JPH04338634A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ）などの製造工程において酸化膜上にはシリコンを堆
積させず、シリコン表面にのみシリコンを成長させる選
択成長法に係り、特にシリコンが堆積しにくい酸化膜を
有する半導体装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、シリコンの選択成長には、シリコ
ンの原料ガスとして、ジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２
）ガスのように塩素を含むガスを用い、また、成長温度
も９００℃以上であった。また、基体表面の酸化膜は通
常のドライ酸化法、湿式酸化法、高圧酸化法などによっ
て形成された酸化膜をパタ−ニングした後にそのまま使
用していた。なお、この種の選択成長法に関するものに
は例えば特公平１−２２３７６５号公報が挙げられる。

【０００３】次に、シリコンの選択成長に用いられる代
表的な基体の構造を図３に示す。シリコン基板１１上の
一部に酸化膜１２を形成する。シリコンの選択成長工程
においては酸化膜１２が存在しないシリコン基板１１の
開口部１３へのみシリコンを成長させる。このような構
造を有する基体に上記従来法によって選択成長条件でシ
リコンを成長させたあとの一般的な成長形態を図４に示
す。シリコンは酸化膜１２の上には堆積せず、開口部１
３にのみ堆積した結果、選択的に成長したシリコン層１
４を形成する。このシリコン層１４にはファセット３１
と呼ばれる結晶学的にシリコン基板１１と面方位指数の
異なる結晶面が現れる。また、シリコン層１４と酸化膜
１２との界面には欠陥３２が発生する。この内、ファセ
ット３１はシリコン層１４の膜厚が数百ナノメ−トルの
場合には数ナノメ−トル以下であり、エピタキシャルベ
−ストランジスタのように選択エピタキシャル膜厚が１
００ナノメ−トル程度の場合にはトランジスタの素子特
性に影響を与えることはない。しかしながら酸化膜１２
との界面に発生する欠陥３２は接合リ−ク電流の原因に
なり、素子特性を劣化させることが知られている。。

【０００４】シリコン層１４と酸化膜１２との界面に欠
陥３２が発生する原因は選択成長したシリコン層１４と
酸化膜１２との熱膨張係数が異なるためである。すなわ
ち、選択成長後に基体を室温まで冷却する際に界面近傍
にストレスがかかり、その結果、欠陥３２が発生する。 つまり、選択成長温度を低温化すれば界面近傍のストレ
スは低下し、欠陥３２の発生を抑制することができる。

【０００５】選択成長温度の低温化にはシリコンを含む
原料ガスが低温（８５０℃以下）で容易に基体表面近傍
において分解、反応しなければならない。このためには
分解温度の低いガスを原料として用いることが最も効果
的である。

【０００６】分解温度が低く、ＬＳＩの製造工程におい
てシリコン薄膜の形成用として一般に使用されているの
はモノシランガスである。しかし、モノシランガスのみ
、あるいはモノシランガスと水素ガスの混合ガスを用い
た化学気相成長法では成長圧力が極めて低い（約０．１
パスカル以下）場合を除き、酸化膜１２の表面にもシリ
コンが成長してしまう。この原因はモノシランガスには
塩素が含まれていないために基体表面での化学反応過程
において塩化水素ガスによる酸化膜１２上でのシリコン
のエッチング過程が発生しないためである。また、低温
選択成長の原料ガスとしてモノシランガスと塩化水素ガ
スの混合ガスを用いる場合、成長温度の低温化とともに
酸化膜１２上へのシリコンの堆積量は増加してしまい、
良好な選択性を得られなくなる。なお、モノシランガス
と塩化水素ガスを用いたシリコンの選択成長結果につい
ては例えば、ジャ−ナル　　オブ　　エレクトロケミカ
ル　　ソサイアチィ−１２８（１９８１年）第１３５３
頁から第１３５９頁（Ｊ．　　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ
．　　Ｓｏｃ．，１２８（１９８１）ＰＰ１３５３−１
３５９）に記載されているように水素ガスに対して０．
１ｖｏｌ％に希釈されたモノシランガスと上記モノシラ
ンガスとの混合比（ＨＣｌ／ＳｉＨ４）が０〜５の塩化
水素ガスを用いた気相成長法の結果が報告されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では約８
５０℃以下の低温成長では酸化膜１２にシリコンが堆積
してしまい、良好な選択成長を実現できなかった。

【０００８】本発明の目的は、選択成長においてシリコ
ンが堆積しにくい酸化膜１２を有する半導体装置及びそ
の製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、シリコン基板と、このシリコン基板上に設
けられ少なくとも表面の組成が酸素過剰であるシリコン
酸化膜と、この酸化膜の開口部の前記シリコン基板上に
設けられたシリコン層とを備えたことを特徴とする半導
体装置である。

【００１０】また本発明は、シリコン基板と、このシリ
コン基板上に設けられ少なくとも表面の組成がＳｉとＯ
との未結合手を有するシリコン酸化膜と、この酸化膜の
開口部の前記シリコン基板上に設けられたシリコン層と
を備えたことを特徴とする半導体装置である。

【００１１】また本発明は、シリコン基板上に少なくと
も表面の組成が酸素過剰であるシリコン酸化膜を形成す
る工程と、この酸化膜の開口部の前記シリコン基板表面
上にシリコン層を堆積させる工程とを含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法である。ここで、酸素過剰の
シリコン酸化膜の形成は、ＳｉＨ４とＮ２Ｏの反応でＳ
ｉＯ２を生成させる際のＮ２Ｏの供給量を前記生成物で
ある酸化膜のＳｉに対するＯの量が２ではなく２以上と
成るように設定して行うのがよい。

【００１２】また本発明は、シリコン基板上に少なくと
も表面の組成がＳｉとＯとの未結合手を有するシリコン
酸化膜を形成する工程と、この酸化膜の開口部の前記シ
リコン基板表面上にシリコン層を堆積させる工程とを含
むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。ここ
で、ＳｉとＯの未結合手の形成は、予め前記シリコン酸
化膜に水素、酸素、ネオン、窒素、フッ素、燐、砒素、
アンチモン、硼素、クリプトン、塩素、ヘリウムのうち
少なくとも一種類の元素を含むガスを用いてプラズマ処
理を施して行うのがよい。または、ＳｉとＯの未結合手
の形成は、予め前記シリコン酸化膜に水素、酸素、アル
ゴン、ネオン、窒素、フッ素、燐、砒素、アンチモン、
硼素、クリプトン、塩素、ヘリウムのうち少なくとも一
種類の元素を含む物質をイオン打ち込みして行うのがよ
い。

【００１３】また本発明は、シリコン基板上にシリコン
酸化膜を形成する工程と、該酸化膜の開口部の前記シリ
コン基板表面上に、６００℃以上８５０℃以下で、水素
ガスに対して０．００１〜０．０１ｖｏｌ％に希釈した
モノシランガス（ＳｉＨ４）と上記モノシランガスとの
混合比（ＨＣｌ／ＳｉＨ４）が０．５〜５００の塩化水
素ガス（ＨＣｌ）との混合ガスを接触させてシリコン層
を堆積させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法である。ここで、前記混合ガスと基板との接
触する圧力が１００００パスカル以下であるものがよい
。

【００１４】

【作用】酸化膜１２を仮にＳｉＯ２と記述した場合、塩
化水素ガスが反応系に存在する場合の選択成長工程にお
ける酸化膜１２上あるいはその近傍での化学反応は、下
記反応式化１および化２として表される。

【００１５】

【化１】

【００１６】 ＳｉＯ２（ｓ）＋Ｓｉ（ａ）　　→　　２ＳｉＯ（ｇ）

【００１７】

【化２】

【００１８】 ＳｉＯ２（ｓ）＋Ｓｉ（ａ）＋２ＨＣｌ（ｇ）　　→Ｓ
ｉＯ２（ｓ）＋ＳｉＣｌ２（ｇ）＋Ｈ２（ｇ）ここで添
字のｓ，ａ，ｇは物質がそれぞれ固体、吸着、ガスの状
態にあることを表す。化１はモノシランガスの分解フラ
グメントの一部であるＳｉが酸化膜１２上で反応し、揮
発性の物質であるＳｉＯとして蒸発することを示してい
る。また、化２は酸化膜１２上に吸着したシリコンを塩
化水素ガスがエッチングして除去する過程を表している
。化２によって酸化膜１２上のシリコンの堆積を抑制し
ようとした場合、過度に塩化水素ガスを導入するとシリ
コンのエッチング反応が過剰となり、基体表面に存在す
る開口部１３のシリコンがエッチングされてしまう。そ
こで化１に表される反応を効率良く生じさせることが有
効となる。

【００１９】酸化膜１２がＳｉＯ２として存在する場合
、ＳｉＯ２は化学的に極めて安定であるため、化１に示
されるようにＳｉ−Ｏの結合を低温で解離させることは
困難である。化１に示される反応を効率良く生じさせる
ためには酸化膜１２上にシリコンが吸着したとき、この
吸着シリコンに酸素が容易に供給されれば良い。すなわ
ち、予め酸化膜１２中に余分な酸素を含有させておけば
良い。この場合化１に寄与する酸化膜１２は酸化膜１２
の表面近傍のみであるので酸化膜１２全体の酸素が過剰
である必要はなく、酸化膜１２表面近傍のみに過剰な酸
素が存在していれば良い。

【００２０】あるいは、化１に示される反応を効率良く
生じさせるためには選択成長工程の前に基体表面上にあ
る酸化膜１２へ、水素、酸素、ネオン、窒素、フッ素、
燐、砒素、アンチモン、硼素、クリプトン、塩素、ヘリ
ウムのうち少なくとも一種類の元素を含むガスを用いて
プラズマ処理を施せば酸化膜１２表面近傍のＳｉ−Ｏ結
合はダメ−ジを受け、化１に示される反応を効率良く生
じさせることが可能となる。前記ダメージは電子スピン
共鳴（ＥＳＲ）や元素分析等によって確認することがで
きる。特に、プラズマ処理に用いられるガスに酸素が含
まれる場合、酸化膜１２中に過剰な酸素が存在する効果
も生じ、より効果的に酸化膜１２上へのシリコンの堆積
を抑制できる。

【００２１】あるいは、化１に示される反応を効率良く
生じさせるためには選択成長工程の前に基体表面上にあ
る酸化膜１２へ、水素、酸素、アルゴン、ネオン、窒素
、フッ素、燐、砒素、アンチモン、硼素、クリプトン、
塩素、ヘリウムのうち少なくとも一種類の元素をイオン
打ち込みすることで酸化膜１２表面近傍のＳｉ−Ｏ結合
はダメ−ジを受け、化１に示される反応を効率良く生じ
させることが可能となる。特に、イオン打ち込みされる
物質中に酸素が含まれる場合、酸化膜１２中に過剰な酸
素が存在する効果も生じ、より効果的に酸化膜１２上へ
のシリコンの堆積を抑制できる。

【００２２】酸化膜１２上へのシリコンの堆積を抑制す
る方法としては、酸化膜１２上に不純物が存在しない、
クリ−ンな状態にしておくことも有効である。すなわち
、酸化膜１２上にシリコンが堆積する場合、酸化膜１２
上に存在する水分などがシリコン成長の核になり、そこ
からシリコンが堆積し始めるからである。酸化膜１２表
面を選択成長工程中に清浄な状態に保つには酸化膜１２
上に多くの水素ガスを供給すれば良い。すなわち、酸化
膜１２とシリコン表面をそなえた基体を６００℃以上８
５０℃以下おいて、水素ガスに対して０．００１〜０．
０１ｖｏｌ％に希釈したモノシランガスと塩化水素ガス
（ＨＣｌ）とモノシランガス（ＳｉＨ４）との混合比（
ＨＣｌ／ＳｉＨ４）が０．５〜５００の塩化水素ガスと
の混合ガスを上記基体に接触させることにより酸化膜１
２表面には多くの水素ガスが供給され、選択成長中に酸
化膜１２表面は清浄な状態に保持され、酸化膜１２上へ
のシリコンの堆積を抑制できると共に、前記の如く８５
０℃以下で反応させるため前記欠陥も防止できる。 特に、上記混合ガスと基体との接触する圧力が１０００
０パスカル以下である場合、酸化膜１２表面の清浄度は
より向上し、酸化膜１２上へのシリコンの堆積を抑制で
きる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図１を用いて説明
する。シリコン基板１１はボロンド−プのｐ型単結晶基
板である。面方位は（１００）で（０１１）方位に４゜
の傾斜をかけている。比抵抗は１０〜１５Ωｃｍ、直径
は１００ｍｍである。上記シリコン基板１１上にプラズ
マＣＶＤ法によって厚さ５００ｎｍの酸化膜１２を形成
し、図１（ａ）に示す試料を作成した。酸化膜１２の形
成条件は、成長温度３２０℃、高周波電力３００Ｗ，圧
力２０パスカル、ヘリウム希釈の２０％モノシランガス
流量４０ｍｌ／分、酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス流量２００
ｍｌ／分である。すなわち、Ｎ２Ｏの供給量を通常は２
０ｍｌ／分程度であるのをそれより多くしてある。形成
された酸化膜１２の密度は２．０ｇ／ｃｍ３以下であっ
た。次に、図１（ｂ）に示したような開口部１３を形成
した。開口部１３の大きさは一辺０．５μｍ〜１０μｍ
の正方形である。開口部１３の各辺は（１１０）面と結
晶学的に平行である。次に、図１（ｃ）に示したように
常圧化学気相成長法によって膜厚５００ｎｍのシリコン
層１４を形成した。シリコン層１４の形成条件はジクロ
ルシランガス流量５０ｍｌ／分、塩化水素ガス流量８０
ｍｌ／分、水素ガス流量３００ｍｌ／分、成長温度８５
０℃である。走査型電子顕微鏡による酸化膜１２表面の
観察から酸化膜１２上にはシリコンは全く堆積していな
かった。更に、断面方向の透過電子顕微鏡による格子像
観察からシリコン層１４はエピタキシャル成長しており
、酸化膜１２とシリコン層１４の界面には欠陥は発生し
ていなかった。更に、シリコン層１４をジルトルエッチ
した後、微分干渉顕微鏡によってシリコン層１４の表面
を観察した結果、シリコン層１４は無欠陥であった。

【００２４】次に、酸化膜１２をプラズマ処理した一実
施例について図２により説明する。シリコン基板１１は
ボロンド−プのｐ型単結晶基板である。面方位は（１０
０）で（０１１）方位に４°の傾斜をかけている。比抵
抗は１０〜１５Ωｃｍで直径は１００ｍｍである。上記
シリコン基板１１上に窒化膜４１を形成後、パタ−ニン
グすることで図２（ａ）に示す試料を形成した。窒化膜
４１の間隔は０．３μｍである。この試料を熱酸化する
ことで図２（ｂ）に示す試料を形成した後にプラズマ処
理をした。処理条件は温度２００℃、水素ガス流量２０
０ｍｌ／分、高周波電力２５０Ｗ、圧力２０パスカル、
処理時間１０分である。次に窒化膜４１を除去後、常圧
化学気相成長法によって図２（ｃ）に示すように膜厚５
００ｎｍのシリコン層１４を形成した。シリコン層１４
の形成条件はジクロルシランガス流量５０ｍｌ／分、塩
化水素ガス流量８０ｍｌ／分、水素ガス流量３００ｍｌ
／分、成長温度８５０℃である。走査型電子顕微鏡によ
る酸化膜１２表面の観察から酸化膜１２上にはシリコン
は全く堆積していなかった。更に、断面方向の透過電子
顕微鏡による格子像観察からシリコン層１４はエピタキ
シャル成長しており、酸化膜１２とシリコン層１４の界
面には欠陥は発生していなかった。更に、シリコン層１
４をジルトルエッチした後、微分干渉顕微鏡によってシ
リコン層１４の表面を観察した結果、シリコン層１４は
無欠陥であった。プラズマ処理に使用するガスとして水
素の他、酸素、ネオン、窒素、フッ素、燐、砒素、アン
チモン、硼素、クリプトン、塩素、ヘリウムのうち少な
くとも一種類の元素を含むガスを用いても同様な結果を
得られた。

【００２５】次に、酸化膜１２へイオン打ち込み処理し
た一実施例について説明する。用いた試料は先に説明し
たプラズマ処理を施したものと同じである。すなわち、
図２（ｂ）に示す試料に砒素をイオン打ち込みした。加
速電圧は３０ｋｅＶ，ド−ズ量は１×１０１６／ｃｍ２
である。次に、プラズマ処理の場合と同様に窒化膜４１
を除去後、常圧化学気相成長法によって膜厚５００ｎｍ
のシリコン層１４を形成した。シリコン層１４の形成条
件はジクロルシランガス流量５０ｍｌ／分、塩化水素ガ
ス流量８０ｍｌ／分、水素ガス流量３００ｍｌ／分、成
長温度８５０℃である。走査型電子顕微鏡による酸化膜
１２表面の観察から酸化膜１２上にはシリコンは全く堆
積していなかった。更に、断面方向の透過電子顕微鏡に
よる格子像観察からシリコン層１４はエピタキシャル成
長しており、酸化膜１２とシリコン層１４の界面には欠
陥は発生していなかった。更に、シリコン層１４をジル
トルエッチした後、微分干渉顕微鏡によってシリコン層
１４の表面を観察した結果、シリコン層１４は無欠陥で
あった。イオン打ち込みする元素として水素、酸素、ア
ルゴン、ネオン、窒素、フッ素、燐、アンチモン、硼素
、クリプトン、塩素、ヘリウムのうち少なくとも一種類
の元素を含む物質を用いても同様な結果を得られた。

【００２６】次に、モノシランガスと塩化水素ガスと水
素ガスの混合ガスを用いた化学気相成長法によって酸化
膜１２とシリコン層１４との界面に欠陥のないシリコン
層１４を得た実施例を図２により説明する。シリコン基
板１１はボロンド−プのｐ型単結晶基板である。面方位
は（１００）で（０１１）方位に４°の傾斜をかけてい
る。比抵抗は１０〜１５Ωｃｍで直径は１００ｍｍであ
る。上記シリコン基板１１上に窒化膜４１を形成後、パ
タ−ニングすることで図２（ａ）に示す試料を形成した
。窒化膜４１の間隔は０．３μｍである。この試料を熱
酸化することで図２（ｂ）に示す試料を形成した。窒化
膜４１を除去後、図２（ｃ）に示す試料を作成した。 次に、常圧化学気相成長法によってシリコン層１４を形
成した。シリコン層１４の形成条件は成長温度８００℃
、塩酸ガス流量５ｍｌ／分、モノシランガス流量１ｍｌ
／分、水素ガス流量１６　ｌ／分である。走査型電子顕
微鏡による酸化膜１２表面の観察から酸化膜１２上には
シリコンは全く堆積していなかった。更に、断面方向の
透過電子顕微鏡による格子像観察からシリコン層１４は
エピタキシャル成長しており、酸化膜１２とシリコン層
１４の界面には欠陥は発生していなかった。更に、シリ
コン層１４をジルトルエッチした後、微分干渉顕微鏡に
よってシリコン層１４の表面を観察した結果、シリコン
層１４は無欠陥であった。なお、シリコン層１４の形成
を１００００パスカル以下で行うことでより高品質なエ
ピタキシャル層を形成できた。

【００２７】

【発明の効果】本発明によれば、シリコン基板上に酸素
過剰な酸化膜を形成することで酸化膜上に吸着するシリ
コンが揮発しやすくなり、その結果、酸化膜上にシリコ
ンが堆積しにくくなる。本発明の他の効果はシリコン基
板上の酸化膜にプラズマ処理を施すことで酸化膜表面近
傍にダメ−ジが生じ、その結果、酸化膜上にシリコンが
堆積しにくくなることである。本発明の他の効果はシリ
コン基板上の酸化膜にイオン打ち込み処理を施すことで
酸化膜表面近傍にダメ−ジが生じ、その結果、酸化膜上
にシリコンが堆積しにくくなることである。

【００２８】本発明の他の効果は選択シリコン成長に水
素ガスに対して０．００１〜０．０１ｖｏｌ％に希釈し
たモノシランガスと塩化水素ガスとモノシランガスとの
混合比（ＨＣｌ／ＳｉＨ４）が０．５〜５００の塩化水
素ガスとの混合ガスを用いることで成長温度６００℃〜
８５０℃で酸化膜１２とシリコン層１４との界面に欠陥
のない選択シリコン成長層を得られることである。本発
明の他の効果は上記混合ガスと基体とが接触する圧力を
１００００パスカル以下にすることでより高品質なシリ
コン層を形成できることである。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
ための工程順に示した半導体チップの断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｄ）本発明の他実施例を説明するた
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。

【図３】従来の選択成長に用いられている半導体チップ
の断面図である。

【図４】従来の選択成長に用いられている半導体チップ
へ選択成長させた後の断面図である。

【符号の説明】

１１　　シリコン基板 １２　　酸化膜 １３　　開口部 １４　　シリコン層 ３１　　ファセット ３２　　欠陥 ４１　　窒化膜

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　シリコン基板と、このシリコン基板上
   に設けられ少なくとも表面の組成が酸素過剰であるシリ
   コン酸化膜と、この酸化膜の開口部の前記シリコン基板
   上に設けられたシリコン層とを備えたことを特徴とする
   半導体装置。
2. 【請求項２】　　シリコン基板と、このシリコン基板上
   に設けられ少なくとも表面の組成がＳｉとＯとの未結合
   手を有するシリコン酸化膜と、この酸化膜の開口部の前
   記シリコン基板上に設けられたシリコン層とを備えたこ
   とを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】　　シリコン基板上に少なくとも表面の組
   成が酸素過剰であるシリコン酸化膜を形成する工程と、
   この酸化膜の開口部の前記シリコン基板表面上にシリコ
   ン層を堆積させる工程とを含むことを特徴とする半導体
   装置の製造方法。
4. 【請求項４】　　シリコン基板上に少なくとも表面の組
   成がＳｉとＯとの未結合手を有するシリコン酸化膜を形
   成する工程と、この酸化膜の開口部の前記シリコン基板
   表面上にシリコン層を堆積させる工程とを含むことを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】　　請求項３において、酸素過剰のシリコ
   ン酸化膜の形成は、ＳｉＨ４とＮ２Ｏの反応でＳｉＯ２
   を生成させる際のＮ２Ｏの供給量を前記生成物である酸
   化膜のＳｉに対するＯの量が２ではなく２以上と成るよ
   うに設定して行う半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】　　請求項４において、ＳｉとＯの未結合
   手の形成は、予め前記シリコン酸化膜に水素、酸素、ネ
   オン、窒素、フッ素、燐、砒素、アンチモン、硼素、ク
   リプトン、塩素、ヘリウムのうち少なくとも一種類の元
   素を含むガスを用いてプラズマ処理を施して行う半導体
   装置の製造方法。
7. 【請求項７】　　請求項４において、ＳｉとＯの未結合
   手の形成は、予め前記シリコン酸化膜に水素、酸素、ア
   ルゴン、ネオン、窒素、フッ素、燐、砒素、アンチモン
   、硼素、クリプトン、塩素、ヘリウムのうち少なくとも
   一種類の元素を含む物質をイオン打ち込みして行う半導
   体装置の製造方法。
8. 【請求項８】　　シリコン基板上にシリコン酸化膜を形
   成する工程と、該酸化膜の開口部の前記シリコン基板表
   面上に、６００℃以上８５０℃以下で、水素ガスに対し
   て０．００１〜０．０１ｖｏｌ％に希釈したモノシラン
   ガス（ＳｉＨ４）と上記モノシランガスとの混合比（Ｈ
   Ｃｌ／ＳｉＨ４）が０．５〜５００の塩化水素ガス（Ｈ
   Ｃｌ）との混合ガスを接触させてシリコン層を堆積させ
   る工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
   。
9. 【請求項９】　　請求項８において、前記混合ガスと基
   板との接触する圧力が１００００パスカル以下である半
   導体装置の製造方法。