JP3199349B2 - 半導体素子スタック - Google Patents
半導体素子スタックInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ゲートターンオフサイ
リスタ（以下ＧＴＯと称す）やフリーホイーリングダイ
オード等のように種類の異なる平形半導体素子を用いた
電力変換装置に係り、特に種類が異なる為にその圧接面
の径が異なる平型半導体素子を一括スタッキングして構
成される半導体スタックに関する。
リスタ（以下ＧＴＯと称す）やフリーホイーリングダイ
オード等のように種類の異なる平形半導体素子を用いた
電力変換装置に係り、特に種類が異なる為にその圧接面
の径が異なる平型半導体素子を一括スタッキングして構
成される半導体スタックに関する。
【０００２】
【従来の技術】インバータ装置などの半導体電力回路に
スイッチング素子を適用することは、電源側及び負荷側
高調波の抑制、電源力率の改善、装置の小型化などの利
点が得られる。
スイッチング素子を適用することは、電源側及び負荷側
高調波の抑制、電源力率の改善、装置の小型化などの利
点が得られる。
【０００３】以下、スイッチング素子であるＧＴＯを使
用したインバータ装置の例で説明する。図１３に代表的
なインバータ装置の主回路図を表す。図１３のインバー
タ装置は、交流入力電源１が整流器２により直流に変換
され、直流リアクトル３と平滑コンデンサ４で電圧と電
流の波形を平滑し、３相ブリッジインバータ回路５によ
り、所望の周波数に変換し、トランス６を介して出力す
る装置である。
用したインバータ装置の例で説明する。図１３に代表的
なインバータ装置の主回路図を表す。図１３のインバー
タ装置は、交流入力電源１が整流器２により直流に変換
され、直流リアクトル３と平滑コンデンサ４で電圧と電
流の波形を平滑し、３相ブリッジインバータ回路５によ
り、所望の周波数に変換し、トランス６を介して出力す
る装置である。
【０００４】図１４は、図１３の３相ブリッジインバー
タ回路５の１相分のブリッジ７（図中の１点鎖線で囲ま
れた部分）の詳細な回路図である。１相分のブリッジ
は、上下アームのスイッチング素子であるＧＴＯ８とフ
リーホイーリングダイオード９を１つのユニットにまと
め、これにＧＴＯ８のスナバ回路であるスナバコンデン
サ１０と、スナバダイオード１１と、スナバ抵抗１２
と、ＧＴＯ８のゲートユニット１３とからなる。
タ回路５の１相分のブリッジ７（図中の１点鎖線で囲ま
れた部分）の詳細な回路図である。１相分のブリッジ
は、上下アームのスイッチング素子であるＧＴＯ８とフ
リーホイーリングダイオード９を１つのユニットにまと
め、これにＧＴＯ８のスナバ回路であるスナバコンデン
サ１０と、スナバダイオード１１と、スナバ抵抗１２
と、ＧＴＯ８のゲートユニット１３とからなる。
【０００５】このような回路では、ＧＴＯ及びダイオー
ドがスイッチング動作を行うことによって各々の素子で
熱が発生し、その発熱量は４０００ｋＶＡクラスのイン
バータ装置ではＧＴＯは数ｋＷ、フリーホイーリングダ
イオードはその運転モードにもよるがＧＴＯの３分の１
程度、スナバーダイオードは数百Ｗとなる。
ドがスイッチング動作を行うことによって各々の素子で
熱が発生し、その発熱量は４０００ｋＶＡクラスのイン
バータ装置ではＧＴＯは数ｋＷ、フリーホイーリングダ
イオードはその運転モードにもよるがＧＴＯの３分の１
程度、スナバーダイオードは数百Ｗとなる。
【０００６】そこで、このような大きな発熱量を冷却す
るには水冷による冷却方法が一般的に用いられている。
図１５に１相分のブリッジのＧＴＯユニットを構成する
ＧＴＯスタック１４の正面図を示し、図１６に側面図を
示す。
るには水冷による冷却方法が一般的に用いられている。
図１５に１相分のブリッジのＧＴＯユニットを構成する
ＧＴＯスタック１４の正面図を示し、図１６に側面図を
示す。
【０００７】ＧＴＯスタック１４は、ＧＴＯ８と、フリ
ーホイーリングダイオード９と、ＧＴＯ８及びダイオー
ド９の発熱を抑制し、かつ電気導体を兼ねる水冷ヒート
シンク１５と、ＧＴＯ８及びダイオード９を押さえる押
さえ板１６と、押さえ板１６を電気的に絶縁し、かつス
タックの中心を調節するための球面部品１７と、球面部
品１７を受ける絶縁座１８と、圧接力を一定に保つため
のバネ１９と、押さえ板１６をつなぐスタッド２０と、
ロックナット２１等にて構成されている。
ーホイーリングダイオード９と、ＧＴＯ８及びダイオー
ド９の発熱を抑制し、かつ電気導体を兼ねる水冷ヒート
シンク１５と、ＧＴＯ８及びダイオード９を押さえる押
さえ板１６と、押さえ板１６を電気的に絶縁し、かつス
タックの中心を調節するための球面部品１７と、球面部
品１７を受ける絶縁座１８と、圧接力を一定に保つため
のバネ１９と、押さえ板１６をつなぐスタッド２０と、
ロックナット２１等にて構成されている。
【０００８】また、主回路接続端子として適所に導体２
２を挟み、ＧＴＯユニットの主回路接続のために使用し
ている。図中、この導体２２を介してフリーホイールダ
イオード９を水冷ヒートシンク１５が冷却しているので
冷却効率は低減されてしまうが、フリーホイーリングダ
イオード９はＧＴＯ８と比較して発熱量が少ないので、
十分な冷却となっている。
２を挟み、ＧＴＯユニットの主回路接続のために使用し
ている。図中、この導体２２を介してフリーホイールダ
イオード９を水冷ヒートシンク１５が冷却しているので
冷却効率は低減されてしまうが、フリーホイーリングダ
イオード９はＧＴＯ８と比較して発熱量が少ないので、
十分な冷却となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＧＴＯやフリ
ーホイーリングダイオード等の、種類の異なる平型半導
体素子を一括して加圧する半導体スタックの場合、各半
導体素子の圧接面（以下ポスト面と称す）の径（以下ポ
スト径と称す）が同一でないために、各素子ポスト面と
水冷ヒートシンクの圧接面での圧接力分布が不均一とな
る。
ーホイーリングダイオード等の、種類の異なる平型半導
体素子を一括して加圧する半導体スタックの場合、各半
導体素子の圧接面（以下ポスト面と称す）の径（以下ポ
スト径と称す）が同一でないために、各素子ポスト面と
水冷ヒートシンクの圧接面での圧接力分布が不均一とな
る。
【００１０】図１７は図１５、図１６に示す従来のＧＴ
Ｏスタック１４のＧＴＯ８のカソード側ポスト面（矢視
Ａ）における圧接力分布を２次元的に示している。横軸
がＧＴＯ８のポスト径、縦軸が圧接力を示す。この場
合、ＧＴＯ８の中心を通る軸上の圧接力となっている。
図より、φＢの範囲で圧接力が高く、φＢの外側の圧接
力が低くなっている。
Ｏスタック１４のＧＴＯ８のカソード側ポスト面（矢視
Ａ）における圧接力分布を２次元的に示している。横軸
がＧＴＯ８のポスト径、縦軸が圧接力を示す。この場
合、ＧＴＯ８の中心を通る軸上の圧接力となっている。
図より、φＢの範囲で圧接力が高く、φＢの外側の圧接
力が低くなっている。
【００１１】図１７に示すＧＴＯポスト面の圧接分布の
不均一さとφＢとは、フリーホイーリングダイオードの
ポスト径の大きさ、水冷ヒートシンクの剛性、導体、調
心機構部の球面受け座などのスタック構成部品の剛性と
密接な関係があることを実測結果から分かっている。
不均一さとφＢとは、フリーホイーリングダイオードの
ポスト径の大きさ、水冷ヒートシンクの剛性、導体、調
心機構部の球面受け座などのスタック構成部品の剛性と
密接な関係があることを実測結果から分かっている。
【００１２】即ち、スタッキング部品の平行度が管理さ
れた面どうしで圧接面を構成し荷重をかけてその圧接力
分布を実測すると、球面座のように機械的に剛体の場
合、荷重方向に対しほぼ４５゜まで有効に伝達される。
これに対し水冷ヒートシンクのように中に冷却水流路が
ある部品では、冷却水流路で荷重による力の伝達が断ち
切れ、荷重に対して４５゜方向には力が伝達されてない
という現象である。
れた面どうしで圧接面を構成し荷重をかけてその圧接力
分布を実測すると、球面座のように機械的に剛体の場
合、荷重方向に対しほぼ４５゜まで有効に伝達される。
これに対し水冷ヒートシンクのように中に冷却水流路が
ある部品では、冷却水流路で荷重による力の伝達が断ち
切れ、荷重に対して４５゜方向には力が伝達されてない
という現象である。
【００１３】このように、ポスト面の圧接力が不均一と
なると、ＧＴＯ８では、ペレットに於いて局部的に電流
が集中し、熱ストレスや過大な電流変化により素子を破
壊することがある。
なると、ＧＴＯ８では、ペレットに於いて局部的に電流
が集中し、熱ストレスや過大な電流変化により素子を破
壊することがある。
【００１４】そのためこのようなポスト径の異なる平型
半導体素子を一括加圧するスタック構成装置では過剰な
余裕をとって設計をすることになっていた。従って、素
子の能力を十分発揮できない装置設計となっていた。
半導体素子を一括加圧するスタック構成装置では過剰な
余裕をとって設計をすることになっていた。従って、素
子の能力を十分発揮できない装置設計となっていた。
【００１５】よって、本発明では、このようにポスト径
の異なる平型半導体素子を一括加圧するスタックにおい
て、各素子ポスト面での圧接力分布をほぼ均等とする構
造を実現し、半導体素子の能力を十に活用することを目
的とする。
の異なる平型半導体素子を一括加圧するスタックにおい
て、各素子ポスト面での圧接力分布をほぼ均等とする構
造を実現し、半導体素子の能力を十に活用することを目
的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に記載の半導体素子スタックで
は、ポスト径の異なる複数個の平型半導体素子とこれら
の半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複数個の冷却
体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子を備えた積
層体と、この積層体を圧接保持する圧接保持部とからな
る半導体素子スタックにおいて、前記複数個の冷却体の
うち任意の冷却体と、上記冷却体を介して隣合う第１の
平型半導体素子と第２の平型半導体素子の関係が、
に、本発明の請求項１に記載の半導体素子スタックで
は、ポスト径の異なる複数個の平型半導体素子とこれら
の半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複数個の冷却
体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子を備えた積
層体と、この積層体を圧接保持する圧接保持部とからな
る半導体素子スタックにおいて、前記複数個の冷却体の
うち任意の冷却体と、上記冷却体を介して隣合う第１の
平型半導体素子と第２の平型半導体素子の関係が、
【００１７】
【数５】φＤ２−φＤ１＜２×（ｔFin −ｈ） φＤ１：第１の平型半導体素子のポスト径 φＤ２：第２の平型半導体素子のポスト径 ｔFin ：第１と第２の平型半導体素子に挟まれた冷却体
の厚さ ｈ ：第１と第２の平型半導体素子に挟まれた冷却体
の冷却水溝の高さ となることを特徴とする。
の厚さ ｈ ：第１と第２の平型半導体素子に挟まれた冷却体
の冷却水溝の高さ となることを特徴とする。
【００１８】本発明の請求項２記載の半導体素子スタッ
クでは、請求項１記載の半導体素子スタックにおいて、
上記冷却体の冷却水溝の位置を、上記第１の平型半導体
素子と上記第２の平型半導体素子のうち発熱量の大きい
平型半導体素子に近い位置にしたことを特徴とする。
クでは、請求項１記載の半導体素子スタックにおいて、
上記冷却体の冷却水溝の位置を、上記第１の平型半導体
素子と上記第２の平型半導体素子のうち発熱量の大きい
平型半導体素子に近い位置にしたことを特徴とする。
【００１９】本発明の請求項３記載の半導体素子スタッ
クでは、ポスト径の異なる複数個の平型半導体素子とこ
れらの半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複数個の
冷却体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子を備え
た積層体と、この積層体を圧接保持する圧接保持部とか
らなる半導体素子スタックにおいて、ポスト径の異なる
第１の平型半導体素子と第２の平型半導体素子との間
に、２つの第１の冷却体と第２の冷却体とを挟む構成と
し、上記第１の平型半導体素子と上記第２の平型半導体
素子と上記第１の冷却体と上記第２の冷却体との関係
が、
クでは、ポスト径の異なる複数個の平型半導体素子とこ
れらの半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複数個の
冷却体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子を備え
た積層体と、この積層体を圧接保持する圧接保持部とか
らなる半導体素子スタックにおいて、ポスト径の異なる
第１の平型半導体素子と第２の平型半導体素子との間
に、２つの第１の冷却体と第２の冷却体とを挟む構成と
し、上記第１の平型半導体素子と上記第２の平型半導体
素子と上記第１の冷却体と上記第２の冷却体との関係
が、
【００２０】
【数６】ｔFin １＋ｔFin ２＞（φＤ２−φＤ１）／２
＋ｈ１＋ｈ２ φＤ１ ：第１の平型半導体素子のポスト径 φＤ２ ：第２の平型半導体素子のポスト径 ｔFin １：第１の冷却体の厚さ ｔFin ２：第２の冷却体の厚さ ｈ１ ：第１の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ ｈ２ ：第２の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ となることを特徴とする。
＋ｈ１＋ｈ２ φＤ１ ：第１の平型半導体素子のポスト径 φＤ２ ：第２の平型半導体素子のポスト径 ｔFin １：第１の冷却体の厚さ ｔFin ２：第２の冷却体の厚さ ｈ１ ：第１の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ ｈ２ ：第２の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ となることを特徴とする。
【００２１】本発明の請求項４記載の半導体素子スタッ
クでは、ポスト径の異なる複数個の平型半導体素子とこ
れらの半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複数個の
冷却体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子を備え
た積層体と、この積層体を圧接保持する圧接保持部とか
らなる半導体素子スタックにおいて、ポスト径の異なる
第１の平型半導体素子と第２の平型半導体素子との間
に、２つの第１の冷却体と第２の冷却体とを挟み、更
に、上記第１の冷却体と上記第２の冷却体との間に導電
性のディスクを設けたことを特徴とする。
クでは、ポスト径の異なる複数個の平型半導体素子とこ
れらの半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複数個の
冷却体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子を備え
た積層体と、この積層体を圧接保持する圧接保持部とか
らなる半導体素子スタックにおいて、ポスト径の異なる
第１の平型半導体素子と第２の平型半導体素子との間
に、２つの第１の冷却体と第２の冷却体とを挟み、更
に、上記第１の冷却体と上記第２の冷却体との間に導電
性のディスクを設けたことを特徴とする。
【００２２】本発明の請求項５記載の半導体素子スタッ
クでは、請求項４記載の半導体素子スタックにおいて、
上記第１の平型半導体素子と上記第２の平型半導体素子
と上記第１の冷却体と上記第２の冷却体と上記ディスク
との関係が、
クでは、請求項４記載の半導体素子スタックにおいて、
上記第１の平型半導体素子と上記第２の平型半導体素子
と上記第１の冷却体と上記第２の冷却体と上記ディスク
との関係が、
【００２３】
【数７】φＤDisk＞φＤ２−２×（ｔFin2−ｈ２） ｔDisk＋ｔFin １＋ｔFin ２＞（φＤ２−φＤ１）／２
＋ｈ１＋ｈ２ φＤ１ ：第１の平型半導体素子のポスト径 φＤ２ ：第２の平型半導体素子のポスト径 φＤDisk：ディスクの圧接面の径 ｔDisk ：ディスクの厚み ｔFin １：第１の冷却体の厚さ ｔFin ２：第２の冷却体の厚さ ｈ１ ：第１の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ ｈ２ ：第２の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ となることを特徴とする。
＋ｈ１＋ｈ２ φＤ１ ：第１の平型半導体素子のポスト径 φＤ２ ：第２の平型半導体素子のポスト径 φＤDisk：ディスクの圧接面の径 ｔDisk ：ディスクの厚み ｔFin １：第１の冷却体の厚さ ｔFin ２：第２の冷却体の厚さ ｈ１ ：第１の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ ｈ２ ：第２の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ となることを特徴とする。
【００２４】本発明の請求項６記載の半導体素子スタッ
クでは、上記ディスクの代わりに導電性のばねを用いた
ことを特徴とする。本発明の請求項７記載の半導体素子
スタックでは、ポスト径の異なる複数個の平型半導体素
子とこれらの半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複
数個の冷却体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子
を備えた積層体と、この積層体を圧接保持する少なくと
もスタックの中心を調節する調心手段と積層体に接触す
る絶縁座とを有する圧接保持部とからなる半導体素子ス
タックにおいて、上記調心手段と、上記絶縁座と、上記
絶縁座に接触する冷却体と、上記冷却体の上記絶縁座の
接触面とは反対側の面に接触する平型半導体素子との関
係が、
クでは、上記ディスクの代わりに導電性のばねを用いた
ことを特徴とする。本発明の請求項７記載の半導体素子
スタックでは、ポスト径の異なる複数個の平型半導体素
子とこれらの半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複
数個の冷却体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子
を備えた積層体と、この積層体を圧接保持する少なくと
もスタックの中心を調節する調心手段と積層体に接触す
る絶縁座とを有する圧接保持部とからなる半導体素子ス
タックにおいて、上記調心手段と、上記絶縁座と、上記
絶縁座に接触する冷却体と、上記冷却体の上記絶縁座の
接触面とは反対側の面に接触する平型半導体素子との関
係が、
【００２５】
【数８】φＤZ ＞φＤD −２×（ｔFin −ｈ） ｔZ ＞（φＤD −φＤP ）／２ φＤZ ：絶縁座の径 φＤD ：平型半導体素子のポスト面径 φＤP ：調心手段と絶縁座の接触径 ｔZ ：絶縁座の厚み ｔFin ：冷却体の厚み ｈ ：冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ となることを特徴とする。
【００２６】
【００２７】
【作用】本発明の請求項１記載の半導体素子スタックで
は、冷却体が理想的な剛体であれば、力が４５゜方向に
伝達し、小さい側の素子ポスト径からみて、このポスト
径に冷却体の厚み分ｔFin の２倍を加えたポスト径の半
導体素子まで１括スタッキングできる。実際の冷却体は
溝高さｈの冷却水流路があるため、剛体に相当する等価
厚みは（ｔFin ーｈ）となっている。従って、小さい側
の素子からみて、小さい側の素子ポスト径に２倍の（ｔ
Fin ーｈ）を加えたポスト径を限界とする半導体素子で
あれば、大きい側の素子ポスト面でも圧接力不足のない
加圧力分布となる。
は、冷却体が理想的な剛体であれば、力が４５゜方向に
伝達し、小さい側の素子ポスト径からみて、このポスト
径に冷却体の厚み分ｔFin の２倍を加えたポスト径の半
導体素子まで１括スタッキングできる。実際の冷却体は
溝高さｈの冷却水流路があるため、剛体に相当する等価
厚みは（ｔFin ーｈ）となっている。従って、小さい側
の素子からみて、小さい側の素子ポスト径に２倍の（ｔ
Fin ーｈ）を加えたポスト径を限界とする半導体素子で
あれば、大きい側の素子ポスト面でも圧接力不足のない
加圧力分布となる。
【００２８】本発明の請求項２記載の半導体素子スタッ
クでは、第１と第２の平型半導体素子に挟まれた冷却体
の冷却水溝の位置を、上記第１の平型半導体素子と上記
第２の平型半導体素子のうち発熱量の大きい平型半導体
素子に近い位置にすることにより、請求項１記載の半導
体素子スタックと同様な効果に加え、高い冷却効率を必
要とする素子と、高い冷却効率を必要としない素子に対
し効果的に冷却できる。
クでは、第１と第２の平型半導体素子に挟まれた冷却体
の冷却水溝の位置を、上記第１の平型半導体素子と上記
第２の平型半導体素子のうち発熱量の大きい平型半導体
素子に近い位置にすることにより、請求項１記載の半導
体素子スタックと同様な効果に加え、高い冷却効率を必
要とする素子と、高い冷却効率を必要としない素子に対
し効果的に冷却できる。
【００２９】本発明の請求項３記載の半導体素子スタッ
クでは、２つの冷却体を設けることにより、請求項１記
載の半導体素子スタックと同様な効果に加え、冷却体の
等価剛体厚さが増大し，大きなポスト面を有する素子の
外周部分にも力が伝達され加圧力不足をなくすことがで
きる。
クでは、２つの冷却体を設けることにより、請求項１記
載の半導体素子スタックと同様な効果に加え、冷却体の
等価剛体厚さが増大し，大きなポスト面を有する素子の
外周部分にも力が伝達され加圧力不足をなくすことがで
きる。
【００３０】本発明の請求項４記載の半導体素子スタッ
クでは、第１の冷却体と第２の冷却体との間に導電性の
ディスクを設けたことにより、請求項１記載の半導体素
子スタックと同様な効果に加え、異口径素子で挟まれた
スタッキング部品の等価剛性を増大させ，加圧力による
力の伝達が４５゜方向に広がるようにする作用があり、
このようにディスクをもちいることで，等価剛体厚さが
ほとんど期待できない水冷ヒートシンクの組み合わせで
も，圧接力不足をなくすことができる。
クでは、第１の冷却体と第２の冷却体との間に導電性の
ディスクを設けたことにより、請求項１記載の半導体素
子スタックと同様な効果に加え、異口径素子で挟まれた
スタッキング部品の等価剛性を増大させ，加圧力による
力の伝達が４５゜方向に広がるようにする作用があり、
このようにディスクをもちいることで，等価剛体厚さが
ほとんど期待できない水冷ヒートシンクの組み合わせで
も，圧接力不足をなくすことができる。
【００３１】本発明の請求項５記載の半導体素子スタッ
クでは、請求項４記載の半導体素子スタックと同様な効
果に加え、加圧力分布の最適化、形状、重量の最適化が
可能となる。
クでは、請求項４記載の半導体素子スタックと同様な効
果に加え、加圧力分布の最適化、形状、重量の最適化が
可能となる。
【００３２】本発明の請求項６記載の半導体素子スタッ
クでは、請求項４、５で用いたディスクの代わりに、導
電材料によるばねを挿入することにより、無荷重の状態
では、ばねの凸側が小径ポスト面素子と接する冷却体の
反対側の面に接し、ばねの凹側が大径ポスト面の素子と
接する冷却体の反対側の面に接し、所定の加圧力が加え
られると、ばねが完全につぶれて、全面で接触してい
る。このばねの反力により、大径ポスト面の素子の円周
部分の加圧力を増加させる作用がある。
クでは、請求項４、５で用いたディスクの代わりに、導
電材料によるばねを挿入することにより、無荷重の状態
では、ばねの凸側が小径ポスト面素子と接する冷却体の
反対側の面に接し、ばねの凹側が大径ポスト面の素子と
接する冷却体の反対側の面に接し、所定の加圧力が加え
られると、ばねが完全につぶれて、全面で接触してい
る。このばねの反力により、大径ポスト面の素子の円周
部分の加圧力を増加させる作用がある。
【００３３】本発明の請求項７記載の半導体素子スタッ
クでは、調心手段と、絶縁座と、絶縁座に接触する冷却
体と、冷却体の絶縁座の接触面とは反対側の面に接触す
る平型半導体素子との関係が、式を満たすようにするこ
とにより、半導体スタックのスタッキング積層体への力
の伝達が効率よく伝達される。
クでは、調心手段と、絶縁座と、絶縁座に接触する冷却
体と、冷却体の絶縁座の接触面とは反対側の面に接触す
る平型半導体素子との関係が、式を満たすようにするこ
とにより、半導体スタックのスタッキング積層体への力
の伝達が効率よく伝達される。
【００３４】
【００３５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１の実施例の半導体スタック
の正面図を示し、図２は、その一部分の拡大図である。
する。図１は、本発明の第１の実施例の半導体スタック
の正面図を示し、図２は、その一部分の拡大図である。
【００３６】ＧＴＯスタック１４は、ＧＴＯ８と、フリ
ーホイーリングダイオード９と、素子の発熱を抑制し、
かつ電気導体を兼ねる水冷ヒートシンク１５と、素子を
押さえる押さえ板１６と、押さえ板１６を電気的に絶縁
し、かつスタックの中心を調節するための球面部品１７
と、球面部品１７を受ける絶縁座１８と、圧接力を一定
に保つためのバネ１９と、押さえ板１６をつなぐスタッ
ド２０と、ロックナット２１等にてスタックを構成して
いる。
ーホイーリングダイオード９と、素子の発熱を抑制し、
かつ電気導体を兼ねる水冷ヒートシンク１５と、素子を
押さえる押さえ板１６と、押さえ板１６を電気的に絶縁
し、かつスタックの中心を調節するための球面部品１７
と、球面部品１７を受ける絶縁座１８と、圧接力を一定
に保つためのバネ１９と、押さえ板１６をつなぐスタッ
ド２０と、ロックナット２１等にてスタックを構成して
いる。
【００３７】また、主回路接続端子として適所に導体２
２を挟み、ＧＴＯユニットの主回路接続のために使用し
ている。図中、この導体２２を介してフリーホイールダ
イオード９を水冷ヒートシンク１５が冷却しているので
冷却効率は低減されてしまうが、フリーホイーリングダ
イオード９はＧＴＯ８と比較して発熱量が少ないので、
十分な冷却となっている。
２を挟み、ＧＴＯユニットの主回路接続のために使用し
ている。図中、この導体２２を介してフリーホイールダ
イオード９を水冷ヒートシンク１５が冷却しているので
冷却効率は低減されてしまうが、フリーホイーリングダ
イオード９はＧＴＯ８と比較して発熱量が少ないので、
十分な冷却となっている。
【００３８】このとき、図２に示すように、ＧＴＯ８の
ポスト径をφＤ２、フリーホイリングダイオード９のポ
スト径をφＤ１、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９に挟まれた水冷ヒートシンク１５の厚みをｔFin
、この水冷ヒートシンク１５の冷却水溝の高さをｈと
した場合、次式が成立するように、ＧＴＯ８とフリーホ
イーリングダイオード９と水冷ヒートシンク１５を選定
する。
ポスト径をφＤ２、フリーホイリングダイオード９のポ
スト径をφＤ１、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９に挟まれた水冷ヒートシンク１５の厚みをｔFin
、この水冷ヒートシンク１５の冷却水溝の高さをｈと
した場合、次式が成立するように、ＧＴＯ８とフリーホ
イーリングダイオード９と水冷ヒートシンク１５を選定
する。
【００３９】
【数９】 φＤ２−φＤ１＜２×（ｔFin −ｈ）・・・（１） 即ち、水冷ヒートシンクが理想的な剛体であれば、力が
４５゜方向に伝達し、小さい側の素子ポスト径からみ
て、このポスト径に水冷ヒートシンクの厚み分ｔFin の
２倍を加えたポスト径の半導体素子まで１括スタッキン
グできる。実際の水冷ヒートシンクは溝高さｈの冷却水
流路があるため、剛体に相当する等価厚みは（ｔFin −
ｈ）となっている。従って、小さい側の素子からみて、
小さい側の素子ポスト径に２倍の（ｔFin −ｈ）を加え
たポスト径を限界とする半導体素子であれば、大きい側
の素子ポスト面でも圧接力不足のない加圧力分布とな
る。
４５゜方向に伝達し、小さい側の素子ポスト径からみ
て、このポスト径に水冷ヒートシンクの厚み分ｔFin の
２倍を加えたポスト径の半導体素子まで１括スタッキン
グできる。実際の水冷ヒートシンクは溝高さｈの冷却水
流路があるため、剛体に相当する等価厚みは（ｔFin −
ｈ）となっている。従って、小さい側の素子からみて、
小さい側の素子ポスト径に２倍の（ｔFin −ｈ）を加え
たポスト径を限界とする半導体素子であれば、大きい側
の素子ポスト面でも圧接力不足のない加圧力分布とな
る。
【００４０】図３は上記（１）式の関係を満足する場合
と満足しない場合におけるＧＴＯ８のポスト面（図１の
矢視Ａ）における圧接力分布実測結果を２次元的に表し
た図である。
と満足しない場合におけるＧＴＯ８のポスト面（図１の
矢視Ａ）における圧接力分布実測結果を２次元的に表し
た図である。
【００４１】（１）式を満足しない場合、点線で示す圧
接力分布特性となり、φＤ１より外側の範囲で圧接力が
極端に小さくなり、圧接力不足となり易いことを示す。
一方（１）式を満足する場合、実線で示す圧接力分布特
性となり、φＤ１より外側の範囲でも圧接力が極端に小
さくなることなく圧接されている。
接力分布特性となり、φＤ１より外側の範囲で圧接力が
極端に小さくなり、圧接力不足となり易いことを示す。
一方（１）式を満足する場合、実線で示す圧接力分布特
性となり、φＤ１より外側の範囲でも圧接力が極端に小
さくなることなく圧接されている。
【００４２】よって、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布
において、極端な圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧
接力分布をほぼ均等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力
を十に活用することができる。これにより装置として過
剰な余裕をとることなく設計をすることが可能となる。
において、極端な圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧
接力分布をほぼ均等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力
を十に活用することができる。これにより装置として過
剰な余裕をとることなく設計をすることが可能となる。
【００４３】次に本発明の第２の実施例について図４を
用いて説明する。第２の実施例は、第１の実施例の水冷
ヒートシンクを変形したものである。図４に示す水冷ヒ
ートシンク１５では、冷却水溝を中心よりＧＴＯ８に近
い位置に形成している。
用いて説明する。第２の実施例は、第１の実施例の水冷
ヒートシンクを変形したものである。図４に示す水冷ヒ
ートシンク１５では、冷却水溝を中心よりＧＴＯ８に近
い位置に形成している。
【００４４】このとき、図４に示すように、ＧＴＯ８の
ポスト径をφＤ２、フリーホイリングダイオード９のポ
スト径をφＤ１、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９に挟まれた水冷ヒートシンク１５の厚みをｔFin
、この水冷ヒートシンク１５の冷却水溝の高さをｈと
した場合、次式が成立するように、ＧＴＯ８とフリーホ
イーリングダイオード９と水冷ヒートシンク１５を選定
する。
ポスト径をφＤ２、フリーホイリングダイオード９のポ
スト径をφＤ１、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９に挟まれた水冷ヒートシンク１５の厚みをｔFin
、この水冷ヒートシンク１５の冷却水溝の高さをｈと
した場合、次式が成立するように、ＧＴＯ８とフリーホ
イーリングダイオード９と水冷ヒートシンク１５を選定
する。
【００４５】
【数１０】 ｔFin ＞（φＤ２−φＤ１）／２＋ｈ・・・（２） この（２）式の関係を満足する場合と満足しない場合に
おけるＧＴＯ８のポスト面（図１の矢視Ａ）における圧
接力分布実測結果は既に説明した図３と同じ結果とな
り、第１の実施例と同様の作用と効果が得られる。ま
た、冷却水溝が発熱の大きいＧＴＯに近い位置にあるの
で冷却効率が向上する。
おけるＧＴＯ８のポスト面（図１の矢視Ａ）における圧
接力分布実測結果は既に説明した図３と同じ結果とな
り、第１の実施例と同様の作用と効果が得られる。ま
た、冷却水溝が発熱の大きいＧＴＯに近い位置にあるの
で冷却効率が向上する。
【００４６】次に図５を用いて、本発明の第３の実施例
について説明する。第３の実施例は、第１の実施例の水
冷ヒートシンクを変形したものである。図５に示す水冷
ヒートシンク１５では、冷却水溝が２カ所に形成され、
２つの冷却水溝の間は所定の剛性を維持するためにｔ１
の肉厚としている。ている。
について説明する。第３の実施例は、第１の実施例の水
冷ヒートシンクを変形したものである。図５に示す水冷
ヒートシンク１５では、冷却水溝が２カ所に形成され、
２つの冷却水溝の間は所定の剛性を維持するためにｔ１
の肉厚としている。ている。
【００４７】このとき、図５に示すように、ＧＴＯ８の
ポスト径をφＤ２、フリーホイリングダイオード９のポ
スト径をφＤ１、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９に挟まれた水冷ヒートシンク１５の厚みをｔFin
、この水冷ヒートシンク１５の冷却水溝の高さをそれ
ぞれｈ１とｈ２とした場合、次式が成立するように、Ｇ
ＴＯ８とフリーホイーリングダイオード９と水冷ヒート
シンク１５を選定する。
ポスト径をφＤ２、フリーホイリングダイオード９のポ
スト径をφＤ１、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９に挟まれた水冷ヒートシンク１５の厚みをｔFin
、この水冷ヒートシンク１５の冷却水溝の高さをそれ
ぞれｈ１とｈ２とした場合、次式が成立するように、Ｇ
ＴＯ８とフリーホイーリングダイオード９と水冷ヒート
シンク１５を選定する。
【００４８】
【数１１】 ｔFin ＞（φＤ２−φＤ１）／２＋ｈ１＋ｈ２・・・（３） この（３）式の関係を満足する場合と満足しない場合に
おけるＧＴＯ８のポスト面（図１の矢視Ａ）における圧
接力分布実測結果は既に説明した図３と同じ結果とな
り、第１の実施例と同様の作用と効果が得られる。
おけるＧＴＯ８のポスト面（図１の矢視Ａ）における圧
接力分布実測結果は既に説明した図３と同じ結果とな
り、第１の実施例と同様の作用と効果が得られる。
【００４９】次に発明の第４の実施例について図６と図
７を用いて説明する。図６は、本発明の第４の実施例の
半導体スタックの正面図を示し、図７は、その一部分の
拡大図である。
７を用いて説明する。図６は、本発明の第４の実施例の
半導体スタックの正面図を示し、図７は、その一部分の
拡大図である。
【００５０】ＧＴＯスタック１４は、ＧＴＯ８と、フリ
ーホイーリングダイオード９と、素子の発熱を抑制し、
かつ電気導体を兼ねる水冷ヒートシンク１５と、素子を
押さえる押さえ板１６と、押さえ板１６を電気的に絶縁
し、かつスタックの中心を調節するための球面部品１７
と、球面部品１７を受ける絶縁座１８と、圧接力を一定
に保つためのバネ１９と、押さえ板１６をつなぐスタッ
ド２０と、ロックナット２１等にてスタックを構成して
いる。
ーホイーリングダイオード９と、素子の発熱を抑制し、
かつ電気導体を兼ねる水冷ヒートシンク１５と、素子を
押さえる押さえ板１６と、押さえ板１６を電気的に絶縁
し、かつスタックの中心を調節するための球面部品１７
と、球面部品１７を受ける絶縁座１８と、圧接力を一定
に保つためのバネ１９と、押さえ板１６をつなぐスタッ
ド２０と、ロックナット２１等にてスタックを構成して
いる。
【００５１】そして、主回路接続端子として適所に導体
２２を挟み、ＧＴＯユニットの主回路接続のために使用
している。また、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９との間には２つの水冷ヒートシンク１５が接続導
体２２を挟んで挿入されている。
２２を挟み、ＧＴＯユニットの主回路接続のために使用
している。また、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９との間には２つの水冷ヒートシンク１５が接続導
体２２を挟んで挿入されている。
【００５２】よって、ＧＴＯ８とフリーホイールダイオ
ード９は水冷ヒートシンク１５で挟まれているので効率
的に冷却される。このとき図７に示すように、ＧＴＯ８
のポスト径をφＤ２、フリーホイリングダイオード９の
ポスト径をφＤ１、各々の水冷ヒートシンク１５の厚み
をｔFin１、ｔFin ２とし、対応する水冷ヒートシンク
１５の冷却水溝の高さをｈ１、ｈ２とした場合、次式が
成立するように、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９と水冷ヒートシンク１５を選定する。
ード９は水冷ヒートシンク１５で挟まれているので効率
的に冷却される。このとき図７に示すように、ＧＴＯ８
のポスト径をφＤ２、フリーホイリングダイオード９の
ポスト径をφＤ１、各々の水冷ヒートシンク１５の厚み
をｔFin１、ｔFin ２とし、対応する水冷ヒートシンク
１５の冷却水溝の高さをｈ１、ｈ２とした場合、次式が
成立するように、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９と水冷ヒートシンク１５を選定する。
【００５３】
【数１２】 ｔFin １＋ｔFin ２＞（φＤ２−φＤ１）／２＋ｈ１＋ｈ２・・・（４） この（４）式の関係を満足する場合と満足しない場合に
おけるＧＴＯ８のポスト面（図６の矢視Ａ）における圧
接力分布実測結果は既に説明した図３と同じ結果とな
り、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布において、極端な
圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均
等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力を十に活用するこ
とができる。これにより装置として過剰な余裕をとるこ
となく設計をすることが可能となる。
おけるＧＴＯ８のポスト面（図６の矢視Ａ）における圧
接力分布実測結果は既に説明した図３と同じ結果とな
り、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布において、極端な
圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均
等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力を十に活用するこ
とができる。これにより装置として過剰な余裕をとるこ
となく設計をすることが可能となる。
【００５４】次に本発明の第５の実施例について図８と
図９を用いて説明する。図８は、本発明の第５の実施例
の半導体スタックの正面図を示し、図９は、その一部分
の拡大図である。
図９を用いて説明する。図８は、本発明の第５の実施例
の半導体スタックの正面図を示し、図９は、その一部分
の拡大図である。
【００５５】ＧＴＯスタック１４は、ＧＴＯ８と、フリ
ーホイーリングダイオード９と、素子の発熱を抑制し、
かつ電気導体を兼ねる水冷ヒートシンク１５と、素子を
押さえる押さえ板１６と、押さえ板１６を電気的に絶縁
し、かつスタックの中心を調節するための球面部品１７
と、球面部品１７を受ける絶縁座１８と、圧接力を一定
に保つためのバネ１９と、押さえ板１６をつなぐスタッ
ド２０と、ロックナット２１等にてスタックを構成して
いる。
ーホイーリングダイオード９と、素子の発熱を抑制し、
かつ電気導体を兼ねる水冷ヒートシンク１５と、素子を
押さえる押さえ板１６と、押さえ板１６を電気的に絶縁
し、かつスタックの中心を調節するための球面部品１７
と、球面部品１７を受ける絶縁座１８と、圧接力を一定
に保つためのバネ１９と、押さえ板１６をつなぐスタッ
ド２０と、ロックナット２１等にてスタックを構成して
いる。
【００５６】そして、主回路接続端子として適所に導体
２２を挟み、ＧＴＯユニットの主回路接続のために使用
している。また、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９との間には２つの水冷ヒートシンク１５が接続導
体２２と導電材料で構成されたディスク２３を挟んで挿
入されている。
２２を挟み、ＧＴＯユニットの主回路接続のために使用
している。また、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオ
ード９との間には２つの水冷ヒートシンク１５が接続導
体２２と導電材料で構成されたディスク２３を挟んで挿
入されている。
【００５７】よって、ＧＴＯ８とフリーホイールダイオ
ード９は水冷ヒートシンク１５で挟まれているので効率
的に冷却される。デイスク２３は、水冷ヒートシンク１
５の剛性不足分を補い、圧力を４５゜方向に広げる役割
を果たす共にと水冷ヒートシンクと同様に主回路導体を
兼ねてる。
ード９は水冷ヒートシンク１５で挟まれているので効率
的に冷却される。デイスク２３は、水冷ヒートシンク１
５の剛性不足分を補い、圧力を４５゜方向に広げる役割
を果たす共にと水冷ヒートシンクと同様に主回路導体を
兼ねてる。
【００５８】このとき図９に示すように、ＧＴＯ８のポ
スト径をφＤ２、フリーホイリングダイオード９のポス
ト径をφＤ１、各々の水冷ヒートシンク１５の厚みをｔ
Fin１、ｔFin ２とし、対応する水冷ヒートシンク１５
の冷却水溝の高さをｈ１、ｈ２、ディスク２３の径をφ
ＤDisk、ディスクの厚みをｔDiskとした場合、次式が成
立するように、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオー
ド９と水冷ヒートシンク１５とディスク２３を選定す
る。
スト径をφＤ２、フリーホイリングダイオード９のポス
ト径をφＤ１、各々の水冷ヒートシンク１５の厚みをｔ
Fin１、ｔFin ２とし、対応する水冷ヒートシンク１５
の冷却水溝の高さをｈ１、ｈ２、ディスク２３の径をφ
ＤDisk、ディスクの厚みをｔDiskとした場合、次式が成
立するように、ＧＴＯ８とフリーホイーリングダイオー
ド９と水冷ヒートシンク１５とディスク２３を選定す
る。
【００５９】
【数１３】 φＤDisk＞φＤ２−２×（ｔFin ２−ｈ２） ・・・（５） ｔDisk＞（φＤ１−φＤ２）／２ −（ｔFin １−ｈ１）−（ｔFin ２−ｈ２）・・・（６） 上記（５）（６）式の関係を満足する場合と満足しない
場合におけるＧＴＯ８のポスト面（図８の矢視Ａ）にお
ける圧接力分布実測結果は既に説明した図３と同じ結果
となり、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布において、極
端な圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧接力分布をほ
ぼ均等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力を十に活用す
ることができる。これにより装置として過剰な余裕をと
ることなく設計をすることが可能となる。
場合におけるＧＴＯ８のポスト面（図８の矢視Ａ）にお
ける圧接力分布実測結果は既に説明した図３と同じ結果
となり、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布において、極
端な圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧接力分布をほ
ぼ均等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力を十に活用す
ることができる。これにより装置として過剰な余裕をと
ることなく設計をすることが可能となる。
【００６０】次に本発明の第６の実施例について図１０
を用いて説明する。第６の実施例は、第４の実施例で用
いたディスク２３の代わりに、図１０に示すように、Ｇ
ＴＯ８とフリーホイーリングダイオード９との間に、２
つの水冷ヒートシンク１５が接続導体２２と導電材料で
構成された皿ばね２４を挟んで挿入されて、スタック積
層部品を構成している。
を用いて説明する。第６の実施例は、第４の実施例で用
いたディスク２３の代わりに、図１０に示すように、Ｇ
ＴＯ８とフリーホイーリングダイオード９との間に、２
つの水冷ヒートシンク１５が接続導体２２と導電材料で
構成された皿ばね２４を挟んで挿入されて、スタック積
層部品を構成している。
【００６１】皿ばね２４は、無荷重の状態では、皿ばね
２４の凸側がフリーホイーリングダイオード９のポスト
面と接する水冷ヒートシンク１５の反対側の面に接し、
皿ばね２４の凹側がＧＴＯ８と接する水冷ヒートシンク
１５の反対側の面に接し、所定の加圧力が加えられる
と、皿ばね２４が完全につぶれて、全面で接触する。こ
の皿ばね２４の反力により、水冷ヒートシンク１５の剛
性不足分が補われ、ＧＴＯ８のポスト面の円周部分の圧
接力を増加させる。
２４の凸側がフリーホイーリングダイオード９のポスト
面と接する水冷ヒートシンク１５の反対側の面に接し、
皿ばね２４の凹側がＧＴＯ８と接する水冷ヒートシンク
１５の反対側の面に接し、所定の加圧力が加えられる
と、皿ばね２４が完全につぶれて、全面で接触する。こ
の皿ばね２４の反力により、水冷ヒートシンク１５の剛
性不足分が補われ、ＧＴＯ８のポスト面の円周部分の圧
接力を増加させる。
【００６２】よって、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布
において、極端な圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧
接力分布をほぼ均等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力
を十に活用することができる。これにより装置として過
剰な余裕をとることなく設計をすることが可能となる。
において、極端な圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧
接力分布をほぼ均等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力
を十に活用することができる。これにより装置として過
剰な余裕をとることなく設計をすることが可能となる。
【００６３】この実施例では、皿ばねを用いて説明を行
ったが、代わりに板ばね等を用いても同様な効果を得る
ことができる。次に本発明の第７の実施例について図１
１を用いて説明する。
ったが、代わりに板ばね等を用いても同様な効果を得る
ことができる。次に本発明の第７の実施例について図１
１を用いて説明する。
【００６４】図１１において、ＧＴＯスタックを構成す
る球面部品１７を受ける絶縁座１８の径をφＤZ 、絶縁
座１８と球面部品１７との接触径をφＤP 、絶縁座１８
の厚みをｔZ 、水冷ヒートシンク１５の厚みをｔFin 、
水冷ヒートシンク１５の冷却水溝の高さをｈ、素子２５
のポスト径をφＤD とした場合、次式が成立するように
構成する。
る球面部品１７を受ける絶縁座１８の径をφＤZ 、絶縁
座１８と球面部品１７との接触径をφＤP 、絶縁座１８
の厚みをｔZ 、水冷ヒートシンク１５の厚みをｔFin 、
水冷ヒートシンク１５の冷却水溝の高さをｈ、素子２５
のポスト径をφＤD とした場合、次式が成立するように
構成する。
【００６５】
【数１４】 φＤZ ＞φＤD −２×（ｔFin −ｈ）・・・（７） ｔZ ＞（φＤD −φＤP ）／２ ・・・（８） この（８）式では、水冷ヒートシンク１５による荷重の
広がりを考慮していないが、これは、絶縁座がＧＴＯス
タックの加圧部分になるため、加圧を確実に行えるよう
に絶縁座の水冷ヒートシンクとの接触面で素子２５のポ
スト径分の加圧面を持つようにしている。また、ＧＴＯ
スタックの圧接分布は、ＧＴＯスタックの中心より両端
の圧力が低くなるため、より確実な加圧を行う必要とす
るからである。
広がりを考慮していないが、これは、絶縁座がＧＴＯス
タックの加圧部分になるため、加圧を確実に行えるよう
に絶縁座の水冷ヒートシンクとの接触面で素子２５のポ
スト径分の加圧面を持つようにしている。また、ＧＴＯ
スタックの圧接分布は、ＧＴＯスタックの中心より両端
の圧力が低くなるため、より確実な加圧を行う必要とす
るからである。
【００６６】上記（７）、（８）式のように構成するこ
とにより、図１２に示す圧接分布得られ、平型半導体ス
タックのスタッキング積層体へ効率よく力が伝達される
効果がある。ここで明らかなように、φＤD はＧＴＯ８
のポスト径φＤ２であったりフリーホイーリングダイオ
ード９のポスト径φＤ１であるから、スタック積層体全
体としてその圧接状態が最適化される効果がある。
とにより、図１２に示す圧接分布得られ、平型半導体ス
タックのスタッキング積層体へ効率よく力が伝達される
効果がある。ここで明らかなように、φＤD はＧＴＯ８
のポスト径φＤ２であったりフリーホイーリングダイオ
ード９のポスト径φＤ１であるから、スタック積層体全
体としてその圧接状態が最適化される効果がある。
【００６７】最後に、本発明の第８の実施例について図
１と図２と図１１とを用いて説明する。図２に示すよう
に、ＧＴＯ８のポスト径をφＤ２、フリーホイリングダ
イオード９のポスト径をφＤ１、ＧＴＯ８とフリーホイ
ーリングダイオード９に挟まれた水冷ヒートシンク１５
の厚みをｔFin 、この水冷ヒートシンク１５の冷却水溝
の高さをｈとし、一方、図１１に示すように絶縁座の径
をφＤZ 、絶縁座とは水冷ヒートシンクを介して隣合う
平型半導体素子のポスト面径をφＤD 、調心球面と絶縁
座の接触径をφＤP 、絶縁座の厚みをｔZ 、絶縁座と隣
合う水冷ヒートシンクの厚みをｔFin 、絶縁座と隣合う
水冷ヒートシンク厚み方向の冷却水溝の高さｈとした場
合、次式が成立するように構成する。
１と図２と図１１とを用いて説明する。図２に示すよう
に、ＧＴＯ８のポスト径をφＤ２、フリーホイリングダ
イオード９のポスト径をφＤ１、ＧＴＯ８とフリーホイ
ーリングダイオード９に挟まれた水冷ヒートシンク１５
の厚みをｔFin 、この水冷ヒートシンク１５の冷却水溝
の高さをｈとし、一方、図１１に示すように絶縁座の径
をφＤZ 、絶縁座とは水冷ヒートシンクを介して隣合う
平型半導体素子のポスト面径をφＤD 、調心球面と絶縁
座の接触径をφＤP 、絶縁座の厚みをｔZ 、絶縁座と隣
合う水冷ヒートシンクの厚みをｔFin 、絶縁座と隣合う
水冷ヒートシンク厚み方向の冷却水溝の高さｈとした場
合、次式が成立するように構成する。
【００６８】
【数１５】 φＤ２−φＤ１＜２×（ｔFin −ｈ）・・・（１） φＤZ ＞φＤD −２×（ｔFin −ｈ）・・・（７） ｔZ ＞（φＤD −φＤP ）／２ ・・・（８） これら（１）、（７）、（８）式のように構成すること
により、平型半導体スタックのスタッキング積層体へ効
率よく力が伝達される効果がある。また、ＧＴＯ８のポ
スト面での圧力分布において、極端な圧力差のある部分
がなくなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均等とする構造が実
現し、ＧＴＯの能力を十に活用することができる。これ
により装置として過剰な余裕をとることなく設計をする
ことが可能となる。
により、平型半導体スタックのスタッキング積層体へ効
率よく力が伝達される効果がある。また、ＧＴＯ８のポ
スト面での圧力分布において、極端な圧力差のある部分
がなくなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均等とする構造が実
現し、ＧＴＯの能力を十に活用することができる。これ
により装置として過剰な余裕をとることなく設計をする
ことが可能となる。
【００６９】また、上記条件で種類の異なる平型半導体
素子のポスト径を全て同径φＤとし、絶縁座の径も上記
平型半導体素子と同じでφＤとすると、ｔFin やｈにか
かわらず、（１）、（７）、（８）式が成立する。
素子のポスト径を全て同径φＤとし、絶縁座の径も上記
平型半導体素子と同じでφＤとすると、ｔFin やｈにか
かわらず、（１）、（７）、（８）式が成立する。
【００７０】力の伝達の観点から説明すると、種類の異
なる平型半導体素子のポスト径と球面座径を同一とする
ことで、水冷ヒートシンクの中にある冷却水流路で力の
伝達が断ち切れ４５゜方向には力が伝達されなくてもよ
いことになる。したがって、加圧方向にたいして直角と
なる面への力の広がりを考慮する必要なく理想的な圧力
分布を得ることができる．よって、平型半導体スタック
のスタッキング積層体へ効率よく力が伝達される効果が
ある。また、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布におい
て、極端な圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧接力分
布をほぼ均等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力を十に
活用することができる。これにより装置として過剰な余
裕をとることなく設計をすることが可能となる。
なる平型半導体素子のポスト径と球面座径を同一とする
ことで、水冷ヒートシンクの中にある冷却水流路で力の
伝達が断ち切れ４５゜方向には力が伝達されなくてもよ
いことになる。したがって、加圧方向にたいして直角と
なる面への力の広がりを考慮する必要なく理想的な圧力
分布を得ることができる．よって、平型半導体スタック
のスタッキング積層体へ効率よく力が伝達される効果が
ある。また、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布におい
て、極端な圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧接力分
布をほぼ均等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力を十に
活用することができる。これにより装置として過剰な余
裕をとることなく設計をすることが可能となる。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載の半導体素子スタックでは、冷却体が理想的な剛体
であれば、力が４５゜方向に伝達し、小さい側の素子ポ
スト径からみて、このポスト径に冷却体の厚み分ｔFin
の２倍を加えたポスト径の半導体素子まで１括スタッキ
ングできる。実際の冷却体は溝高さｈの冷却水流路があ
るため、剛体に相当する等価厚みは（ｔFin −ｈ）とな
っている。従って、小さい側の素子からみて、小さい側
の素子ポスト径に２倍の（ｔFin −ｈ）を加えたポスト
径を限界とする半導体素子であれば、大きい側の素子ポ
スト面でも圧接力不足のない加圧力分布となる。よっ
て、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布において、極端な
圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均
等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力を十に活用するこ
とができる。これにより装置として過剰な余裕をとるこ
となく設計をすることが可能となる。
記載の半導体素子スタックでは、冷却体が理想的な剛体
であれば、力が４５゜方向に伝達し、小さい側の素子ポ
スト径からみて、このポスト径に冷却体の厚み分ｔFin
の２倍を加えたポスト径の半導体素子まで１括スタッキ
ングできる。実際の冷却体は溝高さｈの冷却水流路があ
るため、剛体に相当する等価厚みは（ｔFin −ｈ）とな
っている。従って、小さい側の素子からみて、小さい側
の素子ポスト径に２倍の（ｔFin −ｈ）を加えたポスト
径を限界とする半導体素子であれば、大きい側の素子ポ
スト面でも圧接力不足のない加圧力分布となる。よっ
て、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布において、極端な
圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均
等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力を十に活用するこ
とができる。これにより装置として過剰な余裕をとるこ
となく設計をすることが可能となる。
【００７２】本発明の請求項２記載の半導体素子スタッ
クでは、第１と第２の平型半導体素子に挟まれた冷却体
の冷却水溝の位置を、上記第１の平型半導体素子と上記
第２の平型半導体素子のうち発熱量の大きい平型半導体
素子に近い位置にすることにより、請求項１記載の半導
体素子スタックと同様な効果に加え、高い冷却効率を必
要とする素子と、高い冷却効率を必要としない素子に対
し効果的に冷却できる。
クでは、第１と第２の平型半導体素子に挟まれた冷却体
の冷却水溝の位置を、上記第１の平型半導体素子と上記
第２の平型半導体素子のうち発熱量の大きい平型半導体
素子に近い位置にすることにより、請求項１記載の半導
体素子スタックと同様な効果に加え、高い冷却効率を必
要とする素子と、高い冷却効率を必要としない素子に対
し効果的に冷却できる。
【００７３】本発明の請求項３記載の半導体素子スタッ
クでは、２つの冷却体を設けることにより、請求項１記
載の半導体素子スタックと同様な効果に加え、冷却体の
等価剛体厚さが増大し，大きなポスト面を有する素子の
外周部分にも力が伝達され加圧力不足をなくすことがで
きる。よって、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布におい
て、極端な圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧接力分
布をほぼ均等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力を十に
活用することができる。これにより装置として過剰な余
裕をとることなく設計をすることが可能となる。
クでは、２つの冷却体を設けることにより、請求項１記
載の半導体素子スタックと同様な効果に加え、冷却体の
等価剛体厚さが増大し，大きなポスト面を有する素子の
外周部分にも力が伝達され加圧力不足をなくすことがで
きる。よって、ＧＴＯ８のポスト面での圧力分布におい
て、極端な圧力差のある部分がなくなり、ほぼ圧接力分
布をほぼ均等とする構造が実現し、ＧＴＯの能力を十に
活用することができる。これにより装置として過剰な余
裕をとることなく設計をすることが可能となる。
【００７４】本発明の請求項４記載の半導体素子スタッ
クでは、第１の冷却体と第２の冷却体との間に導電性の
ディスクを設けたことにより、請求項１記載の半導体素
子スタックと同様な効果に加え、異口径素子で挟まれた
スタッキング部品の等価剛性を増大させ，加圧力による
力の伝達が４５゜方向に広がるようにする作用があり、
このようにディスクをもちいることで，等価剛体厚さが
ほとんど期待できない水冷ヒートシンクの組み合わせで
も，圧接力不足をなくすことができる。よって、ＧＴＯ
８のポスト面での圧力分布において、極端な圧力差のあ
る部分がなくなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均等とする構
造が実現し、ＧＴＯの能力を十に活用することができ
る。これにより装置として過剰な余裕をとることなく設
計をすることが可能となる。
クでは、第１の冷却体と第２の冷却体との間に導電性の
ディスクを設けたことにより、請求項１記載の半導体素
子スタックと同様な効果に加え、異口径素子で挟まれた
スタッキング部品の等価剛性を増大させ，加圧力による
力の伝達が４５゜方向に広がるようにする作用があり、
このようにディスクをもちいることで，等価剛体厚さが
ほとんど期待できない水冷ヒートシンクの組み合わせで
も，圧接力不足をなくすことができる。よって、ＧＴＯ
８のポスト面での圧力分布において、極端な圧力差のあ
る部分がなくなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均等とする構
造が実現し、ＧＴＯの能力を十に活用することができ
る。これにより装置として過剰な余裕をとることなく設
計をすることが可能となる。
【００７５】本発明の請求項５記載の半導体素子スタッ
クでは、請求項４記載の半導体素子スタックと同様な効
果に加え、加圧力分布の最適化、形状、重量の最適化が
可能となる。
クでは、請求項４記載の半導体素子スタックと同様な効
果に加え、加圧力分布の最適化、形状、重量の最適化が
可能となる。
【００７６】本発明の請求項６記載の半導体素子スタッ
クでは、請求項４、５で用いたディスクの代わりに、導
電材料によるばねを挿入することにより、無荷重の状態
では、ばねの凸側が小径ポスト面素子と接する冷却体の
反対側の面に接し、ばねの凹側が大径ポスト面の素子と
接する冷却体の反対側の面に接し、所定の加圧力が加え
られると、ばねが完全につぶれて、全面で接触してい
る。このばねの反力により、大径ポスト面の素子の円周
部分の加圧力を増加させる。よって、ＧＴＯ８のポスト
面での圧力分布において、極端な圧力差のある部分がな
くなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均等とする構造が実現
し、ＧＴＯの能力を十に活用することができる。これに
より装置として過剰な余裕をとることなく設計をするこ
とが可能となる。
クでは、請求項４、５で用いたディスクの代わりに、導
電材料によるばねを挿入することにより、無荷重の状態
では、ばねの凸側が小径ポスト面素子と接する冷却体の
反対側の面に接し、ばねの凹側が大径ポスト面の素子と
接する冷却体の反対側の面に接し、所定の加圧力が加え
られると、ばねが完全につぶれて、全面で接触してい
る。このばねの反力により、大径ポスト面の素子の円周
部分の加圧力を増加させる。よって、ＧＴＯ８のポスト
面での圧力分布において、極端な圧力差のある部分がな
くなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均等とする構造が実現
し、ＧＴＯの能力を十に活用することができる。これに
より装置として過剰な余裕をとることなく設計をするこ
とが可能となる。
【００７７】本発明の請求項７記載の半導体素子スタッ
クでは、調心手段と、絶縁座と、絶縁座に接触する冷却
体と、冷却体の絶縁座の接触面とは反対側の面に接触す
る平型半導体素子との関係が、式を満たすようにするこ
とにより、半導体スタックのスタッキング積層体への力
の伝達が効率よく伝達される。よって、ＧＴＯ８のポス
ト面での圧力分布において、極端な圧力差のある部分が
なくなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均等とする構造が実現
し、ＧＴＯの能力を十に活用することができる。これに
より装置として過剰な余裕をとることなく設計をするこ
とが可能となる。
クでは、調心手段と、絶縁座と、絶縁座に接触する冷却
体と、冷却体の絶縁座の接触面とは反対側の面に接触す
る平型半導体素子との関係が、式を満たすようにするこ
とにより、半導体スタックのスタッキング積層体への力
の伝達が効率よく伝達される。よって、ＧＴＯ８のポス
ト面での圧力分布において、極端な圧力差のある部分が
なくなり、ほぼ圧接力分布をほぼ均等とする構造が実現
し、ＧＴＯの能力を十に活用することができる。これに
より装置として過剰な余裕をとることなく設計をするこ
とが可能となる。
【００７８】
【図１】第１実施例の半導体素子スタックの正面図。
【図２】第１実施例の半導体素子スタックの一部分の拡
大図。
大図。
【図３】図１の半導体素子スタックの矢視Ａの面におけ
る圧接力分布図。
る圧接力分布図。
【図４】第２実施例の半導体素子スタックの一部分の拡
大図。
大図。
【図５】第３実施例の半導体素子スタックの一部分の拡
大図。
大図。
【図６】第４実施例の半導体素子スタックの正面図。
【図７】第４実施例の半導体素子スタックの一部分の拡
大図。
大図。
【図８】第５実施例の半導体素子スタックの正面図。
【図９】第５実施例の半導体素子スタックの一部分の拡
大図。
大図。
【図１０】第６実施例の半導体素子スタックの一部分の
拡大図。
拡大図。
【図１１】第７実施例の半導体素子スタックの一部分の
拡大図。
拡大図。
【図１２】第７実施例の半導体素子スタックの矢視Ａの
面における圧接力分布図。
面における圧接力分布図。
【図１３】代表的なインバータ装置の主回路図。
【図１４】インバータ回路の１相分のブリッジ回路図。
【図１５】従来の半導体素子スタックを示す正面図。
【図１６】従来の半導体素子スタックを示す側面図。
【図１７】従来の半導体素子スタックの矢視Ａの面にお
ける圧接力分布図。
ける圧接力分布図。
【符号の説明】 ８…ＧＴＯ ９…フリーホイーリングダイオード １４…スタック １５…水冷ヒートシン
ク １６…押さえ板 １７…球面部品 １８…絶縁座 １９…皿バネ ２０…スタッド ２１…ロックナット ２２…接続導体 ２３…ディスク ２４…皿バネ ２５…平型半導体素子
ク １６…押さえ板 １７…球面部品 １８…絶縁座 １９…皿バネ ２０…スタッド ２１…ロックナット ２２…接続導体 ２３…ディスク ２４…皿バネ ２５…平型半導体素子
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−30726（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−89062（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−74279（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭53−135599（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H02M 1/00 H02M 7/04
Claims (7)
- 【請求項１】 ポスト径の異なる複数個の平型半導体素
子とこれらの半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複
数個の冷却体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子
を備えた積層体と、この積層体を圧接保持する圧接保持
部とからなる半導体素子スタックにおいて、前記複数個
の冷却体のうち任意の冷却体と、前記冷却体を介して隣
合う第１の平型半導体素子と第２の平型半導体素子の関
係が、 φＤ２−φＤ１＜２×（ｔFin −ｈ） φＤ１：第１の平型半導体素子のポスト径 φＤ２：第２の平型半導体素子のポスト径 ｔFin ：第１と第２の平型半導体素子に挟まれた冷却体
の厚さ ｈ ：第１と第２の平型半導体素子に挟まれた冷却体
の冷却水溝の高さ となることを特徴とする半導体素子スタック。 - 【請求項２】 前記冷却体の冷却水溝の位置を、前記第
１の平型半導体素子と前記第２の平型半導体素子のうち
発熱量の大きい平型半導体素子に近い位置にしたことを
特徴とする請求項１記載の半導体素子スタック。 - 【請求項３】 ポスト径の異なる複数個の平型半導体素
子とこれらの半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複
数個の冷却体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子
を備えた積層体と、この積層体を圧接保持する圧接保持
部とからなる半導体素子スタックにおいて、ポスト径の
異なる第１の平型半導体素子と第２の平型半導体素子と
の間に、２つの第１の冷却体と第２の冷却体とを挟む構
成とし、前記第１の平型半導体素子と前記第２の平型半
導体素子と前記第１の冷却体と前記第２の冷却体との関
係が、 ｔFin １＋ｔFin ２＞（φＤ２−φＤ１）／２＋ｈ１＋
ｈ２ φＤ１ ：第１の平型半導体素子のポスト径 φＤ２ ：第２の平型半導体素子のポスト径 ｔFin １：第１の冷却体の厚さ ｔFin ２：第２の冷却体の厚さ ｈ１ ：第１の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ ｈ２ ：第２の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ となることを特徴とする半導体素子スタック。 - 【請求項４】 ポスト径の異なる複数個の平型半導体素
子とこれらの半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複
数個の冷却体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子
を備えた積層体と、この積層体を圧接保持する圧接保持
部とからなる半導体素子スタックにおいて、ポスト径の
異なる第１の平型半導体素子と第２の平型半導体素子と
の間に、２つの第１の冷却体と第２の冷却体とを挟み、
更に、前記第１の冷却体と前記第２の冷却体との間に導
電性のディスクを設けたことを特徴とする半導体素子ス
タック。 - 【請求項５】 前記第１の平型半導体素子と前記第２の
平型半導体素子と前記第１の冷却体と前記第２の冷却体
と前記ディスクとの関係が、 φＤDisk＞φＤ２−２×（ｔFin2−ｈ２） ｔDisk＋ｔFin １＋ｔFin ２＞（φＤ２−φＤ１）／２
＋ｈ１＋ｈ２ φＤ１ ：第１の平型半導体素子のポスト径 φＤ２ ：第２の平型半導体素子のポスト径 φＤDisk：ディスクの圧接面の径 ｔDisk ：ディスクの厚み ｔFin １：第１の冷却体の厚さ ｔFin ２：第２の冷却体の厚さ ｈ１ ：第１の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ ｈ２ ：第２の冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ となることを特徴とする請求項４記載の半導体素子スタ
ック。 - 【請求項６】 前記ディスクの代わりに導電性のばねを
用いたことを特徴とする請求項４または請求項５記載の
半導体素子スタック。 - 【請求項７】 ポスト径の異なる複数個の平型半導体素
子とこれらの半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複
数個の冷却体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子
を備えた積層体と、この積層体を圧接保持する少なくと
もスタックの中心を調節する調心手段と積層体に接触す
る絶縁座とを有する圧接保持部とからなる半導体素子ス
タックにおいて、前記調心手段と、前記絶縁座と、前記
絶縁座に接触する冷却体と、前記冷却体の前記絶縁座の
接触面とは反対側の面に接触する平型半導体素子との関
係が、 φＤZ ＞φＤD −２×（ｔFin −ｈ） ｔZ ＞（φＤD −φＤP ）／２ φＤZ ：絶縁座の径 φＤD ：平型半導体素子のポスト面径 φＤP ：調心手段と絶縁座の接触径 ｔZ ：絶縁座の厚み ｔFin ：冷却体の厚み ｈ ：冷却体の厚み方向の冷却水溝の高さ となることを特徴とする半導体素子スタック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13091695A JP3199349B2 (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 半導体素子スタック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13091695A JP3199349B2 (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 半導体素子スタック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08331835A JPH08331835A (ja) | 1996-12-13 |
| JP3199349B2 true JP3199349B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=15045741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13091695A Expired - Fee Related JP3199349B2 (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 半導体素子スタック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3199349B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101924485A (zh) * | 2010-09-26 | 2010-12-22 | 荆州市金茂自动化技术有限公司 | 双联水冷超大电流整流组件 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3371069B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2003-01-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体スイッチング装置、これを使用した半導体スタック装置および電力変換装置 |
| JP3371070B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2003-01-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体スイッチング装置、これを使用した半導体スタック装置および電力変換装置 |
| JP3422211B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2003-06-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体スイッチング装置、これを使用した半導体スタック装置および電力変換装置 |
| JPH10271804A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体スイッチング装置、これを使用した半導体スタック装置および電力変換装置 |
| JP3371068B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2003-01-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体スイッチング装置、これを使用した半導体スタック装置および電力変換装置 |
| JP3376243B2 (ja) * | 1997-05-09 | 2003-02-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体スイッチング装置、これを使用した半導体スタック装置および電力変換装置 |
| JP3376245B2 (ja) * | 1997-05-22 | 2003-02-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体スイッチング装置、これを使用した半導体スタック装置および電力変換装置 |
| JP3410011B2 (ja) * | 1998-01-23 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | 平型半導体素子用スタック |
| JP3390679B2 (ja) * | 1998-11-16 | 2003-03-24 | 三菱電機株式会社 | インバータ装置 |
| JP3553396B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2004-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子スタックおよび電力変換装置 |
| JP3502560B2 (ja) * | 1999-02-22 | 2004-03-02 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
| EP1321744A4 (en) * | 2000-09-19 | 2005-09-07 | Honda Motor Co Ltd | REVERSE POSITION DETECTOR AND MOTOR SUPPLIED WITH REVERSE POSITION DETECTOR |
| JP5440324B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-03-12 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
| JP5644712B2 (ja) * | 2011-08-01 | 2014-12-24 | 株式会社デンソー | 電源装置 |
| JP5928269B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2016-06-01 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
| JP6111206B2 (ja) * | 2014-01-06 | 2017-04-05 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置 |
| CN104333237A (zh) * | 2014-11-13 | 2015-02-04 | 北京荣信慧科科技有限公司 | 一种整流单元结构 |
| JP6491528B2 (ja) * | 2015-04-24 | 2019-03-27 | 株式会社日立製作所 | 電力変換装置 |
| JP6392451B2 (ja) * | 2015-04-27 | 2018-09-19 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 圧接型半導体素子用スタック |
| JP2017188622A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018137918A (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
| JP6424930B2 (ja) * | 2017-09-01 | 2018-11-21 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
| CN108075620B (zh) * | 2018-01-02 | 2024-04-09 | 清华四川能源互联网研究院 | 一种igct晶闸管构成的大功率单元结构 |
| CN113675179A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-11-19 | 西安西电电力系统有限公司 | 一种接有压装式水冷电抗器的硅堆结构 |
-
1995
- 1995-05-30 JP JP13091695A patent/JP3199349B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| CN101924485A (zh) * | 2010-09-26 | 2010-12-22 | 荆州市金茂自动化技术有限公司 | 双联水冷超大电流整流组件 |
| CN101924485B (zh) * | 2010-09-26 | 2013-06-12 | 荆州市金茂自动化技术有限公司 | 双联水冷超大电流整流组件 |
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