JP3238363B2 - 半導体素子の金属配線形成方法 - Google Patents
半導体素子の金属配線形成方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
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- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76885—By forming conductive members before deposition of protective insulating material, e.g. pillars, studs
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の金属配
線形成方法に関し、特に高集積半導体素子の微細パター
ン形成時に適するようにした半導体素子の金属配線形成
方法に関する。
線形成方法に関し、特に高集積半導体素子の微細パター
ン形成時に適するようにした半導体素子の金属配線形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体素子が高集積化されるこ
とにより金属配線の線幅は微細化され、これに従い微細
パターン形成が可能な遠紫外線用感光膜の使用が必須で
ある。しかし、遠紫外線用感光膜が有する低いエッチン
グ選択比とエッチング工程時のマージン（etch process
margin）の不足が、微細パターンの形成に大きな障害
として浮上する。即ち、段差がある部分に蒸着された金
属配線層上部に遠紫外線用感光膜を塗布し、露光及び現
像を行って感光膜パターンを形成する。その次に、露出
した金属配線層をエッチングする際、感光膜の低いエッ
チング選択比のため、段差がある部分の、高い方の部分
に厚さの薄い感光膜もエッチングされてしまい、その下
部の金属配線層が露出する。従って、本来、感光膜に被
覆されていて残るべき、金属配線層がエッチングされ不
良が発生する等、エッチング時のマージンが低下する問
題が発生する。さらに、感光膜が所定のパターンを有す
るように、全てエッチングされた後、露出した金属配線
層がエッチングされる際、ポリマーにより部分的なエッ
チング速度差が誘発されるため金属の表面が非常に粗く
なる問題が発生する。
とにより金属配線の線幅は微細化され、これに従い微細
パターン形成が可能な遠紫外線用感光膜の使用が必須で
ある。しかし、遠紫外線用感光膜が有する低いエッチン
グ選択比とエッチング工程時のマージン（etch process
margin）の不足が、微細パターンの形成に大きな障害
として浮上する。即ち、段差がある部分に蒸着された金
属配線層上部に遠紫外線用感光膜を塗布し、露光及び現
像を行って感光膜パターンを形成する。その次に、露出
した金属配線層をエッチングする際、感光膜の低いエッ
チング選択比のため、段差がある部分の、高い方の部分
に厚さの薄い感光膜もエッチングされてしまい、その下
部の金属配線層が露出する。従って、本来、感光膜に被
覆されていて残るべき、金属配線層がエッチングされ不
良が発生する等、エッチング時のマージンが低下する問
題が発生する。さらに、感光膜が所定のパターンを有す
るように、全てエッチングされた後、露出した金属配線
層がエッチングされる際、ポリマーにより部分的なエッ
チング速度差が誘発されるため金属の表面が非常に粗く
なる問題が発生する。
【０００３】これと関連し、従来技術に係る半導体素子
の金属配線形成方法を図３及び図４を参照して説明すれ
ば次の通りである。図３及び図４は、従来技術に係る金
属配線を形成する段階を示す工程断面図である。従来技
術に係る半導体素子の金属配線形成方法は、先ず図３に
示すように、段差を有する下部層１上部にバリア膜２を
形成し、前記バリア膜２上にタングステン層３を形成す
る。その次に、前記タングステン層３上に反射防止膜４
を積層し、前記反射防止層４上部に感光膜５を塗布す
る。この際、前記下部層１の段差が高い所は感光膜５の
厚さが薄いことが分る。
の金属配線形成方法を図３及び図４を参照して説明すれ
ば次の通りである。図３及び図４は、従来技術に係る金
属配線を形成する段階を示す工程断面図である。従来技
術に係る半導体素子の金属配線形成方法は、先ず図３に
示すように、段差を有する下部層１上部にバリア膜２を
形成し、前記バリア膜２上にタングステン層３を形成す
る。その次に、前記タングステン層３上に反射防止膜４
を積層し、前記反射防止層４上部に感光膜５を塗布す
る。この際、前記下部層１の段差が高い所は感光膜５の
厚さが薄いことが分る。
【０００４】次いで、図４に示すように、金属配線マス
クを利用した露光及び現像工程により感光膜５を選択的
に除去して感光膜パターン５ａを形成する。その次に、
前記感光膜パターン５ａをマスクに露出した部分の反射
防止膜４、タングステン層３及びバリア膜２を順次エッ
チングして所定のパターンを有する金属配線を形成す
る。
クを利用した露光及び現像工程により感光膜５を選択的
に除去して感光膜パターン５ａを形成する。その次に、
前記感光膜パターン５ａをマスクに露出した部分の反射
防止膜４、タングステン層３及びバリア膜２を順次エッ
チングして所定のパターンを有する金属配線を形成す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来技術に係る
半導体素子の金属配線形成方法においては次のような問
題点がある。従来技術に係る半導体素子の金属配線形成
方法においては、エッチング工程の際にタングステン層
パターン３ａの側壁に凹溝部（Ａ）が形成され側壁プロ
ファイルが悪化することが分る。さらに、従来技術に係
る半導体素子の金属配線形成方法においては、前記のよ
うなプロファイルの不良を防止するためタングステン層
上部にタングステンとエッチング選択比が高いハードマ
スク層、例えばチタニウムナイトライド膜、又はシリコ
ン酸化膜を厚く蒸着してエッチングバリアに利用する工
程を進める方法があるが、後続工程で進められる上部金
属配線とのコンタクト抵抗を増加させるという、他の問
題が発生する。
半導体素子の金属配線形成方法においては次のような問
題点がある。従来技術に係る半導体素子の金属配線形成
方法においては、エッチング工程の際にタングステン層
パターン３ａの側壁に凹溝部（Ａ）が形成され側壁プロ
ファイルが悪化することが分る。さらに、従来技術に係
る半導体素子の金属配線形成方法においては、前記のよ
うなプロファイルの不良を防止するためタングステン層
上部にタングステンとエッチング選択比が高いハードマ
スク層、例えばチタニウムナイトライド膜、又はシリコ
ン酸化膜を厚く蒸着してエッチングバリアに利用する工
程を進める方法があるが、後続工程で進められる上部金
属配線とのコンタクト抵抗を増加させるという、他の問
題が発生する。
【０００６】ここに、本発明は従来技術の問題点を解決
するため発明したもので、高集積半導体素子の微細パタ
ーン形成時に適するようにした半導体素子の微細パター
ン形成方法を提供することにその目的がある。さらに、
本発明の他の目的は、金属配線形成時の感光膜と金属層
のエッチング選択比を改良してエッチング時のマージン
を増大させ、後続工程を容易にするのは勿論、コンタク
ト抵抗の増加を防止することができる半導体素子の金属
配線形成方法を提供することにある。本発明のさらに他
の目的は垂直の側壁プロファイルを有する金属配線を形
成する方法を提供することにある。
するため発明したもので、高集積半導体素子の微細パタ
ーン形成時に適するようにした半導体素子の微細パター
ン形成方法を提供することにその目的がある。さらに、
本発明の他の目的は、金属配線形成時の感光膜と金属層
のエッチング選択比を改良してエッチング時のマージン
を増大させ、後続工程を容易にするのは勿論、コンタク
ト抵抗の増加を防止することができる半導体素子の金属
配線形成方法を提供することにある。本発明のさらに他
の目的は垂直の側壁プロファイルを有する金属配線を形
成する方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決すべ
く、本発明の請求項１に記載の発明は、下部層を提供す
る工程と、前記下部層上にバリア膜、タングステン層、
反射防止膜を順次形成する工程と、前記反射防止膜上に
０.４〜２.０μｍ厚さの感光膜パターンを形成する工程
と、常温以下の低温及び１０ 12 〜１０ 13 ｃｍ -3 の高密度
プラズマ雰囲気下で前記反射防止膜、前記タングステン
層、前記バリア膜を順次エッチングして金属配線を形成
する工程とを含んでなり、前記低温プラズマを発生させ
るチャンバ内の電極温度を、−６０℃〜２５℃の温度に
保持し、前記高密度プラズマは、ヘリコンソース（Heli
con Source）を利用して得られ、前記タングステン層
を、フッ素系ガスに対して、窒素、又は酸素とアルゴン
を混合した、混合ガスを利用してエッチングし、前記反
射防止膜、前記タングステン層、前記バリア膜をエッチ
ングする際、チャンバ内の電極に印加するバイアス電力
は１０〜５０ワットであり、チャンバ内のソース電力は
１〜３キロワットであることを特徴とする半導体素子の
金属配線形成方法である。
く、本発明の請求項１に記載の発明は、下部層を提供す
る工程と、前記下部層上にバリア膜、タングステン層、
反射防止膜を順次形成する工程と、前記反射防止膜上に
０.４〜２.０μｍ厚さの感光膜パターンを形成する工程
と、常温以下の低温及び１０ 12 〜１０ 13 ｃｍ -3 の高密度
プラズマ雰囲気下で前記反射防止膜、前記タングステン
層、前記バリア膜を順次エッチングして金属配線を形成
する工程とを含んでなり、前記低温プラズマを発生させ
るチャンバ内の電極温度を、−６０℃〜２５℃の温度に
保持し、前記高密度プラズマは、ヘリコンソース（Heli
con Source）を利用して得られ、前記タングステン層
を、フッ素系ガスに対して、窒素、又は酸素とアルゴン
を混合した、混合ガスを利用してエッチングし、前記反
射防止膜、前記タングステン層、前記バリア膜をエッチ
ングする際、チャンバ内の電極に印加するバイアス電力
は１０〜５０ワットであり、チャンバ内のソース電力は
１〜３キロワットであることを特徴とする半導体素子の
金属配線形成方法である。
【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１記載の
半導体素子の金属配線形成方法において、前記バリア膜
は、チタニウム膜とチタニウムナイトライド膜の積層構
造であることを特徴とする。
半導体素子の金属配線形成方法において、前記バリア膜
は、チタニウム膜とチタニウムナイトライド膜の積層構
造であることを特徴とする。
【０００９】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２記載の半導体素子の金属配線形成方法において、前記
反射防止膜は、チタニウムナイトライド膜でなることを
特徴とする。
２記載の半導体素子の金属配線形成方法において、前記
反射防止膜は、チタニウムナイトライド膜でなることを
特徴とする。
【００１０】請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の
いずれかに記載の半導体素子の金属配線形成方法におい
て、前記反射防止膜は、約３００〜１０００オングスト
ロームの厚さで形成することを特徴とする。
いずれかに記載の半導体素子の金属配線形成方法におい
て、前記反射防止膜は、約３００〜１０００オングスト
ロームの厚さで形成することを特徴とする。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の
いずれかに記載の半導体素子の金属配線形成方法におい
て、前記反射防止膜と前記バリア膜を、塩素系ガスを利
用してエッチングすることを特徴とする。
いずれかに記載の半導体素子の金属配線形成方法におい
て、前記反射防止膜と前記バリア膜を、塩素系ガスを利
用してエッチングすることを特徴とする。
【００１６】請求項６に記載の発明は、請求項５記載の
半導体素子の金属配線形成方法において、前記塩素系ガ
スは、塩素又は三塩化ホウ素を含むことを特徴とする。
半導体素子の金属配線形成方法において、前記塩素系ガ
スは、塩素又は三塩化ホウ素を含むことを特徴とする。
【００１７】
【００１８】請求項７に記載の発明は、請求項１〜６の
いずれかに記載の半導体素子の金属配線形成方法におい
て、前記フッ素系ガスと窒素の混合ガスの量は、約５０
〜５００ＳＣＣＭ（Standard Cubic Centimeter）程
度、用いることを特徴とする。
いずれかに記載の半導体素子の金属配線形成方法におい
て、前記フッ素系ガスと窒素の混合ガスの量は、約５０
〜５００ＳＣＣＭ（Standard Cubic Centimeter）程
度、用いることを特徴とする。
【００１９】請求項８に記載の発明は、請求項１〜７の
いずれかに記載の半導体素子の金属配線形成方法におい
て、前記混合ガスの全体量の中、フッ素系ガスの量は約
５０〜１００％程度であることを特徴とする。
いずれかに記載の半導体素子の金属配線形成方法におい
て、前記混合ガスの全体量の中、フッ素系ガスの量は約
５０〜１００％程度であることを特徴とする。
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を添付の図面を参照して詳細に説明する。図１及び図
２は、本発明の実施の形態に係る金属配線を形成する工
程を説明するための工程断面図である。本発明の実施の
形態に係る金属配線を形成する方法は、図１に示すよう
に、段差を有する下部層１１上部にバリア膜１２を形成
し、前記バリア膜１２上にタングステン層１３を形成
し、前記タングステン層１３上に反射防止膜１４を積層
する。この際、前記バリア膜１２はチタニウム（Ｔｉ）
とチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）等からなる積層構
造に形成する。さらに、前記タングステン層１３につい
ては、アルミニウム、アルミニウム合金、銅等を用いて
もよい。この際、前記反射防止膜１４は、例えば、チタ
ニウムナイトライドを用い、約３００〜１０００オング
ストローム（ ）の厚さに形成する。その次に、前記反
射防止膜１４上に遠紫外線用感光膜１５を塗布し、前記
感光膜１５を選択的に除去して感光膜パターン１５ａを
形成する。この際、前記感光膜１５は約０.４〜２.０μ
ｍの厚さに形成する。
態を添付の図面を参照して詳細に説明する。図１及び図
２は、本発明の実施の形態に係る金属配線を形成する工
程を説明するための工程断面図である。本発明の実施の
形態に係る金属配線を形成する方法は、図１に示すよう
に、段差を有する下部層１１上部にバリア膜１２を形成
し、前記バリア膜１２上にタングステン層１３を形成
し、前記タングステン層１３上に反射防止膜１４を積層
する。この際、前記バリア膜１２はチタニウム（Ｔｉ）
とチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）等からなる積層構
造に形成する。さらに、前記タングステン層１３につい
ては、アルミニウム、アルミニウム合金、銅等を用いて
もよい。この際、前記反射防止膜１４は、例えば、チタ
ニウムナイトライドを用い、約３００〜１０００オング
ストローム（ ）の厚さに形成する。その次に、前記反
射防止膜１４上に遠紫外線用感光膜１５を塗布し、前記
感光膜１５を選択的に除去して感光膜パターン１５ａを
形成する。この際、前記感光膜１５は約０.４〜２.０μ
ｍの厚さに形成する。
【００２３】次いで、前記感光膜パターン１５ａをマス
クに、前記感光膜パターン１５ａの下部にある層等を順
次除去して、図２に示すように、反射防止膜パターン１
４ａ、タングステン層パターン１３ａ及びバリア膜パタ
ーン１２ａを形成する。この際、前記バリア膜１２、タ
ングステン層１３及び反射防止膜１４をエッチングする
工程は、先ず高密度のプラズマ（例えば１０12〜１０13
ｃｍ-3）を得るため、ヘリコンソース（Helicon Sourc
e）を利用し、ソース電力は１〜３キロワットに設定す
る。さらに、イオンの物理的な力によって感光膜パター
ンがエッチングされるのをなるべく防ぐため、チャンバ
内の電極に印加するバイアス電力を１０〜５０ワットに
設定する。
クに、前記感光膜パターン１５ａの下部にある層等を順
次除去して、図２に示すように、反射防止膜パターン１
４ａ、タングステン層パターン１３ａ及びバリア膜パタ
ーン１２ａを形成する。この際、前記バリア膜１２、タ
ングステン層１３及び反射防止膜１４をエッチングする
工程は、先ず高密度のプラズマ（例えば１０12〜１０13
ｃｍ-3）を得るため、ヘリコンソース（Helicon Sourc
e）を利用し、ソース電力は１〜３キロワットに設定す
る。さらに、イオンの物理的な力によって感光膜パター
ンがエッチングされるのをなるべく防ぐため、チャンバ
内の電極に印加するバイアス電力を１０〜５０ワットに
設定する。
【００２４】そして、前記のような条件でエッチング工
程を進めれば、感光膜に対する金属層等のエッチング選
択比が高くなる反面、形成されるタングステン層配線の
側壁にラウンドした凹部が発生するため、このような問
題点を解決するためチャンバ内の電極温度を−６０℃〜
２５℃、好ましくは−６０℃〜０℃に保持する。
程を進めれば、感光膜に対する金属層等のエッチング選
択比が高くなる反面、形成されるタングステン層配線の
側壁にラウンドした凹部が発生するため、このような問
題点を解決するためチャンバ内の電極温度を−６０℃〜
２５℃、好ましくは−６０℃〜０℃に保持する。
【００２５】一方、前記感光膜パターン１５ａをマスク
に利用してエッチング工程を進める際、前記反射防止膜
１４に対して、塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ2）又は
三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）等を利用する。さらに、同一
チャンバで連続的にタングステン層１３をエッチングす
る際、フッ素系ガス（例えば、ＳＦ6、ＣＦ4 、ＮＦ
3等）に窒素を混合したり、フッ素系ガスに酸素とアル
ゴンを混合してエッチング工程を進める。この際、フッ
素系ガス（例えば、ＳＦ6、ＣＦ4 、ＮＦ3等）に窒素を
混合したり、又は酸素とアルゴンを混合した混合ガスの
全体量は５０〜５００ＳＣＣＭ（Standard Cubic Centi
meter）程度であり、窒素（又は酸素＋アルゴン）／
［フッ素系ガス＋窒素（又は酸素＋アルゴン）］の比率
が０〜５０％程度である。つまり、混合ガス全体のフッ
素系ガスの割合は、５０〜１００％程度である。また、
同一チャンバで連続的に下部のバリア膜１２をエッチン
グする場合は、前記塩素系ガスを利用してエッチング工
程を進める。
に利用してエッチング工程を進める際、前記反射防止膜
１４に対して、塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ2）又は
三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）等を利用する。さらに、同一
チャンバで連続的にタングステン層１３をエッチングす
る際、フッ素系ガス（例えば、ＳＦ6、ＣＦ4 、ＮＦ
3等）に窒素を混合したり、フッ素系ガスに酸素とアル
ゴンを混合してエッチング工程を進める。この際、フッ
素系ガス（例えば、ＳＦ6、ＣＦ4 、ＮＦ3等）に窒素を
混合したり、又は酸素とアルゴンを混合した混合ガスの
全体量は５０〜５００ＳＣＣＭ（Standard Cubic Centi
meter）程度であり、窒素（又は酸素＋アルゴン）／
［フッ素系ガス＋窒素（又は酸素＋アルゴン）］の比率
が０〜５０％程度である。つまり、混合ガス全体のフッ
素系ガスの割合は、５０〜１００％程度である。また、
同一チャンバで連続的に下部のバリア膜１２をエッチン
グする場合は、前記塩素系ガスを利用してエッチング工
程を進める。
【００２６】
【発明の効果】前記したように、本発明に係る半導体素
子の金属配線形成方法においては次のような効果があ
る。本発明に係る半導体素子の金属配線形成方法におい
ては、段差を有する下部層上に極微細線幅を有する金属
配線を形成する際、感光膜と金属層間のエッチング選択
比を向上させることによりエッチングマージンを増大さ
せることができる。従って、従来エッチング選択比を向
上させるため用いられるハードマスク層の厚さを減らし
たり省略することができるので後続工程を容易にするこ
とができ、ハードマスク層を用いることによるコンタク
ト抵抗が増大するのを防止することができる。よって、
本発明に係る半導体素子の金属配線形成方法は、垂直の
側壁プロファイルを有する金属配線を形成できるので、
高集積半導体素子の金属配線形成に有用である。
子の金属配線形成方法においては次のような効果があ
る。本発明に係る半導体素子の金属配線形成方法におい
ては、段差を有する下部層上に極微細線幅を有する金属
配線を形成する際、感光膜と金属層間のエッチング選択
比を向上させることによりエッチングマージンを増大さ
せることができる。従って、従来エッチング選択比を向
上させるため用いられるハードマスク層の厚さを減らし
たり省略することができるので後続工程を容易にするこ
とができ、ハードマスク層を用いることによるコンタク
ト抵抗が増大するのを防止することができる。よって、
本発明に係る半導体素子の金属配線形成方法は、垂直の
側壁プロファイルを有する金属配線を形成できるので、
高集積半導体素子の金属配線形成に有用である。
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体素子の金属配
線形成方法によって、金属配線を形成する工程を示す断
面図である。
線形成方法によって、金属配線を形成する工程を示す断
面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体素子の金属配
線形成方法によって、金属配線を形成する工程を示す断
面図である。
線形成方法によって、金属配線を形成する工程を示す断
面図である。
【図３】従来技術に係る、半導体素子の金属配線を形成
する工程を示す断面図である。
する工程を示す断面図である。
【図４】従来技術に係る、半導体素子の金属配線を形成
する工程を示す断面図である。
する工程を示す断面図である。
１１ 下部層 １２ バリア膜 １２ａ バリア膜パターン １３ タングステン層 １３ａ タングステン層パターン １４ 反射防止膜 １４ａ 反射防止膜パターン １５ 感光膜 １５ａ 感光膜パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−112201（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−283206（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−267241（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−22396（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/3205
Claims (8)
- 【請求項１】 下部層を提供する工程と、 前記下部層上にバリア膜、タングステン層、反射防止膜
を順次形成する工程と、 前記反射防止膜上に０.４〜２.０μｍ厚さの感光膜パタ
ーンを形成する工程と、 常温以下の低温及び１０ 12 〜１０ 13 ｃｍ -3 の高密度プラ
ズマ雰囲気下で前記反射防止膜、前記タングステン層、
前記バリア膜を順次エッチングして金属配線を形成する
工程とを含んでなり、前記低温プラズマを発生させるチャンバ内の電極温度
を、−６０℃〜２５℃の温度に保持し、 前記高密度プラズマは、ヘリコンソース（Helicon Sour
ce）を利用して得られ、 前記タングステン層を、フッ素系ガスに対して、窒素、
又は酸素とアルゴンを混合した、混合ガスを利用してエ
ッチングし、 前記反射防止膜、前記タングステン層、前記バリア膜を
エッチングする際、チャンバ内の電極に印加するバイア
ス電力は１０〜５０ワットであり、チャンバ内のソース
電力は１〜３キロワットであることを特徴とする半導体
素子の金属配線形成方法。 - 【請求項２】 前記バリア膜は、チタニウム膜とチタニ
ウムナイトライド膜の積層構造であることを特徴とする
請求項１記載の半導体素子の金属配線形成方法。 - 【請求項３】 前記反射防止膜は、チタニウムナイトラ
イド膜でなることを特徴とする請求項１または２記載の
半導体素子の金属配線形成方法。 - 【請求項４】 前記反射防止膜は、約３００〜１０００
オングストロームの厚さで形成することを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の半導体素子の金属配線形
成方法。 - 【請求項５】 前記反射防止膜と前記バリア膜を、塩素
系ガスを利用してエッチングすることを特徴とする請求
項１〜４のいずれかに記載の半導体素子の金属配線形成
方法。 - 【請求項６】 前記塩素系ガスは、塩素又は三塩化ホウ
素を含むことを特徴とする請求項５記載の半導体素子の
金属配線形成方法。 - 【請求項７】 前記フッ素系ガスと窒素の混合ガスの量
は、約５０〜５００ＳＣＣＭ程度、用いることを特徴と
する請求項１〜６のいずれかに記載の半導体素子の金属
配線形成方法。 - 【請求項８】 前記混合ガスの全体量の中、フッ素系ガ
スの量は約５０〜１００％程度であることを特徴とする
請求項１〜７のいずれかに記載の半導体素子の金属配線
形成方法。
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| KR100425467B1 (ko) * | 2001-09-29 | 2004-03-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자를 위한 건식 식각방법 |
| CN101593689B (zh) * | 2008-05-29 | 2010-12-22 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 光刻图案的形成方法和双镶嵌结构的制造方法 |
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| JPH06318573A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-11-15 | Sony Corp | 高融点金属のエッチング方法 |
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-
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- 1996-12-20 KR KR1019960068902A patent/KR100248342B1/ko not_active IP Right Cessation
-
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- 1997-11-25 TW TW086117626A patent/TW350999B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-11-26 GB GB9725029A patent/GB2320613B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-16 JP JP34658297A patent/JP3238363B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-17 DE DE19756227A patent/DE19756227A1/de not_active Ceased
- 1997-12-17 CN CN97121734A patent/CN1099700C/zh not_active Expired - Fee Related
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| KR19980050124A (ko) | 1998-09-15 |
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