JPH04274308A - 磁気媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気媒体に関し、例え
ば、磁気スケールや直動型電動機の磁気パターンとして
用いられる磁気媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、磁気記録・再生装置においては
、電磁石等からなる磁気ヘッドおよび微小磁石等からな
る磁性体が用いられる。磁気記録の場合、磁気ヘッドは
記録情報に対応して変化する磁界を発生し、磁界中を移
動する磁性体に残留磁気の位置的変化を生じさせて、磁
性体に情報を記録する。一方、磁気再生の場合、磁気ヘ
ッドは、磁性体の残留磁気の位置的変化を電圧変化とし
て検出して、磁性体から記録情報を再生する。

【０００３】上述の磁気記録・再生の原理は、磁気セン
サにも利用されている。すなわち、記録用磁気ヘッドに
より所定の磁気パターンを高い位置精度で製造し、検出
用磁気ヘッドにより磁気パターンを検出して位置情報を
得るようにしている。ここで、従来の磁気媒体の製造方
法の一例として、直線型の磁気パターンを製造する場合
の例を説明する。

【０００４】まず、図２１に示される磁気パターン製造
装置１を準備する。磁気パターン製造装置１は位置検出
器２、連動部材３、４、アクチュエータ５、磁気ヘッド
６およびＩ／Ｖ回路（電流電圧変換回路）７から構成さ
れる。磁気記録媒体８は、位置検出器２とアクチュエー
タ５とに連動部材３および４で連結されている。アクチ
ュエータ５は磁気記録媒体８を図２１の矢印Ａ、Ｂ方向
に高い位置精度で移動させ、位置検出器２で磁気記録媒
体８の位置を検出する。

【０００５】次いで、アクチュエータ５により磁気記録
媒体８を所定位置に移動させて固定し、磁気ヘッド６の
先端を磁気記録媒体８に接触させる。次いで、磁気ヘッ
ド６のコイルにＩ／Ｖ回路７から電流を流して磁界を発
生させ、磁気ヘッド６の先端の空隙部近傍の磁気記録媒
体８を着磁する。次いで、アクチュエータ５により磁気
記録媒体８を他の位置に移動させる。詳しくは、移動中
の磁気記録媒体８の位置は位置検出器２により検出され
ており、アクチュエータ５は位置検出器２の検出結果に
基づいて磁気記録媒体８を所望の位置に移動させ固定す
る。次いで、上述同様に磁気ヘッド６により磁気記録媒
体８を着磁する。以下、同様に磁気記録媒体８の所定部
分を全て着磁すると、所定の磁気パターンを有する磁気
記録媒体８が製造される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の磁気媒体およびその製造方法にあっては、磁
気媒体が例えば磁気スケールである場合、下述のような
理由のため、磁気検出時の検出信号のＳ／Ｎ比が小さく
なり、また磁気検出の分解能の向上が困難になり、さら
に製造時間が増大するといった問題点があった。

【０００７】すなわち、磁気記録媒体８を着磁するとき
磁気ヘッド６の漏れ磁束を利用しているため、磁気記録
媒体８に強い磁界を与えることができなく、スケールと
して使用して位置を検出するときの信号のＳ／Ｎ比が小
さくなる。また、磁気スケールの分解能が磁気ヘッド６
の着磁精度により決るため、分解能を向上するには製造
装置に多額の設備投資が必要になり、分解能の向上が困
難になる。さらに、磁気記録媒体８に磁気パターンを形
成するのに何回も着磁作業が必要になり、磁気スケール
を製造するのに長時間を要する。

【０００８】そこで、本発明は、基板に形成されたピッ
トに段差を設け、または、ピットをを構成する複数の溝
のうち少なくとも一つの溝の深さを残りの溝の深さと異
なるようにすることにより、磁気検出時の検出信号のＳ
／Ｎ比を大きくし、また磁気検出の分解能を向上し、さ
らに製造時間を短縮することができる磁気媒体およびそ
の製造方法を提供することを課題としている。なお、本
発明におけるピットおよび溝は、底面を有する穴状のも
のおよび貫通した穴状のもののどちらであってもよい。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
上記課題を解決するため、ピットを有する基板と、前記
ピットに埋設された磁性体と、を備えた磁気媒体であっ
て、前記ピットに段差を形成したことを特徴とするもの
である。請求項２記載の発明は、上記課題を解決するた
め、ピットを有する基板と、前記ピットに埋設された磁
性体と、を備えた磁気媒体であって、前記ピットが互い
に近接した複数の溝から構成され、複数の溝のうち少な
くとも一つの溝の深さが残りの溝の深さと異なることを
特徴とするものである。

【００１０】請求項３記載の発明は、上記課題を解決す
るため、所定パターンに配置されたピットを有する基板
と、前記ピットに埋設された磁性体と、を備え、磁気パ
ターンとして用いられる磁気媒体であって、前記ピット
の深さがピットの所定断面の中央に向うにしたがって段
階的に大きくなるように、ピットに複数の段差を形成し
たことを特徴とするものである。

【００１１】請求項４記載の発明は、上記課題を解決す
るため、所定パターンに配置されたピットを有する基板
と、前記ピットに埋設された磁性体と、を備え、磁気パ
ターンとして用いられる磁気媒体であって、前記ピット
が互いに近接して並ぶ３個以上の溝から構成され、前記
３個以上の溝のうち中央寄りの溝の深さが大きくなるよ
うにしたことを特徴とするものである。

【００１２】請求項５記載の発明は、上記課題を解決す
るため、保護被膜を形成した異方性エッチング可能な基
板材料に、フォトエッチングプロセスにより所定パター
ンの第１の溝を蝕刻形成する第１の工程と、第１の工程
で形成された第１の溝内または該溝に隣接した所定部分
に、フォトエッチングプロセスにより第１の溝の深さと
異なる深さを有する所定パターンの第２の溝を形成する
第２の工程と、第１の溝および第２の溝の中に磁性体を
埋め込む第３の工程と、を有することを特徴とするもの
である。

【００１３】請求項６記載の発明は、上記課題を解決す
るため、保護被膜を形成した異方性エッチング可能な基
板材料に、Ｐ型およびＮ型のうちの少なくとも一方の不
純物を所定パターンで導入する第１の工程と、フォトエ
ッチングプロセスを用い、基板材料中の不純物導入部分
と非導入部分との境界の近傍を蝕刻することにより所定
パターンの第１の溝を形成し、基板材料中の不純物導入
部分のみを蝕刻することにより第１の溝の深さと異なる
深さを有する所定パターンの第２の溝を形成する第２の
工程と、前記第１の溝および第２の溝の中に磁性体を埋
め込む第３の工程と、を有することを特徴とするもので
ある。

【００１４】

【作用】請求項１記載の発明では、基板に形成されたピ
ットに磁性体を埋設させることにより、磁性体を強い磁
界で着磁することが可能になり、また分解能の精度が着
磁精度ではなくピットの位置精度によって決り、さらに
基板上にピットが多数有る場合でも、各ピットに埋設さ
れた磁性体を一度に着磁することが可能になる。また一
方、ピットに段差を設けることにより、磁性体の厚さが
段階的に変化し、段差の数や位置を適当に設定すること
によって、磁性体を着磁した場合、磁界強度分布を任意
に設定することが可能になる。

【００１５】請求項２記載の発明では、基板に形成され
たピットに磁性体を埋設させることにより、磁性体を強
い磁界で着磁することが可能になり、また分解能の精度
が着磁精度ではなくピットの位置精度によって決り、さ
らに基板上にピットが多数有る場合でも、各ピットに埋
設された磁性体を一度に着磁することが可能になる。ま
た一方、ピットを構成する複数の溝のうち少なくとも一
つの溝の深さを残りの溝の深さと異なるようにすること
により、磁性体の厚さが断続的に変化し、溝の数や配置
や深さを適当に設定することによって、磁性体を着磁し
た場合、磁界強度分布を任意に設定することが可能にな
る。

【００１６】請求項３記載の発明では、請求項１記載の
発明と同様の作用を示し、また、磁気パターンとして用
いられる磁気媒体において、ピットの深さをピットの所
定断面の中央に向うにしたがって段階的に大きくしたこ
とにより、磁性体の厚さが中央に向うにしたがって段階
的に大きくなり、磁性体を着磁した場合、磁界強度の分
布が均一になる。

【００１７】請求項４記載の発明では、請求項３記載の
発明と同様の作用を示し、また、磁気パターンとして用
いられる磁気媒体において、ピットを構成する３個以上
の溝のうち中央寄りの溝の深さを大きくしたことにより
、磁性体の厚さが中央に向うにしたがって断続的に大き
くなり、磁性体を着磁した場合、磁界強度の分布が均一
になる。

【００１８】請求項５記載の発明では、異方性エッチン
グ可能な基板材料に、フォトエッチングプロセスによっ
て第１の溝および第２の溝を蝕刻形成し、各溝に磁性体
を埋設しているため、高い精度を有する磁気媒体が容易
に製造され、またフォトリソグラフィーのマスクパター
ンを交換するだけで、各種高精度の磁気媒体が製造され
る。さらに磁性体を着磁する場合、一度に着磁し、各工
程においても一度に多数の基板材料を処理することが可
能になり、また磁性体を強い磁界で着磁することが可能
になる。また一方、第１の溝および第２の溝の深さを異
なるようにしたことにより、請求項１〜請求項４記載の
発明に係る磁気媒体を製造することが可能になる。

【００１９】請求項６記載の発明では、異方性エッチン
グ可能な基板材料に、Ｐ型およびＮ型のうちの少なくと
も一方の不純物を所定パターンで導入した後、第１およ
び第２の溝を形成し、各溝に磁性体を埋設しているため
、高い精度を有する磁気媒体が容易に製造され、またフ
ォトリソグラフィーのマスクパターンを交換するだけで
、各種高精度の磁気媒体が製造される。さらに磁性体を
着磁する場合、一度に着磁し、各工程においても一度に
多数の基板材料を処理することが可能になり、また磁性
体を強い磁界で着磁することが可能になる。また一方、
第１の溝および第２の溝の深さを異なるようにしたこと
により、請求項１〜請求項４記載の発明に係る磁気媒体
を製造することが可能になる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は請求項１記載の発明に係る磁気媒体の一実施例を示
す図である。図１において、３０は磁気媒体であり、磁
気媒体３０は、基板３１と磁性体３２から構成される。 基板３１はシリコン単結晶基板またはシリコンの単結晶
に例えば窒素またはボロン等の不純物を拡散させた基板
からなる。 また、基板３１にはピット３３が形成されており、磁性
体３２はピット３３に埋設されている。ピット３３には
段差３３ａが形成されている。なお、ピット３３に形成
された段差３３ａは２つ以上あってもよく、また段差を
介して隣合う部分のピットの深さの大小を逆にしてもよ
く、さらにピット３３は図２に示すように、基板３１を
貫通するものであってもよい。

【００２１】上述のように構成される磁気媒体３０を着
磁する場合、磁性体３２はピット３３に埋設されている
ので、磁気ヘッドの漏れ磁界によって着磁する必要があ
る従来のものに比較すると、強い磁界によって磁性体３
２を着磁することができる。また、分解能の精度が着磁
精度ではなくピットの位置精度によって決ることになる
ので、ピットを後述するフォトエッチングプロセスによ
り形成することにより、ピットの位置精度を向上するこ
とができ、分解能を向上することができる。さらに基板
３１上にピット３３が多数有る場合でも、各ピットに埋
設された磁性体３２を一度に着磁することができ、着磁
作業に要する時間を大幅に短縮することができる。

【００２２】また一方、ピット３３に段差３３ａを設け
ているので、磁性体３２の厚さを段階的に変化させるこ
とができ、段差の数や位置を適当に設定することによっ
て、磁性体３２を着磁した場合、磁界強度分布を任意に
設定することが可能になる。詳しくは、図３に示すよう
に、着磁された磁性体３４の厚さが均一である場合、磁
性体３４を３つの磁石３４ａ、３４ｂ、３４ｃに分割し
て考えると、磁石３４ｂは、自身の磁化の向きとは反対
向きの磁化を磁石３４ａ、３４ｃから受ける。この結果
、磁石３４ｂの磁力は弱くなり、磁性体３４の上面から
、ある高さで磁界強度を示した場合、磁界強度の分布は
図３のように示される。一方、ピットに２つの段差を形
成して、図４に示すように、磁性体３５の厚さを中央部
が深くなるように段階的に変化させた場合、磁性体３５
を３つの磁石３５ａ、３５ｂ、３５ｃに分割して考える
と、磁石３５ｂの磁力は上述同様に弱められるが、磁石
３５ｂの厚さは磁石３５ａ、ｃに比較して大きいので、
磁界強度分布は、図４のようになり、磁界強度分布は図
３に示すものに比較すると均一になる。図４に示される
ものは意図的に均一化を図ったものであるが、ピットの
段差の数や位置を適当に変化させ組み合わせることによ
り、任意の磁界強度分布を得ることができる。

【００２３】図５は請求項２記載の発明に係る磁気媒体
の一実施例を示す図である。図５において、４０は磁気
媒体であり、磁気媒体４０は、上記基板３１と同様の材
料からなる基板４１と磁性体４２から構成される。基板
４１にはピット４３が形成されており、磁性体４２はピ
ット４３に埋設されている。またピット４３は互いに近
接した２つの溝４３ａ、４３ｂから構成され、溝４３ａ
の溝の深さは溝４３ｂの深さより深い。なお、ピット４
３を構成する溝の数は３つ以上あってもよく、また境界
壁４１ａ介して隣合う溝の深さの大小を逆にしてもよく
、さらにピット４３は基板４１を貫通するものであって
もよい。

【００２４】上述のように構成される磁気媒体４０を着
磁する場合、磁性体４２はピット４３に埋設されている
ので、磁気ヘッドの漏れ磁界によって着磁する必要があ
る従来のものに比較すると、強い磁界によって磁性体４
２を着磁することができる。また、分解能の精度が着磁
精度ではなくピットの位置精度によって決ることになる
ので、ピット４３を後述するフォトエッチングプロセス
により形成することにより、ピット４３の位置精度を向
上することができ、分解能を向上することができる。さ
らに基板４１上にピット４３が多数有る場合でも、各ピ
ットに埋設された磁性体４２を一度に着磁することがで
き、着磁作業に要する時間を大幅に短縮することができ
る。

【００２５】また一方、ピット４３を互いに近接した深
さの異なる溝４３ａ、４３ｂから構成しているので、磁
性体４３の厚さを断続的に変化させることができ、溝の
数や深さを適当に設定することによって、磁性体４２を
着磁した場合、磁界強度分布を任意に設定することがで
きる。なお、本実施例では、各磁性体４２間に隙間が生
じて、磁界強度がこの隙間の部分だけ多少低くなるが図
１または図２の磁界強度分布に近いほぼ均一な磁界強度
分布を得ることができる。

【００２６】図６、図７は請求項３記載の発明に係る磁
気媒体の一実施例を示す図であり、磁気スケールの磁気
パターンとして用いられるものに適用した例である。図
６、図７において、５０は磁気パターンとして用いられ
る磁気媒体であり、磁気媒体５０はシリコン単結晶等の
基板５１および磁性体５２から構成される。基板５１に
は所定パターンで配置されたピット５３が形成されてお
り、磁性体５２はピット５３に埋設されている。また、
ピット５３には２つの段差５３ａ、５３ｂが形成されて
おり、ピット５３の深さが図７に示される断面の中央に
向うにしたがって段階的に大きくなっている。なお、ピ
ット５３に設ける段差の数は３以上であってもよく、例
えばピット５３の断面形状を図８に示されるようにして
もよい。

【００２７】本実施例は、図１に示される実施例の構成
を含むので、請求項１記載の発明に係る磁気媒体の一実
施例で説明した効果と同様な効果を得ることができる。 また、本実施例の磁性体５２を着磁すると、図４に示さ
れる磁性体３５と同様な構成になるので、磁界強度の分
布を均一にすることができる。さらに、中央部近傍の磁
界強度が大きくなるので、平均の磁界強度を大きくする
ことができ、磁気媒体５０を磁気スケールの磁気パター
ンとして用いる場合、磁気を検出する際の検出信号のＳ
／Ｎ比を大きくすることができる。

【００２８】図９は請求項４記載の発明に係る磁気媒体
の一実施例を示す図であり、磁気スケールの磁気パター
ンとして用いられるものに適用した例である。図９にお
いて、６０は磁気パターンとして用いられる磁気媒体で
あり、磁気媒体６０はシリコン単結晶等の基板６１およ
び磁性体６２から構成される。基板６１には所定パター
ンで配置されたピット６３が形成されており、磁性体６
２はピット６３に埋設されている。また、ピット６３は
、互いに近接して並ぶ３個の溝６３ａ、６３ｂ、６３ｃ
から構成され、中央の溝６３ｂの深さが溝６３ａ、６３
ｃの溝の深さより深い。なお、ピット６３を構成する溝
の数は３個以上であってもよい。

【００２９】本実施例は、図５に示される実施例の構成
を含むので、請求項２記載の発明に係る磁気媒体の実施
例の効果と同様な効果を得ることができる。また、本実
施例の磁性体６２を着磁すると、図４に示される磁性体
３５とほぼ同様の構成になるので、磁界強度の分布を均
一にすることができる。さらに、中央部近傍の磁界強度
が大きくなるので、平均の磁界強度を大きくすることが
でき、磁気媒体６０を磁気スケールの磁気パターンとし
て用いる場合、磁気を検出する際の検出信号のＳ／Ｎ比
を大きくすることができる。

【００３０】次に、請求項５記載の発明に係る磁気媒体
の製造方法の一例として、上述の磁気媒体５０と同じよ
うな構成の磁気パターンの製造方法を図１０〜図１５を
参照しながら説明する。なお、図１０〜図１５（ｕ）は
磁気媒体の一つのピット近傍に相当する部分の断面を示
している。まず、図１０（ａ）に示すように、シリコン
単結晶基板又はシリコンの単結晶に例えば窒素又はボロ
ン等の不純物を拡散させたもの（以下Ｓｉ基板とする）
１１を準備し、Ｓｉ基板１１に付着している塵、汚れ等
を半導体プロセスと同様の洗浄方法で除去し、Ｓｉ基板
１１を清浄にする。Ｓｉ基板１１としては、例えば半導
体ＩＣ用の基板を用いることができ、Ｓｉ基板は酸また
はアルカリに反応し、反応の方向が結晶方位により選択
的であるいわゆる異方性エッチングが可能である。

【００３１】次いで、清浄なＳｉ基板１１の表面を酸化
プロセスにより酸化させて、図１０（ｂ）に示すように
、Ｓｉ部１２およびＳｉＯ２層１３から構成されるＳｉ
Ｏ２／Ｓｉ基板１４を形成する。詳しくは、Ｓｉ基板１
１を１０００℃まで加熱させた横型の環状炉によって５
時間かけて酸化させる。ここで、ＳｉＯ２は、後述する
異方性エッチングの際の非蝕刻部分の保護被膜として作
用する。酸化処理中、約８０℃に加熱した水の中を通し
た酸素を環状炉内に供給する。加熱した水を通過後の酸
素は湿気（Ｈ２Ｏ）を十分に含んでおり、湿気を含んだ
酸素はシリコンの酸化速度を早めることが知られている
。実際には水蒸気の酸素がＳｉ基板１１を酸化させる。 例えば、内径５０φ長さ１０００ｍｍの環状炉内に１０
ｍｍ角で厚さ０．３ｍｍ程度のＳｉ基板を処理する場合
の供給酸素流量は、０．２　リットル／分である。なお
、前述の酸化プロセスに代え、ＣＶＤスパッタ等の薄膜
形成技術を使用することができる。また保護被膜に代え
、エッチング液に耐性を有するＴｉ、Ｃｒ等の金属、Ｓ
ｉ３Ｎ４等の窒化物、ＴｉＣ等の炭化物、Ａｌ２Ｏ３等
の酸化物及び有機物の使用が可能である。

【００３２】次いで、図１０（ｃ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ２／Ｓｉ基板１４の基板面上に後述のレジスト剤から
なるレジスト１５をスピンコーター等によりコーティン
グする。詳しくは、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４の基板面上
の中心部に有機系樹脂からなるフォトレジスト剤を数滴
垂らし、この中心部を通り基板面に垂直な軸線回りにＳ
ｉＯ２／Ｓｉ基板１４を回転させて、レジスト剤を基板
面に均一に薄く引き延ばし、約１００℃に加熱した恒温
槽の中に入れレジスト剤を安定させる。レジスト剤とし
ては、プラズマドライエッチングに対して耐性のあるＡ
Ｚ−１３５０Ｊ（ポジ型）ＯＮＮＲ−２０（ネガ型）等
が考えられる。

【００３３】次いで、レジスト剤の安定化後、図１０（
ｄ）に示すように、所定パターンが書き込まれたガラス
板１６を置き、レジスト１５にガラス板１６を通して紫
外線を照射する。詳しくは、ガラス板１６には、紫外線
を透過させない材料１６ａが選択的に塗られており、こ
の材料１６ａが塗られた部分と塗られていない部分、す
なわち、紫外線を透過させない部分と紫外線を透過させ
る部分により上述の所定パターンが形成されている。図
１０（ｄ）は一つのピットに相当する部分のみを示して
いるので、一つのピットに相当する部分には、紫外線を
透過させる部分を２箇所設けて互いに離隔させている。 したがって、紫外線を透過させる部分に対応する２箇所
のレジストだけが選択的に紫外線により照射され、光化
学反応を起こす。なお、光源としては、紫外線の他に可
視光や電子線あるいはｘ線等が使用される。フォトレジ
ストには紫外線露光により光不溶化反応を起すネガ型の
ものと、光可溶化反応を起すポジ型のものとが在るが、
ここでは、後者を使用した例について説明する。

【００３４】次いで、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４をレジス
ト１５と共に現像液に浸して現像し、図１１（ｅ）に示
すように、レジスト１５の露光された部分のみを溶かし
出してＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４から除去し、ＳｉＯ２／
Ｓｉ基板１４の基板面を選択的に露出させる。この現像
処理により生じたＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４の基板面のＳ
ｉＯ２露出部および非露出部によって形成されるパター
ンは上述のガラス板１６の所定パターンと同じであり、
ガラス板１６の所定パターンが転写されたものである。

【００３５】次いで、ＲＩＥ装置、すなわち、リアクテ
ィブイオンエッチング装置により、図１１（ｆ）に示す
ようにＳｉＯ２層１３の露出部分を除去して、浅い溝１
７を形成する。ＲＩＥ装置の代わりに電子サイクロトン
共鳴（ＥＣＲ）エッチング装置や反応性イオンビームエ
ッチング装置等が知られている。詳しくは、ＳｉＯ２／
Ｓｉ基板１４を入れた真空容器内にＣＦ４ガスを供給し
、ＣＦ４をＣＦ３とＦ＊のプラズマ状態にし、この露出
部分を気化させる。ＣＦ４のＦ元素は非常に反応性に富
みＳｉＯ２とも反応して結合する。反応式は次式に示さ
れる。

【００３６】 ４ＣＦ４＋ＳｉＯ２→４ＣＦ３↑＋ＳｉＦ４↑＋Ｏ２↑
上式に示すよう反応により生成される分子は室温で全て
気化し、気化した分子は真空ポンプにより真空容器から
排気される。なおエッチングガスとしてはＣＦ４以外に
ＳＦ６やＣＦ４にＨ２を加えたものが用いられる。次い
で、真空容器内にＯ２ガスを供給してプラズマを発生さ
せて、図１１（ｇ）に示すように、レジスト１５を燃焼
させて除去する。

【００３７】次いで、図１１（ｈ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ２／Ｓｉ基板１４を水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液
１８に浸して反応させ、Ｓｉ部１２の露出部分を基板面
に垂直な方向にエッチングして、言いかえれば、浅い溝
１７をさらに深さ方向に拡大して、図１２（ｉ）に示す
ように、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４に互いに離隔した一対
の第１の溝１９を形成する。このエッチング処理が異方
性エッチング処理である。詳しくは、水酸化カリウムを
秤量してビーカに入れ、４４重量％濃度の溶液になるよ
うに、純水をメスシリンダで計量して両者を混ぜ合わせ
る。両者を混ぜ合わせるとき発熱反応が生じるため、純
水を静かに何回かに分けてビーカに注ぎ入れた後、水を
入れた大型のボールにビーカを浸けて水酸化カリウム水
溶液１８の熱を除去する。水酸化カリウムは親水性がよ
く容易に４４重量％濃度の水溶液を作ることができる。 次いで、水酸化カリウム水液１８を大型平底ビーカ２０
に入れ、大型平底ビーカ２０をホットプレート付き溶液
撹拌装置（図示しない）の上に載せ、大型平底ビーカ２
０に攪拌子（図示しない）を入れ、水酸化カリウム水溶
液１８の液温が８０℃、攪拌子の回転数が６００ｒｐｍ
になるように設定して、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４を水酸
化カリウム水溶液１８に浸す。Ｓｉ部１２の露出部分が
所定の深さまでエッチングされた時点で、ＳｉＯ２／Ｓ
ｉ基板１４を水酸化カリウム水溶液１８から取り出し、
純水で洗浄して水酸化カリウム水溶液１８を完全に除去
する。次いで、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４を加熱し乾燥さ
せて水分を除去し、光学顕微鏡でＳｉＯ２／Ｓｉ基板１
４のＳｉＯ２層１３およびエッチング面等の状態を確認
する。なお、Ｓｉの単結晶のエッチングの速度比はその
結晶方向によって決まっており、＜１１１＞方向に対し
＜１１０＞方向のエッチング速度比は５００倍程度であ
る。いま、Ｓｉ基板の面を（１１０）面にとると、Ｓｉ
基板の厚さ方向のエッチング速度は基板の厚さ方向に垂
直な方向のエッチング速度の約５００倍である。したが
って、Ｓｉ基板を厚さ方向に　５００μｍエッチングし
た場合、基板の厚さ方向に垂直な方向にエッチングされ
る量は１．０μｍであるため、異方性エッチングが可能
になる。以下に本実施例の異方性エッチングの条件を示
す。

【００３８】 エッチング溶液　　：水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液
濃度　　　　　　　　　　　　：４４重量％濃度エッチ
ング温度　　：８０℃ エチャント回転数：６００ｒｐｍ エッチングレート：０．７〜　１．５μｍ／ｍｉｎなお
、ＫＯＨ等のアルカリ金属水酸化物の代りにエチレンジ
アミン、ヒドラジン等のアミン系水溶液も使用できる。

【００３９】上述の一連の工程が、保護被膜を形成した
異方性エッチング可能なＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４に、フ
ォトエッチングプロセスにより所定パターンの第１の溝
１９を蝕刻形成する第１の工程に相当する。次いで、Ｓ
ｉＯ２／Ｓｉ基板１４を１０００℃まで加熱した横型の
環状炉内で酸化させ、図１２（ｊ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ２／Ｓｉ基板１４全体をＳｉＯ２層１３により覆う。

【００４０】次いで、図１２（ｋ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ２／Ｓｉ基板１４の基板面上に後述のレジスト剤から
なるレジスト２６をスピンコーター等によりコーティン
グする。次いで、レジスト剤の安定化後、図１２（ｌ）
に示すように、所定パターンが書き込まれたガラス板２
７を置き、レジスト２６にガラス板２７を通して紫外線
を照射する。ガラス板２７は図１０（ｄ）のガラス板１
６と同じような構成になっており、ガラス板２７の光を
透過させる部分は一対の第１の溝１９の中間に１箇所設
けられ、一対の第１の溝１９の両方に跨がるように延在
している。

【００４１】次いで、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４をレジス
ト２６と共に現像液に浸して現像し、図１３（ｍ）に示
すように、レジスト２６の露光された部分のみを溶かし
出してＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４から除去し、ＳｉＯ２／
Ｓｉ基板１４の基板面を選択的に露出させる。次いで、
前述のＲＩＥ装置により、図１３（ｎ）に示すようにＳ
ｉＯ２層１３の露出部分を除去する。

【００４２】次いで、真空容器内にＯ２ガスを供給して
プラズマを発生させて、図１３（ｏ）に示すように、レ
ジスト２７を燃焼させて除去する。次いで、図１３（ｐ
）に示すように、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４を水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）水溶液１８に浸して反応させ、Ｓｉ部１
２の露出部分を基板面に垂直な方向にエッチングして、
図１４（ｑ）に示すように、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４に
第１の溝１９より深い第２の溝２９を形成する。なお、
図１３（ｐ）におけるＳｉＯ２層１３の側壁１３ａはエ
ッチング中に崩れて除去される。

【００４３】図１２（ｊ）〜図１４（ｑ）に示される上
述の一連の工程が、第１の工程で形成された第１の溝１
９内または溝１９に隣接した所定部分（本実施例では隣
接した所定部分）に、フォトエッチングプロセスにより
第１の溝１９の深さと異なる深さを有する所定パターン
の第２の溝２９を形成する第２の工程に相当する。ここ
に、第１の溝内に第２の溝を形成する場合は、例えば、
一対の第１の溝を境界壁のない一つの大きな溝として形
成して、第１の溝内のほぼ中央に第２の溝を形成するよ
うにする。

【００４４】次いで、図１４（ｒ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ２／Ｓｉ基板１４の溝１９、２９に磁性体２１を埋め
込む。磁性体２１の埋め込み方法として、以下の４通り
の方法がある。第１の方法は、直径１〜５μｍのフェラ
イト磁性粉を溝１９に入れて、別個に用意されたＳｉ基
板で溝１９、２９に蓋をして圧力を加え、フェライトの
ハード磁性粉の密度を増大させる方法である。

【００４５】第２の方法は、真空薄膜形成装置にＳｉＯ
２／Ｓｉ基板１４をセットし、スパッタ材料（ハードフ
ェライト）をターゲットにしてスパッタし、溝１９、２
９に磁性体２１を埋め込んでいく方法であり、通常のス
パッタ法と同じである。第３の方法は、磁気テープ、磁
気ディスケット等に用いられる磁性粉を含む塗布剤をＳ
ｉＯ２／Ｓｉ基板１４の溝１９、２９に流し込み、揮発
性物質を気化させて磁性粉の体積比を高める方法である
。詳しくは、フェライトの磁性粉を有機系のバインダ液
に入れて磁性粉が均一に分布するように十分に混ぜ合わ
せる。ただし、混合中に空気の混入による気泡が発生し
ないように、十分注意する必要がある。また、磁性粉の
混合比が磁界強度の強さに大きく依存する。混ぜ合わせ
る体積比にほぼ比例して磁界強度が変化する。次いで、
磁性粉を混ぜ合わせたバインダ液をＳｉＯ２／Ｓｉ基板
１４の溝１９、２９に垂らして溝１９、２９からやや溢
れるようになるまで入れる。次いで、ＳｉＯ２／Ｓｉ基
板１４をホットプレートの上に載せ５０℃程度に加熱し
てバインダ液に含まれた揮発物質を気化させ、相対的に
磁性粉の体積比を増大させる。

【００４６】第４の方法は電気メッキ法に溝１９の中に
金属磁性体を折出させ、これを充填する。次いで、上述
の４つのうちの何れの方法においても、図１４（ｒ）に
示すように磁性体２１の表面は凹凸が発生するため、図
１４（ｓ）に示すようにＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４の基板
面を研磨し、平坦にする。

【００４７】図１４（ｒ）（ｓ）に示される上述の工程
が、第１の溝１９および第２の溝２９の中に磁性体２１
を埋め込む第３の工程に相当する。次いで、図１４（ｔ
）に示すように、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４上にＳｉＯ２
等からなる保護膜２２を形成する。詳しくは、ＣＶＤ法
（化学的気相成膜法）により約１．０μｍのＳｉＯ２膜
をＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４上に形成したり、あるいは、
薄いフィルムをＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４に貼ったり樹脂
や塗料等を塗布して保護膜２２を形成する。

【００４８】次いで、磁性体２１を着磁機により着磁す
る。詳しくは、図１５（ｕ）に示すように、基板面に沿
って延在する磁極間にＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４を挟み、
磁性体２１を基板面に垂直な方向の磁界により着磁する
。以上の工程により、図１５（ｖ）に示される磁気パタ
ーン２５が製造される。上述のような製造方法によれば
、異方性エッチング可能な基板材料に、フォトエッチン
グプロセスによって第１の溝１９および第２の溝２９を
蝕刻形成し、各溝に磁性体２１を埋設しているので、高
い精度を有する磁気媒体を容易に製造することができ、
またフォトリソグラフィーのマスクパターンを交換する
だけで、各種高精度の磁気媒体が製造することができる
。さらに磁性体２１を着磁する場合、磁性体２１を一度
に着磁することができ、各工程においても一度に多数の
基板材料を処理することができ、さらにまた磁性体２１
を強い磁界で着磁することができる。一方、第１の溝１
９および第２の溝２９の深さを異なるようにしているの
で、フォトリソグラフィーのマスクパターンを変更した
り、フォトエッチングプロセスを追加することにより、
前述の図１〜図９に示される磁気媒体の製造方法に適用
することができる。

【００４９】次に、請求項６記載の発明に係る磁気媒体
の製造方法の一例として、上述の磁気媒体５０と同じよ
うな構成の磁気パターンの製造方法を図１０〜図１１（
ｇ）、図１６〜図２０を参照しながら説明する。なお、
図１６〜図１９においても磁気媒体の一つのピット近傍
に相当する部分の断面を示している。まず、図１０〜図
１１（ｇ）に示される工程と同一の工程により形成され
たＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４上にほう素Ｂを熱拡散させる
。熱拡散法には、大きく分けて気相拡散法と固相拡散法
との２種類があるが、ここでは、固相拡散法について説
明する。なお、不純物の導入方法としては他にイオン打
込み法等が知られている。詳しくは、固相熱拡散法によ
って、図１６（ａ）に示すように、ほう素ガラス（Ｂ２
Ｏ３）８１を堆積させる。例えば、図２０に示すような
熱拡散炉１００の反応室内にＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４を
入れ、不純物の原材料であるガスＢ２Ｈ６と少量のＯ２
をキャリアガスＮ２にのせて反応室内に送り込む。反応
室内の温度は９００℃に保たれており、次の反応式で示
される化学反応が起こり、ほう素ガラス８１がＳｉＯ２
／Ｓｉ基板１４上に堆積される。なお、図２０中、１０
１はヒータ、１０２は流量調節弁、１０３はストップ弁
である。

【００５０】 ２Ｂ２Ｈ６＋６Ｏ２　　→　　２Ｂ２Ｏ３＋６Ｈ２Ｏほ
う酸ガラス８１を堆積させる工程はプレデポジション拡
散と呼ばれており、この工程中、少量のＢはＳｉＯ２／
Ｓｉ基板１４中に拡散するが、基板表面に高濃度で分布
する。次いで、不純物ガス（Ｂ２Ｈ６）を止め、反応室
内の温度を１１００℃に上げ、反応を進める。第２の反
応は次の反応式で示される。

【００５１】 ２Ｂ２Ｏ３＋３Ｓｉ　　→　　４Ｂ＋３ＳｉＯ２この第
２の反応により、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４上のＢ２Ｏ３
のＢはＳｉ部１２中に拡散（ドライブ拡散）し、ＳｉＯ
２はＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４上に堆積し、Ｓｉ部１２の
露出部分がＳｉＯ２層１３に覆われる。図１６（ｂ）は
ドライブ拡散後の状態を示しており、図中の８２はＰ型
不純物が導入されたＰ＋層を示している。なお、本実施
例ではＰ型不純物を導入しているが、Ｎ型不純物を導入
してもよい。

【００５２】上述の図１０〜図１１（ｇ）および図１６
（ａ）（ｂ）に示される工程が、保護被膜を形成した異
方性エッチング可能な基板材料に、Ｐ型およびＮ型のう
ちの少なくとも一方の不純物（本実施例ではＰ型）を所
定パターンで導入する第１の工程に相当する。次いで、
図１６（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４の
基板面上にレジスト剤からなるレジスト８３をスピンコ
ーター等によりコーティングし、約１００℃に加熱した
恒温槽の中に入れレジスト剤を安定させる。次いで、レ
ジスト剤の安定化後、図１６（ｄ）に示すように、所定
パターンが書き込まれたガラス８４を置き、レジスト８
３にガラス板８６を通して紫外線を照射する。ガラス板
８６の紫外線を透過させる部分は一対のＰ＋層８２の中
間で両層に跨がるようにして形成されている。

【００５３】次いで、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４をレジス
ト８３と共に現像液に浸して現像し、図１７（ｅ）に示
すように、レジスト８３の露光された部分のみを溶かし
出してＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４から除去し、ＳｉＯ２／
Ｓｉ基板１４の基板面を選択的に露出させる。次いで、
ＲＩＥ装置により、図１７（ｆ）に示すようにＳｉＯ２
層１３の露出部分を除去する。

【００５４】次いで、真空容器内にＯ２ガスを供給して
プラズマを発生させて、図１７（ｇ）に示すように、レ
ジスト８３を燃焼させて除去する。次いで、図１７（ｈ
）に示すように、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４を水酸化カリ
ウム（ＫＯＨ）水溶液１８に浸して反応させ、Ｓｉ部１
２およびＰ＋層８２の両方の露出部分を基板面に垂直な
方向にエッチングして、第１の溝８７を形成する。なお
、このエッチングはＰ型不純物のドーピングの影響を受
けない。

【００５５】次いで、図１８（ｉ）に示すように、干渉
弗酸８８でＳｉＯ２層１３を除去する。次いで、図１８
（ｊ）に示すように、弗酸、硝酸および酢酸の混合液８
９により、ＢをドーピングしたＰ＋層だけをエッチング
し、図１８（ｈ）に示すように第２の溝９０を形成する
。 上述の図１６（ｃ）〜図１８（ｊ）に示される工程が、
フォトエッチングプロセスを用い、基板材料中の不純物
導入部分と非導入部分との境界の近傍を蝕刻することに
より所定パターンの第１の溝を形成し、基板材料中の不
純物導入部分のみを蝕刻することにより第１の溝の深さ
と異なる深さを有する所定パターンの第２の溝を形成す
る第２の工程に相当する。

【００５６】次いで、図１８（ｌ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ２／Ｓｉ基板１４の溝８７、９０に磁性体９１を埋め
込む。磁性体９１の埋め込み方法は、前述した方法と同
様の方法をとる。この図４３に示される工程が、第１の
溝および第２の溝の中に磁性体を埋め込む第３の工程に
相当する。 次いで、図１９（ｍ）に示すように、ＳｉＯ２／Ｓｉ基
板１４の基板面を研磨し、磁性体９１の凹凸を平坦にす
る。

【００５７】図１８（ｌ）、図１９（ｍ）に示される上
述の工程が、第１の溝８７および第２の溝９０の中に磁
性体９１を埋め込む第３の工程に相当する。次いで、図
１９（ｎ）に示すように、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板１４上に
ＳｉＯ２等からなる保護膜９２を形成する。次いで、磁
性体９１を着磁機により着磁する。詳しくは、図１９（
ｏ）に示すように、基板面に沿って延在する磁極間にＳ
ｉＯ２／Ｓｉ基板１４を挟み、磁性体９１を基板面に垂
直な方向の磁界により着磁する。

【００５８】以上の工程により、図１５に示される磁気
パターン２５とほぼ同様の磁気パターンが製造される。 上述の製造方法によれば、異方性エッチング可能な基板
材料に、Ｐ型およびＮ型のうちの少なくとも一方の不純
物（本実施例ではＰ型）を所定パターンで導入した後、
第１および第２の溝８７、９０を形成し、各溝８７、９
０に磁性体９１を埋設しているので、高い精度を有する
磁気媒体を容易に製造することができ、またフォトリソ
グラフィーのマスクパターンを交換するだけで、各種高
精度の磁気媒体を製造することができる。さらに磁性体
９１を着磁する場合、一度に着磁することができ、各工
程においても一度に多数の基板材料を処理することがで
き、さらにまた磁性体を強い磁界で着磁することが可能
になる。一方、第１の溝８７および第２の溝９０の深さ
を異なるようにしているので、一方、第１の溝８７およ
び第２の溝９０の深さを異なるようにしているので、フ
ォトリソグラフィーのマスクパターンを変更したり、エ
ッチングプロセスを追加したりすることにより、前述の
図１〜図９に示される磁気媒体の製造方法に適用するこ
とができる。

【００５９】なお、請求項５記載の磁気媒体の製造方法
における第１の溝１９、第２の溝２９および請求項６記
載の磁気媒体の製造方法における第１の溝８７、第２の
溝９０の断面形状、形成順序、溝深さ等は上述の実施例
に限定されるものではない。

【００６０】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、基板に形
成されたピットに磁性体を埋設させているので、磁性体
を強い磁界で着磁することができ、また分解能の精度を
向上することができ、ピットに埋設された磁性体を一度
に着磁することができる。また一方、ピットに段差を設
けているので、磁性体の厚さを段階的に変化させること
ができ、段差の数や位置を適当に設定することによって
、磁性体を着磁した場合、磁界強度分布を任意に設定す
ることができる。

【００６１】請求項２記載の発明によれば、基板に形成
されたピットに磁性体を埋設させ、ピットを構成する複
数の溝のうち少なくとも一つの溝の深さを残りの溝の深
さと異なるようにしているので、請求項１記載の発明に
よる効果と同様の効果を得ることができる。請求項３記
載の発明によれば、磁気パターンとして用いられる磁気
媒体において、ピットの深さをピットの所定断面の中央
に向うにしたがって段階的に大きくしているので、請求
項１記載の発明による効果に加え、磁性体の厚さを中央
に向うにしたがって段階的に大きくすることができ、磁
性体を着磁した場合、磁界強度の分布を均一にすること
ができる。

【００６２】請求項４記載の発明によれば、磁気パター
ンとして用いられる磁気媒体において、ピットを構成す
る３個以上の溝のうち中央寄りの溝の深さを大きくして
いるので、請求項１記載の発明による効果に加え、磁性
体の厚さを中央に向うにしたがって断続的に大きくする
ことができ、磁性体を着磁した場合、磁界強度の分布を
均一にすることができる。

【００６３】請求項５記載の発明によれば、異方性エッ
チング可能な基板材料に、フォトエッチングプロセスに
よって第１の溝および第２の溝を蝕刻形成し、各溝に磁
性体を埋設しているので、高い精度を有する磁気媒体を
容易に製造することができ、またフォトリソグラフィー
のマスクパターンを交換するだけで、各種高精度の磁気
媒体が製造することができる。さらに磁性体を着磁する
場合、一度に着磁し、各工程においても一度に多数の基
板材料を処理することができ、また磁性体を強い磁界で
着磁することができる。また一方、第１の溝および第２
の溝の深さを異なるようにしているので、請求項１〜請
求項４記載の発明に係る磁気媒体の製造方法に適用する
ことができる。

【００６４】請求項６記載の発明によれば、異方性エッ
チング可能な基板材料に、Ｐ型およびＮ型のうちの少な
くとも一方の不純物を所定パターンで導入した後、互い
に深さの異なる第１および第２の溝を形成し、各溝に磁
性体を埋設しているので、請求項５記載の発明による効
果と同様の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１記載の発明に係る磁気媒体の一実施例
を示す断面図である。

【図２】図１におけるピットの他の実施態様を示す断面
図である。

【図３】図１における磁性体の厚さが均一である場合の
作用説明図である。

【図４】図１における磁性体の厚さが変化している場合
の作用説明図である。

【図５】請求項２記載の発明に係る磁気媒体の一実施例
を示す断面図である。

【図６】請求項３記載の発明に係る磁気媒体の一実施例
を示す断面図である。

【図７】図６におけるＫ−Ｋ矢視断面図である。

【図８】図７におけるピットの他の実施態様を示す断面
図である。

【図９】請求項４記載の発明に係る磁気媒体の一実施例
を示す断面図である。

【図１０】請求項５記載の発明に係る磁気媒体の製造方
法における最初の工程を示す図であり、（ａ）は基板の
準備工程、（ｂ）は第１ＳｉＯ２層形成工程、（ｃ）は
第１レジストコーティング工程、（ｄ）は第１露光工程
を示す。

【図１１】図１０に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｅ）は第１現像工程、（ｆ）は第１ドライエッ
チング工程、（ｇ）は第１レジスト除去工程、（ｈ）は
第１ウエットエッチング工程を示す。

【図１２】図１１に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｉ）はウエットエッチング後の基板断面、（ｊ
）は第２ＳｉＯ２層形成工程、（ｋ）は第２レジストコ
ーティング工程、（ｌ）は第２露光工程を示す。

【図１３】図１２に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｍ）は第２現像工程、（ｎ）は第２ドライエッ
チング工程、（ｏ）は第２レジスト除去工程、（ｐ）は
第２ウエットエッチング工程を示す。

【図１４】図１３に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｑ）はウエットエッチング後の基板断面、（ｒ
）は磁性体埋設工程、（ｓ）は基板表面研磨工程、（ｔ
）は保護膜形成工程を示す。

【図１５】図１４に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｕ）は着磁工程、（ｖ）は製造された磁気媒体
を示す。

【図１６】請求項６記載の発明に係る磁気媒体の製造方
法における最初の工程を示す図であり、（ａ）はほう素
ガラス堆積工程、（ｂ）はドライブイン拡散工程、（ｃ
）はレジストコーティング工程、（ｄ）は露光工程を示
す。

【図１７】図１６に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｅ）は現像工程、（ｆ）はドライエッチング工
程、（ｇ）はレジスト除去工程、（ｈ）はウエットエッ
チング工程を示す。

【図１８】図１７に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｉ）はＳｉＯ２層除去工程、（ｊ）はＰ＋層エ
ッチング工程、（ｋ）はＰ＋層エッチング後の基板断面
、（ｌ）は磁性体埋設工程を示す。

【図１９】図１８に示される工程の次の工程を示す図で
あり、（ｍ）は基板表面研磨工程、（ｎ）は保護膜形成
工程、（ｏ）は着磁工程を示す。

【図２０】図１６（ａ）におけるほう素ガラスの堆積工
程に用いられる熱拡散炉を示す図。

【図２１】従来の磁気パターンの製造装置を示す図。

【符号の説明】

３０、４０、５０、６０　　磁気媒体 ３１、４１、５１、６１　　基板 ３２、４２、５２、６１　　磁性体 ３３、４３、５３、６３　　ピット ３３ａ、５３ａ、５３ｂ　　段差 ４３ａ、４３ｂ、６３ａ、６３ｂ、６３ｃ　　溝１４　
　ＳｉＯ２／Ｓｉ基板（保護被膜を形成した異方性エッ
チング可能な基板材料）１ １９　　第１の溝 ２９　　第２の溝 ２１　　磁性体 ８２　　Ｐ＋層（Ｐ型不純物の導入部）８７　　第１の
溝 ９０　　第２の溝 ９１　　磁性体

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　ピットを有する基板と、前記ピットに
   埋設された磁性体と、を備えた磁気媒体であって、前記
   ピットに段差を形成したことを特徴とする磁気媒体。
2. 【請求項２】　　ピットを有する基板と、前記ピットに
   埋設された磁性体と、を備えた磁気媒体であって、前記
   ピットが互いに近接した複数の溝から構成され、複数の
   溝のうち少なくとも一つの溝の深さが残りの溝の深さと
   異なることを特徴とする磁気媒体。
3. 【請求項３】　　所定パターンに配置されたピットを有
   する基板と、前記ピットに埋設された磁性体と、を備え
   、磁気パターンとして用いられる磁気媒体であって、前
   記ピットの深さがピットの所定断面の中央に向うにした
   がって段階的に大きくなるように、ピットに複数の段差
   を形成したことを特徴とする磁気媒体。
4. 【請求項４】　　所定パターンに配置されたピットを有
   する基板と、前記ピットに埋設された磁性体と、を備え
   、磁気パターンとして用いられる磁気媒体であって、前
   記ピットが互いに近接して並ぶ３個以上の溝から構成さ
   れ、前記３個以上の溝のうち中央寄りの溝の深さが大き
   くなるようにしたことを特徴とする磁気媒体。
5. 【請求項５】保護被膜を形成した異方性エッチング可能
   な基板材料に、フォトエッチングプロセスにより所定パ
   ターンの第１の溝を蝕刻形成する第１の工程と、第１の
   工程で形成された第１の溝内または該溝に隣接した所定
   部分に、フォトエッチングプロセスにより第１の溝の深
   さと異なる深さを有する所定パターンの第２の溝を形成
   する第２の工程と、第１の溝および第２の溝の中に磁性
   体を埋め込む第３の工程と、を有することを特徴とする
   磁気媒体の製造方法。
6. 【請求項６】保護被膜を形成した異方性エッチング可能
   な基板材料に、Ｐ型およびＮ型のうちの少なくとも一方
   の不純物を所定パターンで導入する第１の工程と、フォ
   トエッチングプロセスを用い、基板材料中の不純物導入
   部分と非導入部分との境界の近傍を蝕刻することにより
   所定パターンの第１の溝を形成し、基板材料中の不純物
   導入部分のみを蝕刻することにより第１の溝の深さと異
   なる深さを有する所定パターンの第２の溝を形成する第
   ２の工程と、前記第１の溝および第２の溝の中に磁性体
   を埋め込む第３の工程と、を有することを特徴とする磁
   気媒体の製造方法。