JP3206531B2 - 二次電池保護回路 - Google Patents

二次電池保護回路

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JP3206531B2 JP35034997A JP35034997A JP3206531B2 JP 3206531 B2 JP3206531 B2 JP 3206531B2 JP 35034997 A JP35034997 A JP 35034997A JP 35034997 A JP35034997 A JP 35034997A JP 3206531 B2 JP3206531 B2 JP 3206531B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、二次電池保護回路
に関し、特に、低コスト化,小型化ができ、かつ、本体
と二次電池パックのグランドを共通にできる二次電池保
護回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の二次電池保護回路について、図4
〜図6を参照して説明する。なお、図4および図5は第
1の従来例を説明する図であり、図6は第2の従来例を
説明する図である。
【0003】(第1の従来例)図4は、過充電あるいは
過放電検出後、保護スイッチがオフした場合に“二次電
池の負極と本体機器の接地との接続が必要ない場合の保
護回路の例(第1の従来例)”を図示したものである。
【0004】図4に示す第1の従来例では、二次電池負
極と二次電池パック負極との間に、過充電,過放電を禁
止するスイッチが挿入できるため、NチャネルMOSト
ランジスタを使用している。(なお、図中、41は保護用
IC,42は電池パックの正極,43は電池パックの負極で
あり、また、QN1は過充電保護用NチャネルMOSト
ランジスタ,QN2は過放電保護用NチャネルMOSト
ランジスタ,Q2はNPNトランジスタ,R9〜R14は抵
抗,C1〜C3はコンデンサを示す。)
【0005】図5は、上記第1の従来例の保護回路基板
51(前掲の図4に示す二次電池保護回路を有する基板)の
実装形態を示す図であって、保護回路基板51の単セル二
次電池パックへの実装例を示す図である。
【0006】この実装例では、乾電池のように“電池パ
ックの上部に電池パックの正極52を配し、下部に電池パ
ックの負極53を配設する構造”であって、図5に示すよ
うに、保護回路基板51を電池パックの上部に配する場
合、電池パックの負極53を電池パック下部に引き出さな
ければならない。そして、電池セルの負極である電池缶
54と電池パックの負極53を絶縁するため、この電池缶54
と電池パックの負極53の引出線との間に、絶縁シート55
をはさんだ複雑な構造としなければならない。(なお、
図中、56は電池負極接合部,57は電池正極である。)
【0007】(第2の従来例)図6は、従来のもうひと
つの二次電池保護回路の例であって、“リチウムイオン
二次電池パックの例(第2の従来例)”を図示したもので
ある。
【0008】図6に示す第2の従来例は、リチウムイオ
ン二次電池の過充電による過電圧と過放電による低電圧
を検出する保護用IC61と、この保護用IC61により放
電あるいは充電を禁止するPチャネルMOSトランジス
タ“QP1”“QP2”と、本体と二次電池情報のデータ
処理、交換を行う“CPU”と、この“CPU”にリチ
ウムイオン二次電池セル“BATH”“BATM”“B
ATL”から定電圧を供給する定電圧電源とからなる
「リチウムイオン二次電池パック」である。
【0009】上記第2の従来例の「リチウムイオン二次
電池パック」は、保護用IC61により“BATH”ある
いは“BATM”あるいは“BATL”が過充電により
過電圧状態になったことを検出したとき、保護用IC61
のOV端子をLowに引き下げ、NチャネルMOSトラ
ンジスタ“Q3”をカットオフし、過充電保護用Pチャ
ネルMOSトランジスタ“QP2”をオフして充電を禁
止する。また、保護用IC61により、“BATH”ある
いは“BATM”あるいは“BATL”が過放電により
低電圧状態になったことを検出したとき、保護用IC61
のDCHG端子電圧を“High”にして、過放電保護
用PチャネルMOSトランジスタ“QP1”をオフし、
リチウムイオン二次電池の放電を禁止する。
【0010】この第2の従来例の場合、過充電,過放電
状態も含め、リチウムイオン二次電池の残量等のデータ
処理と本体とのデータ交換を“CPU”で行う。過充電
あるいは過放電状態検出後も、電池パック内の“CP
U”は、本体とのデータ交換を行わなければならないた
め、前記“CPU”と“BATL”の負極は、本体機器
の接地電位と同電位である必要がある。このため、過充
電,過放電を禁止するスイッチは、リチウムイオン二次
電池パックの正極62側に設ける必要がある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記第1の
従来例のように単セルで電池パックを実装する場合、保
護回路基板51の実装を簡便にするためには、電池缶54と
電極引出線とを絶縁する絶縁テープ55を削除する必要が
ある(前掲の図5参照)。
【0012】また、前記第2の従来例では、過充電およ
び過放電保護用のスイッチにPチャネルMOSトランジ
スタが利用できるが、充電時および放電時の正常状態で
は、過充電,過放電保護用のスイッチによる損失を極力
抑えるため、なるべくオン抵抗の低いPチャネルMOS
トランジスタが必要である。しかし、PチャネルMOS
トランジスタは、NチャネルMOSトランジスタに比べ
てオン抵抗が高く、NチャネルMOSトランジスタと同
等のオン抵抗のPチャネルMOSトランジスタを使用し
た場合、NチャネルMOSトランジスタに比べ、チップ
サイズは約2倍となり、コスト高となる。また、チップ
サイズが大きくなることは、小型化の妨げにもなる。
【0013】本発明は、上記第1,第2の従来例の上記
した問題点に鑑みなされたものであって、その目的とす
るところは、第一に、低コスト化,小型化ができ、か
つ、本体と二次電池パックのグランドを共通にできる二
次電池保護回路を提供することにあり、第二に、他セル
電池パックの構造を簡素化できる二次電池保護回路を提
供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明に係る二次電池保
護回路は、保護用スイッチとして、低コストで小型化で
きるNチャネルMOSトランジスタを使用し、かつ、電
池パックの正極側にNチャネルMOSトランジスタを配
するため、過充電と過放電を検出する保護IC内に、N
チャネルMOSトランジスタのゲート駆動用昇圧電源と
して、チャージポンプ回路を内蔵する構成よりなること
を特徴とする。また、上記チャージポンプ回路が動作す
ることによる保護回路の消費電力の増大を防止し、チャ
ージポンプ回路の起動および停止時に、駆動電圧の低い
状態で前記NチャネルMOSトランジスタを駆動しない
よう、チャージポンプ回路の昇圧電源出力を監視する回
路を内蔵する構成よりなることを特徴とする。
【0015】すなわち、本発明に係る二次電池保護回路
は、「充電器により充電が可能な二次電池において、過
充電による過電圧を検出する手段と、過電圧を検出した
ときに二次電池に過電圧が印加されるのを防止するため
の保護スイッチとしてNチャネルMOSトランジスタを有
し、該NチャネルMOSトランジスタのゲートを駆動するた
めの電源としてチャージポンプ回路と、チャージポンプ
回路の出力電圧を検出する手段と、前記NチャネルMOS
トランジスタを駆動電圧の低い状態で駆動しないよう
に、チャージポンプ回路の出力電圧が規定値以下のとき
に保護スイッチであるNチャネルMOSトランジスタの導通
を禁止する手段と、を有することを特徴とする二次電池
保護回路。」(請求項1)ことを特徴とする。
【0016】また、本発明に係る二次電池保護回路は、
「充電器により充電が可能な二次電池において、過放電
による二次電池の低電圧を検出する手段と、二次電池の
低電圧を検出したときに、負荷に対して放電を禁止する
ための保護スイッチとしてNチャネルMOSトランジスタ
を有し、該NチャネルMOSトランジスタのゲートを駆動す
るための電源としてチャージポンプ回路と、チャージポ
ンプ回路の出力電圧を検出する手段と、前記Nチャネル
MOSトランジスタを駆動電圧の低い状態で駆動しないよ
うに、チャージポンプ回路の出力電圧が規定値以下のと
きに保護スイッチであるNチャネルMOSトランジスタの導
通を禁止する手段と、を有することを特徴とする二次電
池保護回路。」(請求項3)ことを特徴とする。
【0017】さらに、本発明に係る二次電池保護回路
は、 ・上記請求項2に記載の二次電池保護回路において、二
次電池の過放電による低電圧を検出したときに、前記チ
ャージポンプ回路を停止する手段を有すること(請求項
3)、 ・上記請求項3に記載の二次電池保護回路において、過
放電により保護スイッチがオフし、放電が禁止された状
態で、充電器が接続されたことを検出する手段と、充電
器の接続を検出したときチャージポンプ回路を動作させ
る手段とを有すること(請求項4)、を特徴(発明を特定
する事項)とする。
【0018】さらにまた、本発明に係る二次電池保護回
路は、上記請求項1または請求項2に記載の二次電池保
護回路において、二次電池の電圧を検出する手段とチャ
ージポンプ回路とが、半導体基板上に集積されているこ
と(請求項5)を特徴(発明を特定する事項)とする。
【0019】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図1〜図3を参照して詳細に説明する。なお、図1
および図2は、本発明の第1の実施形態を説明する図で
あり、図3は、本発明の第2の実施形態を説明する図で
ある。
【0020】(第1の実施形態)図1は、本発明の第1
の実施形態を説明する図であって、この実施形態の二次
電池保護回路を示す図である。
【0021】図1において、チャージポンプ回路11は、
“VBAT”の電圧を入力として倍電圧昇圧し、第一の
ANDゲート(AND1)と第二のANDゲート(AND2)
の電源を供給する。すなわち、AND1とAND2の出力
振幅は、“VBAT”の約2倍の電圧範囲となる。
【0022】チャージポンプ回路11の出力電圧は、予め
設定されたヒステリシスを有する第一のコンパレータ
(COMP1)で監視されており、このCOMP1の出力
は、AND1とAND2のそれぞれ一方の端子に接続され
ているので、予め設定されたしきい値以上のチャージポ
ンプ回路の出力電圧の場合、AND1とAND2のそれぞ
れ他の一方の入力に応じて、AND1 とAND2の出力
がなされる。
【0023】次に、チャージポンプ回路11の出力電圧
が、前記しきい値よりも予め設定されたヒステリシス電
圧分低い電圧となると、COMP1の出力は“Low”
となり、AND1とAND2の他の一方の入力レベルの如
何によらず、AND1とAND2の出力は“Low”とな
る。
【0024】“VBAT”の電圧は、抵抗“R3”と抵
抗“R4”で分圧され、第二のコンパレータ(COMP2)
に入力され、基準電圧(VREF)と比較される。過充電検
出電圧(VthOV)は、次の式(1)を満足するように設定さ
れている。 ・式(1)………VthOV=(1+R3/R4)・VREF
【0025】このため、“VBAT”の電圧が過充電検
出電圧(VthOV)よりも低い時は、COMP2の出力は、
“Highレベル”である。このCOMP2の出力は、
第一のANDゲート(AND1)の一方の入力に接続され
ているため、COMP1の出力が“High”である限
り 、すなわち、過充電保護用NチャネルMOSトラン
ジスタ(QN1)のゲートを駆動するに充分な電圧である
限り、このQN1のゲートは、AND1の“Highレベ
ル”の電圧が印加されるので、QN1は充分オンし、充
電可能状態となる。
【0026】“VBAT”の電圧が過充電検出電圧(V
thOV)を超えると、COMP2の出力は反転して“Lo
w”となり、第一のANDゲート(AND1)の出力も
“Low”となるため、QN1は、カットオフして充電
を禁止する。
【0027】一方、抵抗“R5”と抵抗“R6”で分圧さ
れた“VBAT”の電圧は、第三のコンパレータ(CO
MP3)に入力され、基準電圧(VREF)と比較される。過
放電検出電圧(VthUV)は、次の式(2)を満足するように
設定されている。 ・式(2)………VthUV=(1+R5/R6)・VREF
【0028】“VBAT”の電圧が過放電検出電圧(V
thUV)よりも高い時は、COMP3の出力は“ High
レベル”であり、COMP3の出力は、第二のANDゲ
ート(AND2)の一方の入力に接続されているため、C
OMP1の出力が“High”である限り、すなわち、
過放電保護用NチャネルMOSトランジスタ(QN2)の
ゲートを駆動するに充分な電圧である限り、このQN2
のゲートは、AND2の“Highレベル”の電圧が印
加されるので、QN2は充分オンし、放電可能状態とな
る。
【0029】二次電池セルの電圧が過放電検出電圧(V
thUV)を下回ると、COMP3の出力は反転して“Lo
w”となり、第二のANDゲート(AND2)の出力も
“Low”となるため、QN2は、カットオフして放電
を禁止する。さらに、チャージポンプ回路11による消費
電力の増大を抑えるため、COMP3の出力によりチャ
ージポンプ回路11の動作を停止する。チャージポンプ回
路11が停止すると、昇圧出力が低下し、COMP1の出
力は“Low”に反転し、AND1の出力も“Low”
となり、引き続いて、QN1がカットオフする。
【0030】このように、過放電を検出すると、QN
1,QN2ともにオフする。この状態から充電器が接続さ
れたことを検出してチャージポンプ回路11を起動させ、
“VBAT”を再度充電する手順について、以下に説明
する。
【0031】抵抗“R7”は、電池パックの正極12か
ら、QN2の寄生ダイオードを通じて、チャージポンプ
回路11のON/OFF端子へ接続される。充電器が電池
パックの正極12・負極13に接続されると、電池パックの
正極12,QN2の寄生ダイオード,抵抗“R7”を通じ
て、チャージポンプ回路11のON/OFF端子は、“H
ighレベル”に引き上げられ、チャージポンプ回路11
が起動する。
【0032】チャージポンプ回路11の昇圧出力がCOM
P1のしきい値を超えると、AND1の出力でQN1がオ
ンする。その後、充電器から、QN2の寄生ダイオー
ド,QN1を通じて、“VBAT”を充電する。この充
電により、“VBAT”の電圧がさらに上昇し、過放電
検出電圧(VthUV)を上回ると、QN2もオンし、充電器
から、QN2,QN1を通じて、“VBAT”を充電する
ようになる。
【0033】図2は、上記第1の実施形態の保護回路を
電池パックに実装する際の形態(実装例)を示す図であ
る。
【0034】この実装例では、図2に示すように、二次
電池セルは、中心部にグラファイトなどの材料による正
極(電池正極27)を配置し、セパレータ,電解液を介し
て、外周は、負電極を兼ねた電池缶24となっている。そ
して、二次電池セルの上部に、保護回路基板21(前掲の
図1に示す二次電池保護回路を有する基板)を配すれ
ば、保護回路の負電極端子と二次電池セルの負電極は、
直接接合することができ、また、二次電池セルの正極と
外部へ引き出す電池パックの正電極との間に、前記保護
回路を挿入することができる。(なお、図2において、
22は電池パックの正極,26は電池負極接合部である。)
【0035】電池パックは、充電器あるいは本体機器に
必ずしも常時接続されているとは限らず、また、本体機
器に接続されていても、本体機器の電源が切れている状
態もある。このような状態のときも、チャージポンプ回
路を停止し、消費電力を抑える必要がある。
【0036】(第2の実施形態)本発明の第2の実施形
態は、前記した状態の場合の例であり、これを図3に基
づいて説明する。
【0037】図3は、前記した状態の場合の例であっ
て、チャージポンプ回路31のON/OFF端子を第三の
電極として電池パックの外部に出し、充電器または本体
機器によりチャージポンプ回路31の動作/停止を制御し
て、電池パックの消費電力を低減する回路である。
【0038】チャージポンプ回路31のON/OFF端子
は、前掲の図1の例と異なり、“Highレベル”で停
止し、“Lowレベル”で動作するように構成されてい
る。そして、チャージポンプ回路31のON/OFF端子
は、NAND回路を通して、抵抗“R8”で“VBA
T”にプルアップされており、NANDのもう一方の入
力には、COMP2の出力が接続されている。
【0039】二次電池パックの外部に何も接続されてお
らず、二次電池セルの電圧が充分高い時は、NANDの
出力は“Highレベル”で、チャージポンプ回路31は
停止している。そして、外部に本体機器が接続され、本
体機器が動作開始する信号でQ1がオンすると、NAN
Dの出力は“Lowレベル”となり、チャージポンプ回
路31が起動する。チャージポンプ回路31の出力電圧が上
昇し、COMP1の出力が“Highレベル”になる
と、QN1,QN2がオンして、本体機器に負荷電流を供
給できるようになる。
【0040】
【発明の効果】本発明は、以上説明した構成からなり、
特に、チャージポンプ回路で倍電圧昇圧し、駆動電源と
することで、二次電池セルの正極側にNチャネルMOS
トランジスタを挿入でき、PチャネルMOSトランジス
タを使用した場合に比べて、低コスト化,小型化がで
き、本体と二次電池パックのグランドを共通にできると
いう効果が生じる。また、保護スイッチを正極側に配す
ることで、他セル電池パックの構造を簡素化できる効果
が生じる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を説明する図であっ
て、該実施形態の二次電池保護回路を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施形態の保護回路を電池パッ
クに実装する際の形態(実装例)を示す図である。
【図3】本発明の第2の実施形態を説明する図であっ
て、該実施形態の二次電池保護回路を示す図である。
【図4】第1の従来例を説明する図であって、二次電池
保護回路を示す図である。
【図5】第1の従来例の保護回路基板(図4に示す二次
電池保護回路を有する基板)の実装例を示す図である。
【図6】第2の従来例を説明する図であって、二次電池
保護回路を示す図である。
【符号の説明】
11,31 チャージポンプ回路 12,32 電池パック正極 13,33 電池パック負極 21,51 保護回路基板 22,52 電池パック正極 − 53 電池パック負極 24,54 電池缶(電池負極) − 55 絶縁テ−プ 26,56 電池負極接合部 27,57 電池正極 41,61 保護用IC 42,62 電池パック正極 43,63 電池パック負極 QN1 過充電保護用NチャネルMOSトランジスタ QN2 過放電保護用NチャネルMOSトランジスタ QP1 過放電保護用PチャネルMOSトランジスタ QP2 過充電保護用PチャネルMOSトランジスタ Q1 NチャネルMOSトランジスタ Q2 NPNトランジスタ Q3 NチャネルMOSトランジスタ AND1,AND2 チャージポンプ回路の昇圧電源を電
源とするANDゲート COMP1,COMP2,COMP3 コンパレータ VREF 基準電源 R1〜R19 抵抗 C1〜C3 コンデンサ VBAT,BATH,BATM,BATL 二次電池セ

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】「充電器により充電が可能な二次電池にお
    いて、 過充電による過電圧を検出する手段と、過電圧を検出し
    たときに二次電池に過電圧が印加されるのを防止するた
    めの保護スイッチとしてNチャネルMOSトランジスタを
    有し、該NチャネルMOSトランジスタのゲートを駆動する
    ための電源としてチャージポンプ回路と、チャージポン
    プ回路の出力電圧を検出する手段と、前記NチャネルMO
    Sトランジスタを駆動電圧の低い状態で駆動しないよう
    に、チャージポンプ回路の出力電圧が規定値以下のとき
    に保護スイッチであるNチャネルMOSトランジスタの導通
    を禁止する手段と、 を有することを特徴とする二次電池保護回路。」
  2. 【請求項2】「充電器により充電が可能な二次電池にお
    いて、 過放電による二次電池の低電圧を検出する手段と、二次
    電池の低電圧を検出したときに、負荷に対して放電を禁
    止するための保護スイッチとしてNチャネルMOSトラン
    ジスタを有し、該NチャネルMOSトランジスタのゲートを
    駆動するための電源としてチャージポンプ回路と、チャ
    ージポンプ回路の出力電圧を検出する手段と、前記Nチ
    ャネルMOSトランジスタを駆動電圧の低い状態で駆動し
    ないように、チャージポンプ回路の出力電圧が規定値以
    下のときに保護スイッチであるNチャネルMOSトランジス
    タの導通を禁止する手段と、 を有することを特徴とする二次電池保護回路。」
  3. 【請求項3】請求項2に記載の二次電池保護回路におい
    て、二次電池の過放電による低電圧を検出したときに、
    前記チャージポンプ回路を停止する手段を有することを
    特徴とする二次電池保護回路。
  4. 【請求項4】請求項3に記載の二次電池保護回路におい
    て、過放電により保護スイッチがオフし、放電が禁止さ
    れた状態で、充電器が接続されたことを検出する手段
    と、充電器の接続を検出したときチャージポンプ回路を
    動作させる手段と、を有することを特徴とする二次電池
    保護回路。
  5. 【請求項5】請求項1または請求項2に記載の二次電池
    保護回路において、二次電池の電圧を検出する手段とチ
    ャージポンプ回路とが、半導体基板上に集積されている
    ことを特徴とする二次電池保護回路。
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