JP3120611B2 - ヘテロ接合型電界効果トランジスタ及びその製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ヘテロ接合型電界効果
トランジスタ、及びその製法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、図１０〜図１２を伴って次に述べ
るヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法が提案され
ている。

【０００３】すなわち、化合物半導体としてのＩｎＰで
なり、且つＦｅを導入していることによって半絶縁性を
有する半絶縁性化合物半導体基板１を予め用意する（図
１０Ａ）。

【０００４】そして、その半絶縁性化合物半導体基板１
上に、（ａ）化合物半導体としてのＩｎＡｌＡｓ系でな
り、且つｎ型またはｐ型のいずれの導電型を与える不純
物も意図的に導入していないか導入していても十分低い
濃度でしか導入していない２０００Ａというような比較
的厚い厚さを有するバッファ層２と、（ｂ）化合物半導
体としてのＩｎＧａＡｓ系でなり、且つｎ型またはｐ型
のいずれの導電型を与える不純物も意図的に導入してい
ないか導入していても十分低い濃度でしか導入していな
い３００Ａというような比較的薄い厚さを有するチャン
ネル形成用層３と、（ｃ）チャンネル形成用層３に比し
小さな電子親和力を有する化合物半導体としてのＩｎＡ
ｌＡｓ系でなり、且つｎ型またはｐ型のいずれの導電型
を与える不純物も意図的に導入していないか導入してい
ても十分低い濃度でしか導入していない２０Ａというよ
うな極めて薄い厚さを有するスペ―サ層４と、（ｄ）チ
ャンネル形成用層３に比し小さな電子親和力を有する化
合物半導体としてのＩｎＡｌＡｓ系でなり、且つｎ型不
純物としてのＳｉを４×１０¹⁸ｃｍ^-3というような比較
的高い濃度で導入している、１００Ａというような比較
的薄い厚さを有するキャリア供給用層５と、（ｅ）チャ
ンネル形成用層３に比し小さな電子親和力を有する化合
物半導体としてのＩｎＡｌＡｓでなり、且つｎ型または
ｐ型のいずれの導電型を与える不純物も意図的に導入し
ていないか導入していても十分低い濃度でしか導入して
いない、１００Ａというような比較的薄い厚さを有する
ショットキコンタクト層形成用層７とを、それらの順に
分子線エピタキシャル成長法などのエピタキシャル成長
法によって形成する（図１０Ｂ）。

【０００５】次に、ショットキコンタクト層形成用層７
に、キャリア供給用層５側とは反対側から、例えばＷＳ
ｉでなるゲ―ト電極１０を、ショットキコンタクト層形
成用層７との間でショットキ接合１１を形成するように
付す（図１０Ｃ）。

【０００６】次に、ショットキコンタクト層形成用層７
上に、ゲ―ト電極１０を挟んだ両位置において、例えば
ＳｉＮでなり且つゲ―ト電極１０の側面に接して延長し
ている絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄを、プラズマＣＶＤ法に
よって形成する（図１１Ｄ）。

【０００７】次に、ショットキコンタクト層形成用層７
に対する、ゲ―ト電極１０及び絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄ
をマスクとする、硫酸、過酸化水素及び水の混合液でな
るような硫酸系エッチャントを用いたエッチング処理に
よって、ショットキコンタクト層形成用層７から、キャ
リア供給用層４側とは反対側において上述したゲ―ト電
極１０を付し且つ絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄを形成してい
るショットキコンタクト層７′を形成するとともに、キ
ャリア供給用層５を、ショットキコンタクト層７′を挟
んだ両領域において、外部に臨ませる（図１１Ｅ）。こ
の場合、キャリア供給用層５のショットキコンタクト層
７′を挟んだ両領域の表面側が、材質上、エッチング除
去されるのを予儀なくされる。

【０００８】次に、キャリア供給用層５上に、ショット
キコンタクト層７′を挟んだ、外部に臨んでいる両領域
において、チャンネル形成用層３とほぼ等しいかそれに
比し大きな電子親和力を有するのを可とする化合物半導
体としてのＩｎＧａＡｓ系でなり、且つｎ型不純物とし
てのＳｉを１×１０¹⁹ｃｍ^-3というような高濃度に導入
しているソ―ス用オ―ミックコンタクト層１２Ｓ及びド
レイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄをそれぞれ例え
ば分子線エピタキシャル成長法などのエピタキシャル成
長法によって、ソ―ス用オ―ミックコンタクト層１２Ｓ
及びドレイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄを構成す
る化合物半導体はキャリア供給用層５上には成長するが
ゲ―ト電極１０及び絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄ上には実質
的に成長しないことを利用して、形成する（図１２
Ｆ）。

【０００９】次に、ソ―ス用オ―ミックコンタクト層１
２Ｓ及びドレイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄ上
に、リフトオフ法を用いて、キャリア供給用層５側とは
反対側から、Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層の積層体でなる
ソ―ス電極１３Ｓ及びドレイン電極１３Ｄをそれぞれオ
―ミックに付す（図１２Ｇ）。

【００１０】以上が、従来提案されているヘテロ接合型
電界効果トランジスタの製法である。

【００１１】図１０〜図１２に示す従来のヘテロ接合型
電界効果トランジスタ製法によって製造されるヘテロ接
合型電界効果トランジスタ（図１２Ｇ）によれば、チャ
ンネル形成用層３のスペ―サ層４側に電子層が形成さ
れ、そして、その電子層に、ソ―ス電極１３Ｓ及びドレ
イン電極１３Ｄ間に所要のバイアス電源を接続している
状態で、電子が、ソ―ス電極１３Ｓを基準としてゲ―ト
電極１０に与える制御電圧に応じて制御されて走行する
機構で、電界効果トランジスタとしての機能が得られる
が、この場合、チャンネル形成用層３に導電型を与える
不純物が導入されていないことから、電子層を電子が高
速に移動する。

【００１２】また、図１０〜図１２に示す従来のヘテロ
接合型電界効果トランジスタの製法によって製造される
ヘテロ接合型電界効果トランジスタによれば、ゲ―ト電
極１０とソ―ス用オ―ミックコンタクト層１２Ｓとの間
の内部距離が、絶縁膜１１Ｓの厚さによって決められ、
そして、その絶縁膜１１Ｓのゲ―ト電極１０の側面上の
厚さを容易に薄くすることができるので、電界効果トラ
ンジスタとしてのゲ―ト・ソ―ス間抵抗を低くすること
ができる。

【００１３】以上のことから、図１０〜図１２に示す従
来のヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法によって
製造されるヘテロ接合型電界効果トランジスタによれ
ば、電界効果トランジスタとしての機能が高速に得られ
る。

【００１４】さらに、図１０〜図１２に示す従来のヘテ
ロ接合型電界効果トランジスタの製法によって製造され
るヘテロ接合型電界効果トランジスタによれば、チャン
ネル形成用層３に形成される電子層が、ソ―ス電極１３
Ｓ及びドレイン電極１３Ｄに、ソ―ス用オ―ミックコン
タクト層１２Ｓ及びドレイン用オ―ミックコンタクト層
１２Ｄによる化合物半導体を介して連結されているの
で、そのような連結が、ソ―ス電極１３Ｓ及びドレイン
電極１３Ｄから延長しているちなみに、合金化層によっ
てなされているとした場合に比し、長期に亘って安定で
ある。

【００１５】従って、図１０〜図１２に示す従来のヘテ
ロ接合型電界効果トランジスタの製法によって製造され
るヘテロ接合型電界効果トランジスタによれば、上述し
た電界効果トランジスタとしての機能が、長期に亘って
安定に得られる。

【００１６】また、図１０〜図１２に示す従来のヘテロ
接合型電界効果トランジスタの製法によれば、ショット
キコンタクト層７′が、半絶縁性化合物半導体基板１上
にショットキコンタクト層形成用層７を形成し、それに
ゲ―ト電極１０を付して後、そのショットキコンタクト
層形成用層７から、ゲ―ト電極１０及び絶縁膜１１Ｓ及
び１１Ｄをマスクとするエッチング処理によって形成し
ているので、そのショットキコンタクト層７′が、ショ
ットキコンタクト層形成用層７の当初の厚さを有し、こ
のため、ヘテロ接合型電界効果トランジスタを、良好な
閾値電圧特性を有するものとして、再現性よく、容易に
製造することができる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
〜図１２に示す従来のヘテロ接合型電界効果トランジス
タの製法の場合、ショットキコンタクト層形成用層７か
ら、ゲ―ト電極１０及び絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄをマス
クとするエッチング処理によって、ショットキコンタク
ト層７′を形成する工程において、キャリア供給用層５
が不必要にエッチングされ、このため、キャリア供給用
層５が、ソ―ス用オ―ミックコンタクト層１２Ｓ及びド
レイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄ下において薄く
なったり、ある場合は全くなくなったりするおそれがあ
る。

【００１８】このため、ヘテロ接合型電界効果トランジ
スタを、所期の電流容量を有するものとして、容易に製
造することができない、という欠点を有していた。

【００１９】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規なヘテロ接合型電界効果トランジスタ、及びその製
法を提案せんとするものである。

【００２０】

【００２１】

【課題を解決するための手段】本願第１番目の発明によ
るヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法は、（ｉ）
半絶縁性化合物半導体基板上に、（ａ）化合物半導体で
なり、且つ導電型を与える不純物を意図的に導入してい
ないか導入しているとしても十分低い濃度でしか導入し
ていないチャンネル形成用層と、（ｂ）上記チャンネル
形成用層に比し小さな電子親和力を有する化合物半導体
でなり、且つｎ型不純物を導入しているキャリア供給用
層と、（ｃ）上記チャンネル形成用層に比し小さな電子
親和力を有する化合物半導体でなり、且つｎ型不純物を
導入していないか導入しているとしても十分低い濃度で
しか導入していないエッチングストッパ層と、（ｄ）上
記チャンネル形成用層に比し小さな電子親和力を有する
化合物半導体でなり、且つ導電型を与える不純物を意図
的に導入していないか導入しているとしても十分低い濃
度でしか導入していないショットキコンタクト層形成用
層とを、それらの順に積層して形成する工程と、（ｉ
ｉ）上記ショットキコンタクト層形成用層に、上記エッ
チングストッパ層側とは反対側から、ゲ―ト電極を、上
記ショットキコンタクト層形成用層との間でショットキ
接合を形成するように付す工程と、（ｉｉｉ）上記ショ
ットキコンタクト層形成用層上に、上記ゲ―ト電極を挟
んだ両位置において、上記ゲ―ト電極の側面に接して延
長している第１及び第２の絶縁膜を形成する工程と、
（ｉｖ）上記ショットキコンタクト層形成用層に対す
る、上記ゲ―ト電極及び上記第１及び第２の絶縁膜をマ
スクとするエッチング処理によって、上記ショットキコ
ンタクト層形成用層から、上記エッチングストッパ層側
とは反対側において上記ゲ―ト電極を付し且つ上記第１
及び第２の絶縁膜を形成しているショットキコンタクト
層を形成するとともに、上記エッチングストッパ層を、
上記ショットキコンタクト層を挟んだ両領域において、
外部に臨ませる工程と、（ｖ）上記エッチングストッパ
層上に、上記ショットキコンタクト層を挟んだ、外部に
臨んでいる両領域において、化合物半導体でなり、且つ
ｎ型不純物を高濃度に導入しているソ―ス用オ―ミック
コンタクト層及びドレイン用オ―ミックコンタクト層を
それぞれ形成する工程と、（ｖｉ）上記ソ―ス用オ―ミ
ックコンタクト層及び上記ドレイン用オ―ミックコンタ
クト層に、上記エッチングストッパ層側とは反対側か
ら、ソ―ス電極及びドレイン電極をそれぞれオ―ミック
に付す工程とを有する。

【００２２】本願第２番目の発明によるヘテロ接合型電
界効果トランジスタは、（ｉ）半絶縁性化合物半導体基
板上に、（ａ）化合物半導体でなり、且つ導電型を与え
る不純物を意図的に導入していないか導入しているとし
ても十分低い濃度でしか導入していないチャンネル形成
用層と、（ｂ）上記チャンネル形成用層に比し小さな電
子親和力を有する化合物半導体でなり、且つｎ型不純物
を導入しているキャリア供給用層とが、それらの順に積
層して形成され、（ｉｉ）そして、上記キャリア供給用
層上に、（ｃ）上記チャンネル形成用層に比し小さな電
子親和力を有する化合物半導体でなり、且つｎ型不純物
を導入していないか導入しているとしても十分低い濃度
でしか導入していないエッチングストッパ層と、（ｄ）
上記チャンネル形成用層に比し小さな電子親和力を有す
る化合物半導体でなり、且つ導電型を与える不純物を意
図的に導入していないか導入しているとしても十分低い
濃度でしか導入していないショットキコンタクト層がそ
れらの順に積層して局部的に形成され、且つ（ｅ）上記
ショットキコンタクト層を挟んだ両領域において、化合
物半導体でなり、且つｎ型不純物を高濃度に導入してい
るソ―ス用オ―ミックコンタクト層及びドレイン用オ―
ミックコンタクト層がそれぞれ形成され、また、（ｉｉ
ｉ）上記ショットキコンタクト層に、上記エッチングス
トッパ層側とは反対側から、ゲ―ト電極が、上記ショッ
トキコンタクト層との間でショットキ接合を形成するよ
うに付され、さらに、（ｉｖ）上記ソ―ス用オ―ミック
コンタクト層及びドレイン用オ―ミックコンタクト層上
に、ソ―ス電極及びドレイン電極がそれぞれオ―ミック
に付されている。

【００２３】本願第３番目の発明によるヘテロ接合型電
界効果トランジスタの製法は、（ｉ）半絶縁性化合物半
導体基板上に、（ａ）化合物半導体でなり、且つ導電型
を与える不純物を意図的に導入していないか導入してい
るとしても十分低い濃度でしか導入していないチャンネ
ル形成用層と、（ｂ）上記チャンネル形成用層に比し小
さな電子親和力を有する化合物半導体でなり、且つｎ型
不純物を導入しているキャリア供給用層と、（ｃ）上記
チャンネル形成用層に比し小さな電子親和力を有する化
合物半導体でなり、且つｎ型不純物を導入していないか
導入しているとしても十分低い濃度でしか導入していな
い第１のエッチングストッパ層と、（ｄ）上記第１のチ
ャンネル形成用層に比し小さな電子親和力を有する化合
物半導体でなり、且つ導電型を与える不純物を意図的に
導入していないか導入しているとしても十分低い濃度で
しか導入していないショットキコンタクト層形成用層と
を、それらの順に積層して形成する工程と、（ｉｉ）上
記ショットキコンタクト層形成用層に、上記第１のエッ
チングストッパ層側とは反対側から、ゲ―ト電極を、上
記ショットキコンタクト層形成用層との間でショットキ
接合を形成するように付す工程と、（ｉｉｉ）上記ショ
ットキコンタクト層形成用層上に、上記ゲ―ト電極を挟
んだ両位置において、上記ゲ―ト電極の側面に接して延
長している第１及び第２の絶縁膜を形成する工程と、
（ｉｖ）上記ショットキコンタクト層形成用層に対す
る、上記ゲ―ト電極及び上記第１及び第２の絶縁膜をマ
スクとする第１のエッチング処理によって、上記ショッ
トキコンタクト層形成用層から、上記第１のエッチング
ストッパ層側とは反対側において上記ゲ―ト電極を付し
且つ上記第１及び第２の絶縁膜を形成しているショット
キコンタクト層を形成するとともに、上記第１のエッチ
ングストッパ層を、上記ショットキコンタクト層を挟ん
だ両領域において、外部に臨ませる工程と、（ｖ）上記
第１のエッチングストッパ層に対する、上記ゲ―ト電極
及び上記第１及び第２の絶縁膜をマスクとする第２のエ
ッチング処理によって、上記第１のエッチングストッパ
層から、上記キャリア供給用層側とは反対側において上
記ショットキコンタクト層を形成している第２のエッチ
ングストッパ層を形成するとともに、上記キャリア供給
用層を、上記第２のエッチングストッパ層を挟んだ両領
域において、外部に臨ませる工程と、（ｖｉ）上記キャ
リア供給用層上に、上記第２のエッチングストッパ層を
挟んだ、外部に臨んでいる両領域において、化合物半導
体でなり、且つｎ型不純物を高濃度に導入しているソ―
ス用オ―ミックコンタクト層及びドレイン用オ―ミック
コンタクト層をそれぞれ形成する工程と、（ｖｉｉ）上
記ソ―ス用オ―ミックコンタクト層及び上記ドレイン用
オ―ミックコンタクト層に、上記エッチングストッパ層
側とは反対側から、ソ―ス電極及びドレイン電極をそれ
ぞれオ―ミックに付す工程とを有する。

【００２４】

【作用・効果】本願第１番目の発明及び本願第３番目の
発明によるヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法に
よれば、ショットキコンタクト層が、発生回路半導体基
板上に、ショットキコンタクト層形成用層を形成し、そ
れにゲ―ト電極を付して後、そのショットキコンタクト
層形成用層から、ゲ―ト電極及び絶縁膜をマスクとする
エッチング処理によって形成しているので、そのショッ
トキコンタクト層が、ショットキコンタクト層形成用層
の当初の厚さを有し、このため、ヘテロ接合型電界効果
トランジスタを、良好な閾値電圧特性を有するものとし
て、再現性よく、容易に製造することができる。

【００２５】さらに、本願第１番目の発明によるヘテロ
接合型電界効果トランジスタの製法によれば、ショット
キコンタクト層形成用層から、ゲ―ト電極及び絶縁膜を
マスクとするエッチング処理によって、ショットキコン
タクト層を形成する工程において、ショットキコンタク
ト層形成用層下に第１のエッチングストッパ層を有する
ので、キャリア供給用層が不必要にエッチングされるこ
とがないので、キャリア供給用層が、ソ―ス用オ―ミッ
クコンタクト層及びドレイン用オ―ミックコンタクト層
下において薄くなったり、ある場合は全くなくなったり
するおそれがない。

【００２６】また、本願第３番目の発明によるヘテロ接
合型電界効果トランジスタの製法によれば、ショットキ
コンタクト層を形成する工程において、キャリア供給用
層に関する上述したおそれを有しないとともに、第２の
エッチングストッパ層を形成する工程においても、キャ
リア供給用層に関する上述したおそれを有効に回避させ
ることができる。

【００２７】このため、本願第１番目の発明及び本願第
３番目の発明によるヘテロ接合型電界効果トランジスタ
の製法によれば、ヘテロ接合型電界効果トランジスタ
を、所期の電流容量を有するものとして容易に製造する
ことができる。

【００２８】本願第２番目の発明によるヘテロ接合型電
界効果トランジスタによれば、図１０〜図１２に示す従
来のヘテロ接合型電界効果トランジスタ製法によって製
造されるヘテロ接合型電界効果トランジスタの場合に準
じて、チャンネル形成用層のキャリア供給用層側に電子
層が形成され、そして、その電子層に、ソ―ス電極及び
ドレイン電極間に所要のバイアス電源を接続している状
態で、電子が、ソ―ス電極を基準としてゲ―ト電極に与
える制御電圧に応じて制御されて走行する機構で、電界
効果トランジスタとしての機能が得られるが、この場
合、チャンネル形成用層３に導電型を与える不純物が導
入されていないことから、電子層を電子が高速に移動す
る。

【００２９】また、本願第２番目の発明によるヘテロ接
合型電界効果トランジスタによれば、図１０〜図１２に
示す従来のヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法に
よって製造されるヘテロ接合型電界効果トランジスタの
場合と同様に、ゲ―ト電極とソ―ス用オ―ミックコンタ
クト層との間の内部距離が、第１の絶縁膜の厚さによっ
て決められ、そして、その第１の絶縁膜のゲ―ト電極の
側面上の厚さを容易に薄くすることができるので、電界
効果トランジスタとしてのゲ―ト・ソ―ス間抵抗を低く
することができる。

【００３０】以上のことから、本願第２番目の発明によ
るヘテロ接合型電界効果トランジスタによれば、図１０
〜図１２に示す従来のヘテロ接合型電界効果トランジス
タの製法によって製造されるヘテロ接合型電界効果トラ
ンジスタの場合と同様に、電界効果トランジスタとして
の機能が高速に得られる。

【００３１】さらに、本願第２番目の発明によるヘテロ
接合型電界効果トランジスタによれば、図１０〜図１２
に示す従来のヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法
によって製造されるヘテロ接合型電界効果トランジスタ
の場合と同様に、チャンネル形成用層に形成される電子
層が、ソ―ス電極及びドレイン電極に、ソ―ス用オ―ミ
ックコンタクト層及びドレイン用オ―ミックコンタクト
層による化合物半導体を介して連結されているので、そ
のような連結が、ソ―ス電極及びドレイン電極から延長
しているちなみに、合金化層によってなされているとし
た場合に比し、長期に亘って安定である。

【００３２】従って、本願第２番目の発明によるヘテロ
接合型電界効果トランジスタによれば、図１０〜図１２
に示す従来のヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法
によって製造されるヘテロ接合型電界効果トランジスタ
の場合と同様に、上述した電界効果トランジスタとして
の機能が、長期に亘って安定に得られる。

【００３３】

【実施例１】次に、図１〜図３を伴って、本発明による
ヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法の第１の実施
例を述べよう。

【００３４】図１〜図３において、図１０〜図１２との
対応部分には同一符号を付して示す。

【００３５】図１〜図３に示す本発明によるヘテロ接合
型電界効果トランジスタの製法は、次に述べる順次の工
程をとって、図４に示すヘテロ接合型電界効果トランジ
スタを製造する。

【００３６】すなわち、化合物半導体としてのＩｎＰで
なり、且つＦｅを導入していることによって半絶縁性を
有する半絶縁性化合物半導体基板１を予め用意する（図
１Ａ）。

【００３７】そして、その半絶縁性化合物半導体基板１
上に、（ａ）化合物半導体としてのＩｎＡｌＡｓ系でな
り、且つｎ型またはｐ型のいずれの導電型を与える不純
物も意図的に導入していないか導入していても十分低い
濃度でしか導入していない２０００Ａというような比較
的厚い厚さを有するバッファ層２と、（ｂ）化合物半導
体としてのＩｎＧａＡｓ系でなり、且つｎ型またはｐ型
のいずれの導電型を与える不純物も意図的に導入してい
ないか導入していても十分低い濃度でしか導入していな
い３００Ａというような比較的薄い厚さを有するチャン
ネル形成用層３と、（ｃ）チャンネル形成用層３に比し
小さな電子親和力を有する化合物半導体としてのＩｎＡ
ｌＡｓ系でなり、且つｎ型またはｐ型のいずれの導電型
を与える不純物も意図的に導入していないか導入してい
ても十分低い濃度でしか導入していない２０Ａというよ
うな極めて薄い厚さを有するスペ―サ層４と、（ｄ）チ
ャンネル形成用層３に比し小さな電子親和力を有する化
合物半導体としてのＩｎＡｌＡｓ系でなり、且つｎ型不
純物としてのＳｉを４×１０¹⁸ｃｍ^-3というような比較
的高い濃度で導入している、１００Ａというような比較
的薄い厚さを有するキャリア供給用層５と、（ｅ）チャ
ンネル形成用層３に比し小さな電子親和力を有する化合
物半導体としてのＩｎＰでなり、且つｎ型不純物を導入
していないか導入しているとしても十分低い濃度でしか
導入していないエッチングストッパ層６と、（ｆ）チャ
ンネル形成用層３に比し小さな電子親和力を有する化合
物半導体としてのＩｎＡｌＡｓでなり、且つｎ型または
ｐ型のいずれの導電型を与える不純物も意図的に導入し
ていないか導入していても十分低い濃度でしか導入して
いない、１００Ａというような比較的薄い厚さを有する
ショットキコンタクト層形成用層７とを、それらの順に
分子線エピタキシャル成長法などのエピタキシャル成長
法によって形成する（図１Ｂ）。

【００３８】次に、ショットキコンタクト層形成用層７
に、キャリア供給用層５側とは反対側から、例えばＷＳ
ｉでなるゲ―ト電極１０を、ショットキコンタクト層形
成用層７との間でショットキ接合１１を形成するように
付す（図１Ｃ）。

【００３９】次に、ショットキコンタクト層形成用層７
上に、ゲ―ト電極１０を挟んだ両位置において、例えば
ＳｉＮでなり且つゲ―ト電極１０の側面に接して延長し
ている絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄを、プラズマＣＶＤ法に
よって形成する（図２Ｄ）。

【００４０】次に、ショットキコンタクト層形成用層７
に対する、ゲ―ト電極１０及び絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄ
をマスクとする、硫酸、過酸化水素及び水の混合液でな
るような硫酸系エッチャントを用いたエッチング処理に
よって、ショットキコンタクト層形成用層７から、キャ
リア供給用層４側とは反対側において上述したゲ―ト電
極１０を付し且つ絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄを形成してい
るショットキコンタクト層７′を形成するとともに、キ
ャリア供給用層５を、ショットキコンタクト層７′を挟
んだ両領域において、外部に臨ませる（図２Ｅ）。この
場合、ショットキコンタクト層形成用層７下にエッチン
グストッパ層６を有するので、キャリア供給用層５のシ
ョットキコンタクト層７′を挟んだ両領域の表面側がエ
ッチング除去されるおそれを有しないことは注意すべき
である。

【００４１】次に、エッチングストッパ層６上に、ショ
ットキコンタクト層７′を挟んだ、外部に臨んでいる両
領域において、チャンネル形成用層３とほぼ等しいかそ
れに比し大きな電子親和力を有するのを可とする化合物
半導体としてのＩｎＧａＡｓ系でなり、且つｎ型不純物
としてのＳｉを１×１０¹⁹ｃｍ^-3というような高濃度に
導入しているソ―ス用オ―ミックコンタクト層１２Ｓ及
びドレイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄをそれぞれ
例えば分子線エピタキシャル成長法などのエピタキシャ
ル成長法によって、ソ―ス用オ―ミックコンタクト層１
２Ｓ及びドレイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄを構
成する化合物半導体はエッチングストッパ層６上には成
長するがゲ―ト電極１０及び絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄ上
には実質的に成長しないことを利用して、形成する（図
３Ｆ）。

【００４２】次に、ソ―ス用オ―ミックコンタクト層１
２Ｓ及びドレイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄ上
に、リフトオフ法を用いて、キャリア供給用層５側とは
反対側から、Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層の積層体でなる
ソ―ス電極１３Ｓ及びドレイン電極１３Ｄをそれぞれオ
―ミックに付す（図３Ｇ）。

【００４３】以上が、本発明によるヘテロ接合型電界効
果トランジスタの製法の第１の実施例である。

【００４４】図１〜図３に示す本発明によるヘテロ接合
型電界効果トランジスタの製法によって製造される図４
に示すヘテロ接合型電界効果トランジスタによれば、図
１０〜図１２に示す従来のヘテロ接合型電界効果トラン
ジスタ製法によって製造されるヘテロ接合型電界効果ト
ランジスタの場合に準じて、チャンネル形成用層３のキ
ャリア供給用層５（スペ―サ層４）側に電子層が形成さ
れ、そして、その電子層に、ソ―ス電極１３Ｓ及びドレ
イン電極１３Ｄ間に所要のバイアス電源を接続している
状態で、電子が、ソ―ス電極１３Ｄを基準としてゲ―ト
電極１０に与える制御電圧に応じて制御されて走行する
機構で、電界効果トランジスタとしての機能が得られる
が、この場合、チャンネル形成用層３に導電型を与える
不純物が導入されていないことから、電子層を電子が高
速に移動する。

【００４５】また、図１〜図３に示す本発明によるヘテ
ロ接合型電界効果トランジスタの製法によって製造され
る図４に示すヘテロ接合型電界効果トランジスタによれ
ば、図１０〜図１２に示す従来のヘテロ接合型電界効果
トランジスタの製法によって製造されるヘテロ接合型電
界効果トランジスタの場合と同様に、ゲ―ト電極１０と
ソ―ス用オ―ミックコンタクト層１２Ｓとの間の内部距
離が、絶縁膜１１Ｓの厚さによって決められ、そして、
その絶縁膜１１Ｓのゲ―ト電極１０の側面上の厚さを容
易に薄くすることができるので、電界効果トランジスタ
としてのゲ―ト・ソ―ス間抵抗を低くすることができ
る。

【００４６】以上のことから、図１〜図３に示す本発明
によるヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法によっ
て製造される図４に示すヘテロ接合型電界効果トランジ
スタによれば、図１０〜図１２に示す従来のヘテロ接合
型電界効果トランジスタの製法によって製造されるヘテ
ロ接合型電界効果トランジスタの場合と同様に、電界効
果トランジスタとしての機能が高速に得られる。

【００４７】さらに、図１〜図３に示す本発明によるヘ
テロ接合型電界効果トランジスタの製法によって製造さ
れるヘテロ接合型電界効果トランジスタによれば、図１
０〜図１２に示す従来のヘテロ接合型電界効果トランジ
スタの製法によって製造されるヘテロ接合型電界効果ト
ランジスタの場合と同様に、チャンネル形成用層３に形
成される電子層が、ソ―ス電極１３Ｓ及びドレイン電極
１３Ｄに、ソ―ス用オ―ミックコンタクト層１２Ｓ及び
ドレイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄによる化合物
半導体を介して連結されているので、そのような連結
が、ちなみに、ソ―ス電極１３Ｓ及びドレイン電極１３
Ｄから延長している合金化層によってなされているとし
た場合に比し、長期に亘って安定である。

【００４８】従って、図１〜図３に示す本発明によるヘ
テロ接合型電界効果トランジスタの製法によって製造さ
れるヘテロ接合型電界効果トランジスタによれば、図１
０〜図１２に示す従来のヘテロ接合型電界効果トランジ
スタの製法によって製造されるヘテロ接合型電界効果ト
ランジスタの場合と同様に、上述した電界効果トランジ
スタとしての機能が、長期に亘って安定に得られる。

【００４９】また、図１〜図３に示す本発明によるヘテ
ロ接合型電界効果トランジスタの製法によれば、ショッ
トキコンタクト層７′が、半絶縁性化合物半導体基板１
上に、ショットキコンタクト層形成用層７を形成し、そ
れにゲ―ト電極を付して後、そのショットキコンタクト
層形成用層７から、ゲ―ト電極１０及び絶縁膜１１Ｓ及
び１１Ｄをマスクとするエッチング処理によって形成し
ているので、そのショットキコンタクト層７′が、ショ
ットキコンタクト層形成用層７の当初の厚さを有し、こ
のため、ヘテロ接合型電界効果トランジスタを、良好な
閾値電圧特性を有するものとして、再現性よく、容易に
製造することができる。

【００５０】さらに、図１〜図３に示す本発明によるヘ
テロ接合型電界効果トランジスタの製法によれば、ショ
ットキコンタクト層形成用層７から、ゲ―ト電極１０及
び絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄをマスクとするエッチング処
理によって、ショットキコンタクト層７′を形成する工
程において、ショットキコンタクト層形成用層７下にエ
ッチングストッパ層６を有するので、キャリア供給用層
５が不必要にエッチングされることがないので、キャリ
ア供給用層５が、ソ―ス用オ―ミックコンタクト層１２
Ｓ及びドレイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄ下にお
いて薄くなったり、ある場合は全くなくなったりするお
それがない。

【００５１】

【００５２】

【実施例２】次に、図５〜図８を伴って、本発明による
ヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法の第２の実施
例を述べよう。

【００５３】図５〜図８において、図１〜図３との対応
部分には同一符号を付して示す。

【００５４】図５〜図８に示す本発明によるヘテロ接合
型電界効果トランジスタの製法は、次に述べる順次の工
程をとって、図９に示す本発明によるヘテロ接合型電界
効果トランジスタの実施例を製造する。

【００５５】すなわち、化合物半導体としてのＩｎＰで
なり、且つＦｅを導入していることによって半絶縁性を
有する半絶縁性化合物半導体基板１を予め用意する（図
５Ａ）。

【００５６】そして、その半絶縁性化合物半導体基板１
上に、（ａ）化合物半導体としてのＩｎＡｌＡｓ系でな
り、且つｎ型またはｐ型のいずれの導電型を与える不純
物も意図的に導入していないか導入していても十分低い
濃度でしか導入していない２０００Ａというような比較
的厚い厚さを有するバッファ層２と、（ｂ）化合物半導
体としてのＩｎＧａＡｓ系でなり、且つｎ型またはｐ型
のいずれの導電型を与える不純物も意図的に導入してい
ないか導入していても十分低い濃度でしか導入していな
い３００Ａというような比較的薄い厚さを有するチャン
ネル形成用層３と、（ｃ）チャンネル形成用層３に比し
小さな電子親和力を有する化合物半導体としてのＩｎＡ
ｌＡｓ系でなり、且つｎ型またはｐ型のいずれの導電型
を与える不純物も意図的に導入していないか導入してい
ても十分低い濃度でしか導入していない２０Ａというよ
うな極めて薄い厚さを有するスペ―サ層４と、（ｄ）チ
ャンネル形成用層３に比し小さな電子親和力を有する化
合物半導体としてのＩｎＡｌＡｓ系でなり、且つｎ型不
純物としてのＳｉを４×１０¹⁸ｃｍ^-3というような比較
的高い濃度で導入している、１００Ａというような比較
的薄い厚さを有するキャリア供給用層５と、（ｅ）チャ
ンネル形成用層３に比し小さな電子親和力を有する化合
物半導体としてのＩｎＰでなり、且つｎ型不純物を導入
していないか導入しているとしても十分低い濃度でしか
導入していないエッチングストッパ層６と、（ｆ）チャ
ンネル形成用層３に比し小さな電子親和力を有する化合
物半導体としてのＩｎＡｌＡｓでなり、且つｎ型または
ｐ型のいずれの導電型を与える不純物も意図的に導入し
ていないか導入していても十分低い濃度でしか導入して
いない、１００Ａというような比較的薄い厚さを有する
ショットキコンタクト層形成用層７とを、それらの順に
分子線エピタキシャル成長法などのエピタキシャル成長
法によって形成する（図５Ｂ）。

【００５７】次に、ショットキコンタクト層形成用層７
に、キャリア供給用層５側とは反対側から、例えばＷＳ
ｉでなるゲ―ト電極１０を、ショットキコンタクト層形
成用層７との間でショットキ接合１１を形成するように
付す（図５Ｃ）。

【００５８】次に、ショットキコンタクト層形成用層７
上に、ゲ―ト電極１０を挟んだ両位置において、例えば
ＳｉＮでなり且つゲ―ト電極１０の側面に接して延長し
ている絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄを、プラズマＣＶＤ法に
よって形成する（図６Ｄ）。

【００５９】次に、ショットキコンタクト層形成用層７
に対する、ゲ―ト電極１０及び絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄ
をマスクとする、硫酸、過酸化水素及び水の混合液でな
るような硫酸系エッチャントを用いたエッチング処理に
よって、ショットキコンタクト層形成用層７から、キャ
リア供給用層４側とは反対側において上述したゲ―ト電
極１０を付し且つ絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄを形成してい
るショットキコンタクト層７′を形成するとともに、キ
ャリア供給用層５を、ショットキコンタクト層７′を挟
んだ両領域において、外部に臨ませる（図６Ｅ）。この
場合、ショットキコンタクト層形成用層７下にエッチン
グストッパ層６を有するので、キャリア供給用層５のシ
ョットキコンタクト層７′を挟んだ両領域の表面側がエ
ッチング除去されるおそれを有しないことは注意すべき
である。

【００６０】次に、エッチングストッパ層６に対する塩
酸系エッチャントを用いたエッチング処理によって、エ
ッチングストッパ層６′を形成する（図７Ｆ）。

【００６１】次に、キャリア供給用層５上に、ショット
キコンタクト層７′を挟んだ、外部に臨んでいる両領域
において、チャンネル形成用層３とほぼ等しいかそれに
比し大きな電子親和力を有するのを可とする化合物半導
体としてのＩｎＧａＡｓ系でなり、且つｎ型不純物とし
てのＳｉを１×１０¹⁹ｃｍ^-3というような高濃度に導入
しているソ―ス用オ―ミックコンタクト層１２Ｓ及びド
レイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄをそれぞれ例え
ば分子線エピタキシャル成長法などのエピタキシャル成
長法によって、ソ―ス用オ―ミックコンタクト層１２Ｓ
及びドレイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄを構成す
る化合物半導体はエッチングストッパ層６上には成長す
るがゲ―ト電極１０及び絶縁膜１１Ｓ及び１１Ｄ上には
実質的に成長しないことを利用して、形成する（図７
Ｇ）。

【００６２】次に、ソ―ス用オ―ミックコンタクト層１
２Ｓ及びドレイン用オ―ミックコンタクト層１２Ｄ上
に、リフトオフ法を用いて、キャリア供給用層５側とは
反対側から、Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層の積層体でなる
ソ―ス電極１３Ｓ及びドレイン電極１３Ｄをそれぞれオ
―ミックに付す（図８Ｈ）。

【００６３】以上が、本発明によるヘテロ接合型電界効
果トランジスタの製法の第２の実施例である。

【００６４】図５〜図８に示す本発明によるヘテロ接合
型電界効果トランジスタの製法によって製造されるヘテ
ロ接合型電界効果トランジスタは、図１〜図３に示す本
発明によるヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法に
よって製造されるヘテロ接合型電界効果トランジスタと
同様の作用効果がえられる。

【００６５】また、図５〜図８に示す本発明によるヘテ
ロ接合型電界効果トランジスタの製法によれば、図１〜
図３で上述した本発明によるヘテロ接合型電界効果トラ
ンジスタの製法の場合と同様の作用効果が得られるとと
もに、ショットキコンタクト層７′を形成する工程にお
いて、キャリア供給用層５に関する実施例１において上
述したおそれを有しないとともに、エッチングストッパ
層６′を形成する工程においても、キャリア供給用層５
に関する上述したおそれを有効に回避させることができ
る。

【００６６】このため、ヘテロ接合型電界効果トランジ
スタを、所期の電流容量を有するものとして容易に製造
することができる。

【００６７】なお、上述においては、本発明によるヘテ
ロ接合型電界効果トランジスタについて１つの実施例を
示し、また、本発明によるヘテロ接合型電界効果トラン
ジスタの製法について２つの実施例を示したに留まり、
本発明の精神を脱することなしに、種々の変型、変更を
なし得るであろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるヘテロ接合型電界効果トランジス
タの製法の第１の実施例の説明に供する、順次の工程に
おける略線的断面図である。

【図２】本発明によるヘテロ接合型電界効果トランジス
タの製法の第１の実施例の説明に供する、図１の順次の
工程に続く順次の工程における略線的断面図である。

【図３】本発明によるヘテロ接合型電界効果トランジス
タの製法の第１の実施例の説明に供する、図２の順次の
工程に続く順次の工程における略線的断面図である。

【図４】図１〜図３に示す本発明によるヘテロ接合型電
界効果トランジスタの製法の第１の実施例によって製造
されるヘテロ接合型電界効果トランジスタの説明に供す
る略線的断面図（図４Ａ）、及びエネルギバンド図であ
る。

【図５】本発明によるヘテロ接合型電界効果トランジス
タの製法の第２の実施例の説明に供する、順次の工程に
おける略線的断面図である。

【図６】本発明によるヘテロ接合型電界効果トランジス
タの製法の第２の実施例の説明に供する、図５の順次の
工程に続く順次の工程における略線的断面図である。

【図７】本発明によるヘテロ接合型電界効果トランジス
タの製法の第２の実施例の説明に供する、図６の順次の
工程に続く順次の工程における略線的断面図である。

【図８】本発明によるヘテロ接合型電界効果トランジス
タの製法の第２の実施例の説明に供する、図７の順次の
工程に続く順次の工程における略線的断面図である。

【図９】本発明によるヘテロ接合型電界効果トランジス
タの製法の第２の実施例によって製造される本発明によ
るヘテロ接合型電界効果トランジスタの実施例の説明に
供する略線的断面図（図９Ａ）、及びエネルギバンド図
である。

【図１０】従来のヘテロ接合型電界効果トランジスタの
製法の説明に供する、順次の工程における略線的断面図
である。

【図１１】従来のヘテロ接合型電界効果トランジスタの
製法の説明に供する、図１０の順次の工程に続く順次の
工程における略線的断面図である。

【図１２】従来のヘテロ接合型電界効果トランジスタの
製法の説明に供する、図１１の順次の工程に続く順次の
工程における略線的断面図である。

【符号の説明】

１ 半絶縁性化合物半導体基板 ２ バッファ層 ３ チャンネル形成用層 ４ スペ―サ層 ５ キャリア供給用層 ６ エッチングストッパ層 ７ ショットキコンタクト層形成用層 ７′ ショットキコンタクト層 １０ ゲ―ト電極 １１Ｓ、１１Ｄ 絶縁膜 １２Ｓ ソ―ス用オ―ミックコンタクト層 １２Ｄ ドレイン用オ―ミックコンタクト層 １３Ｓ ソ―ス電極 １３Ｄ ドレイン電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−228672（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−340233（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/337 - 21/338 H01L 27/095 H01L 29/778 H01L 29/80 - 29/812

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半絶縁性化合物半導体基板上に、（ａ）
   化合物半導体でなり、且つ導電型を与える不純物を意図
   的に導入していないか導入しているとしても十分低い濃
   度でしか導入していないチャンネル形成用層と、（ｂ）
   上記チャンネル形成用層に比し小さな電子親和力を有す
   る化合物半導体でなり、且つｎ型不純物を導入している
   キャリア供給用層と、（ｃ）上記チャンネル形成用層に
   比し小さな電子親和力を有する化合物半導体でなり、且
   つｎ型不純物を導入していないか導入しているとしても
   十分低い濃度でしか導入していないエッチングストッパ
   層と、（ｄ）上記チャンネル形成用層に比し小さな電子
   親和力を有する化合物半導体でなり、且つ導電型を与え
   る不純物を意図的に導入していないか導入しているとし
   ても十分低い濃度でしか導入していないショットキコン
   タクト層形成用層とを、それらの順に積層して形成する
   工程と、 上記ショットキコンタクト層形成用層に、上記エッチン
   グストッパ層側とは反対側から、ゲ―ト電極を、上記シ
   ョットキコンタクト層形成用層との間でショットキ接合
   を形成するように付す工程と、 上記ショットキコンタクト層形成用層上に、上記ゲ―ト
   電極を挟んだ両位置において、上記ゲ―ト電極の側面に
   接して延長している第１及び第２の絶縁膜を形成する工
   程と、 上記ショットキコンタクト層形成用層に対する、上記ゲ
   ―ト電極及び上記第１及び第２の絶縁膜をマスクとする
   エッチング処理によって、上記ショットキコンタクト層
   形成用層から、上記エッチングストッパ層側とは反対側
   において上記ゲ―ト電極を付し且つ上記第１及び第２の
   絶縁膜を形成しているショットキコンタクト層を形成す
   るとともに、上記エッチングストッパ層を、上記ショッ
   トキコンタクト層を挟んだ両領域において、外部に臨ま
   せる工程と、 上記エッチングストッパ層上に、上記ショットキコンタ
   クト層を挟んだ、外部に臨んでいる両領域において、化
   合物半導体でなり、且つｎ型不純物を高濃度に導入して
   いるソ―ス用オ―ミックコンタクト層及びドレイン用オ
   ―ミックコンタクト層をそれぞれ形成する工程と、 上記ソ―ス用オ―ミックコンタクト層及び上記ドレイン
   用オ―ミックコンタクト層に、上記エッチングストッパ
   層側とは反対側から、ソ―ス電極及びドレイン電極をそ
   れぞれオ―ミックに付す工程とを有することを特徴とす
   るヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法。
2. 【請求項２】 半絶縁性化合物半導体基板上に、（ａ）
   化合物半導体でなり、且つ導電型を与える不純物を意図
   的に導入していないか導入しているとしても十分低い濃
   度でしか導入していないチャンネル形成用層と、（ｂ）
   上記チャンネル形成用層に比し小さな電子親和力を有す
   る化合物半導体でなり、且つｎ型不純物を導入している
   キャリア供給用層とが、それらの順に積層して形成さ
   れ、 上記キャリア供給用層上に、（ｃ）上記チャンネル形成
   用層に比し小さな電子親和力を有する化合物半導体でな
   り、且つｎ型不純物を導入していないか導入していると
   しても十分低い濃度でしか導入していないエッチングス
   トッパ層と、（ｄ）上記チャンネル形成用層に比し小さ
   な電子親和力を有する化合物半導体でなり、且つ導電型
   を与える不純物を意図的に導入していないか導入してい
   るとしても十分低い濃度でしか導入していないショット
   キコンタクト層がそれらの順に積層して局部的に形成さ
   れ、且つ（ｅ）上記ショットキコンタクト層を挟んだ両
   領域において、化合物半導体でなり、且つｎ型不純物を
   高濃度に導入しているソ―ス用オ―ミックコンタクト層
   及びドレイン用オ―ミックコンタクト層がそれぞれ形成
   され、 上記ショットキコンタクト層に、上記エッチングストッ
   パ層側とは反対側から、ゲ―ト電極が、上記ショットキ
   コンタクト層との間でショットキ接合を形成するように
   付され、 上記ソ―ス用オ―ミックコンタクト層及びドレイン用オ
   ―ミックコンタクト層上に、ソ―ス電極及びドレイン電
   極がそれぞれオ―ミックに付されていることを特徴とす
   るヘテロ接合型電界効果トランジスタ。
3. 【請求項３】 半絶縁性化合物半導体基板上に、（ａ）
   化合物半導体でなり、且つ導電型を与える不純物を意図
   的に導入していないか導入しているとしても十分低い濃
   度でしか導入していないチャンネル形成用層と、（ｂ）
   上記チャンネル形成用層に比し小さな電子親和力を有す
   る化合物半導体でなり、且つｎ型不純物を導入している
   キャリア供給用層と、（ｃ）上記チャンネル形成用層に
   比し小さな電子親和力を有する化合物半導体でなり、且
   つｎ型不純物を導入していないか導入しているとしても
   十分低い濃度でしか導入していない第１のエッチングス
   トッパ層と、（ｄ）上記第１のチャンネル形成用層に比
   し小さな電子親和力を有する化合物半導体でなり、且つ
   導電型を与える不純物を意図的に導入していないか導入
   しているとしても十分低い濃度でしか導入していないシ
   ョットキコンタクト層形成用層とを、それらの順に積層
   して形成する工程と、 上記ショットキコンタクト層形成用層に、上記第１のエ
   ッチングストッパ層側とは反対側から、ゲ―ト電極を、
   上記ショットキコンタクト層形成用層との間でショット
   キ接合を形成するように付す工程と、 上記ショットキコンタクト層形成用層上に、上記ゲ―ト
   電極を挟んだ両位置において、上記ゲ―ト電極の側面に
   接して延長している第１及び第２の絶縁膜を形成する工
   程と、 上記ショットキコンタクト層形成用層に対する、上記ゲ
   ―ト電極及び上記第１及び第２の絶縁膜をマスクとする
   第１のエッチング処理によって、上記ショットキコンタ
   クト層形成用層から、上記第１のエッチングストッパ層
   側とは反対側において上記ゲ―ト電極を付し且つ上記第
   １及び第２の絶縁膜を形成しているショットキコンタク
   ト層を形成するとともに、上記第１のエッチングストッ
   パ層を、上記ショットキコンタクト層を挟んだ両領域に
   おいて、外部に臨ませる工程と、 上記第１のエッチングストッパ層に対する、上記ゲ―ト
   電極及び上記第１及び第２の絶縁膜をマスクとする第２
   のエッチング処理によって、上記第１のエッチングスト
   ッパ層から、上記キャリア供給用層側とは反対側におい
   て上記ショットキコンタクト層を形成している第２のエ
   ッチングストッパ層を形成するとともに、上記キャリア
   供給用層を、上記第２のエッチングストッパ層を挟んだ
   両領域において、外部に臨ませる工程と、 上記キャリア供給用層上に、上記第２のエッチングスト
   ッパ層を挟んだ、外部に臨んでいる両領域において、化
   合物半導体でなり、且つｎ型不純物を高濃度に導入して
   いるソ―ス用オ―ミックコンタクト層及びドレイン用オ
   ―ミックコンタクト層をそれぞれ形成する工程と、 上記ソ―ス用オ―ミックコンタクト層及び上記ドレイン
   用オ―ミックコンタクト層に、上記エッチングストッパ
   層側とは反対側から、ソ―ス電極及びドレイン電極をそ
   れぞれオ―ミックに付す工程とを有することを特徴とす
   るヘテロ接合型電界効果トランジスタの製法。