JP3191479B2 - バイポーラトランジスタの製造方法 - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバイポーラトランジスタ
の製造方法に関し、特に高速バイポーラトランジスタの
構造の製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に高速バイポーラトランジスタの
構造の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】バイポーラトランジスタの高速動作を可
能とするためにバイポーラトランジスタの寄生容量及び
ベース抵抗を低減させるようにバイポーラトランジスタ
の横方向の縮小化が進められてきた。この様な背景の中
で生まれてきたのが図５に示す２層多結晶シリコン（ベ
ース引き出しＰ型多結晶シリコン１０，エミッタＮ型多
結晶シリコン１７）で外部ベース拡散領２２とエミッタ
拡散領域２３との自己整合化を図ったバイポーラトラン
ジスタ製造技術である。
能とするためにバイポーラトランジスタの寄生容量及び
ベース抵抗を低減させるようにバイポーラトランジスタ
の横方向の縮小化が進められてきた。この様な背景の中
で生まれてきたのが図５に示す２層多結晶シリコン（ベ
ース引き出しＰ型多結晶シリコン１０，エミッタＮ型多
結晶シリコン１７）で外部ベース拡散領２２とエミッタ
拡散領域２３との自己整合化を図ったバイポーラトラン
ジスタ製造技術である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のバイポ
ーラトランジスタは図５に示すように外部ベース拡散領
域２２のコンタクトを平面上にとっているため、平面上
でのベース拡散領域が大きくなってしまう問題があっ
た。また、外部ベース拡散領域２２をベース引き出しＰ
型多結晶シリコン１０からの不純物拡散により形成して
いるため、ベース引き出しＰ型多結晶シリコン１０中に
は、多量のＰ型不純物が導入されていて、図６（ａ）
（ｂ）に示すように、従来構造のバイポーラトランジス
タはベース引き出しＰ型多結晶シリコンは、ベース拡散
領域（外部ベース拡散領域２２，真性ベース拡散領域２
１含む。）上一面に付くことになるため、エミッタ開口
窓のベース引き出しＰ型多結晶シリコン１０を取り除く
まで、その間の熱履歴（特にベース・エミッタ間層間絶
縁膜１１形成中に加えられる熱）により図６（ｂ）に示
すように、ベース拡散領域一面にＰ型不純物が拡散さ
れ、Ｐ型不純物拡散層２４が形成される。そのため、遮
断周波数ｆT の高い高速バイポーラトランジスタを実現
する浅い真性ベース拡散領域を形成することが、上記の
Ｐ型不純物拡散層２４により実現が困難となる。
ーラトランジスタは図５に示すように外部ベース拡散領
域２２のコンタクトを平面上にとっているため、平面上
でのベース拡散領域が大きくなってしまう問題があっ
た。また、外部ベース拡散領域２２をベース引き出しＰ
型多結晶シリコン１０からの不純物拡散により形成して
いるため、ベース引き出しＰ型多結晶シリコン１０中に
は、多量のＰ型不純物が導入されていて、図６（ａ）
（ｂ）に示すように、従来構造のバイポーラトランジス
タはベース引き出しＰ型多結晶シリコンは、ベース拡散
領域（外部ベース拡散領域２２，真性ベース拡散領域２
１含む。）上一面に付くことになるため、エミッタ開口
窓のベース引き出しＰ型多結晶シリコン１０を取り除く
まで、その間の熱履歴（特にベース・エミッタ間層間絶
縁膜１１形成中に加えられる熱）により図６（ｂ）に示
すように、ベース拡散領域一面にＰ型不純物が拡散さ
れ、Ｐ型不純物拡散層２４が形成される。そのため、遮
断周波数ｆT の高い高速バイポーラトランジスタを実現
する浅い真性ベース拡散領域を形成することが、上記の
Ｐ型不純物拡散層２４により実現が困難となる。
【０００４】
【０００５】
【課題を解決するための手段】 本発明のバイポーラトラ
ンジスタの製造方法は、半導体基板の表面にＮ型半導体
層を形成し、上記Ｎ型半導体層の表面に薄い第１の酸化
膜を形成し、ベース開口窓が形成される領域を覆うシリ
コン窒化膜をマスクにした選択酸化により素子分離用の
第２の酸化膜を形成し、ベース開口窓を形成する工程
と、上記ベース開口窓を内包する姿態の開口パターンを
有する第１のフォトレジストをマスクにした酸化膜のウ
ェットエッチングにより、上記ベース開口窓の縁端部近
傍の前記第２のシリコン酸化膜を除去し、上記ベース開
口窓の縁端部から所定の間隔の上記第１の酸化膜の第１
のアンダーカット部を形成する工程と、上記第１のアン
ダーカット部を充填し、上記シリコン窒化膜の表面を覆
い、上記第２の酸化膜上に延在する姿態を有するベース
引き出しＰ型多結晶シリコンを形成し、上記ベース引き
出しＰ型多結晶シリコンに自己整合的なＰ型の外部ベー
ス拡散領域を上記Ｎ型半導体層の表面に形成する工程
と、エミッタ開口部を形成するための第２のフォトレジ
ストをマスクにして、上記ベース引き出しＰ型多結晶シ
リコンおよび上記シリコン窒化膜をエッチングし、さら
に上記第２のフォトレジスト，上記ベース引き出しＰ型
多結晶シリコン，および上記シリコン窒化膜をマスクに
したウェットエッチングにより上記第１の酸化膜を完全
に除去して上記第１の酸化膜の第２のアンダーカット部
を形成する工程と、上記第２のアンダーカット部を充填
した姿態を有して全面にＢＳＧ膜を形成し、上記ＢＳＧ
膜に自己整合的に前記Ｎ型半導体層の表面にＰ型の真性
ベース拡散領域を形成する工程と、上記ＢＳＧ膜をエッ
チバックして上記第２のアンダーカット部にのみ上記Ｂ
ＳＧ膜を残留形成し、上記エミッタ開口窓の側面にシリ
コン絶縁膜からなるスペーサを形成し、残留形成された
上記ＢＳＧ膜に自己整合的に上記真性ベース拡散領域の
表面にＰ型のリンクベース拡散領域を形成し、上記スペ
ーサに自己整合的に上記真性ベース拡散領域の表面にＮ
型のエミッタ拡散領域を形成する工程と、を有する。
ンジスタの製造方法は、半導体基板の表面にＮ型半導体
層を形成し、上記Ｎ型半導体層の表面に薄い第１の酸化
膜を形成し、ベース開口窓が形成される領域を覆うシリ
コン窒化膜をマスクにした選択酸化により素子分離用の
第２の酸化膜を形成し、ベース開口窓を形成する工程
と、上記ベース開口窓を内包する姿態の開口パターンを
有する第１のフォトレジストをマスクにした酸化膜のウ
ェットエッチングにより、上記ベース開口窓の縁端部近
傍の前記第２のシリコン酸化膜を除去し、上記ベース開
口窓の縁端部から所定の間隔の上記第１の酸化膜の第１
のアンダーカット部を形成する工程と、上記第１のアン
ダーカット部を充填し、上記シリコン窒化膜の表面を覆
い、上記第２の酸化膜上に延在する姿態を有するベース
引き出しＰ型多結晶シリコンを形成し、上記ベース引き
出しＰ型多結晶シリコンに自己整合的なＰ型の外部ベー
ス拡散領域を上記Ｎ型半導体層の表面に形成する工程
と、エミッタ開口部を形成するための第２のフォトレジ
ストをマスクにして、上記ベース引き出しＰ型多結晶シ
リコンおよび上記シリコン窒化膜をエッチングし、さら
に上記第２のフォトレジスト，上記ベース引き出しＰ型
多結晶シリコン，および上記シリコン窒化膜をマスクに
したウェットエッチングにより上記第１の酸化膜を完全
に除去して上記第１の酸化膜の第２のアンダーカット部
を形成する工程と、上記第２のアンダーカット部を充填
した姿態を有して全面にＢＳＧ膜を形成し、上記ＢＳＧ
膜に自己整合的に前記Ｎ型半導体層の表面にＰ型の真性
ベース拡散領域を形成する工程と、上記ＢＳＧ膜をエッ
チバックして上記第２のアンダーカット部にのみ上記Ｂ
ＳＧ膜を残留形成し、上記エミッタ開口窓の側面にシリ
コン絶縁膜からなるスペーサを形成し、残留形成された
上記ＢＳＧ膜に自己整合的に上記真性ベース拡散領域の
表面にＰ型のリンクベース拡散領域を形成し、上記スペ
ーサに自己整合的に上記真性ベース拡散領域の表面にＮ
型のエミッタ拡散領域を形成する工程と、を有する。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１は、本発明の第１の実施例により得ら
れたバイポーラトランジスタの断面図である。外部ベー
ス拡散領域１４とベース引き出しＰ型多結晶シリコン１
０とのコンタクトは、ベース拡散領域の外側のコーナー
部でとられている。またリンクベース拡散領域１５上に
ＢＳＧ膜１２が形成されている。
れたバイポーラトランジスタの断面図である。外部ベー
ス拡散領域１４とベース引き出しＰ型多結晶シリコン１
０とのコンタクトは、ベース拡散領域の外側のコーナー
部でとられている。またリンクベース拡散領域１５上に
ＢＳＧ膜１２が形成されている。
【０００８】バイポーラトランジスタの製造工程の断面
図である図２，図３を参照すると、第１の実施例の製造
方法によりバイポーラトランジスタは、以下のように形
成される。
図である図２，図３を参照すると、第１の実施例の製造
方法によりバイポーラトランジスタは、以下のように形
成される。
【０００９】まず、Ｐ型半導体基板１上にコレクタとな
るＮ+ 型不純物ヒ素を有する埋込ヒ素２を形成し、その
Ｎ型不純物を有するエピタキシャル層３（膜厚０．５〜
２μｍ）を形成する。次にＰ型不純物を有する素子分離
領域３ａを形成する。次に、熱酸化により第１のシリコ
ン酸化膜４（膜厚３０〜８０ｎｍ）を全面に形成する。
その後、第１のシリコン窒化膜５（膜厚５０〜１５０ｎ
ｍ）を形成し、素子領域となる部分にのみ残すようにエ
ッチングする。次に、熱酸化工程にシリコン窒化膜５の
取り除かれた部分に第２の酸化膜からなるＳｉＯ2 素子
分離領域７（膜厚４００〜７００ｎｍ）を形成する。次
に、コレクタ部のシリコン窒化膜５を除去する。次に、
フォトレジスト８ａをマスクにしたリンイオン注入と熱
処理とにより、コレクタ引き出しＮ+ 拡散層９を形成す
る〔図２（ａ）〕。
るＮ+ 型不純物ヒ素を有する埋込ヒ素２を形成し、その
Ｎ型不純物を有するエピタキシャル層３（膜厚０．５〜
２μｍ）を形成する。次にＰ型不純物を有する素子分離
領域３ａを形成する。次に、熱酸化により第１のシリコ
ン酸化膜４（膜厚３０〜８０ｎｍ）を全面に形成する。
その後、第１のシリコン窒化膜５（膜厚５０〜１５０ｎ
ｍ）を形成し、素子領域となる部分にのみ残すようにエ
ッチングする。次に、熱酸化工程にシリコン窒化膜５の
取り除かれた部分に第２の酸化膜からなるＳｉＯ2 素子
分離領域７（膜厚４００〜７００ｎｍ）を形成する。次
に、コレクタ部のシリコン窒化膜５を除去する。次に、
フォトレジスト８ａをマスクにしたリンイオン注入と熱
処理とにより、コレクタ引き出しＮ+ 拡散層９を形成す
る〔図２（ａ）〕。
【００１０】次に、ベース部のシリコン窒化膜５から１
〜３μｍ外側を第１のフォトレジスト８ｂで保護し、等
方性エッチング（ウェットエッチ）によりＳｉＯ2 素子
分離領域７のバースビーク部の少なくとも一部を除去す
るとともに、シリコン窒化膜５直下のシリコン酸化膜４
に所要幅の第１のアンダーカット部を形成し、ＳｉＯ2
素子分離領域７と接するベース部のＮ型エピタキシャル
層３面を出す〔図２（ｂ）〕。
〜３μｍ外側を第１のフォトレジスト８ｂで保護し、等
方性エッチング（ウェットエッチ）によりＳｉＯ2 素子
分離領域７のバースビーク部の少なくとも一部を除去す
るとともに、シリコン窒化膜５直下のシリコン酸化膜４
に所要幅の第１のアンダーカット部を形成し、ＳｉＯ2
素子分離領域７と接するベース部のＮ型エピタキシャル
層３面を出す〔図２（ｂ）〕。
【００１１】次に、フォトレジスト８ｂを除去した後、
ベース引き出しＰ型多結晶シリコン１０（膜厚１００〜
３００ｎｍ）を全面に成長させ、フォトリソグラフィー
技術と異方性エッチング（ドライエッチ）により外部に
ベースコンタクトが取り出さるようにパターニングす
る。このベース引き出しＰ型多結晶シリコン１０は、上
記第１のアンダーカット部を埋設する〔図２（ｃ）〕。
ベース引き出しＰ型多結晶シリコン１０（膜厚１００〜
３００ｎｍ）を全面に成長させ、フォトリソグラフィー
技術と異方性エッチング（ドライエッチ）により外部に
ベースコンタクトが取り出さるようにパターニングす
る。このベース引き出しＰ型多結晶シリコン１０は、上
記第１のアンダーカット部を埋設する〔図２（ｃ）〕。
【００１２】次に、エミッタ・ベース間層間絶縁膜１１
を形成する。次に、フォトレジスト８ｃをマスクにした
異方性エッチングにより、エミッタ・ベース間層間絶縁
膜１１及びベース引き出しＰ型多結晶シリコン１０を順
次除去しエミッタ開口窓（の一部）を形成する。この
時、シリコン窒化膜５及びシリコン酸化膜４はＮ型エピ
タキシャル層３を保護する膜となる。その後、再びフォ
トレジスト８ｃをマスクにしてシリコン窒化膜５を異方
性エッチング，シリコン酸化膜４を等方性エッチングす
る。このエッチングによりシリコン酸化膜４は完全に除
去され、第２のアンダーカット部が形成される〔図３
（ａ）〕。
を形成する。次に、フォトレジスト８ｃをマスクにした
異方性エッチングにより、エミッタ・ベース間層間絶縁
膜１１及びベース引き出しＰ型多結晶シリコン１０を順
次除去しエミッタ開口窓（の一部）を形成する。この
時、シリコン窒化膜５及びシリコン酸化膜４はＮ型エピ
タキシャル層３を保護する膜となる。その後、再びフォ
トレジスト８ｃをマスクにしてシリコン窒化膜５を異方
性エッチング，シリコン酸化膜４を等方性エッチングす
る。このエッチングによりシリコン酸化膜４は完全に除
去され、第２のアンダーカット部が形成される〔図３
（ａ）〕。
【００１３】フォトレジスト８ｃを除去した後、ＢＳＧ
膜１２（ボロン含有率５〜１５モル％）を全面に成長さ
せ、シリコン窒化膜５とＮ型エピタキシャル層３との間
にできた第２のアンダーカット部をＢＳＧ膜１２で埋め
る。その後、熱処理を行ない、ベース引き出しＰ型多結
晶シリコン１０からのＰ型不純物拡散により外部ベース
拡散領域１４を、ＢＳＧ膜１２からのＰ型不純物拡散に
より真性ベース拡散領域１３を形成する〔図３
（ｂ）〕。
膜１２（ボロン含有率５〜１５モル％）を全面に成長さ
せ、シリコン窒化膜５とＮ型エピタキシャル層３との間
にできた第２のアンダーカット部をＢＳＧ膜１２で埋め
る。その後、熱処理を行ない、ベース引き出しＰ型多結
晶シリコン１０からのＰ型不純物拡散により外部ベース
拡散領域１４を、ＢＳＧ膜１２からのＰ型不純物拡散に
より真性ベース拡散領域１３を形成する〔図３
（ｂ）〕。
【００１４】次に、シリコン窒化膜５とＮ型エピタキシ
ャル層３との間（第２のアンダーカット部）に埋込んだ
ＢＳＧ膜１２のみを残すように等方性エッチングにより
エミッタ開口窓のＢＳＧ膜１２を取り除く。
ャル層３との間（第２のアンダーカット部）に埋込んだ
ＢＳＧ膜１２のみを残すように等方性エッチングにより
エミッタ開口窓のＢＳＧ膜１２を取り除く。
【００１５】次に、エミッタ開口窓のスペーサとして例
えばシリコン窒化膜１６を形成する。シリコン窒化膜の
成長温度でのＢＳＧ膜１２からのＰ型不純物拡散によ
り、真性ベース拡散領域よりも不純物濃度の大きいリン
クベース拡散領域１５が形成される。次に、多結晶シリ
コン（膜厚１００〜４００ｎｍ）成長し、フォトリソグ
ラフィー技術とヒ素イオン注入により、エミッタＮ型多
結晶シリコン１７を形成し、フォトリソグラフィー技術
と異方性エッチングによりパターニングする〔図３
（ｃ）〕。
えばシリコン窒化膜１６を形成する。シリコン窒化膜の
成長温度でのＢＳＧ膜１２からのＰ型不純物拡散によ
り、真性ベース拡散領域よりも不純物濃度の大きいリン
クベース拡散領域１５が形成される。次に、多結晶シリ
コン（膜厚１００〜４００ｎｍ）成長し、フォトリソグ
ラフィー技術とヒ素イオン注入により、エミッタＮ型多
結晶シリコン１７を形成し、フォトリソグラフィー技術
と異方性エッチングによりパターニングする〔図３
（ｃ）〕。
【００１６】次に、層間絶縁膜１８を形成し、熱処理を
行ない、エミッタＮ型多結晶シリコン１７からのＮ型不
純物によりエミッタ拡散領域１９を形成する。その後、
コンタクトホールを開孔，アルミ等の金属膜２１で配線
を形成し、図１に示したＮＰＮバイポーラトランジスタ
を得る。
行ない、エミッタＮ型多結晶シリコン１７からのＮ型不
純物によりエミッタ拡散領域１９を形成する。その後、
コンタクトホールを開孔，アルミ等の金属膜２１で配線
を形成し、図１に示したＮＰＮバイポーラトランジスタ
を得る。
【００１７】バイポーラトランジスタの断面図である図
４を参照すると、本発明の第２の実施例は、上記第１の
実施例に対してエミッタ開口窓の低濃度ＢＳＧ膜スペー
サ２５下に真性ベース拡散領域１３よりも不純物濃度が
高く，外部ベース拡散領域１４よりも不純物濃度が低い
低濃度リンクベース拡散領域２６が、低濃度ＢＳＧ膜ス
ペーサ２４からの不純物拡散により形成されている。こ
れにより低濃度ＢＳＧ膜スペーサ２５下のベース抵抗成
分を上記第１の実施例よりもさらに低減することができ
る。
４を参照すると、本発明の第２の実施例は、上記第１の
実施例に対してエミッタ開口窓の低濃度ＢＳＧ膜スペー
サ２５下に真性ベース拡散領域１３よりも不純物濃度が
高く，外部ベース拡散領域１４よりも不純物濃度が低い
低濃度リンクベース拡散領域２６が、低濃度ＢＳＧ膜ス
ペーサ２４からの不純物拡散により形成されている。こ
れにより低濃度ＢＳＧ膜スペーサ２５下のベース抵抗成
分を上記第１の実施例よりもさらに低減することができ
る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、従来のバ
イポーラトランジスタに対して、選択酸化によって素子
分離のための酸化膜を形成する時に用いる絶縁膜を後工
程の酸化膜の等方性エッチングの保護膜として使うこと
により、ベース拡散領域外周の端部の平面及び縦方向に
鍵状に外部ベース拡散領域とベース引き出しＰ型多結晶
シリコンのコンタクトを形成することができ、外部ベー
ス拡散領域の平面方向の大きさをベース抵抗を上げず、
縮小することができ、ベース・コレクタ接合容量を低減
するという効果を有する。また、上記絶縁膜をベース拡
散領域上に残すので、ベース引き出しＰ型多結晶シリコ
ンからの外部ベース拡散領域外のベース拡散領域中への
不純物拡散を防ぐので、後工程での不純物拡散により浅
い真性ベース拡散領域を形成することができ、遮断周波
数ｆT を高くすることができるという効果を有する。ま
た真性ベース拡散領域と外部ベース拡散領域との間のリ
ンクベース拡散領域上にＢＳＧ膜を残すので、不純物濃
度が真性ベース拡散領域よりも高く，外部ベース拡散領
域よりも低いリンクベース拡散領域を形成でき、遮断周
波数ｆT を低げずにベース抵抗を下げるという効果を有
する。また、リンクベース拡散領域を備えているので高
不純物濃度の外部ベース拡散領域を、エミッタ拡散領域
から離せエミッタ・ベース間のＰＮ接合順方向の耐圧を
下げずにすむという効果を有する。
イポーラトランジスタに対して、選択酸化によって素子
分離のための酸化膜を形成する時に用いる絶縁膜を後工
程の酸化膜の等方性エッチングの保護膜として使うこと
により、ベース拡散領域外周の端部の平面及び縦方向に
鍵状に外部ベース拡散領域とベース引き出しＰ型多結晶
シリコンのコンタクトを形成することができ、外部ベー
ス拡散領域の平面方向の大きさをベース抵抗を上げず、
縮小することができ、ベース・コレクタ接合容量を低減
するという効果を有する。また、上記絶縁膜をベース拡
散領域上に残すので、ベース引き出しＰ型多結晶シリコ
ンからの外部ベース拡散領域外のベース拡散領域中への
不純物拡散を防ぐので、後工程での不純物拡散により浅
い真性ベース拡散領域を形成することができ、遮断周波
数ｆT を高くすることができるという効果を有する。ま
た真性ベース拡散領域と外部ベース拡散領域との間のリ
ンクベース拡散領域上にＢＳＧ膜を残すので、不純物濃
度が真性ベース拡散領域よりも高く，外部ベース拡散領
域よりも低いリンクベース拡散領域を形成でき、遮断周
波数ｆT を低げずにベース抵抗を下げるという効果を有
する。また、リンクベース拡散領域を備えているので高
不純物濃度の外部ベース拡散領域を、エミッタ拡散領域
から離せエミッタ・ベース間のＰＮ接合順方向の耐圧を
下げずにすむという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例により得られたバイポー
ラトランジスタの断面図である。
ラトランジスタの断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の製造工程の断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の第１の実施例の製造工程の断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第２の実施例の断面図である。
【図５】従来のバイポーラトランジスタの断面図であ
る。
る。
【図６】従来のバイポーラトランジスタの問題点を説明
するための製造工程の断面図である。
するための製造工程の断面図である。
１ Ｐ型シリコン基板 ２ 埋込みヒ素層 ３ Ｎ型エピタキシャル層 ３ａ 素子分離領域 ４ シリコン酸化膜 ５，１６ シリコン窒化膜 ６ Ｐ+ ボロン領域 ７ ＳｉＯ2 素子分離領域 ８ａ，８ｂ，８ｃ フォトレジスト ９ コレクタ引き出しＮ+ 拡散層 １０ ベース引き出しＰ型多結晶シリコン １１ エミッタ・ベース間層間絶縁膜 １２ ＢＳＧ膜 １３，２１ 真性ベース拡散領域 １４，２２ 外部ベース拡散領域 １５ リンクベース拡散領域 １７ エミッタ多結晶シリコン １８ 層間絶縁膜 １９，２３ エミッタ拡散領域 ２０ アルミ等の配線金属 ２４ Ｐ型不純物拡散領域 ２５ 低濃度ＢＳＧスペーサ ２６ 低濃度リンクベース領域
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の表面にＮ型半導体層を形成
し、前記Ｎ型半導体層の表面に薄い第１の酸化膜を形成
し、ベース開口窓が形成される領域を覆うシリコン窒化
膜をマスクにした選択酸化により素子分離用の第２の酸
化膜を形成し、ベース開口窓を形成する工程と、 前記ベース開口窓を内包する姿態の開口パターンを有す
る第１のフォトレジストをマスクにした酸化膜のウェッ
トエッチングにより、前記ベース開口窓の縁端部近傍の
前記第２のシリコン酸化膜を除去し、前記ベース開口窓
の縁端部から所定の間隔の前記第１の酸化膜の第１のア
ンダーカット部を形成する工程と、 前記第１のアンダーカット部を充填し、前記シリコン窒
化膜の表面を覆い、前記第２の酸化膜上に延在する姿態
を有するベース引き出しＰ型多結晶シリコンを形成し、
前記ベース引き出しＰ型多結晶シリコンに自己整合的な
Ｐ型の外部ベース拡散領域を前記Ｎ型半導体層の表面に
形成する工程と、 エミッタ開口部を形成するための第２のフォトレジスト
をマスクにして、前記ベース引き出しＰ型多結晶シリコ
ンおよび前記シリコン窒化膜をエッチングし、さらに前
記第２のフォトレジスト，前記ベース引き出しＰ型多結
晶シリコン，および前記シリコン窒化膜をマスクにした
ウェットエッチングにより前記第１の酸化膜を完全に除
去して前記第１の酸化膜の第２のアンダーカット部を形
成する工程と、 前記第２のアンダーカット部を充填した姿態を有して全
面にＢＳＧ膜を形成し、前記ＢＳＧ膜に自己整合的に前
記Ｎ型半導体層の表面にＰ型の真性ベース拡散領域を形
成する工程と、 前記ＢＳＧ膜をエッチバックして前記第２のアンダーカ
ット部にのみ前記ＢＳＧ膜を残留形成し、前記エミッタ
開口窓の側面にシリコン絶縁膜からなるスペーサを形成
し、残留形成された前記ＢＳＧ膜に自己整合的に前記真
性ベース拡散領域の表面にＰ型のリンクベース拡散領域
を形成し、前記スペーサに自己整合的に前記真性ベース
拡散領域の表面にＮ型のエミッタ拡散領域を形成する工
程と、を有することを特徴とするバイポーラトランジス
タの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07597693A JP3191479B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
| US08/220,918 US5376564A (en) | 1993-04-01 | 1994-03-31 | Method of manufacturing a bipolar transistor having a decreased collector-base capacitance |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07597693A JP3191479B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291126A JPH06291126A (ja) | 1994-10-18 |
| JP3191479B2 true JP3191479B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=13591792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07597693A Expired - Fee Related JP3191479B2 (ja) | 1993-04-01 | 1993-04-01 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5376564A (ja) |
| JP (1) | JP3191479B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4262726B2 (ja) | 2005-08-24 | 2009-05-13 | 任天堂株式会社 | ゲームコントローラおよびゲームシステム |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS642362A (en) * | 1987-06-24 | 1989-01-06 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| KR910005403B1 (ko) * | 1988-09-23 | 1991-07-29 | 삼성전자 주식회사 | 고성능 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US5227317A (en) * | 1989-04-21 | 1993-07-13 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit bipolar transistor device |
| JPH02280340A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-01 JP JP07597693A patent/JP3191479B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-31 US US08/220,918 patent/US5376564A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06291126A (ja) | 1994-10-18 |
| US5376564A (en) | 1994-12-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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