KR0174460B1 - 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 박막 자기 헤드의 하부 자성층을 패터닝시키기 위한 방법에 관한 것으로서, 하부 기판(31)상에 제1절연층(32), 하부 자성층(33) 및 제2절연층(34)을 순차적으로 형성시키는 단계; 이온 주입 공정에 의해서 상기 제2절연층(34)중 패터닝하고자하는 부분의 표면 일부를 손상시키는 단계; 개별적인 2회의 식각 공정에 의해서 상기 제2절연층(34)의 일단에서는 하부 자성층(33)이 노출되고 상기 제2절연층(34)의 타단에서는 상기 제2절연층의 일부가 잔존하도록 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 제2절연층을 마스크로 사용하여 상기 하부 자성층(33)을 패터닝하는 단계를 포함하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법을 제공하므로써, 하부 자성층상에 적층되는 갭층의 적층 두께를 일정하게 유지시킬 수 있고 또한 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있으며 이에 의해서 박막 자기 헤드의 성능을 향상시킬 수 있다.

Description

박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법
본 발명은 박막 자기 헤드의 하부 자성층(lower pole)을 패터닝기키기 위한 방법에 관한 것으로서, 특히 소정 형상으로 형성된 패턴의 스텝 커버리지를 양호하게 유지시킬 수 있는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 박막 자기 헤드는 자기 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 기록 매체에서 자기 기록 밀도와 주파수를 증가시키기 위한 소자로서, 전자기 유도에 기초한 유도형 박막 자기 헤드와 자기 저항 효과형 박막 자기 헤드가 있다.
이때, 제1도에 도시되어 있는 바와 같이, 유도형 박막 자기 헤드(10)는 사진 석판 기술등에 의하여 하부 기판(11)상에 순차적으로 형성된 하부 자성층(13)과, 코일 절연층(14)과, 코일층(16)과, 상부 자성층(17)을 구비하고 있으며 상기 상부 자성층(17)과 하부 자성층(13)을 포함하는 자기 코어의 선단부에는 소정 크기의 자기갭 (G)이 형성된다.
한편, 제2도(a) 내지 (d)에 도시되어 있는 바와 같이 상기 하부 자성층(13)을 소정 형상으로 패터닝시키기 위한 방법은 하부 기판(11)상에 절연층(12) 및 제1자성층(13a)이 형성되고 상기 제1자성층(13a)상에 포토 레지스트를 소정 두께로 도포시켜서 형성된 제1감광층(21)을 패터닝시키는 단계와, 상기 감광층(21)의 패턴을 통하여 노출된 상기 제1자성층(13a)의 일부를 식각시킨 후 잔존하는 감광층(21)을 제거하는 단계와, 소정 형상으로 패터닝된 상기 제1자성층(13a)상에 제2자성층(13b)을 형성시키는 단계와, 그리고 상기 제2자성층(13b)상에 소정 형상의 갭층(15)을 형성시키는 단계로 이루어진다.
이때, 상기 제1자성층(13a)상에 형성된 상기 제2자성층(13b)은 소정 각도의 경사면을 갖는 프로화일(Profile)을 구비하게 되며 이때 상기 경사면의 각도는 완만하지 못하고 급경사각을 갖는다.
따라서, 제1도에 확대 도시된 바와 같이 상기 제2자성층(13b)의 경사 각도에 의하여 상기 제2자성층(13b)상에 형성되는 상기 갭층(15)은 균일하게 도포되지 않는다.
즉, 가상선으로 표시된 바와 같이 상기 갭층(15)이 상대적으로 얇은 상태로 적층되는 경우에 상기 제2자성층(13b)의 경사면은 상기 갭층(15)을 구성하는 재질에 의하여 충분히 도포되지 않고 노출되어서 박막 자기 헤드의 성능을 저하시킨다는 문제점을 야기시킨다.
또한, 일점쇄선으로 표시된 바와 같이 상기 갭층(15)이 충분히 두꺼운 상태로 적층되는 경우에 상기 제2자성층(13b)의 경사면은 상기 갭층(15)을 구성하는 재질에 의하여 소정 두께로 도포되지만 상기 박막-자기 헤드의 자기 코어의 선단부에 형성되는 자기 갭의 크기(G2)는 두꺼운 상태로 유지되며 이에 의해서 자기 기록 밀도가 저하된다는 문제점을 야기시킨다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소시키기 위하여 안출된 것으로 그 목적은 박막 자기 헤드를 구성하는 하부 자성층의 프로화일을 형성시키는 경사면의 경사 각도를 완만하기 유지시켜서 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 상기 하부 자성층상에 형성되는 갭층의 두께를 일정하게 유지시킬 수 있는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에서는 상술한 목적을 달성하기 위하여, 박막 자기 헤드의 하부 자성층을 패터닝시키기 위한 방법에 있어서, 하부 기판(31)상에 제1절연층(32), 하부 자성층(33) 및 제2절연층(34)을 순차적으로 형성하는 단계; 이온 주입 공정에 의해서 상기 제2절연층(34)중 패터닝하고자 하는 부분의 표면 일부를 손상시키는 단계; 개별적인 2회의 식각 공정에 의해서 상기 제2절연층(34)의 일단에서는 하부 자성층(33)이 노출되고 상기 제2절연층(34)의 타단에서는 상기 제2절연층의 일부가 잔존하도록 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 제2절연층을 마스크로 사용하여 상기 하부 자성층(33)을 패터닝하는 단계를 포함하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법을 제공한다.
제1도는 일반적인 박막 자기 헤드를 도시한 단면도.
제2도(a) 내지 (d )는 종래 실시예에 따라서 박막 자기 헤드의 하부 자성층을 패터닝시키는 방법을 순차적으로 도시한 공정도.
제3도(a) 내지 (e)는 본 발명에 따라서 박막 자기 헤드의 하부 자성층을 패터닝시키는 방법을 순차적으로 도시한 공정도.
제4도는 본 발명의 실시예에 따라서 제작된 하부 자성층을 구비한 박막 자기 헤드를 도시한 단면도.
제5도는 이온 주입 공정에 의하여 손상 덩어리가 형성된 결정을 개략적으로 도시한 개념도.
제6도(a) 및 (b)는 이온 주입 공정에 의한 경사면 식각의 효과를 나타낸 개념도.
제7도는 상이한 조성으로 이루어진 2개의 층을 식각시킬 때 형성되는 경사면의 경사각을 설명하는 개념도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31 : 하부 기판 32 : 제1절연층
33 : 하부 자성층 34 : 제2절연층
35 : 감광층 36 : 갭층
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도(a) 내지 (e)는 본 발명의 일실시예에 따라서 박막 자기 헤드의 하부 자성층을 패터닝시키기 위한 방법을 순차적으로 도시한 공정도이고, 제4도는 본 발명에 따라서 패터닝된 하부 자성층을 구비한 박막 헤드를 도시한 단면도이고, 제5도 내지 제7도는 본 발명의 수행을 설명하기 위한 개념도이다.
먼저, 제3도(a)를 참조하면, 비자성 특성을 나타내는 알루미나 및 탄화 티타늄으로 이루어진 하부 기판(31)상에 화학 기상 증착 공정(CVD: chemical vapour deposition) 또는 물리 기상 증착 공정(PVD: physical vapour deposition)에 의하여 알루미나(Al203)를 소정 두께로 피복시켜서 제1절연층(32)을 형성시킨다.
또한, 상기 제1절연층(32)상에 진공 증착 공정 또는 스퍼터링(sputtering) 증착 공정과 같은 물리 기상 증착 공정에 의하여 Ni-Fe 합금 조성의 퍼어말로이를 소정 두께로 증착시켜서 하부 자성층(33)을 형성시킨다.
이에 부가하여, 상기 하부 자성층(33)상에 스퍼터링 증착 공정과 같은 물리 기상 증착 공정에 의하여 실리콘 산화물(SiO2)을 소정 두께로 적층시키거나 또는 상기 하부 자성층(33)상에 실리콘을 적층시킨 후 열산화 처리시킴으로서 제2절연층(34)을 형성시킨다.
이때, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 제2절연층(34)의 스텝 커버리지(step coverage)를 균일하게 형성시킬 수 있을 뿐만 아니라 상기 제2절연층 (34)의 조성 및 구조를 정확히 유지시키기 위하여 상기 실리콘 산화물을 화학 기상 증착 공정에 의하여 상기 하부 자성층(33)상에 적층시킨다.
한편, 상기된 바와 같이 상기 하부-자성층(33)상에 형성된 상기 제2절연층 (34)의 표면상에 이온 주입 공정에 의하여 양이온으로 이루어진 이온 빔(ion beam)을 주입시킨다.
이때, 상기 제2절연층(34)의 결정 내부로 주입된 이온 빔은 그가 갖는 초기 에너지를 상기 결정을 구성하는 원자에 전달하게 되며 이에 의해서 상기 제2절연층 (34)을 구성하는 실리콘 산화물의 결정 내부에는 제5도에 도시된 바와 같은 손상 덩어리(damage cluster)가 형성된다.
즉, 제5도에 화살표로 표시된 방향을 따라서 초기 에너지(E0)를 갖는 이온이 결정의 표면(S)상에 충돌하는 경우에 상기 이온은 상대적으로 두껍게 표시된 궤도(줄기)(ⓐ)를 따라서 상기 결정 내부로 주입되며 니와 동시에 상기 결정 내부에 존재하는 원자 및 전자는 상기 이온과의 반응에 의하여 상대적으로 얇게 표시된 궤도(가지)(ⓑ)를 따라서 이동하게 되고 이에 의해서 상기 결정 내부에는 손상 덩어리(D)를 형성시키게 된다.
따라서, 상기된 바와 같은 이온 주입 공정에 의하여 상기 제2절연층(34)은 이온 빔이 주입된 상기 제2절연층(34)의 표면상에 형성된 손상 영역(34a)과 상기 이온 빔이 주입되지 않은 상기 제2절연층(34)의 표면 하부에 형성된 비손상 영역(34b)으로 이루어진다.
한편,상기 제2절연층(34)상에 포토 레지스트(PR)를 스핀 코팅 공정에 의하여 균일한 두께로 도포시킨 후 약 100C 정도의 온도하에서 소프트 베이킹을 수행하여 감광층(35)을 형성시킨다.
이때, 포토 리쏘그래피 공정(photo lithography)에 의하여 상기 감광층(35)을 제1패턴으로 형성시킨다. 즉, 포토 마스크 또는 스텝퍼를 사용하여서 상기 감광층 (35)의 일부를 자외선에 노광시킨 후 현상액에 현상시킴으로서 제거하며 그 결과 상기 감광층(3i)은 소정 형상의 제1패턴으로 형성된다.
한편, 제3도(b)를 참조하면, 상기된 바와 같이 소정 형상으로 패터닝된 상기 감광층(35)의 제1패턴을 통하여 노출된 상기 제2절연층(34)을 불소화 암모늄(NH4F)과 불화 수소(HF)를 약 7:1의 조성비로 혼합시킨 에칭액을 사용하거나 또는 불화 수소만을 함유한 에칭액을 사용하는 습식 식각 공정(wet process)에 의하여 식각시킨다.
여기에서, 상기와 같은 식각 공정에 대한 이온 주입 공정의 영향은 제6도 (a) 및 (b)에 도시된 도면을 참조하여 하기에 상세히 설명한다.
먼저, 제6도(a)를 참조하면, 이온 주입 공정이 수행되지 않은 실리콘 산화물 조성의 절연층(62)은 습식 식각 공정에 의하여 상대적으로 큰 경사각(θ1)을 갖는 경사면을 형성시키고 또한 도면 부호(3)로 표시된 부분은 급격한 경사각을 구비하며 이에 의해서 스텝 커버리지를 불량하게 형성시킨다.
이와는 반대로, 제6도(b)에 도시된 바와 같이, 이온 주입 공정에 의하여 이온 빔이 주입됨으로서 제 5 도에 도시된 바와 같이 형성된 손상 덩어리에 의하여 소정 두께의 손상 영역(65a)을 갖는 실리콘 산화물 조성의 절연층(65)은 상대적으로 완만한 경사각(θ2)을 갖는 경사면을 형성시키고 특히 도면 부호(b)로 표시된 부분의 경사각은 상기 경사각(θ2)과 비슷하며 이에 의해서 스텝 커버리지를 양호하게 형성시킨다.
따라서, 상기된 바와 같이 소정 형상의 제1패턴으로 형성된 상기 감광층(35)을 마스크로 하여 상기 제2절연층(34)을 습식 식각 공정에 의하여 식각시킬 때 상기 제2절연층(34)의 프로화일을 형성하는 경사면의 경사각(θ2)은 완만한 상태로 형성된다.
한편, 상기 습식 식각 공정에 의하여 제거되는 상기 제2절연층의 식각 두께는 (상기 하부 자성층(33)에 대한 상기 제2절연층(34)의 식각 선택비) × (이 후에 수행되는 2차적 식각 공정에 의하여 형성된 상기 제2절연층(34)의 패턴을 마스크로 하여 상기 하부 자성층(33)을 패터닝시킬 때 잔존하는 두께)의 값에 해당된다.
또한, 제3도(c)에 도시되어 있는 카와 같이, 상기 제2절연층(34)상에 잔존하는 제1패턴 형상의 감광층(35)은 상기된 바와 같은 포토 리쏘그래피 공정에 의하여 상기 제1패턴과는 상이한 제2패턴으로 형성시키고 그 결과 상기 1차 습식 식각 공정이 수행된 상기 제2절연층(34)의 식각 부위에 마주하는 상기 제2절연층(34)의 다른 부분을 노출시킨다.
한편, 상기 1차 습식 식각 공정에 사용된 에칭액의 조성비와 동일한 조성비의 에칭액을 사용하는 2차 습식 식각 공정에 의하여 상기 제2절연층(34)을 식각시킨다.
이때, 상기 감광층(35)의 제2패턴을 통하여 노출된 상기 제2절연층(34)의 다른 부분은 상기된 바와 같이 이온 주입 공정의 효과에 의해서 식각되고 그 결과 상기 1차 습식 식각 공정에 의하여 형성된 경사면의 경사각(θ2)과 동일한 크기의 경사각(θ2)을 갖는 경사면을 형성시킨다.
또한, 상기 1차 습식 식각 공정에 의하여 상기 제2절연층(34)에 형성된 경사면의 경사각(θ2)은 상기 2차 습식 식각 공정에 의하여 변함이 없이 일정하게 유지된다.
한편, 제3도(d)를 참조하면, 상기된 바와 같은 2차 습식 식각 공정에 의하여 원하는 치수 및 형상으로 패터닝된 상기 제2절연층(34)상에 잔존하는 상기 제2패턴의 감광층(35)은 상기된 바와 같은 포토 리쏘그래피 공정 또는 아세톤의 사용에 의해서 제거되고 그 결과 상기 제2절연층(34)을 노출시킨다.
이때, 이온 빔 밀링 공정(ion beam milling)과 같이 이방성 에칭 특성이 양호한 건식 식각 공정(dry etching)에 의하여 상기된 바와 같이 소정 형상으로 패터닝된 상기 제2절연층(34)을 마스크로 하여 상기 하부 자성층(33)을 소정 형상으로 패터닝시키며 그 결과 상기 하부 자성층(33)의 패턴은 상기 제2절연층(34)의 패턴과 동일한 패턴으로 형성시킨다.
한편, 상기된 바와 같은 건식 식각 공정에 의하여 패터닝된 상기 하부 자성층(33)의 프로화일을 형성시키는 경사면의 경사각(θ')은 상기 제2절연층(34)의 경사변의 경사각(θ2)보다 완만한 각도를 구비한다.
즉, 제7도를 참조하면, 실리콘 산화물(SiO2)조성으로 이루어진 절연층(71)의 식각율은 Ni-Fe 합금 조성의 퍼어말로이로 이루어진 자성층(72)의 식각율보다 크며 그 결과 건식 식각 공정에 의하여 상기 2개의 층(71,72)이 동일한 형상으로 패터닝될 수 있도록 상기 절연층(71)의 적층 두께(h1)는 상기 자성층(72)의 적층 두께(h2)보다 크게 형성된다.
따라서, 도면상에 도시된 바와 같이 상기 절연층(71)의 경사면의 경사각(θ2)은 하기의 식(①)에 의해서 표시되는 반면에 상기 절연층(72)을 마스크로 하여 패터닝된 상기 자성층(72)의 경사면의 경사각(θ')은 하기의 식(②)에 의해서 표시된다.
tan θ2=h1/1 (①)
tan θ'=h2/1 (②)
여기에서, 상기 절연층(71)의 적층 두께(h)가 상기 자성층(72)의 적층 두께(h)보다 크며 이에 의해서 상기 자성층(72)의 경사면의 경사각(θ')은 상기 절연층(71)의 경사면의 경사각(θa)보다 크게 유지된다.
한편, 제3도(e)를 참조하면, 상기된 바와 같이 완만한 경사각(θ')의 경사면을 갖는 프로화일로 이루어진 상기 하부 자성층(33)상에 알루미나 또는 실리콘 산화물와 같은 비자성 물질을 스퍼터링 공정 또는 진공 증착 공정과 같은 물리 기상 증착 공정 또는 화학 기상 증착 공정에 의하여 소정 두께로 증착시켜서 자기 갭을 구성하는 갭층(36)을 형성시킨다.
이때, 상기된 바와 같이 상기 하부 자성층(33)의 경사면의 경사각(θ')은 상대적으로 완만한 각도로 형성되므로 상기 하부 자성층(33)의 경사면상에 적층되는 상기 비자성 물질의 적층 두께는 두껍게 형성된다.
즉, 제4도에 도시된 바와 같이 상기 하부 자성층(33)상에 형성되는 상기 갭층(36)의 전반적인 적층 두께는 균일하게 유지되며 그 결과 박막 자기 헤드의 스텝 커버리지를 향상시킨다.
한편, 상기 갭층(36)은 소정 형상의 패턴으로 형성된 마스크를 사용하여서 습식 식각 공정 또는 건식 식각 공정에 의하여 소정 형상으로 패터닝되며 그 결과 상기 하부 자성층(33)의 일부는 상기 갭층(36)의 패턴을 통하여 노출된다.
이에 부가하여서, 상기된 바와 같이 양호한 스텝 커버리지를 제공한 상기 갭층(36)상에 증착 공정 및 식각 공정에 의하여 코일 절연층, 코일층 및 상부 자성층을 순차적으로 형성시켜서 특성이 향상된 박막 자기 헤드를 제공한다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명이 속하는 분야의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지할 수 있다.
본 발명에 따르면, 박막 자기 헤드를 구성하는 하부 자성층의 프로화일을 형성시키는 경사면의 경사 각도를 완만하게 유지시킴으로서 스텝 커버리지를 향상시키고 또한 상기 하부 자성층상에 형성되는 갭층의 두께를 일정하게 유지시켜서 박막 자기 헤드의 성능을 향상시킨다.

Claims (6)

  1. 박막 자기 헤드의 하부 자성층을 패터닝시키기 위한 방법에 있어서, 하부 기판(31)상에 제1절연층(32), 하부 자성층(33) 및 제2절연층(34)을 순차적으로 형성시키는 단계; 이온 주입 공정에 의해서 상기 제2절연층(34)중 패터닝하고자하는 부분의 표면 일부를 손상시키는 단계; 개별적인 2회의 식각 공정에 의해서 상기 제2절연층(34)의 일단에서는 하부 자성층(33)이 노출되고 상기 제2절연층(34)의 타단에서는 상기 제2절연층의 일부가 잔존하도록 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 제2절연층을 마스크로 사용하여 상기 하부 자성층(33)을 패터닝하는 단계를 포함하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2절연층(34)의 식각 공정중에서 제1차 식각 공정에 의하여 제거되는 상기 제2절연층(34)의 식각 두께는 (상기 하부 자성층(33)에 대한 상기 제2절연층(34)의 식각 선택비) × (박막 자기 헤드의 자기 코어를 구성하는 하부 자성층(33)의 두께(x))의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2절연층(34)은 실리콘 산화물로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2절연층(34)은 이온 주입 공정에 의하여 이온 빔이 주입된 상기 제2절연층(34)의 표면상에 형성된 손상 영역(34a)과 상기 이온 빔이 주입되지 않은 상기 제2절연층(34)의 표면 하부에 형성된 비손상 영역(34b)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2절연층(34)의 적층 두께는 상기 하부 자성층(33)의 적층 두께보다 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 하부 자성층(33)은 이온 빔 밀링 공정에 의하여 패터닝되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법.
KR1019950033526A 1995-09-30 1995-09-30 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법 KR0174460B1 (ko)

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KR1019950033526A KR0174460B1 (ko) 1995-09-30 1995-09-30 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법
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