JP3135130B2

JP3135130B2 - 磁気媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JP3135130B2
Application number: JP03034935A
Authority: JP
Inventors: 雅之外川; 潔外山
Original assignee: 帝人製機株式会社
Priority date: 1991-03-01
Filing date: 1991-03-01
Publication date: 2001-02-13
Anticipated expiration: 2016-02-13
Also published as: JPH04274308A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気媒体に関し、例え
ば、磁気スケールや直動型電動機の磁気パターンとして
用いられる磁気媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、磁気記録・再生装置において
は、電磁石等からなる磁気ヘッドおよび微小磁石等から
なる磁性体が用いられる。磁気記録の場合、磁気ヘッド
は記録情報に対応して変化する磁界を発生し、磁界中を
移動する磁性体に残留磁気の位置的変化を生じさせて、
磁性体に情報を記録する。一方、磁気再生の場合、磁気
ヘッドは、磁性体の残留磁気の位置的変化を電圧変化と
して検出して、磁性体から記録情報を再生する。

【０００３】上述の磁気記録・再生の原理は、磁気セン
サにも利用されている。すなわち、記録用磁気ヘッドに
より所定の磁気パターンを高い位置精度で製造し、検出
用磁気ヘッドにより磁気パターンを検出して位置情報を
得るようにしている。ここで、従来の磁気媒体の製造方
法の一例として、直線型の磁気パターンを製造する場合
の例を説明する。

【０００４】まず、図２１に示される磁気パターン製造
装置１を準備する。磁気パターン製造装置１は位置検出
器２、連動部材３、４、アクチュエータ５、磁気ヘッド
６およびＩ／Ｖ回路（電流電圧変換回路）７から構成さ
れる。磁気記録媒体８は、位置検出器２とアクチュエー
タ５とに連動部材３および４で連結されている。アクチ
ュエータ５は磁気記録媒体８を図２１の矢印Ａ、Ｂ方向
に高い位置精度で移動させ、位置検出器２で磁気記録媒
体８の位置を検出する。

【０００５】次いで、アクチュエータ５により磁気記録
媒体８を所定位置に移動させて固定し、磁気ヘッド６の
先端を磁気記録媒体８に接触させる。次いで、磁気ヘッ
ド６のコイルにＩ／Ｖ回路７から電流を流して磁界を発
生させ、磁気ヘッド６の先端の空隙部近傍の磁気記録媒
体８を着磁する。次いで、アクチュエータ５により磁気
記録媒体８を他の位置に移動させる。詳しくは、移動中
の磁気記録媒体８の位置は位置検出器２により検出され
ており、アクチュエータ５は位置検出器２の検出結果に
基づいて磁気記録媒体８を所望の位置に移動させ固定す
る。次いで、上述同様に磁気ヘッド６により磁気記録媒
体８を着磁する。以下、同様に磁気記録媒体８の所定部
分を全て着磁すると、所定の磁気パターンを有する磁気
記録媒体８が製造される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の磁気媒体およびその製造方法にあっては、磁
気媒体が例えば磁気スケールである場合、下述のような
理由のため、磁気検出時の検出信号のＳ／Ｎ比が小さく
なり、また磁気検出の分解能の向上が困難になり、さら
に製造時間が増大するといった問題点があった。

【０００７】すなわち、磁気記録媒体８を着磁するとき
磁気ヘッド６の漏れ磁束を利用しているため、磁気記録
媒体８に強い磁界を与えることができなく、スケールと
して使用して位置を検出するときの信号のＳ／Ｎ比が小
さくなる。また、磁気スケールの分解能が磁気ヘッド６
の着磁精度により決るため、分解能を向上するには製造
装置に多額の設備投資が必要になり、分解能の向上が困
難になる。さらに、磁気記録媒体８に磁気パターンを形
成するのに何回も着磁作業が必要になり、磁気スケール
を製造するのに長時間を要する。

【０００８】そこで、本発明は、基板に形成されたピッ
トに段差を設け、または、ピットをを構成する複数の溝
のうち少なくとも一つの溝の深さを残りの溝の深さと異
なるようにすることにより、磁気検出時の検出信号のＳ
／Ｎ比を大きくし、また磁気検出の分解能を向上し、さ
らに製造時間を短縮することができる磁気媒体およびそ
の製造方法を提供することを課題としている。なお、本
発明におけるピットおよび溝は、底面を有する穴状のも
のおよび貫通した穴状のもののどちらであってもよい。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
上記課題を解決するため、ピットを有する基板と、前記
ピットに埋設された磁性体と、を備えた磁気媒体であっ
て、前記ピットに段差を形成したことを特徴とするもの
である。請求項２記載の発明は、上記課題を解決するた
め、ピットを有する基板と、前記ピットに埋設された磁
性体と、を備えた磁気媒体であって、前記ピットが互い
に近接した複数の溝から構成され、複数の溝のうち少な
くとも一つの溝の深さが残りの溝の深さと異なることを
特徴とするものである。

【００１０】請求項３記載の発明は、上記課題を解決す
るため、所定パターンに配置されたピットを有する基板
と、前記ピットに埋設された磁性体と、を備え、磁気パ
ターンとして用いられる磁気媒体であって、前記ピット
の深さがピットの所定断面の中央に向うにしたがって段
階的に大きくなるように、ピットに複数の段差を形成し
たことを特徴とするものである。

【００１１】請求項４記載の発明は、上記課題を解決す
るため、所定パターンに配置されたピットを有する基板
と、前記ピットに埋設された磁性体と、を備え、磁気パ
ターンとして用いられる磁気媒体であって、前記ピット
が互いに近接して並ぶ３個以上の溝から構成され、前記
３個以上の溝のうち中央寄りの溝の深さが大きくなるよ
うにしたことを特徴とするものである。

【００１２】請求項５記載の発明は、上記課題を解決す
るため、保護被膜を形成した異方性エッチング可能な基
板材料に、フォトエッチングプロセスにより所定パター
ンの第１の溝を蝕刻形成する第１の工程と、第１の工程
で形成された第１の溝内または該溝に隣接した所定部分
に、フォトエッチングプロセスにより第１の溝の深さと
異なる深さを有する所定パターンの第２の溝を形成する
第２の工程と、第１の溝および第２の溝の中に磁性体を
埋め込む第３の工程と、を有することを特徴とするもの
である。

【００１３】請求項６記載の発明は、上記課題を解決す
るため、保護被膜を形成した異方性エッチング可能な基
板材料に、Ｐ型およびＮ型のうちの少なくとも一方の不
純物を所定パターンで導入する第１の工程と、フォトエ
ッチングプロセスを用い、基板材料中の不純物導入部分
と非導入部分との境界の近傍を蝕刻することにより所定
パターンの第１の溝を形成し、基板材料中の不純物導入
部分のみを蝕刻することにより第１の溝の深さと異なる
深さを有する所定パターンの第２の溝を形成する第２の
工程と、前記第１の溝および第２の溝の中に磁性体を埋
め込む第３の工程と、を有することを特徴とするもので
ある。

【００１４】

【作用】請求項１記載の発明では、基板に形成されたピ
ットに磁性体を埋設させることにより、磁性体を強い磁
界で着磁することが可能になり、また分解能の精度が着
磁精度ではなくピットの位置精度によって決り、さらに
基板上にピットが多数有る場合でも、各ピットに埋設さ
れた磁性体を一度に着磁することが可能になる。また一
方、ピットに段差を設けることにより、磁性体の厚さが
段階的に変化し、段差の数や位置を適当に設定すること
によって、磁性体を着磁した場合、磁界強度分布を任意
に設定することが可能になる。

【００１５】請求項２記載の発明では、基板に形成され
たピットに磁性体を埋設させることにより、磁性体を強
い磁界で着磁することが可能になり、また分解能の精度
が着磁精度ではなくピットの位置精度によって決り、さ
らに基板上にピットが多数有る場合でも、各ピットに埋
設された磁性体を一度に着磁することが可能になる。ま
た一方、ピットを構成する複数の溝のうち少なくとも一
つの溝の深さを残りの溝の深さと異なるようにすること
により、磁性体の厚さが断続的に変化し、溝の数や配置
や深さを適当に設定することによって、磁性体を着磁し
た場合、磁界強度分布を任意に設定することが可能にな
る。

【００１６】請求項３記載の発明では、請求項１記載の
発明と同様の作用を示し、また、磁気パターンとして用
いられる磁気媒体において、ピットの深さをピットの所
定断面の中央に向うにしたがって段階的に大きくしたこ
とにより、磁性体の厚さが中央に向うにしたがって段階
的に大きくなり、磁性体を着磁した場合、磁界強度の分
布が均一になる。

【００１７】請求項４記載の発明では、請求項３記載の
発明と同様の作用を示し、また、磁気パターンとして用
いられる磁気媒体において、ピットを構成する３個以上
の溝のうち中央寄りの溝の深さを大きくしたことによ
り、磁性体の厚さが中央に向うにしたがって断続的に大
きくなり、磁性体を着磁した場合、磁界強度の分布が均
一になる。

【００１８】請求項５記載の発明では、異方性エッチン
グ可能な基板材料に、フォトエッチングプロセスによっ
て第１の溝および第２の溝を蝕刻形成し、各溝に磁性体
を埋設しているため、高い精度を有する磁気媒体が容易
に製造され、またフォトリソグラフィーのマスクパター
ンを交換するだけで、各種高精度の磁気媒体が製造され
る。さらに磁性体を着磁する場合、一度に着磁し、各工
程においても一度に多数の基板材料を処理することが可
能になり、また磁性体を強い磁界で着磁することが可能
になる。また一方、第１の溝および第２の溝の深さを異
なるようにしたことにより、請求項１〜請求項４記載の
発明に係る磁気媒体を製造することが可能になる。

【００１９】請求項６記載の発明では、異方性エッチン
グ可能な基板材料に、Ｐ型およびＮ型のうちの少なくと
も一方の不純物を所定パターンで導入した後、第１およ
び第２の溝を形成し、各溝に磁性体を埋設しているた
め、高い精度を有する磁気媒体が容易に製造され、また
フォトリソグラフィーのマスクパターンを交換するだけ
で、各種高精度の磁気媒体が製造される。さらに磁性体
を着磁する場合、一度に着磁し、各工程においても一度
に多数の基板材料を処理することが可能になり、また磁
性体を強い磁界で着磁することが可能になる。また一
方、第１の溝および第２の溝の深さを異なるようにした
ことにより、請求項１〜請求項４記載の発明に係る磁気
媒体を製造することが可能になる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は請求項１記載の発明に係る磁気媒体の一実施例を示
す図である。図１において、30は磁気媒体であり、磁気
媒体30は、基板31と磁性体32から構成される。基板31は
シリコン単結晶基板またはシリコンの単結晶に例えば窒
素またはボロン等の不純物を拡散させた基板からなる。
また、基板31にはピット33が形成されており、磁性体32
はピット33に埋設されている。ピット33には段差33ａが
形成されている。なお、ピット33に形成された段差33ａ
は２つ以上あってもよく、また段差を介して隣合う部分
のピットの深さの大小を逆にしてもよく、さらにピット
33は図２に示すように、基板31を貫通するものであって
もよい。

【００２１】上述のように構成される磁気媒体30を着磁
する場合、磁性体32はピット33に埋設されているので、
磁気ヘッドの漏れ磁界によって着磁する必要がある従来
のものに比較すると、強い磁界によって磁性体32を着磁
することができる。また、分解能の精度が着磁精度では
なくピットの位置精度によって決ることになるので、ピ
ットを後述するフォトエッチングプロセスにより形成す
ることにより、ピットの位置精度を向上することがで
き、分解能を向上することができる。さらに基板31上に
ピット33が多数有る場合でも、各ピットに埋設された磁
性体32を一度に着磁することができ、着磁作業に要する
時間を大幅に短縮することができる。

【００２２】また一方、ピット33に段差33ａを設けてい
るので、磁性体32の厚さを段階的に変化させることがで
き、段差の数や位置を適当に設定することによって、磁
性体32を着磁した場合、磁界強度分布を任意に設定する
ことが可能になる。詳しくは、図３に示すように、着磁
された磁性体34の厚さが均一である場合、磁性体34を３
つの磁石34ａ、34ｂ、34ｃに分割して考えると、磁石34
ｂは、自身の磁化の向きとは反対向きの磁化を磁石34
ａ、34ｃから受ける。この結果、磁石34ｂの磁力は弱く
なり、磁性体34の上面から、ある高さで磁界強度を示し
た場合、磁界強度の分布は図３のように示される。一
方、ピットに２つの段差を形成して、図４（ａ）に示す
ように、磁性体35の厚さを中央部が深くなるように段階
的に変化させた場合、磁性体35を３つの磁石35ａ、35
ｂ、35ｃに分割して考えると、磁石35ｂの磁力は上述同
様に弱められるが、磁石35ｂの厚さは磁石35ａ、ｃに比
較して大きいので、磁界強度分布は、図４（ａ）のよう
になり、磁界強度分布は図３に示すものに比較すると均
一になる。図４（ａ）に示されるものは意図的に均一化
を図ったものであるが、ピットの段差の数や位置を適当
に変化させ組み合わせることにより、任意の磁界強度分
布を得ることができる。たとえば、両端の磁界強度を強
くし、パターンのエッジを強調する場合では中央付近よ
りも外周部のピットの深さを深くすることで実現でき、
また図４（b）に示すように磁性体３６の厚さを右に行
くに従い厚くなるように段階的に変化させた場合、磁性
体３６を５つの磁石３６ａ、３６ｂ、３６ｃ、３６ｄ、
３６ｅに分割して考えると、左右の磁界強度に差をつけ
ることができ、モータ等に応用した際問題となるデッド
ゾーンの発生を防ぐ効果もある（デッドゾーンとはステ
ップモータ等で磁極の中央の位置でローターの磁極が停
止し、右回りと左回りの力が同じになり回転できなくな
る現象を引き起こす磁気的な配置を持つ領域を指す）。

【００２３】図５は請求項２記載の発明に係る磁気媒体
の一実施例を示す図である。図５において、40は磁気媒
体であり、磁気媒体40は、上記基板31と同様の材料から
なる基板41と磁性体42から構成される。基板41にはピッ
ト43が形成されており、磁性体42はピット43に埋設され
ている。またピット43は互いに近接した２つの溝43ａ、
43ｂから構成され、溝43ａの溝の深さは溝43ｂの深さよ
り深い。なお、ピット43を構成する溝の数は３つ以上あ
ってもよく、また境界壁41ａ介して隣合う溝の深さの大
小を逆にしてもよく、さらにピット43は基板41を貫通す
るものであってもよい。

【００２４】上述のように構成される磁気媒体40を着磁
する場合、磁性体42はピット43に埋設されているので、
磁気ヘッドの漏れ磁界によって着磁する必要がある従来
のものに比較すると、強い磁界によって磁性体42を着磁
することができる。また、分解能の精度が着磁精度では
なくピットの位置精度によって決ることになるので、ピ
ット43を後述するフォトエッチングプロセスにより形成
することにより、ピット43の位置精度を向上することが
でき、分解能を向上することができる。さらに基板41上
にピット43が多数有る場合でも、各ピットに埋設された
磁性体42を一度に着磁することができ、着磁作業に要す
る時間を大幅に短縮することができる。

【００２５】また一方、ピット43を互いに近接した深さ
の異なる溝43ａ、43ｂから構成しているので、磁性体43
の厚さを断続的に変化させることができ、溝の数や深さ
を適当に設定することによって、磁性体42を着磁した場
合、磁界強度分布を任意に設定することができる。な
お、本実施例では、各磁性体42間に隙間が生じて、磁界
強度がこの隙間の部分だけ多少低くなるが図１または図
２の磁界強度分布に近いほぼ均一な磁界強度分布を得る
ことができる。

【００２６】図６、図７は請求項３記載の発明に係る磁
気媒体の一実施例を示す図であり、磁気スケールの磁気
パターンとして用いられるものに適用した例である。な
お、図７は図６におけるＫ−Ｋ矢視断面図である。図
６、図７において、50は磁気パターンとして用いられる
磁気媒体であり、磁気媒体50はシリコン単結晶等の基板
51および磁性体52から構成される。基板51には所定パタ
ーンで配置されたピット53が形成されており、磁性体52
はピット53に埋設されている。また、ピット53には２つ
の段差53ａ、53ｂが形成されており、ピット53の深さが
図７に示される断面の中央に向うにしたがって段階的に
大きくなっている。なお、ピット53に設ける段差の数は
３以上であってもよく、例えばピット53の断面形状を図
８に示されるようにしてもよい。

【００２７】本実施例は、図１に示される実施例の構成
を含むので、請求項１記載の発明に係る磁気媒体の一実
施例で説明した効果と同様な効果を得ることができる。
また、本実施例の磁性体52を着磁すると、図４（ａ）に
示される磁性体35と同様な構成になるので、磁界強度の
分布を均一にすることができる。さらに、中央部近傍の
磁界強度が大きくなるので、平均の磁界強度を大きくす
ることができ、磁気媒体50を磁気スケールの磁気パター
ンとして用いる場合、磁気を検出する際の検出信号のＳ
／Ｎ比を大きくすることができる。

【００２８】図９は請求項４記載の発明に係る磁気媒体
の一実施例を示す図であり、磁気スケールの磁気パター
ンとして用いられるものに適用した例である。図９にお
いて、60は磁気パターンとして用いられる磁気媒体であ
り、磁気媒体60はシリコン単結晶等の基板61および磁性
体62から構成される。基板61には所定パターンで配置さ
れたピット63が形成されており、磁性体62はピット63に
埋設されている。また、ピット63は、互いに近接して並
ぶ３個の溝63ａ、63ｂ、63ｃから構成され、中央の溝63
ｂの深さが溝63ａ、63ｃの溝の深さより深い。なお、ピ
ット63を構成する溝の数は３個以上であってもよい。

【００２９】本実施例は、図５に示される実施例の構成
を含むので、請求項２記載の発明に係る磁気媒体の実施
例の効果と同様な効果を得ることができる。また、本実
施例の磁性体62を着磁すると、図４（ａ）に示される磁
性体35とほぼ同様の構成になるので、磁界強度の分布を
均一にすることができる。さらに、中央部近傍の磁界強
度が大きくなるので、平均の磁界強度を大きくすること
ができ、磁気媒体60を磁気スケールの磁気パターンとし
て用いる場合、磁気を検出する際の検出信号のＳ／Ｎ比
を大きくすることができる。

【００３０】次に、請求項５記載の発明に係る磁気媒体
の製造方法の一例として、上述の磁気媒体50と同じよう
な構成の磁気パターンの製造方法を図１０〜図１５を参
照しながら説明する。なお、図１０〜図１５（ｕ）は磁
気媒体の一つのピット近傍に相当する部分の断面を示し
ている。まず、図１０（ａ）に示すように、シリコン単
結晶基板又はシリコンの単結晶に例えば窒素又はボロン
等の不純物を拡散させたもの（以下Ｓｉ基板とする）11
を準備し、Ｓｉ基板11に付着している塵、汚れ等を半導
体プロセスと同様の洗浄方法で除去し、Ｓｉ基板11を清
浄にする。Ｓｉ基板11としては、例えば半導体ＩＣ用の
基板を用いることができ、Ｓｉ基板は酸またはアルカリ
に反応し、反応の方向が結晶方位により選択的であるい
わゆる異方性エッチングが可能である。

【００３１】次いで、清浄なＳｉ基板11の表面を酸化プ
ロセスにより酸化させて、図１０（ｂ）に示すように、
Ｓｉ部12およびＳｉＯ₂層13から構成されるＳｉＯ₂／Ｓ
ｉ基板14を形成する。詳しくは、Ｓｉ基板11を1000℃ま
で加熱させた横型の環状炉によって５時間かけて酸化さ
せる。ここで、ＳｉＯ₂は、後述する異方性エッチング
の際の非蝕刻部分の保護被膜として作用する。酸化処理
中、約80℃に加熱した水の中を通した酸素を環状炉内に
供給する。加熱した水を通過後の酸素は湿気（Ｈ₂Ｏ）
を十分に含んでおり、湿気を含んだ酸素はシリコンの酸
化速度を早めることが知られている。実際には水蒸気の
酸素がＳｉ基板11を酸化させる。例えば、内径50φ長さ
1000mmの環状炉内に10mm角で厚さ0.3mm程度のＳｉ基板
を処理する場合の供給酸素流量は、0.2 リットル／分であ
る。なお、前述の酸化プロセスに代え、ＣＶＤスパッタ
等の薄膜形成技術を使用することができる。また保護被
膜に代え、エッチング液に耐性を有するＴｉ、Ｃｒ等の
金属、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物、ＴｉＣ等の炭化物、Ａｌ₂
Ｏ₃等の酸化物及び有機物の使用が可能である。

【００３２】次いで、図１０（ｃ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ₂／Ｓｉ基板14の基板面上に後述のレジスト剤からな
るレジスト15をスピンコーター等によりコーティングす
る。詳しくは、ＳｉＯ2／Ｓｉ基板14の基板面上の中心
部に有機系樹脂からなるフォトレジスト剤を数滴垂ら
し、この中心部を通り基板面に垂直な軸線回りにＳｉＯ
2／Ｓｉ基板14を回転させて、レジスト剤を基板面に均
一に薄く引き延ばし、約100℃に加熱した恒温槽の中に
入れレジスト剤を安定させる。レジスト剤としては、プ
ラズマドライエッチングに対して耐性のあるＡＺ−１３
５０Ｊ（ポジ型）ＯＮＮＲ−２０（ネガ型）等が考えら
れる。

【００３３】次いで、レジスト剤の安定化後、図１０
（ｄ）に示すように、所定パターンが書き込まれたガラ
ス板16を置き、レジスト15にガラス板16を通して紫外線
を照射する。詳しくは、ガラス板16には、紫外線を透過
させない材料16ａが選択的に塗られており、この材料16
ａが塗られた部分と塗られていない部分、すなわち、紫
外線を透過させない部分と紫外線を透過させる部分によ
り上述の所定パターンが形成されている。図１０（ｄ）
〜図１５（ｕ）は一つのピットに相当する部分のみを示
している。図１０（ｄ）の一つのピットに相当する部分
には、紫外線を透過させる部分を２箇所以上設けて互い
に離隔させている。したがって、紫外線を透過させる部
分に対応する２箇所のレジストだけが選択的に紫外線に
より照射され、光化学反応を起こす。なお、光源として
は、紫外線の他に可視光や電子線あるいはｘ線等が使用
される。フォトレジストには紫外線露光により光不溶化
反応を起すネガ型のものと、光可溶化反応を起すポジ型
のものとが在るが、ここでは、後者を使用した例につい
て説明する。

【００３４】次いで、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14をレジスト1
5と共に現像液に浸して現像し、図１１（ｅ）に示すよ
うに、レジスト15の露光された部分のみを溶かし出して
ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14から除去し、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14
の基板面を選択的に露出させる。この現像処理により生
じたＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14の基板面のＳｉＯ₂露出部およ
び非露出部によって形成されるパターンは上述のガラス
板16の所定パターンと同じであり、ガラス板16の所定パ
ターンが転写されたものである。

【００３５】次いで、ＲＩＥ装置、すなわち、リアクテ
ィブイオンエッチング装置により、図１１（ｆ）に示す
ようにＳｉＯ₂層13の露出部分を除去して、浅い溝17を
形成する。ＲＩＥ装置の代わりに電子サイクロトン共鳴
（ＥＣＲ）エッチング装置や反応性イオンビームエッチ
ング装置等が知られている。詳しくは、ＳｉＯ₂／Ｓｉ
基板14を入れた真空容器内にＣＦ₄ガスを供給し、ＣＦ₄
をＣＦ₃とＦ^*のプラズマ状態にし、この露出部分を気化
させる。ＣＦ₄のＦ元素は非常に反応性に富みＳｉＯ₂と
も反応して結合する。反応式は次式に示される。

【００３６】４ＣＦ₄＋ＳｉＯ₂→４ＣＦ₃↑＋ＳｉＦ₄↑＋Ｏ₂↑ 上式に示すような反応により生成される分子は室温で全
て気化し、気化した分子は真空ポンプにより真空容器か
ら排気される。なおエッチングガスとしてはＣＦ₄以外
にＳＦ₆やＣＦ₄にＨ₂を加えたものが用いられる。次い
で、真空容器内にＯ₂ガスを供給してプラズマを発生さ
せて、図１１（ｇ）に示すように、レジスト15を燃焼さ
せて除去する。また、レジスト１５はレジスト１５の剥
離液を用いて化学的に除去することも可能である。

【００３７】次いで、図１１（ｈ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ₂／Ｓｉ基板14を水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液18
に浸して反応させ、Ｓｉ部12の露出部分を基板面に垂直
な方向にエッチングして、言いかえれば、浅い溝17をさ
らに深さ方向に拡大して、図１２（ｉ）に示すように、
ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14に互いに離隔した一対の第１の溝1
9を形成する。このエッチング処理が異方性エッチング
処理である。詳しくは、水酸化カリウムを秤量してビー
カに入れ、44重量％濃度の溶液になるように、純水をメ
スシリンダで計量して両者を混ぜ合わせる。両者を混ぜ
合わせるとき発熱反応が生じるため、純水を静かに何回
かに分けてビーカに注ぎ入れた後、水を入れた大型のボ
ールにビーカを浸けて水酸化カリウム水溶液18の熱を除
去する。水酸化カリウムは親水性がよく容易に44重量％
濃度の水溶液を作ることができる。次いで、水酸化カリ
ウム水溶液18を大型平底ビーカ20に入れ、大型平底ビー
カ20をホットプレート付き溶液撹拌装置（図示しない）
の上に載せ、大型平底ビーカ20に攪拌子（図示しない）
を入れ、水酸化カリウム水溶液18の液温が80℃、攪拌子
の回転数が600ｒｐｍになるように設定して、ＳｉＯ₂／
Ｓｉ基板14を水酸化カリウム水溶液18に浸す。Ｓｉ部12
の露出部分が所定の深さまでエッチングされた時点で、
ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14を水酸化カリウム水溶液18から取
り出し、純水で洗浄して水酸化カリウム水溶液18を完全
に除去する。次いで、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14を加熱し乾
燥させて水分を除去し、光学顕微鏡でＳｉＯ₂／Ｓｉ基
板14のＳｉＯ2層13およびエッチング面等の状態を確認
する。なお、Ｓｉの単結晶のエッチングの速度比はその
結晶方向によって決まっており、＜111＞方向に対し＜1
10＞方向のエッチング速度比は500倍程度である。い
ま、Ｓｉ基板の面を（110）面にとると、Ｓｉ基板の厚
さ方向のエッチング速度は基板の厚さ方向に垂直な方向
のエッチング速度の約500倍である。したがって、Ｓｉ
基板を厚さ方向に 500μｍエッチングした場合、基板の
厚さ方向に垂直な方向にエッチングされる量は1.0μｍ
程度にできるため、異方性エッチングが可能になる。以
下に本実施例の異方性エッチングの条件を示す。

【００３８】エッチング溶液：水酸化カリウム(ＫＯＨ)水溶液濃度：44重量％濃度エッチング温度：80℃ エチャント回転数：600ｒｐｍエッチングレート：0.7〜 1.5μｍ／ｍｉｎなお、ＫＯＨ等のアルカリ金属水酸化物の代りにエチレ
ンジアミン、ヒドラジン等のアミン系水溶液も使用でき
る。

【００３９】上述の一連の工程が、保護被膜を形成した
異方性エッチング可能なＳｉＯ2／Ｓｉ基板14に、フォ
トエッチングプロセスにより所定パターンの第１の溝19
を蝕刻形成する第１の工程に相当する。次いで、ＳｉＯ
₂／Ｓｉ基板14を1000℃まで加熱した横型の環状炉内で
酸化させ、図１２（ｊ）に示すように、ＳｉＯ₂／Ｓｉ
基板14全体をＳｉＯ₂層13により覆う。

【００４０】次いで、図１２（ｋ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ₂／Ｓｉ基板14の基板面上に後述のレジスト剤からな
るレジスト26をスピンコーター等によりコーティングす
る。次いで、レジスト剤の安定化後、図１２（ｌ）に示
すように、所定パターンが書き込まれたガラス板27を置
き、レジスト26にガラス板27を通して紫外線を照射す
る。ガラス板27は図１０（ｄ）のガラス板16と同じよう
な構成になっており、ガラス板27の光を透過させる部分
は一対の第１の溝19の中間に１箇所設けられ、一対の第
１の溝19の両方に跨がるように延在している。

【００４１】次いで、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14をレジスト2
6と共に現像液に浸して現像し、図１３（ｍ）に示すよ
うに、レジスト26の露光された部分のみを溶かし出して
ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14から除去し、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14
の基板面を選択的に露出させる。次いで、前述のＲＩＥ
装置により、図１３（ｎ）に示すようにＳｉＯ₂層13の
露出部分を除去する。

【００４２】次いで、真空容器内にＯ₂ガスを供給して
プラズマを発生させて、図１３（ｏ）に示すように、レ
ジスト26を燃焼させて除去する。次いで、図１３（ｐ）
に示すように、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14を水酸化カリウム
（ＫＯＨ）水溶液18に浸して反応させ、Ｓｉ部12の露出
部分を基板面に垂直な方向にエッチングして、図１４
（ｑ）に示すように、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14に第１の溝1
9より深い第２の溝29を形成する。なお、図１３（ｐ）
におけるＳｉＯ₂層13の側壁13ａはエッチング中に崩れ
て除去される。

【００４３】図１２（ｊ）〜図１４（ｑ）に示される上
述の一連の工程が、第１の工程で形成された第１の溝19
内または溝19に隣接した所定部分（本実施例では隣接し
た所定部分）に、フォトエッチングプロセスにより第１
の溝19の深さと異なる深さを有する所定パターンの第２
の溝29を形成する第２の工程に相当する。ここに、第１
の溝内に第２の溝を形成する場合は、例えば、一対の第
１の溝を境界壁のない一つの大きな溝として形成して、
第１の溝内のほぼ中央に第２の溝を形成するようにす
る。

【００４４】次いで、図１４（ｒ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ₂／Ｓｉ基板14の溝19、29に磁性体21を埋め込む。磁
性体21の埋め込み方法として、以下の４通りの方法があ
る。第１の方法は、直径１〜５μｍのフェライト磁性粉
を溝19に入れて、別個に用意されたＳｉ基板で溝19、29
に蓋をして圧力を加え、フェライトのハード磁性粉の密
度を増大させる方法である。

【００４５】第２の方法は、真空薄膜形成装置にＳｉＯ
₂／Ｓｉ基板14をセットし、ハードフェライト、ＣｏＣ
ｒＰｔ等のハード磁性体を被蒸着物質として真空成膜法
により、溝19、29に磁性体21を埋め込む方法であり、通
常のスパッタ法と同じである。第３の方法は、磁気テー
プ、磁気ディスケット等に用いられる磁性粉を含む塗布
剤をＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14の溝19、29に流し込み、揮発
性物質を気化させて磁性粉の体積比を高める方法であ
る。詳しくは、フェライトの磁性粉を有機系のバインダ
液に入れて磁性粉が均一に分布するように十分に混ぜ合
わせる。ただし、混合中に空気の混入による気泡が発生
しないように、十分注意する必要がある。また、磁性粉
の混合比が磁界強度の強さに大きく依存する。混ぜ合わ
せる体積比にほぼ比例して磁界強度が変化する。次い
で、磁性粉を混ぜ合わせたバインダ液をＳｉＯ₂／Ｓｉ
基板14の溝19、29に垂らして溝19、29からやや溢れるよ
うになるまで入れる。次いで、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14を
ホットプレートの上に載せ50℃程度に加熱してバインダ
液に含まれた揮発物質を気化させ、相対的に磁性粉の体
積比を増大させる。

【００４６】第４の方法は電気メッキ法に溝19の中に金
属磁性体を折出させ、これを充填する。次いで、上述の
４つのうちの何れの方法においても、図１４（ｒ）に示
すように磁性体21の表面は凹凸が発生するため、図１４
（ｓ）に示すようにＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14の基板面を研
磨し、平坦にする。

【００４７】図１４（ｒ）（ｓ）に示される上述の工程
が、第１の溝19および第２の溝29の中に磁性体21を埋め
込む第３の工程に相当する。次いで、図１４（ｔ）に示
すように、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14上にＳｉＯ₂等からなる
保護膜22を形成する。詳しくは、ＣＶＤ法（化学的気相
成膜法）により約1.0μｍのＳｉＯ₂膜をＳｉＯ₂／Ｓｉ
基板14上に形成したり、あるいは、薄いフィルムをＳｉ
Ｏ₂／Ｓｉ基板14に貼ったり樹脂や塗料等を塗布して保
護膜22を形成する。

【００４８】次いで、磁性体21を着磁機により着磁す
る。詳しくは、図１５（ｕ）に示すように、基板面に沿
って延在する磁極間にＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14を挟み、磁
性体21を基板面に垂直な方向の磁界により着磁する。以
上の工程により、図１５（ｖ）に示される磁気パターン
25が製造される。上述のような製造方法によれば、異方
性エッチング可能な基板材料に、フォトエッチングプロ
セスによって第１の溝19および第２の溝29を蝕刻形成
し、各溝に磁性体21を埋設しているので、高い精度を有
する磁気媒体を容易に製造することができ、またフォト
リソグラフィーのマスクパターンを交換するだけで、各
種高精度の磁気媒体が製造することができる。さらに磁
性体21を着磁する場合、磁性体21を一度に着磁すること
ができ、各工程においても一度に多数の基板材料を処理
することができ、さらにまた磁性体21を強い磁界で着磁
することができる。一方、第１の溝19および第２の溝29
の深さを異なるようにしているので、フォトリソグラフ
ィーのマスクパターンを変更したり、フォトエッチング
プロセスを追加することにより、前述の図１〜図９に示
される磁気媒体の製造方法に適用することができる。

【００４９】次に、請求項６記載の発明に係る磁気媒体
の製造方法の一例として、上述の磁気媒体50と同じよう
な構成の磁気パターンの製造方法を図１０〜図１１
（ｇ）、図１６〜図２０を参照しながら説明する。な
お、図１６〜図１９においても磁気媒体の一つのピット
近傍に相当する部分の断面を示している。まず、図１０
〜図１１（ｇ）に示される工程と同一の工程により形成
されたＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14上にほう素Ｂを熱拡散させ
る。熱拡散法には、大きく分けて気相拡散法と固相拡散
法との２種類があるが、ここでは、固相拡散法について
説明する。なお、不純物の導入方法としては他にイオン
打込み法等が知られている。詳しくは、固相熱拡散法に
よって、図１６（ａ）に示すように、ほう素ガラス（Ｂ
₂Ｏ₃）81を堆積させる。例えば、図２０に示すような熱
拡散炉100の反応室内にＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14を入れ、不
純物の原材料であるガスＢ₂Ｈ₆と少量のＯ2をキャリア
ガスＮ2にのせて反応室内に送り込む。反応室内の温度
は900℃に保たれており、化学反応により、ほう素ガラ
ス81がＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14上に堆積される。なお、図
２０中、101はヒータ、102は流量調節弁、103はストッ
プ弁である。

【００５０】上記熱拡散炉１００の反応室内での反応式
は次式により表わされる。２Ｂ₂Ｈ₆＋６Ｏ₂ → ２Ｂ₂Ｏ₃＋６Ｈ₂Ｏほう酸ガラス81を堆積させる工程はプレデポジション拡
散と呼ばれており、この工程中、少量のＢはＳｉＯ₂／
Ｓｉ基板14中に拡散するが、基板表面に高濃度で分布す
る。次いで、不純物ガス（Ｂ₂Ｈ₆）を止め、反応室内の
温度を1100℃に上げ、反応を進める。第２の反応は次の
反応式で示される。

【００５１】２Ｂ₂Ｏ₃＋３Ｓｉ → ４Ｂ＋３ＳｉＯ₂ この第２の反応により、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14上のＢ₂Ｏ
₃のＢはＳｉ部12中に拡散（ドライブ拡散）し、ＳｉＯ₂
はＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14上に堆積し、Ｓｉ部12の露出部
分がＳｉＯ₂層13に覆われる。図１６（ｂ）はドライブ
拡散後の状態を示しており、図中の82はＰ型不純物が導
入されたＰ⁺層を示している。なお、本実施例ではＰ型
不純物を導入しているが、Ｎ型不純物を導入してもよ
い。

【００５２】上述の図１０〜図１１（ｇ）および図１６
（ａ）（ｂ）に示される工程が、保護被膜を形成した異
方性エッチング可能な基板材料に、Ｐ型およびＮ型のう
ちの少なくとも一方の不純物（本実施例ではＰ型）を所
定パターンで導入する第１の工程に相当する。次いで、
図１６（ｃ）に示すように、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14の基
板面上にレジスト剤からなるレジスト83をスピンコータ
ー等によりコーティングし、約100℃に加熱した恒温槽
の中に入れレジスト剤を安定させる。次いで、レジスト
剤の安定化後、図１６（ｄ）に示すように、所定パター
ンが書き込まれたガラス84を置き、レジスト83にガラス
板86を通して紫外線を照射する。ガラス板86の紫外線を
透過させる部分は一対のＰ⁺層82の中間で両層に跨がる
ようにして形成されている。

【００５３】次いで、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14をレジスト8
3と共に現像液に浸して現像し、図１７（ｅ）に示すよ
うに、レジスト83の露光された部分のみを溶かし出して
ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14から除去し、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14
の基板面を選択的に露出させる。次いで、ＲＩＥ装置に
より、図１７（ｆ）に示すようにＳｉＯ₂層13の露出部
分を除去する。

【００５４】次いで、真空容器内にＯ2ガスを供給して
プラズマを発生させて、図１７（ｇ）に示すように、レ
ジスト83を燃焼させて除去する。次いで、図１７（ｈ）
に示すように、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14を水酸化カリウム
（ＫＯＨ）水溶液18に浸して反応させ、Ｓｉ部12および
Ｐ⁺層82の両方の露出部分を基板面に垂直な方向にエッ
チングして、第１の溝87を形成する。なお、このエッチ
ングはＰ型不純物のドーピングの影響を受けない。

【００５５】次いで、図１８（ｉ）に示すように、干渉
弗酸88でＳｉＯ₂層13を除去する。次いで、図１８
（ｊ）に示すように、弗酸、硝酸および酢酸の混合液89
により、ＢをドーピングしたＰ⁺層だけをエッチング
し、図１８（ｋ）に示すように第２の溝90を形成する。
上述の図１６（ｃ）〜図１８（ｋ）に示される工程が、
フォトエッチングプロセスを用い、基板材料中の不純物
導入部分と非導入部分との境界の近傍を蝕刻することに
より所定パターンの第１の溝を形成し、基板材料中の不
純物導入部分のみを蝕刻することにより第１の溝の深さ
と異なる深さを有する所定パターンの第２の溝を形成す
る第２の工程に相当する。

【００５６】次いで、図１８（ｌ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ₂／Ｓｉ基板14の溝87、90に磁性体91を埋め込む。磁
性体91の埋め込み方法は、前述した方法と同様の方法を
とる。この図１８（ｌ）に示される工程が、第１の溝お
よび第２の溝の中に磁性体を埋め込む第３の工程に相当
する。次いで、図１９（ｍ）に示すように、ＳｉＯ₂／
Ｓｉ基板14の基板面を研磨し、磁性体91の凹凸を平坦に
する。

【００５７】図１８（ｌ）、図１９（ｍ）に示される上
述の工程が、第１の溝87および第２の溝90の中に磁性体
91を埋め込む第３の工程に相当する。次いで、図１９
（ｎ）に示すように、ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板14上にＳｉＯ₂
等からなる保護膜92を形成する。次いで、磁性体91を着
磁機により着磁する。詳しくは、図１９（ｏ）に示すよ
うに、基板面に沿って延在する磁極間にＳｉＯ₂／Ｓｉ
基板14を挟み、磁性体91を基板面に垂直な方向の磁界に
より着磁する。

【００５８】以上の工程により、図１５に示される磁気
パターン25とほぼ同様の磁気パターンが製造される。上
述の製造方法によれば、異方性エッチング可能な基板材
料に、Ｐ型およびＮ型のうちの少なくとも一方の不純物
（本実施例ではＰ型）を所定パターンで導入した後、第
１および第２の溝87、90を形成し、各溝87、90に磁性体
91を埋設しているので、高い精度を有する磁気媒体を容
易に製造することができ、またフォトリソグラフィーの
マスクパターンを交換するだけで、各種高精度の磁気媒
体を製造することができる。さらに磁性体91を着磁する
場合、一度に着磁することができ、各工程においても一
度に多数の基板材料を処理することができ、さらにまた
磁性体を強い磁界で着磁することが可能になる。一方、
第１の溝87および第２の溝90の深さを異なるようにして
いるので、一方、第１の溝87および第２の溝90の深さを
異なるようにしているので、フォトリソグラフィーのマ
スクパターンを変更したり、エッチングプロセスを追加
したりすることにより、前述の図１〜図９に示される磁
気媒体の製造方法に適用することができる。

【００５９】なお、請求項５記載の磁気媒体の製造方法
における第１の溝19、第２の溝29および請求項６記載の
磁気媒体の製造方法における第１の溝87、第２の溝90の
断面形状、形成順序、溝深さ等は上述の実施例に限定さ
れるものではない。

【００６０】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、基板に形
成されたピットに磁性体を埋設させているので、磁性体
を強い磁界で着磁することができ、また分解能の精度を
向上することができ、ピットに埋設された磁性体を一度
に着磁することができる。また一方、ピットに段差を設
けているので、磁性体の厚さを段階的に変化させること
ができ、段差の数や位置を適当に設定することによっ
て、磁性体を着磁した場合、磁界強度分布を任意に設定
することができる。

【００６１】請求項２記載の発明によれば、基板に形成
されたピットに磁性体を埋設させ、ピットを構成する複
数の溝のうち少なくとも一つの溝の深さを残りの溝の深
さと異なるようにしているので、請求項１記載の発明に
よる効果と同様の効果を得ることができる。請求項３記
載の発明によれば、磁気パターンとして用いられる磁気
媒体において、ピットの深さをピットの所定断面の中央
に向うにしたがって段階的に大きくしているので、請求
項１記載の発明による効果に加え、磁性体の厚さを中央
に向うにしたがって段階的に大きくすることができ、磁
性体を着磁した場合、磁界強度の分布を均一にすること
ができる。

【００６２】請求項４記載の発明によれば、磁気パター
ンとして用いられる磁気媒体において、ピットを構成す
る３個以上の溝のうち中央寄りの溝の深さを大きくして
いるので、請求項１記載の発明による効果に加え、磁性
体の厚さを中央に向うにしたがって断続的に大きくする
ことができ、磁性体を着磁した場合、磁界強度の分布を
均一にすることができる。

【００６３】請求項５記載の発明によれば、異方性エッ
チング可能な基板材料に、フォトエッチングプロセスに
よって第１の溝および第２の溝を蝕刻形成し、各溝に磁
性体を埋設しているので、高い精度を有する磁気媒体を
容易に製造することができ、またフォトリソグラフィー
のマスクパターンを交換するだけで、各種高精度の磁気
媒体が製造することができる。さらに磁性体を着磁する
場合、一度に着磁し、各工程においても一度に多数の基
板材料を処理することができ、また磁性体を強い磁界で
着磁することができる。また一方、第１の溝および第２
の溝の深さを異なるようにしているので、請求項１〜請
求項４記載の発明に係る磁気媒体の製造方法に適用する
ことができる。

【００６４】請求項６記載の発明によれば、異方性エッ
チング可能な基板材料に、Ｐ型およびＮ型のうちの少な
くとも一方の不純物を所定パターンで導入した後、互い
に深さの異なる第１および第２の溝を形成し、各溝に磁
性体を埋設しているので、請求項５記載の発明による効
果と同様の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１記載の発明に係る磁気媒体の一実施例
を示す断面図である。

【図２】図１におけるピットの他の実施態様を示す断面
図である。

【図３】図１における磁性体の厚さが均一である場合の
作用説明図である。

【図４】図１における磁性体の厚さが変化している場合
の作用説明図である。

【図５】請求項２記載の発明に係る磁気媒体の一実施例
を示す断面図である。

【図６】請求項３記載の発明に係る磁気媒体の一実施例
を示す断面図である。

【図７】図６におけるＫ−Ｋ矢視断面図である。

【図８】図７におけるピットの他の実施態様を示す断面
図である。

【図９】請求項４記載の発明に係る磁気媒体の一実施例
を示す断面図である。

【図１０】請求項５記載の発明に係る磁気媒体の製造方
法における最初の工程を示す図であり、（ａ）は基板の
準備工程、（ｂ）は第１ＳｉＯ₂層形成工程、（ｃ）は
第１レジストコーティング工程、（ｄ）は第１露光工程
を示す。

【図１１】図１０に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｅ）は第１現像工程、（ｆ）は第１ドライエッ
チング工程、（ｇ）は第１レジスト除去工程、（ｈ）は
第１ウエットエッチング工程を示す。

【図１２】図１１に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｉ）はウエットエッチング後の基板断面、
（ｊ）は第２ＳｉＯ₂層形成工程、（ｋ）は第２レジス
トコーティング工程、（ｌ）は第２露光工程を示す。

【図１３】図１２に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｍ）は第２現像工程、（ｎ）は第２ドライエッ
チング工程、（ｏ）は第２レジスト除去工程、（ｐ）は
第２ウエットエッチング工程を示す。

【図１４】図１３に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｑ）はウエットエッチング後の基板断面、
（ｒ）は磁性体埋設工程、（ｓ）は基板表面研磨工程、
（ｔ）は保護膜形成工程を示す。

【図１５】図１４に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｕ）は着磁工程、（ｖ）は製造された磁気媒体
を示す。

【図１６】請求項６記載の発明に係る磁気媒体の製造方
法における最初の工程を示す図であり、（ａ）はほう素
ガラス堆積工程、（ｂ）はドライブイン拡散工程、
（ｃ）はレジストコーティング工程、（ｄ）は露光工程
を示す。

【図１７】図１６に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｅ）は現像工程、（ｆ）はドライエッチング工
程、（ｇ）はレジスト除去工程、（ｈ）はウエットエッ
チング工程を示す。

【図１８】図１７に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｉ）はＳｉＯ₂層除去工程、（ｊ）はＰ⁺層エッ
チング工程、（ｋ）はＰ⁺層エッチング後の基板断面、
（ｌ）は磁性体埋設工程を示す。

【図１９】図１８に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｍ）は基板表面研磨工程、（ｎ）は保護膜形成
工程、（ｏ）は着磁工程を示す。

【図２０】図１６（ａ）におけるほう素ガラスの堆積工
程に用いられる熱拡散炉を示す図。

【図２１】従来の磁気パターンの製造装置を示す図。

【符号の説明】

30、40、50、60 磁気媒体 31、41、51、61 基板 32、42、52、61 磁性体 33、43、53、63 ピット 33ａ、53ａ、53ｂ段差 43ａ、43ｂ、63ａ、63ｂ、63ｃ溝 14 ＳｉＯ₂／Ｓｉ基板(保護被膜を形成した異方性エッ
チング可能な基板材料)1 19 第１の溝 29 第２の溝 21 磁性体 82 Ｐ⁺層（Ｐ型不純物の導入部） 87 第１の溝 90 第２の溝 91 磁性体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩ // Ｇ１１Ｂ 5/80 Ｇ１１Ｂ 5/80 5/84 5/84 ＺＨ０３Ｍ 1/24 Ｈ０３Ｍ 1/24 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01F 41/14 G01B 7/00 G01D 5/245 H02K 33/16 G11B 5/80 G11B 5/84 H03M 1/24

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】ピットを有する基板と、前記ピットに埋
設された磁性体と、を備えた磁気媒体であって、前記ピ
ットに段差を形成したことを特徴とする磁気媒体。
【請求項２】ピットを有する基板と、前記ピットに埋
設された磁性体と、を備えた磁気媒体であって、前記ピ
ットが互いに近接した複数の溝から構成され、複数の溝
のうち少なくとも一つの溝の深さが残りの溝の深さと異
なることを特徴とする磁気媒体。
【請求項３】所定パターンに配置されたピットを有す
る基板と、前記ピットに埋設された磁性体と、を備え、
磁気パターンとして用いられる磁気媒体であって、前記
ピットの深さがピットの所定断面の中央に向うにしたが
って段階的に大きくなるように、ピットに複数の段差を
形成したことを特徴とする磁気媒体。
【請求項４】所定パターンに配置されたピットを有す
る基板と、前記ピットに埋設された磁性体と、を備え、
磁気パターンとして用いられる磁気媒体であって、前記
ピットが互いに近接して並ぶ３個以上の溝から構成さ
れ、前記３個以上の溝のうち中央寄りの溝の深さが大き
くなるようにしたことを特徴とする磁気媒体。
【請求項５】保護被膜を形成した異方性エッチング可能
な基板材料に、フォトエッチングプロセスにより所定パ
ターンの第１の溝を蝕刻形成する第１の工程と、第１の
工程で形成された第１の溝内または該溝に隣接した所定
部分に、フォトエッチングプロセスにより第１の溝の深
さと異なる深さを有する所定パターンの第２の溝を形成
する第２の工程と、第１の溝および第２の溝の中に磁性
体を埋め込む第３の工程と、を有することを特徴とする
磁気媒体の製造方法。
【請求項６】保護被膜を形成した異方性エッチング可能
な基板材料に、Ｐ型およびＮ型のうちの少なくとも一方
の不純物を所定パターンで導入する第１の工程と、フォ
トエッチングプロセスを用い、基板材料中の不純物導入
部分と非導入部分との境界の近傍を蝕刻することにより
所定パターンの第１の溝を形成し、基板材料中の不純物
導入部分のみを蝕刻することにより第１の溝の深さと異
なる深さを有する所定パターンの第２の溝を形成する第
２の工程と、前記第１の溝および第２の溝の中に磁性体
を埋め込む第３の工程と、を有することを特徴とする磁
気媒体の製造方法。