JP3225563B2 - カッティング装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス円盤上に形成さ
れた感光膜を記録データに基づいて変調したレーザ光で
露光して光ディスクのガラス原盤を作成するカッティン
グ装置に関するものである。
れた感光膜を記録データに基づいて変調したレーザ光で
露光して光ディスクのガラス原盤を作成するカッティン
グ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光ディスクにおいては、サブ
ミクロンの精度の原盤金型を用いて忠実にしかも即座に
大量の複製が可能であることに１つの特徴がある。この
光ディスクの作成プロセスは、大別して原盤作成工程
（マスタリングプロセス）と、ディスク化工程（レプリ
ケーションプロセス）とで構成されている。
ミクロンの精度の原盤金型を用いて忠実にしかも即座に
大量の複製が可能であることに１つの特徴がある。この
光ディスクの作成プロセスは、大別して原盤作成工程
（マスタリングプロセス）と、ディスク化工程（レプリ
ケーションプロセス）とで構成されている。
【０００３】ここで、上記原盤（スタンパ）作成工程
は、大まかに言うと、プリマスタリングプロセスとカッ
ティングプロセスとに分けられる。
は、大まかに言うと、プリマスタリングプロセスとカッ
ティングプロセスとに分けられる。
【０００４】上記プリマスタリングプロセスは、記録さ
れるべき情報（記録データ）を予め作成し編集しておく
ソフトウェアの準備工程である。また、上記カッティン
グプロセスは、磨かれたガラス円盤（原板）上に塗布さ
れた感光材料であるフォトレジスト膜を、上記記録デー
タに応じて例えばＡＯＭ（音響光学効果素子）等の変調
器で光変調したレーザ光で露光することにより、上記記
録データの記録（記録ピットの形成）を行う工程であ
る。なお、上記カッティングが終了すると、現像を行
い、所定の処理を行った後、電鋳によって金属表面上へ
の情報（記録データ）の転写を行い、更にこれを原盤と
して光ディスクの複製を行うのに必要な金属スタンパが
作成される。
れるべき情報（記録データ）を予め作成し編集しておく
ソフトウェアの準備工程である。また、上記カッティン
グプロセスは、磨かれたガラス円盤（原板）上に塗布さ
れた感光材料であるフォトレジスト膜を、上記記録デー
タに応じて例えばＡＯＭ（音響光学効果素子）等の変調
器で光変調したレーザ光で露光することにより、上記記
録データの記録（記録ピットの形成）を行う工程であ
る。なお、上記カッティングが終了すると、現像を行
い、所定の処理を行った後、電鋳によって金属表面上へ
の情報（記録データ）の転写を行い、更にこれを原盤と
して光ディスクの複製を行うのに必要な金属スタンパが
作成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記カッテ
ィングプロセスにおいて、上述したようにして上記レー
ザ光によるフォトレジストの露光で記録ピット（いわゆ
るプリ・ピット）を形成していく場合、当該記録データ
のデータ長の長短の違い（データパターンの長さの違
い）によって露光強度の強弱が発生する。このように、
露光強度の強弱が発生すると、記録ピット（プリ・ピッ
ト）自体の形状や最終的なピット変調度に差異が生ずる
ようになると共に、ジッタが増えるようになる。
ィングプロセスにおいて、上述したようにして上記レー
ザ光によるフォトレジストの露光で記録ピット（いわゆ
るプリ・ピット）を形成していく場合、当該記録データ
のデータ長の長短の違い（データパターンの長さの違
い）によって露光強度の強弱が発生する。このように、
露光強度の強弱が発生すると、記録ピット（プリ・ピッ
ト）自体の形状や最終的なピット変調度に差異が生ずる
ようになると共に、ジッタが増えるようになる。
【０００６】例えば、ＩＳＯ規格の５．２５インチソフ
トを例に挙げて説明する。この規格の場合、所定の記録
信号の信号パターンの最長パルスが１０Ｔクロック長で
あり、また最短パルスが１Ｔクロック長に相当する。す
なわち、このような規格の記録信号の信号パターンを、
上記レーザ光によって上記フォトレジストに露光記録し
たとすると、１０Ｔクロック長の信号ピットは上記ピッ
ト変調度が大きくなり、１Ｔクロック長の信号ピットは
上記ピット変調度が小さくなってしまう。
トを例に挙げて説明する。この規格の場合、所定の記録
信号の信号パターンの最長パルスが１０Ｔクロック長で
あり、また最短パルスが１Ｔクロック長に相当する。す
なわち、このような規格の記録信号の信号パターンを、
上記レーザ光によって上記フォトレジストに露光記録し
たとすると、１０Ｔクロック長の信号ピットは上記ピッ
ト変調度が大きくなり、１Ｔクロック長の信号ピットは
上記ピット変調度が小さくなってしまう。
【０００７】上述のようなことから、従来より、プリ・
ピットを形成する場合には、例えばフォトレジストの露
光強度の微妙な設定を行ったり、或いはレーザ入力光自
体のパワー調整等を行うことにより、現状時の最適条件
を設定することを試みている。しかしながら、この手法
による条件設定においては、例えば、微小な条件変動に
より、長ピットがオーバーハングしたり、逆に短ピット
の変調度が小さくなったりし、その設定は極めて困難な
ものとなっている。
ピットを形成する場合には、例えばフォトレジストの露
光強度の微妙な設定を行ったり、或いはレーザ入力光自
体のパワー調整等を行うことにより、現状時の最適条件
を設定することを試みている。しかしながら、この手法
による条件設定においては、例えば、微小な条件変動に
より、長ピットがオーバーハングしたり、逆に短ピット
の変調度が小さくなったりし、その設定は極めて困難な
ものとなっている。
【０００８】そこで、本発明は、上述のような実情に鑑
みて提案されたものであり、記録データのデータ長（パ
ターン長）が異なってもピット変調度に差異がなく、ジ
ッタも少ないガラス原盤を作成することのできるカッテ
ィング装置を提供することを目的とするものである。
みて提案されたものであり、記録データのデータ長（パ
ターン長）が異なってもピット変調度に差異がなく、ジ
ッタも少ないガラス原盤を作成することのできるカッテ
ィング装置を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のカッティング装
置は、上述の目的を達成するために提案されたものであ
り、ガラス円盤上に形成された感光膜を、記録データに
基づいて変調されたレーザ光で露光して、光ディスクの
ガラス原盤を作成するカッティング装置であって、上記
記録データのデータ長に応じた最適レーザ光強度に関す
る情報のデータ値と、線速度情報の値との積を取り、そ
の積による値に基づいて、上記レーザ光を光強度変調さ
せるデータ信号の振幅を１ビット毎に可変して上記レー
ザ光の光強度を制御するようにしたものである。
置は、上述の目的を達成するために提案されたものであ
り、ガラス円盤上に形成された感光膜を、記録データに
基づいて変調されたレーザ光で露光して、光ディスクの
ガラス原盤を作成するカッティング装置であって、上記
記録データのデータ長に応じた最適レーザ光強度に関す
る情報のデータ値と、線速度情報の値との積を取り、そ
の積による値に基づいて、上記レーザ光を光強度変調さ
せるデータ信号の振幅を１ビット毎に可変して上記レー
ザ光の光強度を制御するようにしたものである。
【００１０】すなわち、本発明のカッティング装置は、
レーザ露光方法による光ディスクのプリ・ピットのカッ
ティングを行う装置であって、例えばレーザ光を光変調
させるデータ信号の振幅を１ビット毎に任意に可変でき
るようにしており、更に、ＣＡＶ（Constant Angular V
elocity ）モードでのカッティング等、ガラス円盤の半
径に従ってレーザ光強度を可変させる必要がある場合に
も容易に対応できるようにしているものである。
レーザ露光方法による光ディスクのプリ・ピットのカッ
ティングを行う装置であって、例えばレーザ光を光変調
させるデータ信号の振幅を１ビット毎に任意に可変でき
るようにしており、更に、ＣＡＶ（Constant Angular V
elocity ）モードでのカッティング等、ガラス円盤の半
径に従ってレーザ光強度を可変させる必要がある場合に
も容易に対応できるようにしているものである。
【００１１】言い換えれば、本発明装置は、カッティン
グプロセスでピット記録を行う際に、データ長（データ
パターンの長さ）に応じて、露光するレーザ光に強度差
を発生させることで、データパターンの長さの長短にか
かわりなく同一ピット形状と同一ピット変調度を得るこ
とができる（記録ピット形状の制御を容易に行うことが
できる）ようにしたものである。
グプロセスでピット記録を行う際に、データ長（データ
パターンの長さ）に応じて、露光するレーザ光に強度差
を発生させることで、データパターンの長さの長短にか
かわりなく同一ピット形状と同一ピット変調度を得るこ
とができる（記録ピット形状の制御を容易に行うことが
できる）ようにしたものである。
【００１２】
【作用】本発明のカッティング装置によれば、記録デー
タのデータ長（データパターンの長さ）に応じてレーザ
光の光強度を制御しており、データパターンの長さの長
短にかかわりなく同一ピット形状と同一ピット変調度が
得られるようにレーザ光の光強度を変化させている。
タのデータ長（データパターンの長さ）に応じてレーザ
光の光強度を制御しており、データパターンの長さの長
短にかかわりなく同一ピット形状と同一ピット変調度が
得られるようにレーザ光の光強度を変化させている。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
【００１４】本実施例のカッティング装置は、図１に示
すように、ガラス円盤ＧＤ上に形成された感光膜である
フォトレジスト膜ＰＲを、端子１２から供給される記録
データＤINに基づいて光変調器１１P で変調されたレー
ザ光Ｌで露光することにより、光ディスクのガラス原盤
を作成するカッティング装置であって、上記記録データ
ＤINのデータ長に応じて上記レーザ光Ｌの光強度を制御
する制御回路１３を有するものである。
すように、ガラス円盤ＧＤ上に形成された感光膜である
フォトレジスト膜ＰＲを、端子１２から供給される記録
データＤINに基づいて光変調器１１P で変調されたレー
ザ光Ｌで露光することにより、光ディスクのガラス原盤
を作成するカッティング装置であって、上記記録データ
ＤINのデータ長に応じて上記レーザ光Ｌの光強度を制御
する制御回路１３を有するものである。
【００１５】すなわち、この図１において、例えばＨｅ
−Ｃｄレーザ発振器１０からのレーザ光Ｌは、ハーフミ
ラーＨＭG1を介して反射ミラーＲＭP1で反射され、上記
光変調器１１P に導かれる。当該光変調器１１P は、例
えばＡＯＭ（音響光学効果素子）からなり、上記端子１
２に供給される記録データＤINのデータパターンに基づ
いて上記レーザ光Ｌを変調するものである。この光変調
器１１P で記録データＤINのパターンに応じて変調され
たレーザ光Ｌは、反射ミラーＲＭP2で反射されハーフミ
ラーＨＭG2を介して反射ミラーＲＭGPに導かれ、当該反
射ミラーＲＭGPで反射され、更に対物レンズ１４で集光
されて、回転軸Ｏで図中矢印Ｒ方向に回転するガラス円
盤ＧＤ上の上記フォトレジスト膜ＰＲに照射される。こ
れにより、当該フォトレジスト膜ＰＲのフォトレジスト
が露光されて、上記記録データＤINのデータパターンに
応じたプリ・ピットが形成された（カッティングが行わ
れた）ガラス原盤ができるようになる。
−Ｃｄレーザ発振器１０からのレーザ光Ｌは、ハーフミ
ラーＨＭG1を介して反射ミラーＲＭP1で反射され、上記
光変調器１１P に導かれる。当該光変調器１１P は、例
えばＡＯＭ（音響光学効果素子）からなり、上記端子１
２に供給される記録データＤINのデータパターンに基づ
いて上記レーザ光Ｌを変調するものである。この光変調
器１１P で記録データＤINのパターンに応じて変調され
たレーザ光Ｌは、反射ミラーＲＭP2で反射されハーフミ
ラーＨＭG2を介して反射ミラーＲＭGPに導かれ、当該反
射ミラーＲＭGPで反射され、更に対物レンズ１４で集光
されて、回転軸Ｏで図中矢印Ｒ方向に回転するガラス円
盤ＧＤ上の上記フォトレジスト膜ＰＲに照射される。こ
れにより、当該フォトレジスト膜ＰＲのフォトレジスト
が露光されて、上記記録データＤINのデータパターンに
応じたプリ・ピットが形成された（カッティングが行わ
れた）ガラス原盤ができるようになる。
【００１６】ここで、本実施例のカッティング装置にお
いては、上記端子１２からの記録データＤINは上記光変
調器１１P に供給される前に上記制御回路１３に入力す
る。
いては、上記端子１２からの記録データＤINは上記光変
調器１１P に供給される前に上記制御回路１３に入力す
る。
【００１７】この制御回路１３は、上記光変調器１１P
に対して上記記録データＤINに基づいた光変調動作を行
わせると共に、上記記録データＤINのデータ長に応じて
上記レーザ光Ｌの光強度を制御するための制御信号を発
生するものであって、この制御信号が、上記光変調器１
１Pに送られるようになっている。したがって、本実施
例の上記光変調器１１P は、上述した記録データＤINの
データパターンに基づく上記レーザ光Ｌの変調と共に、
上記制御信号に基づいて通過するレーザ光Ｌの光強度を
変調可能なものとなっている。
に対して上記記録データＤINに基づいた光変調動作を行
わせると共に、上記記録データＤINのデータ長に応じて
上記レーザ光Ｌの光強度を制御するための制御信号を発
生するものであって、この制御信号が、上記光変調器１
１Pに送られるようになっている。したがって、本実施
例の上記光変調器１１P は、上述した記録データＤINの
データパターンに基づく上記レーザ光Ｌの変調と共に、
上記制御信号に基づいて通過するレーザ光Ｌの光強度を
変調可能なものとなっている。
【００１８】上記制御回路１３は、具体的には、図２に
示すような構成で実現されるものである。
示すような構成で実現されるものである。
【００１９】すなわち、この図２に示す具体例の制御回
路１３は、後述するようにカッティングしようとするピ
ットの前後のピットパターン（データパターン）情報を
参照して、当該カッティングしようとするピットを最適
なレーザ光強度でカッティングできるようにするための
回路である。
路１３は、後述するようにカッティングしようとするピ
ットの前後のピットパターン（データパターン）情報を
参照して、当該カッティングしようとするピットを最適
なレーザ光強度でカッティングできるようにするための
回路である。
【００２０】ここで、上記最適なレーザ光強度とは、デ
ータパターンの長さの長短にかかわりなくガラス円盤Ｇ
Ｄのフォトレジスト膜ＰＲに同一ピット形状と同一ピッ
ト変調度のプリ・ピットを形成できるようなレーザ光の
光強度であり、予め求めておくものである。
ータパターンの長さの長短にかかわりなくガラス円盤Ｇ
Ｄのフォトレジスト膜ＰＲに同一ピット形状と同一ピッ
ト変調度のプリ・ピットを形成できるようなレーザ光の
光強度であり、予め求めておくものである。
【００２１】また、この具体例の制御回路１３に対応す
る上記光変調器（レーザ光強度変調器）１１P は、当該
具体例制御回路１３の出力電圧（制御信号）に応じてレ
ーザ光Ｌの光強度変調ができるものとなる。
る上記光変調器（レーザ光強度変調器）１１P は、当該
具体例制御回路１３の出力電圧（制御信号）に応じてレ
ーザ光Ｌの光強度変調ができるものとなる。
【００２２】この具体例制御回路１３は、例えば前後各
４ビットのピットパターンを参照して、上記最適レーザ
強度を決めるようにしており、以下に当該回路の動作原
理を説明する。
４ビットのピットパターンを参照して、上記最適レーザ
強度を決めるようにしており、以下に当該回路の動作原
理を説明する。
【００２３】この図２において、端子３１には、上記記
録データＤINが供給される。ここで、当該記録データＤ
INのデータパターンは、例えば図３のＡに示すように、
入力順に例えば１ビット目が“０”で、２ビット目及び
３ビット目が“１”、４ビット目が“０”、５ビット目
〜７ビット目が“１”、８ビット目が“０”、９ビット
目が“１”、・・・のようなパターンとなっているとす
る。
録データＤINが供給される。ここで、当該記録データＤ
INのデータパターンは、例えば図３のＡに示すように、
入力順に例えば１ビット目が“０”で、２ビット目及び
３ビット目が“１”、４ビット目が“０”、５ビット目
〜７ビット目が“１”、８ビット目が“０”、９ビット
目が“１”、・・・のようなパターンとなっているとす
る。
【００２４】このようなパターンの記録データＤINは、
例えば９ビットシフトレジスタ３２に送られる。当該シ
フトレジスタ３２からの９ビットの出力データは、ＲＯ
Ｍ３３のアドレスデータとして、当該ＲＯＭ３３のアド
レス入力端子に供給（前後４ビット計９ビットのピット
情報をアドレスに入力）される。
例えば９ビットシフトレジスタ３２に送られる。当該シ
フトレジスタ３２からの９ビットの出力データは、ＲＯ
Ｍ３３のアドレスデータとして、当該ＲＯＭ３３のアド
レス入力端子に供給（前後４ビット計９ビットのピット
情報をアドレスに入力）される。
【００２５】当該ＲＯＭ３３には、予め計算された上記
最適レーザ光強度に関する情報と上記シフトレジスタ３
２からの９ビットのデータパターンとの対応表が書き込
まれている。したがって、当該ＲＯＭ３３からは、当該
対応表に応じた最適レーザ光強度に関する情報データ
（８ビット）が出力される。
最適レーザ光強度に関する情報と上記シフトレジスタ３
２からの９ビットのデータパターンとの対応表が書き込
まれている。したがって、当該ＲＯＭ３３からは、当該
対応表に応じた最適レーザ光強度に関する情報データ
（８ビット）が出力される。
【００２６】当該ＲＯＭ３３からの上記最適レーザ光強
度に関する情報データは、後段の高速積演算素子３４に
送られる。当該高速積演算素子３４には、端子３７を介
した当該ピット形成時（データ記録時）の例えば線速度
の情報（例えば８ビットの線速度情報）も供給されるよ
うになっている。したがって、この高速積演算素子３４
では、上記ＲＯＭ３３からの情報データの値と上記線速
度情報等の値との積を取ることで、レーザ光の絶対値が
決められる。
度に関する情報データは、後段の高速積演算素子３４に
送られる。当該高速積演算素子３４には、端子３７を介
した当該ピット形成時（データ記録時）の例えば線速度
の情報（例えば８ビットの線速度情報）も供給されるよ
うになっている。したがって、この高速積演算素子３４
では、上記ＲＯＭ３３からの情報データの値と上記線速
度情報等の値との積を取ることで、レーザ光の絶対値が
決められる。
【００２７】すなわち、本実施例において、例えば、上
記ガラス円盤ＧＤの回転速度が一定の場合には、当該ガ
ラス円盤ＧＤの内周側と外周側とで線速度が異なるた
め、上記端子３７には上記線速度情報として例えば当該
ガラス円盤ＧＤ上へのピット形成位置の半径情報が供給
される。したがって、この場合の上記高速積演算素子３
４では、当該半径情報と当該ガラス円盤ＧＤの半径との
比率に基づいて、上記レーザ光の絶対値が求められる。
記ガラス円盤ＧＤの回転速度が一定の場合には、当該ガ
ラス円盤ＧＤの内周側と外周側とで線速度が異なるた
め、上記端子３７には上記線速度情報として例えば当該
ガラス円盤ＧＤ上へのピット形成位置の半径情報が供給
される。したがって、この場合の上記高速積演算素子３
４では、当該半径情報と当該ガラス円盤ＧＤの半径との
比率に基づいて、上記レーザ光の絶対値が求められる。
【００２８】この高速積演算素子３４での演算後のデー
タ（８ビット）は、Ｄ／Ａ（ディジタル／アナログ）コ
ンバータ３５でアナログ値（電圧値ＤOUT）に変換さ
れ、これが端子３６を介して上記光変調器１１P に送ら
れる。すなわち、当該Ｄ／Ａコンバータ３５からの電圧
値は、上記高速積演算素子３４の出力データに応じた２
５６段階（８ビット分解能）でわけられる電圧値とな
る。したがって、上記光変調器１１P では、この２５６
段階でわけられる電圧値に応じて、レーザ光強度の変調
が行われるようになる。言い換えれば、本具体例の制御
回路１３は、レーザ光Ｌを光強度変調させるデータ信号
の振幅を、１ビット毎に任意に可変（２５６段階に可
変）できるようにしている。
タ（８ビット）は、Ｄ／Ａ（ディジタル／アナログ）コ
ンバータ３５でアナログ値（電圧値ＤOUT）に変換さ
れ、これが端子３６を介して上記光変調器１１P に送ら
れる。すなわち、当該Ｄ／Ａコンバータ３５からの電圧
値は、上記高速積演算素子３４の出力データに応じた２
５６段階（８ビット分解能）でわけられる電圧値とな
る。したがって、上記光変調器１１P では、この２５６
段階でわけられる電圧値に応じて、レーザ光強度の変調
が行われるようになる。言い換えれば、本具体例の制御
回路１３は、レーザ光Ｌを光強度変調させるデータ信号
の振幅を、１ビット毎に任意に可変（２５６段階に可
変）できるようにしている。
【００２９】ここで、この図２の具体例の場合、上記図
３のＡに示した端子３１に供給された記録データパター
ンに対応して上記端子３６から出力される電圧値のパタ
ーンは、図３のＢに示すように、長いデータパターンで
ある２ビット目〜３ビット目の例えば３ビット目に対応
する電圧値が下げられ、また、５ビット目〜７ビット目
の６ビット目と７ビット目に対応する各電圧値が段階的
に順に下げられたものとなる。逆に、短いデータパター
ンの場合には、レーザ光強度を上げる（或いは下げな
い）ようにする。
３のＡに示した端子３１に供給された記録データパター
ンに対応して上記端子３６から出力される電圧値のパタ
ーンは、図３のＢに示すように、長いデータパターンで
ある２ビット目〜３ビット目の例えば３ビット目に対応
する電圧値が下げられ、また、５ビット目〜７ビット目
の６ビット目と７ビット目に対応する各電圧値が段階的
に順に下げられたものとなる。逆に、短いデータパター
ンの場合には、レーザ光強度を上げる（或いは下げな
い）ようにする。
【００３０】すなわち、上記レーザ発振器１０からのレ
ーザ光Ｌの光強度が、例えば短いデータパターンをカッ
ティングするのに最適な光強度であったとすると、この
光強度のレーザ光Ｌで例えば長いデータパターンをカッ
ティングするとオーバーハングが発生してしまうように
なる。このため、本実施例では、レーザ光照射による熱
蓄積等を考慮して、長いデータパターンのカッティング
を行う場合のレーザ光強度を、上述のように段階的に下
げることで、データパターンの長さの長短にかかわりな
く同一形状で同一ピット変調度のカッティングができる
ようにしている。同様なことから、逆に、上記レーザ発
振器１０からのレーザ光Ｌの光強度が、例えば長いデー
タパターンをカッティングするのに最適な光強度であっ
たとすると、この光強度のレーザ光で例えば短いデータ
パターンをカッティングすると良好なカッティングがで
きなくなる。このため、この場合は、短いデータパター
ンのカッティングを行う場合のレーザ光強度を上げるよ
うにすることで、良好なカッティングが可能となる。
ーザ光Ｌの光強度が、例えば短いデータパターンをカッ
ティングするのに最適な光強度であったとすると、この
光強度のレーザ光Ｌで例えば長いデータパターンをカッ
ティングするとオーバーハングが発生してしまうように
なる。このため、本実施例では、レーザ光照射による熱
蓄積等を考慮して、長いデータパターンのカッティング
を行う場合のレーザ光強度を、上述のように段階的に下
げることで、データパターンの長さの長短にかかわりな
く同一形状で同一ピット変調度のカッティングができる
ようにしている。同様なことから、逆に、上記レーザ発
振器１０からのレーザ光Ｌの光強度が、例えば長いデー
タパターンをカッティングするのに最適な光強度であっ
たとすると、この光強度のレーザ光で例えば短いデータ
パターンをカッティングすると良好なカッティングがで
きなくなる。このため、この場合は、短いデータパター
ンのカッティングを行う場合のレーザ光強度を上げるよ
うにすることで、良好なカッティングが可能となる。
【００３１】この図２の制御回路１３で、記録データＤ
INの各ビットに対して上述したような処理を繰り返すこ
とにより、上記光変調器１１P からは上記データパター
ンの長さに応じた最適レーザ光強度のレーザ光Ｌが出力
されるようになる。
INの各ビットに対して上述したような処理を繰り返すこ
とにより、上記光変調器１１P からは上記データパター
ンの長さに応じた最適レーザ光強度のレーザ光Ｌが出力
されるようになる。
【００３２】なお、図２の具体例回路では、上記ＲＯＭ
３３のアドレス幅や、各構成要素間のバス幅等を変更す
ることにより、参照するピットパターンの幅及び強度変
調の精度は任意に変更することができる。
３３のアドレス幅や、各構成要素間のバス幅等を変更す
ることにより、参照するピットパターンの幅及び強度変
調の精度は任意に変更することができる。
【００３３】また、上記図１の制御回路１３は、例えば
図４に示す他の具体例のような構成とすることも可能で
ある。
図４に示す他の具体例のような構成とすることも可能で
ある。
【００３４】すなわち、この図４の具体例は、ピットの
クロック長毎の１群に対して、ゲートを設け、それに対
応するアナログ電圧を８ビット分解能にて変化させ、レ
ーザ光強度の変調を行うようにしたものである。
クロック長毎の１群に対して、ゲートを設け、それに対
応するアナログ電圧を８ビット分解能にて変化させ、レ
ーザ光強度の変調を行うようにしたものである。
【００３５】図４において、端子４１には、例えば図５
のＡに示すような５Ｖの１０Ｔクロック長と５Ｖの１Ｔ
クロック長からなる記録データＤINが供給されるとす
る。この記録データＤINはＤ／Ａコンバータ４２に送ら
れる。当該Ｄ／Ａコンバータ４２には、端子４６を介し
たクロックＣＫも供給され、したがって、当該Ｄ／Ａコ
ンバータ４２では上記クロックＣＫに基づいて上記記録
データＤINをアナログ値（電圧値）に変換する。この電
圧値が端子４５から出力される。
のＡに示すような５Ｖの１０Ｔクロック長と５Ｖの１Ｔ
クロック長からなる記録データＤINが供給されるとす
る。この記録データＤINはＤ／Ａコンバータ４２に送ら
れる。当該Ｄ／Ａコンバータ４２には、端子４６を介し
たクロックＣＫも供給され、したがって、当該Ｄ／Ａコ
ンバータ４２では上記クロックＣＫに基づいて上記記録
データＤINをアナログ値（電圧値）に変換する。この電
圧値が端子４５から出力される。
【００３６】また、ゲート４４は、上記記録データＤIN
のデータパターンのクロック長毎の１群に対してゲート
処理を行う。具体的には、例えば上記１０Ｔクロック長
と１Ｔクロック長のデータパターンのゲート処理を行
う。このゲート４４からの出力は、上記ＲＯＭ３３同様
に最適レーザ光強度に関する情報が蓄えられたメモリ４
３に送られ、当該メモリ４３からの出力（８ビット）が
上記Ｄ／Ａコンバータ４２に送られる。
のデータパターンのクロック長毎の１群に対してゲート
処理を行う。具体的には、例えば上記１０Ｔクロック長
と１Ｔクロック長のデータパターンのゲート処理を行
う。このゲート４４からの出力は、上記ＲＯＭ３３同様
に最適レーザ光強度に関する情報が蓄えられたメモリ４
３に送られ、当該メモリ４３からの出力（８ビット）が
上記Ｄ／Ａコンバータ４２に送られる。
【００３７】これにより、当該Ｄ／Ａコンバータ４２か
らは、データパターンの長さに応じた最適のレーザ光強
度に対応する電圧値が出力される。この電圧値が端子４
５を介して上記光変調器１１P に送られる。
らは、データパターンの長さに応じた最適のレーザ光強
度に対応する電圧値が出力される。この電圧値が端子４
５を介して上記光変調器１１P に送られる。
【００３８】なお、この図４の具体例の場合、上記図５
のＡに示した端子４１に供給された記録データパターン
に対応して上記端子４５から出力される電圧値のパター
ンは、図５のＢに示すように、長いデータパターンであ
る１０Ｔクロック長のパターンは、例えば０．８Ｖの電
圧値となり、また、短いデータパターンである１Ｔクロ
ック長のパターンは、例えば１Ｖの電圧値となってい
る。すなわち、上記１０Ｔクロック長のような長いデー
タパターンのカッティングを行う場合のレーザ光強度を
下げるようにしている。
のＡに示した端子４１に供給された記録データパターン
に対応して上記端子４５から出力される電圧値のパター
ンは、図５のＢに示すように、長いデータパターンであ
る１０Ｔクロック長のパターンは、例えば０．８Ｖの電
圧値となり、また、短いデータパターンである１Ｔクロ
ック長のパターンは、例えば１Ｖの電圧値となってい
る。すなわち、上記１０Ｔクロック長のような長いデー
タパターンのカッティングを行う場合のレーザ光強度を
下げるようにしている。
【００３９】上述のようなことから、上記図１の本実施
例のカッティング装置においては、記録データのデータ
長（データパターンの長さ）に応じて、フォトレジスト
膜ＰＲのフォトレジストを露光するレーザ光Ｌに強度差
を発生させることで、データパターンの長さの長短にか
かわりなく同一ピット形状と同一ピット変調度を得るこ
とが可能（記録ピット形状の制御を容易に行うことがで
きる）となっている。
例のカッティング装置においては、記録データのデータ
長（データパターンの長さ）に応じて、フォトレジスト
膜ＰＲのフォトレジストを露光するレーザ光Ｌに強度差
を発生させることで、データパターンの長さの長短にか
かわりなく同一ピット形状と同一ピット変調度を得るこ
とが可能（記録ピット形状の制御を容易に行うことがで
きる）となっている。
【００４０】すなわち、本実施例においては、レーザ光
変調時にデータパターンの長短に応じて、レーザ光Ｌに
強度差を与えて記録を行うようにしているため、長短ピ
ットにかかわらず同一露光条件を達成し、ピット変調度
の均一性を実現すると共に、ジッタも少なくなる。
変調時にデータパターンの長短に応じて、レーザ光Ｌに
強度差を与えて記録を行うようにしているため、長短ピ
ットにかかわらず同一露光条件を達成し、ピット変調度
の均一性を実現すると共に、ジッタも少なくなる。
【００４１】言い換えれば、本実施例では、同一条件の
下にピット長の長短にかかわりなくピット記録を行うこ
とができ、容易に同一ピット変調度を得ることができ
る。また、ピット形状の制御を、他の変動要因に影響を
受けることなく行うことができる。
下にピット長の長短にかかわりなくピット記録を行うこ
とができ、容易に同一ピット変調度を得ることができ
る。また、ピット形状の制御を、他の変動要因に影響を
受けることなく行うことができる。
【００４２】更に、本実施例のカッティング装置におい
ては、ＣＡＶモードでのカッティング等、ガラス円盤Ｇ
Ｄの半径に従ってレーザ光強度を可変させる必要がある
場合にも容易に対応できるようにしている。
ては、ＣＡＶモードでのカッティング等、ガラス円盤Ｇ
Ｄの半径に従ってレーザ光強度を可変させる必要がある
場合にも容易に対応できるようにしている。
【００４３】なお、前述した図１の実施例においては、
いわゆるグルーブをも上記ガラス原盤上に形成するよう
にしている。すなわち、図１において、上記レーザ発振
器１０からのレーザ光Ｌは、ハーフミラーＨＭG1で分光
された後光変調器１１G を介し、更にハーフミラーＨＭ
G2及び反射ミラーＲＭGP，対物レンズ１４を介して、上
記ガラス円盤ＧＤ上のフォトレジスト膜ＰＲに照射さ
れ、これにより上記グルーブが形成されるようになって
いる。
いわゆるグルーブをも上記ガラス原盤上に形成するよう
にしている。すなわち、図１において、上記レーザ発振
器１０からのレーザ光Ｌは、ハーフミラーＨＭG1で分光
された後光変調器１１G を介し、更にハーフミラーＨＭ
G2及び反射ミラーＲＭGP，対物レンズ１４を介して、上
記ガラス円盤ＧＤ上のフォトレジスト膜ＰＲに照射さ
れ、これにより上記グルーブが形成されるようになって
いる。
【００４４】なお、従来のカッティング装置では、例え
ば図６に示すように、端子６１を介した記録データＤIN
を、単に１ビットのＤ／Ａコンバータ６２を介して電圧
値に変換して、端子６３から出力（信号ＤOUT ）として
いる。したがって、例えば長ピット記録時においては、
その記録時のレーザパワーが大きくなるため、フォトレ
ジストに対する露光強度が過多になる。
ば図６に示すように、端子６１を介した記録データＤIN
を、単に１ビットのＤ／Ａコンバータ６２を介して電圧
値に変換して、端子６３から出力（信号ＤOUT ）として
いる。したがって、例えば長ピット記録時においては、
その記録時のレーザパワーが大きくなるため、フォトレ
ジストに対する露光強度が過多になる。
【００４５】これに対して、本発明実施例においては、
上述したように、レーザ変調時にピット長の長短に応じ
てレーザ出力に強度差を与えて記録することようにして
いるため、長短ピットにかかわらず同一露光条件を達成
し、ピット変調度の均一性を実現している。
上述したように、レーザ変調時にピット長の長短に応じ
てレーザ出力に強度差を与えて記録することようにして
いるため、長短ピットにかかわらず同一露光条件を達成
し、ピット変調度の均一性を実現している。
【００４６】
【発明の効果】本発明のカッティング装置によれば、記
録データのデータ長に応じた最適レーザ光強度に関する
情報のデータ値と線速度情報の値との積を取り、その積
による値に基づいて、上記レーザ光を光強度変調させる
データ信号の振幅を１ビット毎に可変して上記レーザ光
の光強度を制御するようにしたことにより、記録データ
のデータ長（パターン長）が異なってもピット変調度に
差異がなく、ジッタも少ないガラス原盤を作成すること
が可能である。
録データのデータ長に応じた最適レーザ光強度に関する
情報のデータ値と線速度情報の値との積を取り、その積
による値に基づいて、上記レーザ光を光強度変調させる
データ信号の振幅を１ビット毎に可変して上記レーザ光
の光強度を制御するようにしたことにより、記録データ
のデータ長（パターン長）が異なってもピット変調度に
差異がなく、ジッタも少ないガラス原盤を作成すること
が可能である。
【図１】本発明実施例のカッティング装置の概略構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明実施例のカッティング装置の制御回路の
具体的構成を示すブロック回路図である。
具体的構成を示すブロック回路図である。
【図３】具体例の制御回路の入力記録データパターン及
びこの入力記録データパターンに対応する出力電圧パタ
ーンを示す図である。
びこの入力記録データパターンに対応する出力電圧パタ
ーンを示す図である。
【図４】本発明実施例のカッティング装置の制御回路の
他の具体的構成を示すブロック回路図である。
他の具体的構成を示すブロック回路図である。
【図５】他の具体例の制御回路の入力記録データパター
ン及びこの入力記録データパターンに対応する出力電圧
パターンを示す図である。
ン及びこの入力記録データパターンに対応する出力電圧
パターンを示す図である。
【図６】従来のカッティング装置の光変調器への供給電
圧を生成する構成を示すブロック回路図である。
圧を生成する構成を示すブロック回路図である。
１０・・・・・・・・レーザ発振器 １１・・・・・・・・光変調器 １３・・・・・・・・制御回路 １４・・・・・・・・対物レンズ ＧＤ・・・・・・・・ガラス円盤 ＰＲ・・・・・・・・フォトレジスト膜 ＨＭ・・・・・・・・ハーフミラー ＲＭ・・・・・・・・反射ミラー
フロントページの続き (72)発明者 野村 宏 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 大友 勝彦 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 川瀬 洋 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 山本 真伸 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 渡部 正直 静岡県浜松市新貝町1128 ソニー浜松株 式会社内 (56)参考文献 特開 平２−7248（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−312751（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−182533（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−133334（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−39138（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−280028（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 7/26 G11B 7/0045 G11B 7/125
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス円盤上に形成された感光膜を、記
録データに基づいて変調されたレーザ光で露光して、光
ディスクのガラス原盤を作成するカッティング装置にお
いて、 上記記録データのデータ長に応じた最適レーザ光強度に
関する情報のデータ値と、線速度情報の値との積を取
り、その積による値に基づいて、上記レーザ光を光強度
変調させるデータ信号の振幅を１ビット毎に可変して上
記レーザ光の光強度を制御することを特徴とするカッテ
ィング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32395491A JP3225563B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | カッティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32395491A JP3225563B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | カッティング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05135412A JPH05135412A (ja) | 1993-06-01 |
| JP3225563B2 true JP3225563B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=18160486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32395491A Expired - Lifetime JP3225563B2 (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | カッティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3225563B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4329712C2 (de) * | 1993-09-02 | 1997-07-10 | Sonopress Prod | CD-Masteringverfahren |
| BE1007912A4 (nl) * | 1993-12-24 | 1995-11-14 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het maken van een optische informatiedrager, inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze en een optische informatiedrager verkregen met behulp van de werkwijze. |
| DE69426482T2 (de) * | 1993-12-24 | 2001-07-12 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren zur Herstellung eines optischen Informationsträgers, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens, und nach diesem Verfahren hergestellter optischer Informationsträger |
| US5768235A (en) * | 1996-10-08 | 1998-06-16 | Imation Corp. | Control signal for recording a disc according to a clock signal, data signal, and an index signal |
| US5787068A (en) * | 1996-11-07 | 1998-07-28 | Imation Corp. | Method and arrangement for preventing unauthorized duplication of optical discs using barriers |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP32395491A patent/JP3225563B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05135412A (ja) | 1993-06-01 |
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