JPS5972136A - レジスト・パタ−ン形成方法 - Google Patents
レジスト・パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5972136A JPS5972136A JP18217782A JP18217782A JPS5972136A JP S5972136 A JPS5972136 A JP S5972136A JP 18217782 A JP18217782 A JP 18217782A JP 18217782 A JP18217782 A JP 18217782A JP S5972136 A JPS5972136 A JP S5972136A
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- JP
- Japan
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- temperature
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- processed
- developer
- resist
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
本発明は高精度レジストパターンの形成方法に関する。
（従来技術とその問題点コ
超ＬＳＩをはじめとして、半導体素子の集積密度が大き
くなるＫつれて、微細にして、かつ高精度のパターン形
成技術が要求されている。このため許容される寸法精度
は、非常に厳しいものとなり、最先端分野では、５イン
チのマスクあるいは４インチのウェハ内での寸法精度は
３σ≦０．Ｌａｍが要求され始めている。同時に、多数
のマスクあるいはウニへ間での相互の寸法変動も同程度
の精度に抑えることが要求される。この厳しい要求に応
えるためには、光によるアライナ−やステッパーあるい
は電子ビーム露光装置等々の露光装置の性能向上と共に
、パターン形成を実現するためのレジスト・プロセス技
術の精度向上も同時に進行しなければならない。
くなるＫつれて、微細にして、かつ高精度のパターン形
成技術が要求されている。このため許容される寸法精度
は、非常に厳しいものとなり、最先端分野では、５イン
チのマスクあるいは４インチのウェハ内での寸法精度は
３σ≦０．Ｌａｍが要求され始めている。同時に、多数
のマスクあるいはウニへ間での相互の寸法変動も同程度
の精度に抑えることが要求される。この厳しい要求に応
えるためには、光によるアライナ−やステッパーあるい
は電子ビーム露光装置等々の露光装置の性能向上と共に
、パターン形成を実現するためのレジスト・プロセス技
術の精度向上も同時に進行しなければならない。
一般に、露光装置により、パターンに応じた所定の露光
祉を得た被処理基板（レジストを被膜したマスクあるい
はウェハ）をレジスト材料に応じた現像液を用いて現像
処理を行なって、所望のパターンを実現する。
祉を得た被処理基板（レジストを被膜したマスクあるい
はウェハ）をレジスト材料に応じた現像液を用いて現像
処理を行なって、所望のパターンを実現する。
この時、用いる現像液の液温によって、レジストの現像
速度は異なる。例えば、ポジ型のレジストでは、第１図
のように、現像液温度が高くなると、現像速度がＶまシ
所定の現像時間を定めた時得られる露光パターン寸法は
、よシ大きくなシ、所望の寸法からのズレを生じる。逆
に現像液温度が低くなるき、露光パターン寸法は、より
小さくなシやはり所望の寸法からのズレを生じる。
速度は異なる。例えば、ポジ型のレジストでは、第１図
のように、現像液温度が高くなると、現像速度がＶまシ
所定の現像時間を定めた時得られる露光パターン寸法は
、よシ大きくなシ、所望の寸法からのズレを生じる。逆
に現像液温度が低くなるき、露光パターン寸法は、より
小さくなシやはり所望の寸法からのズレを生じる。
高精度を要するパターン形成においては、現像液温度を
制御するために第２図のようＫ、現像液２を入れた現像
槽３を、温度制御装置（ここでは図示していない。）を
具備した恒温槽４の中に保存することが行なわれている
。このような装置で被処理基板１を現像した場合、被処
理基板１の熱容量と現像液２の熱容量の違いから、被処
理基板１を浸漬すると現像液温度の低下を生じる。例え
ば、被処理基板として、５インチガラス・マスク基板ヲ
用い、現像液として、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢ
Ｋ）を用いると０．１〜０．２°０の現像液温度の低下
が見られた。この温度低下が回復するには、通常１０数
分程度要する。そこで連続的に多数の処理基板を処理す
ると第３図のように、処理枚数と共に現像液温度が低下
し、１０枚目にはその差は１〜２°Ｃ以上にもなる。こ
のような温度差を生じると所定の現像時間で処理した被
処理基板上のパターンは０．２〜０．３μｍ以上の寸法
差を生じて、所望の高精度のレジスト・パターンを再現
できない。
制御するために第２図のようＫ、現像液２を入れた現像
槽３を、温度制御装置（ここでは図示していない。）を
具備した恒温槽４の中に保存することが行なわれている
。このような装置で被処理基板１を現像した場合、被処
理基板１の熱容量と現像液２の熱容量の違いから、被処
理基板１を浸漬すると現像液温度の低下を生じる。例え
ば、被処理基板として、５インチガラス・マスク基板ヲ
用い、現像液として、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢ
Ｋ）を用いると０．１〜０．２°０の現像液温度の低下
が見られた。この温度低下が回復するには、通常１０数
分程度要する。そこで連続的に多数の処理基板を処理す
ると第３図のように、処理枚数と共に現像液温度が低下
し、１０枚目にはその差は１〜２°Ｃ以上にもなる。こ
のような温度差を生じると所定の現像時間で処理した被
処理基板上のパターンは０．２〜０．３μｍ以上の寸法
差を生じて、所望の高精度のレジスト・パターンを再現
できない。
［発明の目的］
本発明の目的は、上記問題点を解消し、高精度のレジス
ト・パターンを形成する簡便かつ実用的な方法を提供す
ることにある。
ト・パターンを形成する簡便かつ実用的な方法を提供す
ることにある。
［発明の概要］
本発明の高精度レジスト・パターン形成方法の特徴ｔよ
、被処理基板を現像液温度にほぼ等しい温度に恒温化し
た後に、現像処理を行なうことにある０ ［発明の実施例］ 以下本発明に係る高精度のレジスト パターン形成方法
の一実施例を説明する。
、被処理基板を現像液温度にほぼ等しい温度に恒温化し
た後に、現像処理を行なうことにある０ ［発明の実施例］ 以下本発明に係る高精度のレジスト パターン形成方法
の一実施例を説明する。
第４図（→、（ｂ）は、本発明の一実施例を示す簡単な
模式図である。１は被処理基板（レジストを被膜したマ
スクまたはウェハ）、２は現像液、３は現像槽、４は温
度制御装置（ここでは図示していない。）を具備した恒
温槽、５は恒温液（一般には水が用いられる。）、６は
レジストに対して現像能力を有しない非溶媒からなる被
処理基板恒温液、７は被処理基板恒温槽である。例えば
レジストとしてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
を現、（ＩＩＷ吉してメチルイソブチルケトン（ＭＩＢ
Ｋ）を、被処理基板恒温液としてインプロピルアルコー
ル（ＩＰＡ）を用いることができる。予め、現像液２と
、被処理基板恒温液６をほぼ等しい所定の液温に設定さ
れるように、恒温槽４の温度制御を行なう。
模式図である。１は被処理基板（レジストを被膜したマ
スクまたはウェハ）、２は現像液、３は現像槽、４は温
度制御装置（ここでは図示していない。）を具備した恒
温槽、５は恒温液（一般には水が用いられる。）、６は
レジストに対して現像能力を有しない非溶媒からなる被
処理基板恒温液、７は被処理基板恒温槽である。例えば
レジストとしてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）
を現、（ＩＩＷ吉してメチルイソブチルケトン（ＭＩＢ
Ｋ）を、被処理基板恒温液としてインプロピルアルコー
ル（ＩＰＡ）を用いることができる。予め、現像液２と
、被処理基板恒温液６をほぼ等しい所定の液温に設定さ
れるように、恒温槽４の温度制御を行なう。
まず、被処理基板１を被処理基板恒温液６の中に浸漬し
て、所定の温度に安定するまで恒温化する（第４図（ａ
））。この際、多数の被処理基板を同時に恒温化すると
効率的である。次に恒温化された被処理基板ｌを、所定
の液温に設定された現像液２の中に浸漬して、現像処理
を行なう（第４図（Ｌ）） ） Ｏ予め、被処理基板１
は現像液温度にほぼ等しく恒温化されているので、現像
処理中の現像液温度は安定している。従って連続的に被
処理基板の現像処理を行なっても、常に現像液温度は安
定しておυ、被処理基板１上に高精度のレジスト・パタ
ーンを再現性良く形成することができた。
て、所定の温度に安定するまで恒温化する（第４図（ａ
））。この際、多数の被処理基板を同時に恒温化すると
効率的である。次に恒温化された被処理基板ｌを、所定
の液温に設定された現像液２の中に浸漬して、現像処理
を行なう（第４図（Ｌ）） ） Ｏ予め、被処理基板１
は現像液温度にほぼ等しく恒温化されているので、現像
処理中の現像液温度は安定している。従って連続的に被
処理基板の現像処理を行なっても、常に現像液温度は安
定しておυ、被処理基板１上に高精度のレジスト・パタ
ーンを再現性良く形成することができた。
［発明の他の実施例］
上述の実施例では、現像槽３及び被処理基板恒温＃１７
を同一の恒温槽４の中に載置しているが、はぼ尋しい温
度に制御された２個以上の恒温槽で別々に恒温化するこ
とによっても効果に変わシのないことは言うまでもない
。
を同一の恒温槽４の中に載置しているが、はぼ尋しい温
度に制御された２個以上の恒温槽で別々に恒温化するこ
とによっても効果に変わシのないことは言うまでもない
。
更に本発明のポイントは、被処理基板を、予め現像液温
度にほぼ等しい温度に恒温化してから現像処理を行なう
ことにあり、恒温化のだめの媒体は液体に限るものでは
ない。レジストと反応しない恒温化された気体中に被処
理基板を保持したシ、恒温化された固体と被処理基板を
接触させることにより、被処理基板の恒温化を行なって
も同様の効果を得ることができる。
度にほぼ等しい温度に恒温化してから現像処理を行なう
ことにあり、恒温化のだめの媒体は液体に限るものでは
ない。レジストと反応しない恒温化された気体中に被処
理基板を保持したシ、恒温化された固体と被処理基板を
接触させることにより、被処理基板の恒温化を行なって
も同様の効果を得ることができる。
［発明の効果］
以上説明したごとく、本発明によれば、多数の被処理基
板を連続的に現像処理を行なっても、再現性良く高精度
のレジストパターンを形成することが、簡便にしてかつ
実用的な方法で、達成することができる。
板を連続的に現像処理を行なっても、再現性良く高精度
のレジストパターンを形成することが、簡便にしてかつ
実用的な方法で、達成することができる。
第１図は、現像液温度の変化に対する露光パターン寸法
の変化を説明する特性図、第２図は従来方法の説明図、
第３図は従来方法で現像処理した場合の処理枚数に対す
る現像液温度の変化を示す特性図、第４図（ａ） 、
（ｂ）は本発明によるレジストパターン形成方法の一実
施例を説明するための図である。 １・・・被処理基板（レジストを被膜したマスクあるい
はウェハ）、 ２・・・現像液、 ３・・・現像槽、 ４・・・温度制御装置（ここには図示していない）を具
備した恒温槽、 ５・・・恒温液、 ６・・・被処理基板恒温液、７
被処理基板恒温槽。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか
１名） 第 ４ 図 （ｂ） 第 １ 図 第３図 処理枚数、
の変化を説明する特性図、第２図は従来方法の説明図、
第３図は従来方法で現像処理した場合の処理枚数に対す
る現像液温度の変化を示す特性図、第４図（ａ） 、
（ｂ）は本発明によるレジストパターン形成方法の一実
施例を説明するための図である。 １・・・被処理基板（レジストを被膜したマスクあるい
はウェハ）、 ２・・・現像液、 ３・・・現像槽、 ４・・・温度制御装置（ここには図示していない）を具
備した恒温槽、 ５・・・恒温液、 ６・・・被処理基板恒温液、７
被処理基板恒温槽。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか
１名） 第 ４ 図 （ｂ） 第 １ 図 第３図 処理枚数、
Claims (5)
- （１）被処理基板の現像処理工程に於いて、現像処理に
先立って、前記被処理基板を現像液温度にほぼ等しく恒
温化することを特徴とするレジスト・パターン形成方法
。 - （２）前記特許請求の範囲第１項記載の形成方法に於い
て、恒温化の方法として予め該現像液とほぼ等しい温度
に恒温化した、レジストと反応しない液体中に被処理基
板を浸漬することを特徴とするレジスト・パターン形成
方法１、 - （３）前記特許請求の範囲第２項に記載した形成方法に
於いて、レジストと反応しない液体として、非溶媒から
なるリンス液を用いたことを特徴とするレジスト・パタ
ーン形成方法。 - （４）前記特許請求の範囲第１項記載の形成方法に於い
て、恒温化の方法として、予め該現像液とほぼ等しい温
度に恒温化したレジストと反応しない気体中に被処理基
板を保持する仁とを特徴とするレジスト・パターン形成
方法。 - （５）前記特許請求の範囲第１項記載の形成方法に於い
て、恒温化の方法として、予め現像液とほぼ等しい温度
に恒温化したレジストと反応しない固体と、被処理基板
を接触させることを特徴とするレジスト・パターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18217782A JPS5972136A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | レジスト・パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18217782A JPS5972136A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | レジスト・パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972136A true JPS5972136A (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=16113683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18217782A Pending JPS5972136A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | レジスト・パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5972136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63170935U (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS552213A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-09 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Developing method |
-
1982
- 1982-10-19 JP JP18217782A patent/JPS5972136A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS552213A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-09 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Developing method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63170935U (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 |
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