JP3116517B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 41
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 31
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 11
- 238000006713 insertion reaction Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 aminosilylene Chemical group 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910014299 N-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007991 Si-N Chemical group 0.000 description 1
- 229910006294 Si—N Chemical group 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にスタックシャパシタの絶縁膜に用いられる窒
化シリコン膜の製造方法に関する。
関し、特にスタックシャパシタの絶縁膜に用いられる窒
化シリコン膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイナミックランダムアクセスメモリー
（ＤＲＡＭ）のセル部には、スタックキャパシタやトレ
ンチキャパシタが用いられている。従来のスタックキャ
パシタの製造工程を図２を用いて説明する。
（ＤＲＡＭ）のセル部には、スタックキャパシタやトレ
ンチキャパシタが用いられている。従来のスタックキャ
パシタの製造工程を図２を用いて説明する。
【０００３】まず図２（ａ）に示すように、シリコン基
板２上に選択酸化法により素子分離のフィールド酸化膜
１を形成する。次いでシリコン基板２の全面にＣＶＤ法
によって多結晶シリコン膜３Ａを堆積させる。次に図２
（ｂ）に示すように、フォトリソグラィー技術とドライ
エッチング技術によって多結晶シリコン膜３Ａをパター
ニングし、スタックキャパシタの下部電極を形成する。
板２上に選択酸化法により素子分離のフィールド酸化膜
１を形成する。次いでシリコン基板２の全面にＣＶＤ法
によって多結晶シリコン膜３Ａを堆積させる。次に図２
（ｂ）に示すように、フォトリソグラィー技術とドライ
エッチング技術によって多結晶シリコン膜３Ａをパター
ニングし、スタックキャパシタの下部電極を形成する。
【０００４】次に図２（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法に
よって窒化シリコン膜４Ａと多結晶シリコン膜５Ａを順
次シリコン基板全面に堆積させる。次に図２（ｄ）に示
すように、フォトリソグラフィー技術とドライエッチン
グ技術によって上部電極となる多結晶シリコン膜５Ａと
窒化シリコン膜４Ａを同時にパターニングする。
よって窒化シリコン膜４Ａと多結晶シリコン膜５Ａを順
次シリコン基板全面に堆積させる。次に図２（ｄ）に示
すように、フォトリソグラフィー技術とドライエッチン
グ技術によって上部電極となる多結晶シリコン膜５Ａと
窒化シリコン膜４Ａを同時にパターニングする。
【０００５】上記説明ではイオン注入と熱処理による伝
導度制御の工程を省略した。また、実際の製造方法で
は、フォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術
として示した工程に、洗浄、レジスト塗布、ベーキン
グ、露光、ドライエッチング、レジスト除去などが含ま
れる。
導度制御の工程を省略した。また、実際の製造方法で
は、フォトリソグラフィー技術とドライエッチング技術
として示した工程に、洗浄、レジスト塗布、ベーキン
グ、露光、ドライエッチング、レジスト除去などが含ま
れる。
【０００６】最近、多結晶シリコン膜の選択成長技術が
開発され、スタックキャパシタの下部電極を多結晶シリ
コン膜の選択成長方法で形成することができるようにな
った。この多結晶シリコン膜の選択成長技術は、特願平
２−２１５５４４公報に半導体装置の製造方法として述
べられている。
開発され、スタックキャパシタの下部電極を多結晶シリ
コン膜の選択成長方法で形成することができるようにな
った。この多結晶シリコン膜の選択成長技術は、特願平
２−２１５５４４公報に半導体装置の製造方法として述
べられている。
【０００７】この発明による多結晶シリコンの選択成長
技術では、シランあるいはジクロロシランなどのシラン
系原料ガスを、水素雰囲気中で熱分解あるいは還元して
多結晶シリコン膜をシリコン基板上に成長させるとき
に、塩化水素ガスを適切な濃度で添加し、酸化シリコン
膜上に堆積するシリコンをエッチングして除去する。同
時に成長温度を７５０℃と低温化して単結晶シリコンの
成長を防いでいる。
技術では、シランあるいはジクロロシランなどのシラン
系原料ガスを、水素雰囲気中で熱分解あるいは還元して
多結晶シリコン膜をシリコン基板上に成長させるとき
に、塩化水素ガスを適切な濃度で添加し、酸化シリコン
膜上に堆積するシリコンをエッチングして除去する。同
時に成長温度を７５０℃と低温化して単結晶シリコンの
成長を防いでいる。
【０００８】この多結晶シリコンの選択成長技術を用い
れば、図２（ｂ）で説明したフォトリソグラフィーとド
ライエッチング工程を省略することができ、スタックキ
ャパシタの製造工程の一部の簡略化を図ることができ
る。更に多結晶シリコン膜３Ａに窒化シリコン膜の選択
成長が可能であれば、上部の多結晶シリコン膜５Ａの選
択成長も可能になり、スタックキャパシタ等の製造工程
からリソグラフィー工程とドライエッチング工程を省く
ことができる。
れば、図２（ｂ）で説明したフォトリソグラフィーとド
ライエッチング工程を省略することができ、スタックキ
ャパシタの製造工程の一部の簡略化を図ることができ
る。更に多結晶シリコン膜３Ａに窒化シリコン膜の選択
成長が可能であれば、上部の多結晶シリコン膜５Ａの選
択成長も可能になり、スタックキャパシタ等の製造工程
からリソグラフィー工程とドライエッチング工程を省く
ことができる。
【０００９】キャパシタの窒化シリコン膜をＣＶＤ法に
よって形成する場合に、原料ガスとしてアンモニアとシ
ランあるいはジクロロシランが工業的に用いられてい
る。また、カバー膜として窒化シリコン膜は、アミノシ
ランを原料ガスとして製造できることが知られている
（特開昭６４−１４９２７）．しかし、これら従来のＣ
ＶＤ技術では多結晶シリコン膜上への窒化シリコンの選
択成長はできていないため、キャパシタの製造における
リソグラフィー工程やドライエッチング工程を省くこと
ができなかった。
よって形成する場合に、原料ガスとしてアンモニアとシ
ランあるいはジクロロシランが工業的に用いられてい
る。また、カバー膜として窒化シリコン膜は、アミノシ
ランを原料ガスとして製造できることが知られている
（特開昭６４−１４９２７）．しかし、これら従来のＣ
ＶＤ技術では多結晶シリコン膜上への窒化シリコンの選
択成長はできていないため、キャパシタの製造における
リソグラフィー工程やドライエッチング工程を省くこと
ができなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
スタックキャパシタの製造方法では、誘電膜である窒化
シリコン膜と上部電極を形成するための多結晶シリコン
膜の選択成長ができないため、リソグラフィー技術とド
ライエッチング技術を用いてこれらの膜をパターニング
しなければならない。この多結晶シリコン膜と窒化シリ
コン膜をパターニングする方法は、洗浄，レジスト塗
布，ベーキング，露光，ドライエッチング，レジスト除
去など多くの工程が必要である。それらの工程は、パー
ティクル汚染，金属汚染，ダメージなどデバイス特性を
劣化させる原因となる可能性を有している。一般に、工
程数が増えるほど良品率は低下する。また、これら多く
の工程を行うために時間が必要であり、必然的にコスト
が上昇する。
スタックキャパシタの製造方法では、誘電膜である窒化
シリコン膜と上部電極を形成するための多結晶シリコン
膜の選択成長ができないため、リソグラフィー技術とド
ライエッチング技術を用いてこれらの膜をパターニング
しなければならない。この多結晶シリコン膜と窒化シリ
コン膜をパターニングする方法は、洗浄，レジスト塗
布，ベーキング，露光，ドライエッチング，レジスト除
去など多くの工程が必要である。それらの工程は、パー
ティクル汚染，金属汚染，ダメージなどデバイス特性を
劣化させる原因となる可能性を有している。一般に、工
程数が増えるほど良品率は低下する。また、これら多く
の工程を行うために時間が必要であり、必然的にコスト
が上昇する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、表面に酸化シリコン膜と多結晶シリコン膜と
を有する半導体基板上にＣＶＤ法により窒化シリコン膜
を形成する半導体装置の製造方法において、原料ガスに
アンモニアとアミノシランを用い前記多結晶シリコン膜
表面上にのみ窒化シリコン膜を選択的に成長させるもの
である。
造方法は、表面に酸化シリコン膜と多結晶シリコン膜と
を有する半導体基板上にＣＶＤ法により窒化シリコン膜
を形成する半導体装置の製造方法において、原料ガスに
アンモニアとアミノシランを用い前記多結晶シリコン膜
表面上にのみ窒化シリコン膜を選択的に成長させるもの
である。
【００１２】
【作用】原料ガスとしてアンモニアとアミノシランを用
いて、窒化シリコン膜を成長させる方法では、高温に保
たれたＣＶＤ炉中で、（１）式のようにアミノシラン
（ＳｉＮＨ5 ）がアミノシリレン（ＳｉＮＨ3 ）と水素
分子に解離する。
いて、窒化シリコン膜を成長させる方法では、高温に保
たれたＣＶＤ炉中で、（１）式のようにアミノシラン
（ＳｉＮＨ5 ）がアミノシリレン（ＳｉＮＨ3 ）と水素
分子に解離する。
【００１３】 ＳｉＮＨ5 →ＳｉＮＨ3 ＋Ｈ2 ……（１） 発生したアミノシリレンは、図３（ａ）に示すように、
水素原子で終端された窒化シリコン膜上の窒素原子と挿
入反応し、図３（ｂ）のようにＳｉ−Ｎ結合が形成され
る。挿入反応については、イシタニらによってジャパニ
ーズ ジャーナル オブ アプライド フィジクス（Ａ
ｋｉｈｉｋｏ Ｉｓｈｉｔａｎｉ ａｎｄ Ｓｈｉｒｏ
Ｋｏｓｅｋｉ，Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）２９（１２），
Ｌ２３２２（１９９０年）で述べられている。このと
き、シリコン原子には２個の水素原子が結合している
が、高温に於いては容易に水素分子として脱離し、図３
（ｃ）のように、ローンペアを持つシリコン原子とな
る。このローンペアはアンモニアへの挿入反応を引き起
こし、図３（ｄ）のように、新たなＮ−Ｓｉ結合が形成
される。このようにして、シリコン原子と窒素原子のネ
ットワークが形成され、窒化シリコン膜が成長する。図
３（ａ）では水素原子で終端せれた窒素原子を例として
述べたが、水素原子で終端されたシリコン原子の場合も
同様である。また、このときに原料ガスとしてシランの
みを供給すれば、窒化シリコン上に多結晶シリコンが成
長する。以上では、窒化シリコンの上に窒化シリコンが
成長するメカニズムの述べた。本発明における窒化シリ
コン膜を成長させる前の基板表面は、多結晶シリコンあ
るいは単結晶シリコンと酸化シリコンからなる。これら
の表面上では、水素原子で終端された窒素原子あるいは
シリコン原子が存在しないため、挿入反応は起きない。
しかしながら、シリコン表面上では、アミノシリレンの
電荷移動吸着が起きる。電荷移動吸着についてはイシタ
ニらによってジャーナル オブ アプライドフィジクス
（Ａｋｉｈｉｋｏ Ｉｓｈｉｔａｎｉ，Ｔｏｓｈｉｋａ
ｚｕ Ｔａｋａｄａ，ａｎｄ Ｙｏｓｈｉｏ Ｏｈｓｈ
ｉｔａ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ）６３（２）３９０（１９９０年）で説明され
ている。この電荷移動吸着は、図４（ａ）に示すよう
に、シリコン層１０の表面が未結合手を持つことに起因
している。その後、図４（ｂ）に示すように、吸着した
アミノシリレンのＳｉ−Ｈ結合あるいはＮ−Ｈ結合に、
アミノシリレンが挿入反応する。次に、図４（ｃ）に示
すように、水素分子が脱離して、図３（ｃ）と等価な状
態になる。引き続いて、図３（ｄ）に示すようなアンモ
ニアの化学吸着とアミノシリレンの挿入反応とによっ
て、シリコン窒化膜の成長が起きる。
水素原子で終端された窒化シリコン膜上の窒素原子と挿
入反応し、図３（ｂ）のようにＳｉ−Ｎ結合が形成され
る。挿入反応については、イシタニらによってジャパニ
ーズ ジャーナル オブ アプライド フィジクス（Ａ
ｋｉｈｉｋｏ Ｉｓｈｉｔａｎｉ ａｎｄ Ｓｈｉｒｏ
Ｋｏｓｅｋｉ，Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）２９（１２），
Ｌ２３２２（１９９０年）で述べられている。このと
き、シリコン原子には２個の水素原子が結合している
が、高温に於いては容易に水素分子として脱離し、図３
（ｃ）のように、ローンペアを持つシリコン原子とな
る。このローンペアはアンモニアへの挿入反応を引き起
こし、図３（ｄ）のように、新たなＮ−Ｓｉ結合が形成
される。このようにして、シリコン原子と窒素原子のネ
ットワークが形成され、窒化シリコン膜が成長する。図
３（ａ）では水素原子で終端せれた窒素原子を例として
述べたが、水素原子で終端されたシリコン原子の場合も
同様である。また、このときに原料ガスとしてシランの
みを供給すれば、窒化シリコン上に多結晶シリコンが成
長する。以上では、窒化シリコンの上に窒化シリコンが
成長するメカニズムの述べた。本発明における窒化シリ
コン膜を成長させる前の基板表面は、多結晶シリコンあ
るいは単結晶シリコンと酸化シリコンからなる。これら
の表面上では、水素原子で終端された窒素原子あるいは
シリコン原子が存在しないため、挿入反応は起きない。
しかしながら、シリコン表面上では、アミノシリレンの
電荷移動吸着が起きる。電荷移動吸着についてはイシタ
ニらによってジャーナル オブ アプライドフィジクス
（Ａｋｉｈｉｋｏ Ｉｓｈｉｔａｎｉ，Ｔｏｓｈｉｋａ
ｚｕ Ｔａｋａｄａ，ａｎｄ Ｙｏｓｈｉｏ Ｏｈｓｈ
ｉｔａ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ）６３（２）３９０（１９９０年）で説明され
ている。この電荷移動吸着は、図４（ａ）に示すよう
に、シリコン層１０の表面が未結合手を持つことに起因
している。その後、図４（ｂ）に示すように、吸着した
アミノシリレンのＳｉ−Ｈ結合あるいはＮ−Ｈ結合に、
アミノシリレンが挿入反応する。次に、図４（ｃ）に示
すように、水素分子が脱離して、図３（ｃ）と等価な状
態になる。引き続いて、図３（ｄ）に示すようなアンモ
ニアの化学吸着とアミノシリレンの挿入反応とによっ
て、シリコン窒化膜の成長が起きる。
【００１４】他方、酸化シリコン膜はＳｉ−Ｏ結合を基
本とするネットワークからなる。多くは６員環と８員環
であるが、４員環や１０員環その他の数のネットワーク
も含まれている。酸化シリコン膜の表面も同様であり、
シリコン層の表面のように未結合手を持つシリコン原子
は存在せず、基本的には酸化シリコン膜のシリコン原子
はすべて酸素原子で終端されている。したがって、酸化
シリコン膜の表面上には、窒化シリコン膜が成長しな
い。カバー膜の製造においては、アミノシランの濃度を
高くし気相で窒化シリコンの核発生を起こして酸化シリ
コン膜上に付着させ、窒化シリコンのカバー膜を製造す
る。しかし、本発明は気相での窒化シリコンの核発生を
抑制することによって、窒化シリコンを選択的にシリコ
ン表面上にのみ形成する。
本とするネットワークからなる。多くは６員環と８員環
であるが、４員環や１０員環その他の数のネットワーク
も含まれている。酸化シリコン膜の表面も同様であり、
シリコン層の表面のように未結合手を持つシリコン原子
は存在せず、基本的には酸化シリコン膜のシリコン原子
はすべて酸素原子で終端されている。したがって、酸化
シリコン膜の表面上には、窒化シリコン膜が成長しな
い。カバー膜の製造においては、アミノシランの濃度を
高くし気相で窒化シリコンの核発生を起こして酸化シリ
コン膜上に付着させ、窒化シリコンのカバー膜を製造す
る。しかし、本発明は気相での窒化シリコンの核発生を
抑制することによって、窒化シリコンを選択的にシリコ
ン表面上にのみ形成する。
【００１５】
【実施例】窒化シリコン膜の選択成長技術を用いて、ス
タックキャパシタを構成するプロセスを、図面を参照し
て説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例
を説明するための半導体チップの断面図である。
タックキャパシタを構成するプロセスを、図面を参照し
て説明する。図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例
を説明するための半導体チップの断面図である。
【００１６】まず図１（ａ）に示すように、シリコン基
板２上に選択酸化法により厚さ２００ｎｍのフィールド
酸化膜１を形成した。次に図１（ｂ）に示すように、多
結晶シリコン膜の選択成長技術によってスタックキャパ
シタの下部電極となる厚さ４００ｎｍの多結晶シリコン
膜３を形成した。次に図１（ｃ）に示すように、本発明
による窒化シリコン膜の選択成長技術によって、多結晶
シリコン膜３の表面上にのみ厚さ１０ｎｍの窒化シリコ
ン膜４を形成した。
板２上に選択酸化法により厚さ２００ｎｍのフィールド
酸化膜１を形成した。次に図１（ｂ）に示すように、多
結晶シリコン膜の選択成長技術によってスタックキャパ
シタの下部電極となる厚さ４００ｎｍの多結晶シリコン
膜３を形成した。次に図１（ｃ）に示すように、本発明
による窒化シリコン膜の選択成長技術によって、多結晶
シリコン膜３の表面上にのみ厚さ１０ｎｍの窒化シリコ
ン膜４を形成した。
【００１７】次に図１（ｄ）に示すように、窒化シリコ
ン膜表面上にのみ選択的に多結晶シリコン膜を成長させ
る技術によって、上部電極となる厚さ２００ｎｍの多結
晶シリコン膜５を形成しスタックキャパシタを構成し
た。従来技術で述べた多結晶シリコンの選択成長技術で
は、基板表面はシリコンと酸化シリコンからなる。しか
し、本実施例において同様の条件で多結晶シリコンを成
長させたところ、図１（ｄ）に示したように選択成長す
ることができた。これは「作用」の項で述べたように、
窒化シリコン膜上には挿入反応によって多結晶シリコン
が成長するからである。
ン膜表面上にのみ選択的に多結晶シリコン膜を成長させ
る技術によって、上部電極となる厚さ２００ｎｍの多結
晶シリコン膜５を形成しスタックキャパシタを構成し
た。従来技術で述べた多結晶シリコンの選択成長技術で
は、基板表面はシリコンと酸化シリコンからなる。しか
し、本実施例において同様の条件で多結晶シリコンを成
長させたところ、図１（ｄ）に示したように選択成長す
ることができた。これは「作用」の項で述べたように、
窒化シリコン膜上には挿入反応によって多結晶シリコン
が成長するからである。
【００１８】図１（ｃ）における窒化シリコン膜の選択
成長は、アミノシラン／アンモニア／窒素＝１００／３
００／１０００ｓｃｃｍのガス組成を用いて行なった。
成長圧力は０．１８Ｔｏｒｒ、成長温度は８００℃であ
った。窒素ガスはキャリアガスとして用いており、窒素
ガスの代りにアルゴンガスなどの不活性ガスを用いても
良い。アミノシランの量を窒素ガスに対して体積比３０
％以上とすると、気相で窒化シリコンの核発生が起き、
選択性が失われた。また、１％以下とすると、成長速度
が遅くなり実用性に欠ける。
成長は、アミノシラン／アンモニア／窒素＝１００／３
００／１０００ｓｃｃｍのガス組成を用いて行なった。
成長圧力は０．１８Ｔｏｒｒ、成長温度は８００℃であ
った。窒素ガスはキャリアガスとして用いており、窒素
ガスの代りにアルゴンガスなどの不活性ガスを用いても
良い。アミノシランの量を窒素ガスに対して体積比３０
％以上とすると、気相で窒化シリコンの核発生が起き、
選択性が失われた。また、１％以下とすると、成長速度
が遅くなり実用性に欠ける。
【００１９】成長圧力を低くすると、凹凸のある表面上
でも一様な膜厚の窒化シリコン膜を形成できるが、排気
系の設備が大型になり、装置コストが上昇する。成長速
度は成長圧力が低くなるとともに低下するが、０．１Ｔ
ｏｒｒ以上であれば、０．１ｎｍ／ｍｉｎ以上の成長速
度が得られた。選択成長は、このガス組成で、７５０〜
８５０℃の範囲で可能であった。８５０℃以上では、ア
ミノシランの分解が促進され、気相で窒化シリコンの核
発生が起きた。７５０℃以下では、成長速度が０．１ｎ
ｍ／ｍｉｎ以下となった。アミノシランのみを原料ガス
とすると、形成される窒化シリコン膜の組成はシリコン
過剰となる。したがって、本実施例ではアミノシランに
たいして３倍のアンモニアを添加した。窒化シリコン膜
の組成を化学量論的組成に近づけるためにはアンモニア
の量を多くすることが望ましいが、排気ガス中に含まれ
る窒素化合物を減らすためには少ない方が望ましい。キ
ャパシタ用絶縁膜としては、アンモニアの量をアミノシ
ランの２倍以上とすれば、ほぼ化学量論的組成の誘電率
を得ることができる。
でも一様な膜厚の窒化シリコン膜を形成できるが、排気
系の設備が大型になり、装置コストが上昇する。成長速
度は成長圧力が低くなるとともに低下するが、０．１Ｔ
ｏｒｒ以上であれば、０．１ｎｍ／ｍｉｎ以上の成長速
度が得られた。選択成長は、このガス組成で、７５０〜
８５０℃の範囲で可能であった。８５０℃以上では、ア
ミノシランの分解が促進され、気相で窒化シリコンの核
発生が起きた。７５０℃以下では、成長速度が０．１ｎ
ｍ／ｍｉｎ以下となった。アミノシランのみを原料ガス
とすると、形成される窒化シリコン膜の組成はシリコン
過剰となる。したがって、本実施例ではアミノシランに
たいして３倍のアンモニアを添加した。窒化シリコン膜
の組成を化学量論的組成に近づけるためにはアンモニア
の量を多くすることが望ましいが、排気ガス中に含まれ
る窒素化合物を減らすためには少ない方が望ましい。キ
ャパシタ用絶縁膜としては、アンモニアの量をアミノシ
ランの２倍以上とすれば、ほぼ化学量論的組成の誘電率
を得ることができる。
【００２０】結局、実用的な成長速度を０．５ｎｍ／ｍ
ｉｎとするとき、凹凸のある基板に対しても膜厚の変動
が１０％以下で、かつ選択性を失わずに窒化シリコンを
成長させるためには、窒素ガスに対するアミノシランの
体積比を１０〜２０％とし、アミノシランにたいするア
ンモニアの体積比２倍以上とし、成長圧力を０．１〜１
Ｔｏｒｒとし、成長温度７５０〜８００℃とすることが
望ましい。
ｉｎとするとき、凹凸のある基板に対しても膜厚の変動
が１０％以下で、かつ選択性を失わずに窒化シリコンを
成長させるためには、窒素ガスに対するアミノシランの
体積比を１０〜２０％とし、アミノシランにたいするア
ンモニアの体積比２倍以上とし、成長圧力を０．１〜１
Ｔｏｒｒとし、成長温度７５０〜８００℃とすることが
望ましい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明による窒化シ
リコン膜の選択成長技術を用いれば、スタックキャパシ
タ構成プロセスからフォトリソグラフィー工程とドライ
エッチング工程を省くことができるため、大幅にコスト
を低減させることができる。また、それらの工程に含ま
れる洗浄，レジスト塗布，ベークング，露光，ドライエ
ッチング，レジスト除去などに起因する偶発的な良品率
の低下を防ぐことができる。
リコン膜の選択成長技術を用いれば、スタックキャパシ
タ構成プロセスからフォトリソグラフィー工程とドライ
エッチング工程を省くことができるため、大幅にコスト
を低減させることができる。また、それらの工程に含ま
れる洗浄，レジスト塗布，ベークング，露光，ドライエ
ッチング，レジスト除去などに起因する偶発的な良品率
の低下を防ぐことができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図。
プの断面図。
【図２】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
半導体チップの断面図。
半導体チップの断面図。
【図３】窒化シリコン膜の成長メカニズムを説明するた
めの図。
めの図。
【図４】窒化シリコン膜の成長メカニズムを説明するた
めの図。
めの図。
１ フィールド酸化膜 ２ シリコン基板 ３，３Ａ 多結晶シリコン膜 ４，４Ａ，４Ｂ 窒化シリコン膜 ５，５Ａ 多結晶シリコン膜 １０ シリコン層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/04 H01L 21/318 H01L 21/822 H01L 21/8242 H01L 27/108
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に酸化シリコン膜と多結晶シリコン
膜とを有する半導体基板上にＣＶＤ法により窒化シリコ
ン膜を形成する半導体装置の製造方法において、原料ガ
スにアンモニアとアミノシランを用い前記多結晶シリコ
ン膜表面上にのみ窒化シリコン膜を選択的に成長させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 アミノシランとアンモニアと不活性ガス
を原料ガスとし、アミノシランの量を不活性ガスに対し
て１０〜２０％、アンモニアの量をアミノシランの２倍
以上とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04029831A JP3116517B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04029831A JP3116517B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243488A JPH05243488A (ja) | 1993-09-21 |
| JP3116517B2 true JP3116517B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=12286975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04029831A Expired - Fee Related JP3116517B2 (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3116517B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101697923B1 (ko) * | 2015-02-11 | 2017-01-20 | (주)뷰티프로모션스 | 평판형 인조손톱 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009044023A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58165330A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-02-18 JP JP04029831A patent/JP3116517B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101697923B1 (ko) * | 2015-02-11 | 2017-01-20 | (주)뷰티프로모션스 | 평판형 인조손톱 및 이의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05243488A (ja) | 1993-09-21 |
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