JP3116276B2 - 感光膜のエッチング方法 - Google Patents
感光膜のエッチング方法Info
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Description
チング方法に関するもので、特に下部平坦化用感光膜の
エッチングによすに側壁パッシベーションを形成させ、
エッチングされた部分の垂直プロファイルを向上させる
ことができる感光膜のエッチング方法に関するものであ
る。
がひどい場合、微細パターンの形成のために多層感光膜
を用いていた。この多層感光膜中の下部の平坦化用感光
膜は厚さを他と比べて厚くする。そのため、段差のほと
んどない平坦な状態で露光作業を行うことができ、露光
作業が容易とある。この下部の平坦化用感光膜をエッチ
ングするときには薄い中間バリヤー層をマスクにして行
う。そのとき、垂直形状を損わず、かつクリティカルデ
ィメンション(Critical Dimension、CD)の損失がな
いように高選択比の条件でエッチングされなければなら
ない。
付図面に基づき説明する。図1は、従来の感光膜のエッ
チング方法を示す工程断面図である。図1(a)に示す
ように、半導体基板11上に被エッチング層12を形成
し、その上に下部平坦化用第1感光膜層13を形成す
る。そして、前記下部平坦化用第1感光膜層13上に中
間バリヤー層14を形成し、その上にパターンのための
第2感光膜層15を形成する。次いで、第2感光膜層1
5をパターニングした後、これをマスクに用いてその下
部の中間バリヤー層14をエッチングする。この中間バ
リヤー層14はフッ素プラズマ状態でエッチングする
が、このとき第2感光膜層15は、図1(b)に示すよ
うに、同時にエッチングされ、表面の角の部分が丸くな
り、図に示している形状になる。
ングされた中間バリヤー層14をマスクに用いてその下
に形成された平坦化用第1感光膜層13をエッチングす
る。ここで、平坦化用第1感光膜層13を乾式エッチン
グするために一般的に使われる化学ガスは、感光膜に対
して高いエッチング速度を有する酸素を主成分とする化
学ガスを使用する。しかし酸素ガスだけを使用するよう
になると、酸素ガスと感光膜との間の化学反応(C+O
→CO2 )により、感光膜は等方性でエッチングされ、
垂直方向にエッチングされるだけでなく、側壁方向にも
エッチングされる。これを補償するために、従来は、平
坦化用第1感光膜層13の側壁パッシベーション形成の
ためのガス、例えばAr、CO、SO2、N2O、C5H8
等を酸素プラズマに添加して使用するか、或いは極めて
低温の温度(<−40℃)でエッチングしていた。次い
で、図1(d)に示すように、前記中間バリヤー層14
を除去した後、パターニングされた平坦化用第1感光膜
層13をマスクにしてその下部の被エッチング層12を
選択的に除去する。
来の感光膜のエッチング方法は、Ar、CO、SO2 、
N2O、C5H8 等を酸素プラズマに添加してエッチング
を行っているので、中間バリヤー層のエロージョン(Ero
sion)を誘発し、感光膜と中間バリヤー層とのエッチン
グ選択比が低くなるという問題があり、さらに、これを
さけて低温の温度条件で感光膜をエッチングするために
は装備の変形が必要であるという問題があった。。
もので、常温の基板温度条件でも側壁パッシベーション
が形成され、垂直プロファイルの優れた感光膜のエッチ
ング方法を提供することにある。
の本発明の感光膜のエッチング方法は、酸素ガスの代わ
りに側壁パッシベーションの形成に優れ、且つ軽量であ
る窒素(N2 )ガスだけを使用して感光膜をエッチング
するようにしたことを特徴とするものである。より具体
的には、半導体基板上に被エッチング層を形成し、被エ
ッチング層上に第1感光膜層を形成するステップと、第
1感光膜層上に中間バリヤー層を形成し、その上にパタ
ーン形成のための第2感光膜層を形成するステップと、
第2感光膜層をパターニングした後、これをマスクにし
て中間バリヤー層をエッチングするステップと、パター
ニングされた中間バリヤー層をマスクにして窒素
(N2 )だけで第1感光膜層をエッチングするステップ
と、を備える。
グ方法を添付図面に基づき説明する。図2は本発明実施
形態の感光膜のエッチング方法を示す工程断面図であ
る。半導体基板21上に被エッチング層22を形成す
る。その上に下部平坦化用第1感光膜層23を形成した
後、第1感光膜層23上に中間バリヤー層24を形成す
る。この中間バリヤー層24は、酸化膜、窒化膜のうち
のいずれか1つを使用する。中間バリヤー層24上にパ
ターンのための第2感光膜層25を形成して、その第2
感光膜層25を選択的にパターニングする(図2
(a))。次いで、図2(b)に示すように、パターニ
ングされた第2感光膜層25をマスクに用いてフッ素プ
ラズマ状態で中間バリヤー層24をエッチングする。
膜層25を除去した後、残った中間バリヤー層24をマ
スクに利用して下部平坦化用第1感光膜層23をエッチ
ングする。このとき、高密度エッチング装備(例えば、
ヘリコン型エッチング装備)で窒素ガス(N2 )だけを
使用してエッチングする。この窒素ガスは、軽いだけで
なく、常温で第1感光膜層23のエッチングによる側壁
パッシベーション形成が優れているので、基板の温度を
低く維持せずとも側壁パッシベーションが形成される。
したがって、エッチング後の第1感光膜23の垂直性が
優れたものとなる。この第1感光膜層23のエッチング
時の窒素ガスの流量の範囲は80〜100sccmに保
持する。そして、前記第1感光膜層23のエッチング時
の半導体基板21の温度範囲は0〜25℃に保持し、第
1感光膜層23のエッチング速度は3500Å/min
〜4500Å/minに保つ。また、第1感光膜層23
のエッチング時のソース及びバイアス電源はそれぞれ2
000〜2800W、200〜300Wとする。次い
で、図2(d)に示すように、第1感光膜層23の上部
の中間バリヤー層24を除去した後、第1感光膜層23
をマスクに利用してその下部の被エッチング層22をパ
ターニングする。
ような効果がある。第1に、基板の温度を低く維持する
必要がないので装備の変形が要らない。第2に、側壁パ
ッシベーション形成のための別の添加ガスを必要としな
い。第3に、窒素ガスだけを使用するので中間バリヤー
層とのエッチング選択比が高い。第4に、中間バリヤー
層のエロージョンを防止してCDを向上させることによ
り感光膜の垂直プロファイルが得られるので、下の被エ
ッチング層のエッチングが容易である。
面図である。
断面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板上に被エッチング層を形成
し、前記被エッチング層上に第1感光膜層を形成するス
テップと、 前記第1感光膜層上に中間バリヤー層を形成し、その上
にパターン形成のための第2感光膜層を形成するステッ
プと、 前記第2感光膜層をパターニングした後、これをマスク
にフッ素プラズマを用いて前記中間バリヤー層をエッチ
ングするステップと、 前記パターニングされた中間バリヤー層をマスクに窒素
(N2 )だけを用いて前記第1感光膜層をエッチングす
るステップと、 を備え、 前記第1感光膜層をエッチングする際に、窒素ガスの流
量を80〜100sccmにし、前記半導体基板の温度
を0〜25℃にし、前記第1感光膜層のエッチング速度
を3500Å/min〜4500Å/minにしそして
前記第1感光膜層のエッチング時のソース及びバイアス
電源をそれぞれ2000〜2800W、200〜300
Wにした ことを特徴とする感光膜のエッチング方法。
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