
当量並列コンダクタンス(equivalent parallel conduc
tance)の周波数に対してプロットして得られる曲線で
ある。算出した界面状態密度は、1.1V曲線と0.7V曲線の
それぞれに対し、1.0〜1.6×1011cm-2eV-1変化した。
に関し、正味の酸化物電荷(Qeff)と界面状態密度(D
IT)を酸化温度に対してプロットしたものである。
950℃で再び酸化させた酸化物に対する、正味の酸化物
電荷密度の比較を示している。
950℃で再び酸化させた酸化物に対する、界面状態密度
の比較を示している。
1000℃で再び酸化させた酸化物に対する、正味の酸化物
電荷密度の比較を示している。
1000℃で再び酸化させた酸化物に対する、界面状態密度
の比較を示している。
壊耐力を示す棒グラフである。
度に対してプロットしたものである。
化物層、および酸化物をベースとしたデバイスから改良
された性能を得る方法を含む。本発明の方法は、炭化ケ
イ素上の酸化物層(主として二酸化ケイ素)を、炭化ケ
イ素がかなりの速度で酸化し始める温度よりは低いが、
酸化性ガス源が酸化物層中に拡散するのを可能にするだ
けの充分に高い温度にて、酸化性ガス源(“酸化性雰囲
気”とも言う)に暴露する工程を含む。炭化ケイ素の実
質的なさらなる酸化を防ぎ、暴露は、酸化物層を緻密化
するのに充分な、そして酸化物層と炭化ケイ素層との間
の界面を改良するのに充分な時間にわたって行う。
するまでは、ごくわずか又はかなり遅い速度でしか酸化
せず、約1000℃を越えると、熱酸化が測定可能な量にて
起こる、と一般に考えられている。しかしながら、温度
が1050℃であっても、厚さ500Åの量の酸化は20〜30時
間という長時間を要する。
を生成させる工程をさらに含むことができ、本発明にし
たがって炭化ケイ素を熱的に酸化する場合は、酸化温度
は少なくとも1000℃であり、好ましくは約1050℃〜1300
℃である。
ス源に暴露する方法は、酸化物層を熱酸化によって最初
に生成させておくことを必要としない、ということは言
うまでもない。これとは別に、酸化物層は、他の方法
〔例えば、シランガス(SiO4)と酸素(O2)を用いた低
圧化学蒸着(CVD)、プラズマ蒸着による酸化物層の形
成、蒸着によるオキシ窒化物層の形成、熱によるオキシ
窒化物層の形成、あるいは酸化物、窒化物、もしくはオ
キシ窒化物層の蒸着形成または熱形成のあらゆる組合せ
等〕を使用して炭化ケイ素層上に酸化物層を堆積させる
こともできる。
で一酸化二窒素(N2O)に暴露して窒素を導入させた形
の酸化物層、N2O中にて成長させて窒素が組み込まれた
形の酸化物層、および二酸化ケイ素(SiO2)と窒化ケイ
素(Si3N4)との交互層、を表している。
好ましくは、単結晶炭化ケイ素の基板または炭化ケイ素
のエピタキシャル層を表している。炭化ケイ素は多くの
ポリタイプを有していて、そのうち3C、4H、6H、および
15Rのポリタイプが電子デバイス用として特に有用であ
る、本発明はこれらのポリタイプを使用すると適切な結
果をもたらす。
は極めて低いので、酸化物を酸化性雰囲気に暴露する工
程は約800〜約1025℃の温度で行うのが好ましい。一般
的には、1025℃というおよその上限温度により、炭化ケ
イ素の実質的な酸化が防止されるとともに、800℃とい
うおよその下限温度により、適切な速度でのプロセスの
進行が可能となる。多くの化学反応が広い温度範囲にわ
たってある程度起こるが、実際には、より狭い温度範囲
内にて巨視的に観察可能な速度で進行するにすぎない。
周知のことであるが)、酸化に対しては(または酸化物
の蒸着に対しては)、通常は結晶の基板もしくはエピレ
イヤー(epilayer)が、そのケイ素面(silicon face)
と炭素面(carbon face)に沿って、あるいはこれらの
面に垂直なA−軸(例えば、[1120]または[1100])
の1つに沿って供給される。炭素はケイ素より幾らか容
易に酸化される(したがって、他の全てのファクターが
実質的に等しいければ酸化がより速い)ので、炭素面上
の酸化は約900〜1300℃の温度で行うことができ、再酸
化アニール(reoxidation anneal)は約600〜1000℃の
温度で行うことができる。同様に、ケイ素面上の酸化は
約1000〜1400℃の温度で行うことができ、再酸化アニー
ルを約700〜1100℃の温度で行って、同程度の酸化をほ
ぼ同じ速度にて得ることができる。
的、物理的、または電子的特性に悪影響を及ぼさないも
のであれば、いかなる酸素含有ガスであってもよい。適
切なガスは、酸素、水蒸気、水蒸気中酸素(“湿潤酸
化”)、キャリヤーガス中水蒸気、窒素と酸素から形成
される種々のガス化合物、およびこれらガスのいずれか
の混合物から選択することができる。
の方法は、炭化ケイ素の層を約1050〜1100℃の温度で熱
的に酸化して、炭化ケイ素層上に酸化物層を生成させる
工程、および炭化ケイ素の実質的な酸化を防止しつつ、
水の存在下にて(すなわち“湿潤酸化”にて)酸化物層
と炭化ケイ素層を約1050℃未満(最も好ましくは約950
℃)の温度で、酸化物層を緻密化し、そして酸化物層と
炭化ケイ素層との界面を改良するのに充分な時間にわた
って酸化性ガス源に暴露する工程、を含む。
ケイ素−酸化物構造物(an improved silicon carbide
and oxide structure)を含む。本実施態様では、本発
明は、炭化ケイ素基板と、炭化ケイ素基板上の酸化物層
とを含み、このとき酸化物層は1.6×1011cm-2cV-1未満
の界面状態密度を有する。好ましい実施態様において
は、界面状態密度は1.5×1011cm-2eV-1未満であり、最
も好ましい実施態様においては、界面状態密度は1.1×1
011cm-2eV-1未満である。
あっても基板であってもよく、2H、3C、4H、6H、および
15Rのポリタイプからなる群から選択するのが好まし
い。
素基板上の酸化物層が2.5×1012cm-2未満の酸化物電荷
を有するような炭化ケイ素−酸化物構造物を含む。さら
に好ましい実施態様においては、酸化物電荷は1.5×10
12cm-2未満であり、最も好ましい実施態様においては、
酸化物電荷は1.1×1012cm-2未満である。
C、4H、6H、および15Rからなる群から選ばれるポリタイ
プを有する単結晶を含み、エピタキシャル層であっても
基板であってもよい。
ピングしたp−型基板を使用し、3μmのエピタキシャ
ル層が2×1015cm-3と3×1016cm-3との間にドーピング
された状態で、サンプルの作製を始めた。典型的なRCA/
Huang洗浄剤でサンプルを洗浄化してから酸化した。サ
ンプルを室温で挿入し、次いで、アルゴン中にて酸化温
度で取り出し、又は、酸化物を蒸着させた。酸素を95℃
の脱イオン水中にバブリングすることによって得られる
湿潤環境において、1050〜1300℃の範囲の温度で熱酸化
を行った。500Åというターゲット酸化物厚さを保持す
るよう酸化時間を調節し、450〜550Åの範囲で変えた。
蒸着した酸化物の厚さは約350Åであった。酸化温度で
の酸化に次いで、1時間のアルゴンアニールを行った。
同じ湿潤酸化環境または高純度酸素環境にて800〜1000
℃の範囲の温度でアニールすることにより、熱酸化物と
蒸着酸化物に対し酸化性雰囲気における種々の後酸化ア
ニール手順を検討した。この温度範囲ではSiC基板中へ
のさらなる酸化はほとんど起こらないが、存在しうる炭
素化合物の酸化を完全に進行させ〔B.Hornetz,H.J.Mich
el,およびJ.Halbritterらによる“J.Mater.Res.,9(1
2)p.3088(1994)”〕、酸化物の正しい化学量論(1:2
Si:O)をもたらすようである。
タリングによりフロントサイド接点(front−side cont
act)用として酸化物上に金属層を蒸着させた。反応性
イオンエッチング(RIE)法を使用して、バックサイド
酸化物をエッチングした。さらに、幾つかのサンプルに
対し、Ptスパッタリングによる200nmのバックサイド接
点を設けたが、これは後になって不必要であることがわ
かった。
“ゲート”接点をパターン化し、市販のアルミニウムエ
ッチング剤を使用してエッチングした(このエッチング
剤は、モリブデンをエッチングするのに極めて効率的で
あることが判明した)。近くに大きな(100倍をはるか
に越える面積の)接点を有する側部に、方形コンデンサ
ーを3つの異なったサイズ(200μm、300μm、および
400μm)にパターン化した。大きなフロントサイド接
点を使用して、基板に対する接点をバッックサイド接点
と並列に作製した。これによって、エピタキシャル層の
不均一性または直列抵抗からの影響が最小限に抑えられ
ることがわかった。蒸着酸化物を有するサンプルを、モ
リブデンと金(Mo/Au)のリフトオフによってパターン
化した。
−V)の掃引によって測定したフラットバンド電圧(Vf
b)から酸化物の正味の電荷を算出した。フラットバン
ド電圧は、酸化物中に捕捉された電荷、酸化物中の移動
性イオン、帯電したボーダートラップ〔D.M.Fleetwood,
IEEE Trans.Nucl.Sci.,NS−39(12)p.269(1992)〕、
および帯電した界面状態の組合せによって影響を受け
る。SiCコンデンサー上の異なった構成部品を隔離する
のは、バンドギャップが広いので極めて困難であるが、
これらの影響はいずれも“正味の”酸化物電荷として一
緒に考えることができる。
の動作を改良するための必要な第一歩である。
文献)を高温にて使用して、界面状態密度を測定した。
測定は、HP4284Aキャパシタンスメーターを装備したMDC
CSM/2システムを使用して行った。キャパシタンスとコ
ンダクタンスは、1kHz/1MHzの周波数範囲にわたって一
定電圧で測定した。これを種々のバイアスにて繰り返
し、各バイアスに対するバンドベンディング(band ben
ding)を並列キャパシタンスから求めた。図1は、最良
の酸化物(後述)から得られる当量並列コンダクタンス
(Gf/W)対周波数の曲線を示しており、1.0×1011cm-2e
V-1の最小界面状態密度に相当する。コンダクタンス法
を250℃で実施して、室温において測定できるより広い
区域のバンドギャップを測定し、そして信号のより良好
な分解が得られるようバンドベンディングの変動を少な
くした。測定するためにはより高い温度(最高約350
℃)が好ましいが、モリブデンのゲートは、250℃以上
の温度では酸化が速すぎる。
itとQoxの比較が表2に示されている。図2における酸
化はすべて湿潤環境にて行われ、その後に1時間のアル
ゴンアニールを施した。酸化温度が上昇するにつれて、
QoxとDitが増大することが図2からわかる。興味あるこ
とに、約1150℃にて界面状態密度が安定状態に達する。
酸化時間が極めて長くなるので、1050℃未満の酸化温度
はあまり実際的ではない。
によって大幅に改良される。酸化時間は1050℃において
極めて長いけれども、酸化物の品質が改良されるので、
ほとんどのMOSデバイス用途に対し、時間をかけるだけ
の価値がある。
有益である後酸化処理を含む。この処理は、酸化物のバ
ルクが成長した後の、より低い温度において行われる酸
化からなる。このアニールは、本明細書では“再酸化”
アニールとも呼ぶ。再酸化アニールの温度範囲は約800
〜1000℃である。この工程では全ての不純物(たとえ
ば、残留炭素またはぶら下がった(dangling)ケイ素結
合)が酸化されるが、SiCがそれ以上酸化されることは
なく、従って酸化物が緻密化され、SiC/SiO2の界面が改
良される。表2は、4種のサンプルを種々の後酸化処理
に関して比較している。第1の行は、後酸化アニールで
処理していないものである。第2の行は、前記Shenoyら
の文献に記載の“スロー・プル(slow pull)”法を使
用して酸化炉から取り出したものである。あとの2つの
行は、それぞれ900℃にて1.5時間、湿潤後酸化処理また
は乾燥後酸化処理したものである。(アルゴンアニール
は、酸化と一緒にその場で行い、ここでは説明を単純化
するために後酸化処理とは考えないこととする。熱酸化
物にはすべて、酸化の直後で且つ再酸化アニールの前
に、このアルゴンアニールを施した。) 表2のデータからわかるように、スロー・プル手順に
よって酸化物の品質が改良されており、この点はShenoy
の結果と一致する。より一層高い品質の酸化物(正味の
酸化物電荷と界面状態密度が低いことからわかる)が、
湿潤再酸化手順にしたがって標準的な酸化を行うことに
よって得られる。乾燥再酸化アニールを施すと、後酸化
処理を施していない酸化物と比較したときに、界面状態
密度が2倍になる。
ロセスの時間と温度を最適化すべく検討を行った。図3
と4は、種々の酸化条件下にて1100℃で酸化したサンプ
ルの正味の酸化物電荷と界面状態密度を示している。再
酸化の温度を800℃〜950℃の範囲で変え、そして1.5時
間と3時間の酸化時間について調べた。水平線は、同一
の条件下で酸化したが、再酸化アニールは施さなかった
サンプルの密度を示している。
は、再酸化アニールの温度によって大きく異なる。再酸
化アニールの時間は、図4の900℃における1.5時間と3
時間のデータポイントを比較するとわかるように、正味
の酸化物電荷密度にほとんど影響を及ぼさない。しかし
ながら、図4における2つの900℃ポイントを比較する
と、より長いアニール時間のほうが、より短いアニール
時間よりやや良好のようである。界面状態密度は、再酸
化アニールの温度によって強く影響される。1100℃での
酸化物の場合、より長い時間と950℃という温度によっ
て最良の酸化物が得られ、この結果、正味の酸化物電荷
密度は1/2.5に低下し、また界面状態密度は1/4に低下す
る。
物電荷と界面状態密度を示している。900℃〜1000℃の
再酸化アニール温度、ならびに1.5時間、3時間、およ
び5時間という再酸化アニール時間について調べた。こ
の場合も、水平線は、同一の条件下で酸化したが、再酸
化アニールは施さなかったサンプルの品質レベルを示し
ている。
密度は、酸化時間の増大とともに大幅に変化する(図5
の900℃における2つのデータポイントを比較すること
によってわかる)。しかしながら、酸化時間をより長く
しても(900℃にて5時間)、950℃での3時間の再酸化
アニールの場合と同等である。しかしながら、界面状態
密度は、再酸化アニール時間によってそれほど影響を受
けない(図6における900℃での2つのアニール時間を
比較することによってわかる)。1050℃にて成長させた
酸化物に対する最も大きな再酸化アニール変数はアニー
ル温度であり、約950℃が最適のようである。正味の酸
化物電荷は1/2に減少し、また界面状態密度は1/2.5に減
少する。
物に対し、再酸化アニールのための最適温度は950℃で
ある。アニール時間を増大させることによっても酸化物
の品質を改良することができるが、これは温度に比べて
二次的な効果にすぎない。1050℃という最適温度で成長
させた酸化物に対してさえ、950℃での最適な再酸化に
より、正味の酸化物電荷と界面状態が大幅に減少する。
イ素量が多いという化学量論がその原因となっている。
炭化ケイ素は、かなり高い温度でしか酸化されないとい
う明確な利点を有しており、このため蒸着酸化物を“再
酸化”することが可能となる。これは、酸化物中のケイ
素を酸化するのに充分な高い温度ではあるが、SiCの実
質的な酸化を起こさないような充分に低い温度にて、蒸
着酸化物を酸化性雰囲気中でアニールすることによって
行うことができる。この工程により、酸化物の良好な緻
密化が可能となるだけでなく、熱によるSiO2界面の形成
も可能となり、このとき相当量のSiCが消費されたり、
あるいは酸化物中に炭素が導入されたりすることはな
い。
示されている。1000℃で再酸化したサンプルの絶縁耐力
の最高値は、12.4MV/cmという驚くほど高い値であっ
た。この値は、SiO2の固有の絶縁耐力(11.3MV/cm)よ
り高いが、この上回っている部分は、金属/SiCの動作機
能の違い、あるいは算出領域に考慮されていない正味の
酸化物電荷密度によるものであろう。
も高い絶縁耐力が得られる。降伏場(breakdown fiel
d)の20%の範囲を示している縞模様キャップによって
示されているように、最も高い降伏場は室温から350℃
まで変わらないけれども、分布はより広くなっている。
800℃で再酸化したサンプルと900℃で再酸化したサンプ
ルはより低い降伏場を有しており、350℃ではさらに減
少する。900℃で90分酸化したサンプルは、45分だけ酸
化したサンプルより良好であった。この挙動は、蒸着酸
化物中に過剰のケイ素が存在していることと矛盾がな
く、この過剰なケイ素を酸化して、酸化物層中に正しい
化学量論を達成することができる。
状態密度と正味の酸化物電荷密度がプロットしてある。
この場合も、さらなる酸化を施すと、より良好な品質が
達成される。正味の酸化物電荷と界面状態密度は、時間
と温度が増大すると減少する。1000℃での再酸化を施し
たサンプルに対しては、界面状態密度は2〜3×1011cm
-2eV-1の範囲であり、正味の酸化物電荷は約1×1012cm
-2である。
酸化物の品質が大幅に改良されることが実証された。蒸
着酸化物に関して従来より悩まされている降伏場という
問題が、再酸化アニールを施すことで効果的に解消され
る。さらに、正味の酸化物電荷が大幅に改良され、1×
1012cm-2という正味の酸化物電荷密度を使用して酸化物
を繰り返し作製することができる。本発明を使用する
と、一般には1×1011cm-2eV-1という界面状態密度が得
られる。従来の酸化手順(たとえば、1150℃で酸化し、
再酸化は行わない)と比較すると、正味の酸化物電荷は
1/3に低下し、界面状態密度は一桁の大きさで改良され
ている。これらのプロセス改良の結果、正味の酸化物電
荷と界面状態密度が大幅に減少する(これまでに報告さ
れている最も低い値)。
い実施態様について説明してきた。特定の用語が使用さ
れているけれども、一般的かつ説明的な意味でのみ使用
されており、これによって本発明が限定されることはな
い。本発明の範囲は、以下に記載の請求の範囲によって
規定される。
Claims (17)
- 【請求項1】熱酸化による方法、炭化ケイ素層上に酸化
物層を蒸着させるという方法、酸化物層をスパッター蒸
着させるという方法、酸化物層をプラズマ蒸着させると
いう方法、およびオキシ窒化物層を生成させるという方
法、からなる群から選ばれる方法によってp−型炭化ケ
イ素層上に酸化物層を生成させる工程を含み、 前記酸化物層生成工程の後に、酸化性ガス源が酸化物層
中に拡散するのを可能にしつつ、また炭化ケイ素のさら
なる酸化を防止しつつ、p−型炭化ケイ素がかなりの速
度で酸化されるのを防止するために1050℃未満の温度に
て、そして酸化物層を緻密化するに足る、また酸化物層
と炭化ケイ素層との間の界面を改良するに足る時間にわ
たって、p−型炭化ケイ素層上の酸化物層を酸化性ガス
源に暴露する工程を含むことを特徴とする、 改良された酸化物層と、酸化物をベースとしたデバイス
からの改良された性能とを得る方法。 - 【請求項2】p−型炭化ケイ素層上に酸化物層を生成さ
せる前記工程が、炭化ケイ素層の炭素面を900〜1300℃
の温度で熱酸化する工程を含み、酸化物層を酸化性ガス
源に暴露する前記工程が、酸化物層を600〜1000℃の温
度で暴露する工程を含む、請求項1記載の方法。 - 【請求項3】p−型炭化ケイ素層上に酸化物層を生成さ
せる前記工程が、炭化ケイ素層のケイ素面を1000〜1400
℃の温度で熱酸化する工程を含み、酸化物層を酸化性ガ
ス源に暴露する前記工程が、酸化物層を700〜1050℃の
温度で暴露する工程を含む、請求項1記載の方法。 - 【請求項4】前記炭化ケイ素層が炭化ケイ素エピタキシ
ャル層または炭化ケイ素基板を含む、請求項1記載の方
法。 - 【請求項5】前記酸化性ガス源が、酸化物層または炭化
ケイ素層の化学的、物理的、または電子的特性に悪影響
を及ぼさず、酸化物とp−型炭化ケイ素が、800〜1000
℃の温度にて酸化性ガス源に暴露される、請求項1記載
の方法。 - 【請求項6】前記酸化性ガス源が、酸素、水蒸気、水蒸
気中酸素、キャリヤーガス中水蒸気、窒素と酸素との化
合物、およびこれらの混合物からなる群選ばれる、請求
項1記載の方法。 - 【請求項7】酸化物と炭化ケイ素が約950℃の温度にて
酸化性ガス源に暴露される、請求項1記載の方法。 - 【請求項8】酸化物層と炭化ケイ素層を酸化性ガス源に
暴露する工程の前に、酸化物層をアルゴン雰囲気中でア
ニールする工程をさらに含む、請求項1記載の方法。 - 【請求項9】p−型炭化ケイ素基板と前記炭化ケイ素基
板上の酸化物層とを含み、前記酸化物層が1.6×1011cm
-2/eV未満の界面状態密度を有することを特徴とする、
改良された炭化ケイ素/酸化物構造物。 - 【請求項10】前記界面状態密度が1.5×1011cm-2/eV未
満である、請求項9記載の炭化ケイ素/酸化物構造物。 - 【請求項11】前記界面状態密度が1.1×1011cm-2/eV未
満である、請求項9記載の炭化ケイ素/酸化物構造物。 - 【請求項12】p−型炭化ケイ素基板と前記炭化ケイ素
基板上の酸化物層とを含み、前記酸化物層が2.5×1012c
m-2未満の酸化物電荷を有することを特徴とする、改良
された炭化ケイ素/酸化物構造物。 - 【請求項13】前記酸化物電荷が1.5×1012cm-2未満で
ある、請求項12記載の炭化ケイ素/酸化物構造物。 - 【請求項14】前記酸化物電荷が1.1×1012cm-2未満で
ある、請求項12記載の炭化ケイ素/酸化物構造物。 - 【請求項15】前記炭化ケイ素層が、2H、3C、4H、6H、
および15Rからなる群から選ばれるポリタイプを有する
単結晶である、請求項9または12記載の炭化ケイ素/酸
化物構造物。 - 【請求項16】前記炭化ケイ素層がエピタキシャル層ま
たは基板である、請求項9または12に記載の炭化ケイ素
/酸化物構造物。 - 【請求項17】前記酸化物層が二酸化ケイ素である、請
求項9または12に記載の炭化ケイ素/酸化物構造物。
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