JP3249239B2 - 電力ｆｅｔ用制御回路 - Google Patents

電力ｆｅｔ用制御回路

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    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
    • H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches

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  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ａ）電力ＦＥＴ（１）
のゲート電極が第１のダイオード（９）とコンデンサ
（１０）を介して第１の入力端子（１１）に接続されて
おり、ｂ）第１のダイオードとコンデンサの間に第２の
ダイオードが接続されており、該第２のダイオードは、
第２のＦＥＴ（５）のドレイン−ソース区間を介して電
力ＦＥＴ（１）のドレイン端子と接続されており、ｃ）
第２のＦＥＴは電力ＦＥＴとは反対のチャネル形であ
り、ｄ）第２のＦＥＴ（５）のゲート端子とソース端子
との間には抵抗（６）が接続されており、ｅ）第２のＦ
ＥＴのゲート端子は制御可能なスイッチ（１２）と接続
されており、ｆ）電力ＦＥＴのゲート−ソース容量は第
３のＦＥＴ（１６）のドレイン−ソース区間を介して放
電される、ソース側に負荷が直列に接続された電力ＦＥ
Ｔ用制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような制御回路は、例えば欧州特許
出願第０２３６９６７号明細書に記載されている。この
回路装置は公知の倍電圧回路の作用に従い動作する。こ
れにより、制御入力側の電圧がドレイン電圧よりも低い
場合、ソース側負荷を有する電力ＦＥＴを完全に導通制
御することができる。この回路装置では第２のＦＥＴの
ドレイン端子と第３のＦＥＴのソース端子がアースに接
続されている。負荷も同様にアース電位にある。複合装
置、例えば自動車では、前記の回路装置の所属する制御
回路のアース電位と負荷の接続されるアース電位との間
に非常に大きな電位差が発生し得る。
【０００３】従って前記の回路装置の機能は動作中に常
に保証されるものではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
に述べた制御回路をさらに改善し、上記のようにアース
電位が相互に異なっていてもその機能が保証されるよう
に構成することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によ
り、ｇ）第３のＦＥＴ（１６）はディプリーションＦＥ
Ｔであり、ｈ）ディプリーションＦＥＴのゲート端子は
制御可能なスイッチ（１２）と接続されており、ｉ）デ
ィプリーションＦＥＴのドレイン−ソース区間は電力Ｆ
ＥＴ（１）のゲート端子とソース端子との間に接続され
ており、ｊ）制御可能なスイッチ（１２）は第２の入力
端子（１３）と接続されており、ｋ）第２の入力端子
（１３）には供給電圧よりも低い電圧が印加されるよう
に構成して解決される。
【０００６】本発明の実施形態は従属請求項に記載され
ている。
【０００７】
【実施例】図１の回路装置は電力ＦＥＴ１を有し、この
電力ＦＥＴのドレイン端子Ｄには端子３を介して供給電
圧＋ＵBBが印加される。そのソース端子は端子４を介し
て負荷２と接続されている。この負荷は一方でアース
（負荷アース）に接続されている。電力ＦＥＴ１のドレ
イン端子とソース端子との間には、第２のＦＥＴ５と抵
抗１４からなる直列回路が接続されている。ＦＥＴ５は
電力ＦＥＴとは反対のチャネル形である。そのソース端
子は電力ＦＥＴ１のドレイン端子と接続されており、そ
のドレイン端子は抵抗１４と接続されている。第１のＦ
ＥＴ５のゲート端子とそのソース端子との間には抵抗６
が接続されている。
【０００８】電力ＦＦＥＴ１のゲート端子は抵抗１７、
１９と第１のダイオード９を介してコンデンサ１０の一
方の端子と接続されている。コンデンサの他方の端子は
第１の入力端子１１と接続されている。コンデンサ１０
と第１のダイオード９との接続点には、ｎｐｎバイポー
ラトランジスタ８のエミッタ端子が接続されている。こ
のトランジスタのベース端子は第２のＦＥＴ５のドレイ
ン端子と接続されており、そのコレクタ端子はＦＥＴ５
のソース端子と接続されている。電力ＦＥＴ１のゲート
端子とソース端子の間には、抵抗１８を介して第３のＦ
ＥＴ１６のドレイン−ソース区間が接続されている。第
３のＦＥＴはディプリーションＦＥＴとして構成されて
いる。そのソース端子は電力ＦＥＴ１のソース端子と接
続されている。第３のＦＥＴ１６のゲート端子は一方で
抵抗２０と制御可能なスイッチ１２を介してい第２の入
力端子１３に、他方で第２のＦＥＴ５のゲート端子に接
続されている。
【０００９】制御可能なスイッチ１２がスイッチオンさ
れると、入力電圧ＵinがＦＥＴ５のゲート端子に印加さ
れる。この入力電圧は供給電圧＋ＵBBよりも低い。これ
により電流が端子３から抵抗６、抵抗２０、制御可能な
スイッチ１２を介して端子１３へ流れる。抵抗６と２０
は、ＦＥＴ５が導通制御され、ディプリーションＦＥＴ
１６が阻止されるように選定されている。これにより電
流がＦＥＴ５のドレイン−ソース区間を介して、一方で
抵抗１４をとおって、他方でバイポーラトランジスタ８
のベース端子へ流れる。これによりバイポーラトランジ
スタは導通制御され、電流がダイオード９、抵抗１７と
１９を介して電力ＦＥＴ１のゲート端子へ流れ、そのゲ
ート−ソース容量を充電する。これにより電力ＦＥＴは
導通する。
【００１０】同時に電力ＦＥＴ１のゲート−ソース容量
により、コンデンサ１０もバイポーラトランジスタ８の
コレクタ−エミッタ区間を介して充電される。入力端子
１１にパルス列が供給されると、コンデンサ１０とダイ
オード９との接続点の電位が上昇し、電力ＦＥＴのゲー
ト−ソース容量はさらに充電される。コンデンサ１０の
抵抗１４と負荷２を介したアースへの放電は、バイポー
ラトランジスタ８の阻止方向にバイアスされたベース−
エミッタ区間により阻止される。バイポーラトランジス
タ８のベース−エミッタ区間は公知の回路の第２のダイ
オードに相応する。もちろん図１の回路でも、バイポー
ラトランジスタ８の代わりに簡単化のため簡単なダイオ
ードを使用することもできる。このダイオードのアノー
ド端子はＦＦＥＴ５のドレイン端子と、そのカソード端
子は第１のダイオード９のアノード端子と接続される。
【００１１】電力ＦＥＴ１の遮断のために制御可能なス
イッチ１２が開放される。これによりディプリーション
ＦＥＴ１６のゲート端子の電圧が上昇し、このＦＥＴは
導通制御される。ＦＥＴ５とバイポーラトランジスタ８
は同時に阻止される。これにより電力ＦＥＴ１のゲート
−ソース容量は放電され、トランジスタは阻止される。
抵抗７、１８と１９は第１の入力側にさらに給電される
電流の大部分がディプリーションＦＥＴ１６をとおって
流れ、それにより電力ＦＥＴ１のゲート−ソース容量の
新たな充電が行われないように選定されている。
【００１２】抵抗６、１４はツェナーダイオード７、１
５に並列に接続することができる。ツェナーダイオード
７はＦＥＴ５ゲート−ソース容量を過電圧から保護す
る。ツェナーダイオード１５により、バイポーラトラン
ジスタ８の過制御が阻止される。
【００１３】本発明の回路は、電力ＦＥＴを負荷２の短
絡の際に保護するという利点を有する。この場合、端子
４がアース電位になると、バイポーラトランジスタ８の
基準電位はツェナーダイオード１５の降伏電圧に制限さ
れる。電力ＦＥＴ１のゲート端子には最大で、バイポー
ラトランジスタ８のベース−エミッタダイオードとダイ
オード９の導通電圧を差し引いた前記の降伏電圧が印加
する。従ってツェナーダイオード１５の選択により、電
力ＦＥＴ１の最大ゲート−ソース電圧、延いては短絡の
場合の最大電流が調整される。
【００１４】図２の回路装置は、一連の発展形態の点で
図１の回路装置とは異なる。この発展形態はそれぞれ独
立でもまたは任意の組合せでも適用することができる。
同じ素子または機能の同じ素子には図１と同じ参照符号
が付してある。
【００１５】第１の発展形態によれば、電力ＦＥＴのド
レイン端子と、抵抗１７と１９の接続点との間にツェナ
ーダイオード２５とダイオード２６からなる逆直列回路
を接続することができる。この場合、ツェナーダイオー
ドのカソードは電力ＦＥＴ１のドレイン端子と接続され
ている。これにより誘導性負荷の遮断の際に発生し得る
電圧ピークが減少される。
【００１６】第２の発展形態によれば、抵抗１７と１９
の接続点と、電力ＦＥＴ１のソース端子との間に電圧制
限手段２７を設けることができる。この電圧制限手段は
電力ＦＥＴ１のドレイン電圧により制御線路を介して次
のように制御される。すなわち、ドレイン−ソース電圧
が短絡により増大した際、電力ＦＥＴのゲート−ソース
電圧が低減されるように制御される。これにより電力Ｆ
ＥＴでの電流制限が達成される。
【００１７】別の発展形態では、第１のダイオード９と
抵抗１７の間に第３のダイオード２１が挿入接続され
る。その際、ダイオード２１のアノードはダイオード９
のカソードと接続される。２つのダイオードの接続点は
別のコンデンサ２３を介して第３の入力端子２４と接続
されている。
【００１８】端子２４に、端子１に印加されるパルス列
と位相が１８０°ずれたパルス列が印加されると、ダイ
オード９のカソード端子で高くポンピングされた電圧が
コンデンサ２３の電圧に加算される。これにより電力Ｆ
ＥＴ１のゲート電圧が迅速に上昇するようになる。
【００１９】コンデンサ２３の放電相での放電はバイポ
ーラトランジスタ２２のベース−エミッタ区間を介して
阻止される。このトランジスタ２２のエミッタはダイオ
ード９のカソードとダイオード２１のアノードとの間に
接続されている。このトランジスタ２２のコレクタ端子
とベース端子はそれぞれバイポーラトランジスタ８のコ
レクタ端子およびベース端子と接続されている。バイポ
ーラトランジスタ２２はバイポーラトランジスタ８と同
時にＦＥＴ５を介してスイッチオンされる。バイポーラ
トランジスタ２２のコレクタ−エミッタ区間、ダイオー
ド２１および抵抗１７と１９を介して、電力ＦＥＴ１の
ゲート−ソース容量が負荷的に充電される。
【００２０】制御可能なスイッチ１２は図面では機械的
スイッチとして図示されている。しかしこのスイッチは
有利には電子スイッチ、例えばＦＥＴである。
【００２１】実施例に使用される抵抗は電流源とするこ
ともできる。これは公知のようにディプリーションＦＥ
Ｔにより実現され、そのソース端子とゲート端子は相互
に接続されている。
【００２２】
【発明の効果】本発明により、アース電位が相互に異な
っていてもその機能が保証される電力ＦＥＴ用制御回路
が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基本回路図である。
【図２】図１の回路を発展させた別の実施例の回路図で
ある。
【符号の説明】
１ 電力ＦＥＴ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03K 17/00 - 17/70

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ）電力ＦＥＴ（１）のゲート電極が第
    １のダイオード（９）とコンデンサ（１０）を介して第
    １の入力端子（１１）に接続されており、 ｂ）第１のダイオードとコンデンサの間に第２のダイオ
    ードが接続されており、該第２のダイオードは、第２の
    ＦＥＴ（５）のドレイン−ソース区間を介して電力ＦＥ
    Ｔ（１）のドレイン端子と接続されており、 ｃ）第２のＦＥＴは電力ＦＥＴとは反対のチャネル形で
    あり、 ｄ）第２のＦＥＴ（５）のゲート端子とソース端子との
    間には抵抗（６）が接続されており、 ｅ）第２のＦＥＴのゲート端子は制御可能なスイッチ
    （１２）と接続されており、 ｆ）電力ＦＥＴのゲート−ソース容量は第３のＦＥＴ
    （１６）のドレイン−ソース区間を介して放電される、
    ソース側に負荷が直列に接続された電力ＦＥＴ用制御回
    路において、 ｇ）第３のＦＥＴ（１６）はディプリーションＦＥＴで
    あり、 ｈ）ディプリーションＦＥＴのゲート端子は制御可能な
    スイッチ（１２）と接続されており、 ｉ）ディプリーションＦＥＴのドレイン−ソース区間は
    電力ＦＥＴ（１）のゲート端子とソース端子との間に接
    続されており、 ｊ）制御可能なスイッチ（１２）は第２の入力端子（１
    ３）と接続されており、 ｋ）第２の入力端子（１３）には供給電圧よりも低い電
    圧が印加されることを特徴とする電力ＦＥＴ用制御回
    路。
  2. 【請求項２】 抵抗（６）にツェナーダイオード（７）
    が並列接続されている請求項１記載の制御回路。
  3. 【請求項３】 第２のダイオードはバイポーラトランジ
    スタ（８）のベース−エミッタ区間により形成されてお
    り、 該バイポーラトランジスタのベース端子は、第２のＦＥ
    Ｔ（５）のドレイン端子と接続され、かつ抵抗（１４）
    を介して電力ＦＥＴ（１）のソース端子と接続されてお
    り、エミッタ端子は第１のダイオードと接続され、コレ
    クタ端子は第２のＦＥＴ（５）のソース端子と接続され
    ている請求項１または２記載の制御回路。
  4. 【請求項４】 抵抗（１４）にツェナーダイオード（１
    ５）が並列接続されている請求項３記載の制御回路。
  5. 【請求項５】 ａ）第１のダイオード（９）と電力ＦＥ
    Ｔ（１）のゲート端子との間に第３のダイオード（２
    １）が挿入接続されており、 ｂ）第１および第３のダイオードの接続点には第２のバ
    イポーラトランジスタ（２２）のエミッタ端子が接続さ
    れており、 ｃ）第２のバイポーラトランジスタ（２２）のベース端
    子およびコレクタ端子は第２のＦＥＴ（５）のドレイン
    端子ないしソース端子と接続されており、 ｄ）第２のバイポーラトランジスタ（２２）のエミッタ
    端子は第２のコンデンサ（２３）を介して第３の入力端
    子（２４）と接続されており、 ｅ）第１および第３の入力端子には、相互に１８０°位
    相のずれた入力信号が印加される請求項１から４までの
    いずれか１記載の制御回路。
  6. 【請求項６】 電力ＦＥＴ（１）のゲート端子とドレイ
    ン端子との間にはダイオード（２６）およびツェナーダ
    イオード（２５）からなる逆直列回路が接続されている
    請求項１から５までのいずれか１記載の制御回路。
  7. 【請求項７】 電力ＦＥＴ（１）のゲート端子とドレイ
    ン端子との間には、電力ＦＥＴのゲート−ソース電圧を
    電力ＦＥＴのドレイン電圧に依存して制限するための手
    段（２７）が設けられている請求項１から６までのいず
    れか１記載の制御回路。
  8. 【請求項８】 制御可能なスイッチはＦＥＴである請求
    項１記載の制御回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10879886B1 (en) 2019-09-02 2020-12-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Switch circuit suppressing damage to the switch circuit

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0639308B1 (de) * 1992-05-07 1996-03-06 Siemens Nixdorf Informationssysteme Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zum ansteuern eines mos-feldeffekttransistors
DE4236334A1 (de) * 1992-10-28 1994-05-05 Bosch Gmbh Robert Monolithisch integriertes MOS-Endstufenbauteil mit einer Überlast-Schutzeinrichtung
WO1995024076A1 (en) * 1994-03-01 1995-09-08 Apple Computer, Inc. Slew-rate controlled power switching circuit
JP3123337B2 (ja) * 1994-03-31 2001-01-09 富士電機株式会社 電圧駆動型半導体素子用のゲート駆動用回路装置
DE4429285C1 (de) * 1994-08-18 1995-10-12 Siemens Ag Ansteuerschaltung für ein feldeffektgesteuertes Leistungs-Halbleiterbauelement
DE19613958C2 (de) * 1995-04-11 2001-04-26 Int Rectifier Corp Spannungsseitiger Schalterkreis
DE19515417C2 (de) * 1995-04-26 1998-10-15 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Leistungs-MOSFET
DE69523908T2 (de) * 1995-07-31 2002-07-25 Co.Ri.M.Me. Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno, Catania Steuerungsschaltung, MOS Transistor mit solch einer Schaltung
DE19535985B4 (de) * 1995-09-27 2005-02-17 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines FET
EP0766394B1 (de) * 1995-09-27 2002-03-20 Infineon Technologies AG Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Leistungs-Enhancement-MOSFET
DE19631751C1 (de) * 1996-08-06 1997-11-27 Siemens Ag Ansteuerschaltung für einen Leistungs-FET mit sourceseitiger Last
DE19728283A1 (de) * 1997-07-02 1999-01-07 Siemens Ag Ansteuerschaltung für ein steuerbares Halbleiterbauelement
US6094087A (en) * 1997-07-30 2000-07-25 Lucent Technologies Inc. Gate drive circuit for isolated gate devices and method of operation thereof
DE19752986A1 (de) * 1997-11-28 1999-06-02 Siemens Ag Halbleiterschaltungsanordnung mit monolithisch integrierten Schaltkreisen und einer Spannungspumpenschaltung
US6169431B1 (en) 1998-06-02 2001-01-02 Infineon Technologies Ag Drive circuit for a controllable semiconductor component
DE19918025C2 (de) * 1999-04-21 2001-03-08 Siemens Ag Schaltungsanordnung mit einer Ansteuerung für einen Halbleiterschalter mit sourceseitiger Last
EP1063772A1 (de) 1999-04-21 2000-12-27 Infineon Technologies AG Treiberschaltung zum Ansteuern einer Halbbrücke
DE19932944B4 (de) * 1999-07-14 2005-10-20 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zum Ansteuern einer Last
DE10033440C2 (de) * 2000-07-10 2002-07-18 Infineon Technologies Ag Ansteuerschaltung für einen Leistungs-MOSFET
US6344768B1 (en) * 2000-08-10 2002-02-05 International Business Machines Corporation Full-bridge DC-to-DC converter having an unipolar gate drive
JP2002246886A (ja) 2001-02-13 2002-08-30 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 半導体回路部品
US7000128B1 (en) * 2002-12-30 2006-02-14 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for reducing capacitive load-related power loss by gate charge adjustment
JP2004247588A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 保護回路
US6952119B2 (en) * 2004-01-28 2005-10-04 Micrel, Incorporated Auxiliary output driver
DE102004007208B3 (de) * 2004-02-13 2005-05-25 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung mit einem Lasttransistor und einer Spannungsbegrenzungsschaltung und Verfahren zur Ansteuerung eines Lasttransistors
ATE487277T1 (de) * 2005-04-22 2010-11-15 Ebm Papst Mulfingen Gmbh & Co Schaltungsanordnung zur ansteuerung eines elektrischen leistungsschalters auf hohem spannungspotenzial
DE102006059833B4 (de) * 2006-12-15 2016-12-01 Sew-Eurodrive Gmbh & Co Kg Elektrisches Gerät
JP4528321B2 (ja) * 2007-09-26 2010-08-18 シャープ株式会社 スイッチング回路、回路、並びにスイッチング回路及び駆動パルス生成回路を含む回路
US7701264B2 (en) * 2007-12-21 2010-04-20 Nec Electronics Corporation Semiconductor output circuit
US7834669B2 (en) 2007-12-21 2010-11-16 Nec Electronics Corporation Semiconductor output circuit for controlling power supply to a load
JP2009171552A (ja) * 2007-12-21 2009-07-30 Nec Electronics Corp 半導体出力回路
JP5226474B2 (ja) * 2007-12-21 2013-07-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体出力回路
JP2012222715A (ja) * 2011-04-13 2012-11-12 Toshiba Corp ドライバ回路
WO2014121484A1 (en) * 2013-02-07 2014-08-14 Texas Instruments Incorporated Bi-directional input, bi-directional output, lossless current sensing scheme with temperature compensation
US11114432B2 (en) * 2018-03-16 2021-09-07 Semtech Corporation Protection circuit with a FET device coupled from a protected bus to ground
KR20210070786A (ko) * 2019-12-05 2021-06-15 주식회사 엘지에너지솔루션 복수의 전류 경로를 포함하는 배터리 팩

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3026040C2 (de) * 1980-07-09 1982-05-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schalter mit in Serie geschalteten MOS-FET
US4356416A (en) * 1980-07-17 1982-10-26 General Electric Company Voltage controlled non-saturating semiconductor switch and voltage converter circuit employing same
US4500801A (en) * 1982-06-21 1985-02-19 Eaton Corporation Self-powered nonregenerative fast gate turn-off FET
FR2564263B1 (fr) * 1984-05-11 1986-09-19 Radiotechnique Compelec Relais statique pour courant continu basse tension
CN1004184B (zh) * 1985-05-15 1989-05-10 东芝株式会社 导电率调制型mos场效应管的过电流保护电路
JPH0758899B2 (ja) * 1985-06-12 1995-06-21 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト 電子スイツチ
NZ218649A (en) * 1985-12-20 1989-04-26 Fujitsu Ltd Slice amplifier using two fets and slice level control circuitry
US4737667A (en) * 1986-03-11 1988-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Driving circuitry for a MOSFET having a source load
US4859875A (en) * 1987-08-28 1989-08-22 Siemens Aktiengesellschaft Optocoupler for power FET
FR2630276B1 (fr) * 1988-04-14 1992-07-03 Bendix Electronics Sa Circuit de commande d'une charge inductive
EP0369048A1 (de) * 1988-11-15 1990-05-23 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zur Laststromregelung in einem Leistungs-MOSFET
EP0405407A3 (en) * 1989-06-29 1992-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Circuit arrangement for controlling a mosfet with a load connected to its source
US4970420A (en) * 1989-07-13 1990-11-13 Westinghouse Electric Corp. Power field effect transistor drive circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10879886B1 (en) 2019-09-02 2020-12-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Switch circuit suppressing damage to the switch circuit

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DE59207678D1 (de) 1997-01-23
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JPH06188710A (ja) 1994-07-08
EP0572706B1 (de) 1996-12-11

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