JP3107039B2 - 面光源プローバ装置及び検査方法 - Google Patents
面光源プローバ装置及び検査方法Info
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置の欠
陥検査装置に関し、特に面光源プローバ装置及び検査方
法に関する。
陥検査装置に関し、特に面光源プローバ装置及び検査方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置の欠陥検査方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【０００３】まず、最初に、基板上の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）アレイ中に発生する欠陥であるパターンの断
線、短絡、及びＴＦＴ特性不良を検出するために、Ｄ１
〜Ｄｎ数のドレインラインとＧ１〜Ｇｎ数のゲートライ
ンに、電圧印加用のプローブと、電流検出用のプローブ
を接触させ、電圧の印加及び電流の検出を行い、欠陥検
査装置に具備されている光源をＬＣＤ基板に照射して、
ＴＦＴを導通状態にすることにより、欠陥を検出可能と
している。
（ＴＦＴ）アレイ中に発生する欠陥であるパターンの断
線、短絡、及びＴＦＴ特性不良を検出するために、Ｄ１
〜Ｄｎ数のドレインラインとＧ１〜Ｇｎ数のゲートライ
ンに、電圧印加用のプローブと、電流検出用のプローブ
を接触させ、電圧の印加及び電流の検出を行い、欠陥検
査装置に具備されている光源をＬＣＤ基板に照射して、
ＴＦＴを導通状態にすることにより、欠陥を検出可能と
している。
【０００４】また液晶表示装置の欠陥検査方法として、
アクテイブ型マトリクスパネルで、画素毎にスイッチン
グ素子を有する一方の基板に電子線を照射し、絵素（画
素）電極の電位を検出する機能を備えた欠陥検査装置に
おいて、上方より光照射または下方より光照射のいずれ
か、もしくは両者よりの光照射によって、マトリクス基
板の点欠陥を検出し、後工程への不良流出を防止すると
いう方法も知られている（例えば特開平１−２９２７３
６号公報参照）。
アクテイブ型マトリクスパネルで、画素毎にスイッチン
グ素子を有する一方の基板に電子線を照射し、絵素（画
素）電極の電位を検出する機能を備えた欠陥検査装置に
おいて、上方より光照射または下方より光照射のいずれ
か、もしくは両者よりの光照射によって、マトリクス基
板の点欠陥を検出し、後工程への不良流出を防止すると
いう方法も知られている（例えば特開平１−２９２７３
６号公報参照）。
【０００５】また、液晶パネルの信号線に形成された光
スイッチング素子に光を照射するための光照射手段とし
て、レーザ光を発生させるものがある（例えば特開平２
−１３６７６１号公報参照）。この方法によれば、全信
号線にプロービングして検査していたものが、プローブ
の接続手段を大幅に低減させている。
スイッチング素子に光を照射するための光照射手段とし
て、レーザ光を発生させるものがある（例えば特開平２
−１３６７６１号公報参照）。この方法によれば、全信
号線にプロービングして検査していたものが、プローブ
の接続手段を大幅に低減させている。
【０００６】そして、液晶ディスプレイに内蔵される薄
膜トランジスタの被測定端子間を電気的に測定する検査
装置で薄膜トランジスタに可視光線を照射するという検
査方法も知られている（例えば特開平１−２１２３２８
号公報参照）。この検査方法によれば、ＴＦＴの被測定
端子間の絶縁抵抗値に対するプローバ及びリレースキャ
ナ自身の絶縁抵抗値の影響を低減でき、しかも抵抗計の
セトリング時間の短縮を図り、高速・高精度の検査が可
能になる。
膜トランジスタの被測定端子間を電気的に測定する検査
装置で薄膜トランジスタに可視光線を照射するという検
査方法も知られている（例えば特開平１−２１２３２８
号公報参照）。この検査方法によれば、ＴＦＴの被測定
端子間の絶縁抵抗値に対するプローバ及びリレースキャ
ナ自身の絶縁抵抗値の影響を低減でき、しかも抵抗計の
セトリング時間の短縮を図り、高速・高精度の検査が可
能になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の液晶表示装置の検査方法においては、次のよう
な問題点を有している。
た従来の液晶表示装置の検査方法においては、次のよう
な問題点を有している。
【０００８】すなわち、ＬＣＤ基板全体の夫々の画素の
アモリファスシリコン膜（「ａ−Ｓｉ膜」という）を、
導通状態とさせるために光をあてるが、ａ−Ｓｉ膜が完
全に短絡状態となったり、光の強弱や照度ムラなどによ
り、線欠陥程度の検査は可能であるが、これ以上の精度
の良い検査ができない、ということである。
アモリファスシリコン膜（「ａ−Ｓｉ膜」という）を、
導通状態とさせるために光をあてるが、ａ−Ｓｉ膜が完
全に短絡状態となったり、光の強弱や照度ムラなどによ
り、線欠陥程度の検査は可能であるが、これ以上の精度
の良い検査ができない、ということである。
【０００９】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、ＴＦＴアレイの
検査において、従来の検査方法では検出不可能であった
画素部の点欠陥を検出可能とし、検査精度を向上すると
ともに、コストを低減する面光源プローバ装置及び検査
方法を提供することにある。
てなされたものであって、その目的は、ＴＦＴアレイの
検査において、従来の検査方法では検出不可能であった
画素部の点欠陥を検出可能とし、検査精度を向上すると
ともに、コストを低減する面光源プローバ装置及び検査
方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の面光源プローバ装置は、検査対象のＬＣＤ
基板全面に、直流光源からの光を、検査プロセスと同期
させて予め定められた特定の検査プロセス時にのみ照射
するよう制御する手段を備えたものである。より詳細に
は、ステージ上に搭置される検査対象のＬＣＤ基板全面
に直流光を照射するための直流光源と、前記直流光源か
らの直流光の前記ＬＣＤ基板に照射・遮断を切替制御す
るための偏光シャッターと、前記ＬＣＤ基板の端子に電
圧を印加し前記ＬＣＤ基板の画素の補助容量へ電荷を蓄
積させるとともに蓄積電荷を読み出すためのプローブ手
段と、を備え、前記直流光源からの直流光が前記偏光シ
ャッターを介して点欠陥検査時にのみ、検査対象のＬＣ
Ｄ基板全面にほぼ均一に当たるように制御する、ことを
特徴とする。
め、本発明の面光源プローバ装置は、検査対象のＬＣＤ
基板全面に、直流光源からの光を、検査プロセスと同期
させて予め定められた特定の検査プロセス時にのみ照射
するよう制御する手段を備えたものである。より詳細に
は、ステージ上に搭置される検査対象のＬＣＤ基板全面
に直流光を照射するための直流光源と、前記直流光源か
らの直流光の前記ＬＣＤ基板に照射・遮断を切替制御す
るための偏光シャッターと、前記ＬＣＤ基板の端子に電
圧を印加し前記ＬＣＤ基板の画素の補助容量へ電荷を蓄
積させるとともに蓄積電荷を読み出すためのプローブ手
段と、を備え、前記直流光源からの直流光が前記偏光シ
ャッターを介して点欠陥検査時にのみ、検査対象のＬＣ
Ｄ基板全面にほぼ均一に当たるように制御する、ことを
特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明は、アモルファスシリコン（「ａ−
Ｓｉ」という）薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた液
晶表示パネル（ＬＣＤ）のＴＦＴアレイ製造工程におけ
る、ＴＦＴアレイの最終検査で用いられる面光源プロー
バ装置において、ＴＦＴアレイ製造時のアモルファスシ
リコンの残り等に起因する表示上の点欠陥を、偏光シャ
ッターを介して、ＤＣランプを、あるタイミングで照射
することにより、欠陥部位の電荷リーク量を検出するこ
とで、点欠陥の検出を可能にしたものである。
に説明する。本発明は、アモルファスシリコン（「ａ−
Ｓｉ」という）薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた液
晶表示パネル（ＬＣＤ）のＴＦＴアレイ製造工程におけ
る、ＴＦＴアレイの最終検査で用いられる面光源プロー
バ装置において、ＴＦＴアレイ製造時のアモルファスシ
リコンの残り等に起因する表示上の点欠陥を、偏光シャ
ッターを介して、ＤＣランプを、あるタイミングで照射
することにより、欠陥部位の電荷リーク量を検出するこ
とで、点欠陥の検出を可能にしたものである。
【００１２】本発明の面光源プローバ装置は、その好ま
しい実施の形態において、図１を参照すると、ステージ
（１８）上の吸着テーブル（１７）に、ＬＣＤ基板
（１）をセットする。ＬＣＤ基板（１）は、精度良く固
定させるために吸着テーブル（１７）に平面上にセット
される。
しい実施の形態において、図１を参照すると、ステージ
（１８）上の吸着テーブル（１７）に、ＬＣＤ基板
（１）をセットする。ＬＣＤ基板（１）は、精度良く固
定させるために吸着テーブル（１７）に平面上にセット
される。
【００１３】セットされたＬＣＤ基板（１）にプローブ
ユニット（１３）とマニピュレータ（１３ａ）によりＬ
ＣＤ基板（１）のゲート端子（２）とドレイン端子
（３）へ直接接触（「コンタクト」という）させ、不図
示のテスタ装置より電圧を印加させる。
ユニット（１３）とマニピュレータ（１３ａ）によりＬ
ＣＤ基板（１）のゲート端子（２）とドレイン端子
（３）へ直接接触（「コンタクト」という）させ、不図
示のテスタ装置より電圧を印加させる。
【００１４】その後、テストを開始し、検査プロセス上
での点欠陥検出プロセス時に、ＤＣ成分の光源（１４）
を、ある一定範囲の照度により、偏光シャッター（１
２）を開状態にして、直射光（２０）をＬＣＤ基板
（１）の全面に照射することにより、ＴＦＴアレイ上の
ａ−Ｓｉ残り起因などによる点欠陥を検出することが可
能となる。
での点欠陥検出プロセス時に、ＤＣ成分の光源（１４）
を、ある一定範囲の照度により、偏光シャッター（１
２）を開状態にして、直射光（２０）をＬＣＤ基板
（１）の全面に照射することにより、ＴＦＴアレイ上の
ａ−Ｓｉ残り起因などによる点欠陥を検出することが可
能となる。
【００１５】本発明の実施の形態においては、ＬＣＤ基
板（１）の全面に対して、均衡したＤＣ（直流）成分の
直射光（２０）を偏光シャッター（１２）の開閉タイミ
ングによる時間と、ＤＣ成分によるムラのないある一定
範囲に微調可変できる照度を持った光を、トランジスタ
回路がオン状態の時に照射するように制御しているた
め、ａ−Ｓｉ膜の光感応効果（光が当たることにより、
導通状態となること）で、微少な保持電荷のリーク量を
検出し、その画素部が欠陥であることを判別することが
できる。
板（１）の全面に対して、均衡したＤＣ（直流）成分の
直射光（２０）を偏光シャッター（１２）の開閉タイミ
ングによる時間と、ＤＣ成分によるムラのないある一定
範囲に微調可変できる照度を持った光を、トランジスタ
回路がオン状態の時に照射するように制御しているた
め、ａ−Ｓｉ膜の光感応効果（光が当たることにより、
導通状態となること）で、微少な保持電荷のリーク量を
検出し、その画素部が欠陥であることを判別することが
できる。
【００１６】
【実施例】上記した本発明の実施の形態についてさらに
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
詳細に説明すべく、本発明の実施例について図面を参照
して以下に説明する。
【００１７】図１は、本発明の一実施例の構成を示す図
である。図２は、本発明の一実施例を説明するための図
であり、ＬＣＤ基板（ＴＦＴ基板）の平面図である。
である。図２は、本発明の一実施例を説明するための図
であり、ＬＣＤ基板（ＴＦＴ基板）の平面図である。
【００１８】図１を参照すると、本発明の面光源プロー
バ装置は、その一実施例において、ＬＣＤ基板１の回路
を検査するにあたり、まずＬＣＤ基板１を、ロボットア
ームなどによるハンドリング手段により、検査する位
置、すなわちステージ１８と吸着テーブル１７とで構成
されている部位へ移動し、バキューム（真空吸引）など
の手段により固定させる。
バ装置は、その一実施例において、ＬＣＤ基板１の回路
を検査するにあたり、まずＬＣＤ基板１を、ロボットア
ームなどによるハンドリング手段により、検査する位
置、すなわちステージ１８と吸着テーブル１７とで構成
されている部位へ移動し、バキューム（真空吸引）など
の手段により固定させる。
【００１９】図１、及び図２を参照すると、ＬＣＤ基板
１のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）６のゲート端子２とド
レイン端子３に、直接コンタクトするマニピュレータ１
３ａと、これを固定させている架台となるプローブユニ
ット１３と、を備えている。
１のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）６のゲート端子２とド
レイン端子３に、直接コンタクトするマニピュレータ１
３ａと、これを固定させている架台となるプローブユニ
ット１３と、を備えている。
【００２０】さらに、図１を参照すると、本発明の一実
施例は、照明治具１１、偏光シャッター１２、光源１
４、シールドボックス１５、および調光ボックス１６を
備えている。
施例は、照明治具１１、偏光シャッター１２、光源１
４、シールドボックス１５、および調光ボックス１６を
備えている。
【００２１】このうち、照明治具１１は、光源１４を取
り付け固定されているブラケットならびに架台からな
り、プローブユニット１３の上方に配置されている。
り付け固定されているブラケットならびに架台からな
り、プローブユニット１３の上方に配置されている。
【００２２】照明治具１１の中に、実際に光を放つ光源
１４が取り付けられており、調光ボックス１６は、光源
１４の光の照度を任意に調光制御するための制御ボック
スである。
１４が取り付けられており、調光ボックス１６は、光源
１４の光の照度を任意に調光制御するための制御ボック
スである。
【００２３】検査プロセスの点欠陥検査タイミング時
に、不図示のテスタ装置からの制御を受けて、偏光シャ
ッター１２を開くことにより、ＬＣＤ基板１の全面に、
光源１４からの光を照射する。
に、不図示のテスタ装置からの制御を受けて、偏光シャ
ッター１２を開くことにより、ＬＣＤ基板１の全面に、
光源１４からの光を照射する。
【００２４】そして、点欠陥検査プロセス以外の検査プ
ロセス時には、偏光シャッター１２は閉じている状態で
検査が行われ、シールドボックス１５内にて暗環境下で
検査が行われる。
ロセス時には、偏光シャッター１２は閉じている状態で
検査が行われ、シールドボックス１５内にて暗環境下で
検査が行われる。
【００２５】照明治具１１と、光源１４、調光ボックス
１６は、検査を始める初期時から点灯し、常時、直流光
２０を照射している。
１６は、検査を始める初期時から点灯し、常時、直流光
２０を照射している。
【００２６】偏光シャッター１２は、光源１４から放た
れる直流光２０を、測定するテスタ装置からのトリガ信
号によってそのシャッターが開閉し、ＬＣＤ基板１への
照射、遮断を制御する。
れる直流光２０を、測定するテスタ装置からのトリガ信
号によってそのシャッターが開閉し、ＬＣＤ基板１への
照射、遮断を制御する。
【００２７】図１及び図２を参照すると、プローブユニ
ット１３とマニピュレータ１３ａはＬＣＤ基板１を電気
的に検査するために、直接、ゲート端子２とドレイン端
子３へコンタクトし、電圧を印加する。
ット１３とマニピュレータ１３ａはＬＣＤ基板１を電気
的に検査するために、直接、ゲート端子２とドレイン端
子３へコンタクトし、電圧を印加する。
【００２８】ステージ１８およびステージシャフト１９
は、ＬＣＤ基板１を検査するために、平面状態に位置さ
せ、マニピュレータ１３ａの位置まで、上昇、及び下降
動作を行う。
は、ＬＣＤ基板１を検査するために、平面状態に位置さ
せ、マニピュレータ１３ａの位置まで、上昇、及び下降
動作を行う。
【００２９】吸着テーブル１７は、ステージ１８上に平
面状態で置かれた後、マニピュレータ１３ａがＬＣＤ基
板１のゲート端子２とドレイン端子３の位置に正確にコ
ンタクトできるようにアライメントを行い、吸着固定す
る。
面状態で置かれた後、マニピュレータ１３ａがＬＣＤ基
板１のゲート端子２とドレイン端子３の位置に正確にコ
ンタクトできるようにアライメントを行い、吸着固定す
る。
【００３０】照明治具１１と光源１４は、ＤＣ成分すな
わち直流点灯する照明機器であり、調光ボックス１６か
らの点灯信号により、常時、直流光２０を照射する。
わち直流点灯する照明機器であり、調光ボックス１６か
らの点灯信号により、常時、直流光２０を照射する。
【００３１】調光ボックス１６は、照明機器である光源
１４と照明治具１１を点灯制御するためのユニットであ
り、テスタ装置からの検査開始命令をトリガにして、点
灯信号を出力する。
１４と照明治具１１を点灯制御するためのユニットであ
り、テスタ装置からの検査開始命令をトリガにして、点
灯信号を出力する。
【００３２】偏光シャッター１２は、点灯している直流
光２０を、ＬＣＤ基板１に直接照射するために、検査プ
ロセスにおいて、点欠陥検出プロセスのタイミング時に
のみ、シャッターを開いた状態とする。このタイミング
以外は、偏光シャッター１２は、常時閉じた状態であ
る。
光２０を、ＬＣＤ基板１に直接照射するために、検査プ
ロセスにおいて、点欠陥検出プロセスのタイミング時に
のみ、シャッターを開いた状態とする。このタイミング
以外は、偏光シャッター１２は、常時閉じた状態であ
る。
【００３３】プローブユニット１３とマニピュレータ１
３ａは、ＬＣＤ基板１の端子部すなわちゲート端子２と
ドレイン端子３に、ポゴピンやニードルといった、先端
が針状のものでコンタクトさせ、不図示のテスタ装置か
ら供給される、電圧を印加し、画素７の補助容量８へ電
荷を蓄積させ、その蓄積容量を読み出すための手段をな
すものである。
３ａは、ＬＣＤ基板１の端子部すなわちゲート端子２と
ドレイン端子３に、ポゴピンやニードルといった、先端
が針状のものでコンタクトさせ、不図示のテスタ装置か
ら供給される、電圧を印加し、画素７の補助容量８へ電
荷を蓄積させ、その蓄積容量を読み出すための手段をな
すものである。
【００３４】ステージ１８ならびにステージシャフト１
９は、検査できる状態すなわち平面上にＬＣＤ基板１を
置き、マニピュレータ１３ａが固定された状態にあるた
め、コンタクトできる位置までＬＣＤ基板１を上昇させ
る。または、次のパネルの位置へ移動させたり、検査終
了後には、マニピュレータ１３ａとＬＣＤ基板１の接触
を解放するために下降させる。
９は、検査できる状態すなわち平面上にＬＣＤ基板１を
置き、マニピュレータ１３ａが固定された状態にあるた
め、コンタクトできる位置までＬＣＤ基板１を上昇させ
る。または、次のパネルの位置へ移動させたり、検査終
了後には、マニピュレータ１３ａとＬＣＤ基板１の接触
を解放するために下降させる。
【００３５】吸着テーブル１７は、実際ＬＣＤ基板１の
ゲート端子２とドレイン端子３にマニピュレータ１３ａ
をコンタクトさせるための正確な位置合わせいわゆるア
ライメントを行うと同時に、吸着テーブル１７上にＬＣ
Ｄ基板１を精度良く固定させる。
ゲート端子２とドレイン端子３にマニピュレータ１３ａ
をコンタクトさせるための正確な位置合わせいわゆるア
ライメントを行うと同時に、吸着テーブル１７上にＬＣ
Ｄ基板１を精度良く固定させる。
【００３６】図３は、ＬＣＤ基板の欠陥を説明するため
の図である。図４は、テスタ装置と、プローバ装置の配
置構成を示す図である。図１乃至図４を参照して、本発
明の一実施例の動作について説明する。
の図である。図４は、テスタ装置と、プローバ装置の配
置構成を示す図である。図１乃至図４を参照して、本発
明の一実施例の動作について説明する。
【００３７】図１及び図４を参照すると、プローバ装置
２１（図４参照）は、イニシャライズ（初期化処理）を
行い、吸着テーブル１７上にＬＣＤ基板１が無いことを
確認するとともに、各動作部が所定の位置であることを
確認した後、起動開始状態となる。
２１（図４参照）は、イニシャライズ（初期化処理）を
行い、吸着テーブル１７上にＬＣＤ基板１が無いことを
確認するとともに、各動作部が所定の位置であることを
確認した後、起動開始状態となる。
【００３８】プローバ装置２１のスタート信号にて、調
光ボックス１６に、電源オンの信号が転送され、照明治
具１１の直流光源１４が点灯する。一連の流れとして
は、直流光源１４が点灯状態のまま、ＬＣＤ基板１がス
テージ１８上の吸着テーブル１７上にロボットなどのハ
ンドリング装置にて移載され、これを吸着テーブル１７
上でアライメント動作を開始し、プローブユニット１３
と同位置となるよう位置補正を行う。
光ボックス１６に、電源オンの信号が転送され、照明治
具１１の直流光源１４が点灯する。一連の流れとして
は、直流光源１４が点灯状態のまま、ＬＣＤ基板１がス
テージ１８上の吸着テーブル１７上にロボットなどのハ
ンドリング装置にて移載され、これを吸着テーブル１７
上でアライメント動作を開始し、プローブユニット１３
と同位置となるよう位置補正を行う。
【００３９】その後、ステージ１８が上昇し、マニピュ
レータ１３ａとＬＣＤ基板１のゲート端子２とドレイン
端子３にコンタクトする。この状態から、テスタ装置２
６（図４参照）の検査開始信号で、各端子部へ電圧を印
加し、検査プロセスに従ってテストが実行される。
レータ１３ａとＬＣＤ基板１のゲート端子２とドレイン
端子３にコンタクトする。この状態から、テスタ装置２
６（図４参照）の検査開始信号で、各端子部へ電圧を印
加し、検査プロセスに従ってテストが実行される。
【００４０】この検査プロセスの中の点欠陥検出プロセ
スの場合に、偏光シャッター１２がある一定の時間（３
ｍｓ〜Ｎｍｓ）だけ開いた状態となり、直流光２０がＬ
ＣＤ基板１の全面に照射され、この状態で、点欠陥検出
テストが実行され、欠陥部位を特定する。
スの場合に、偏光シャッター１２がある一定の時間（３
ｍｓ〜Ｎｍｓ）だけ開いた状態となり、直流光２０がＬ
ＣＤ基板１の全面に照射され、この状態で、点欠陥検出
テストが実行され、欠陥部位を特定する。
【００４１】一連の検査プロセスが完了した後は、ステ
ージ１８が次のパネルの位置まで動作し、ＬＣＤ基板１
上の全パネルを検査した後、ステージ１８が下降してマ
ニピュレータ１３ａより離れ、ロボットなどのハンドリ
ング装置により、ＬＣＤ基板１を所定のカセット位置へ
移載し、次のＬＣＤ基板１を、同様にしてステージ１８
上に移載する。
ージ１８が次のパネルの位置まで動作し、ＬＣＤ基板１
上の全パネルを検査した後、ステージ１８が下降してマ
ニピュレータ１３ａより離れ、ロボットなどのハンドリ
ング装置により、ＬＣＤ基板１を所定のカセット位置へ
移載し、次のＬＣＤ基板１を、同様にしてステージ１８
上に移載する。
【００４２】この動作を所定の検査数量分だけ順次実行
する。
する。
【００４３】次に、上記した一連の動作についてさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００４４】まず、プローバ装置２１の起動開始トリガ
ーにより直流光源１４が点灯するとともに、テスタ装置
２６が電源オンとなり、検査開始状態となる。
ーにより直流光源１４が点灯するとともに、テスタ装置
２６が電源オンとなり、検査開始状態となる。
【００４５】直流光源１４が点灯するということは、調
光ボックス１６が電源オンになる。この調光ボックス１
６は、単相１００Ｖの電源入力でランプ出力は定電流制
御方式を採用し、出力精度は３％以下程度が望ましい。
出力の可変範囲として、２０〜１２０％程度の可変有効
範囲を有する。すなわち入力電流値が低い値であれば照
度は暗く、高い値であれば明るくなる。この出力電流値
はリモート操作ではなく、あらかじめ固定する設定であ
るが、外部入力回路などを追加することによりリモート
操作が可能となる。
光ボックス１６が電源オンになる。この調光ボックス１
６は、単相１００Ｖの電源入力でランプ出力は定電流制
御方式を採用し、出力精度は３％以下程度が望ましい。
出力の可変範囲として、２０〜１２０％程度の可変有効
範囲を有する。すなわち入力電流値が低い値であれば照
度は暗く、高い値であれば明るくなる。この出力電流値
はリモート操作ではなく、あらかじめ固定する設定であ
るが、外部入力回路などを追加することによりリモート
操作が可能となる。
【００４６】照明治具１１の中に、多数本配置してある
直流蛍光灯よりなる直流光源１４を均等間隔にて配置
し、直流蛍光灯の本数は、ＬＣＤ基板１の面積に比例し
て、決定される。その決定方法となるのが、ＬＣＤ基板
１の照度による面内分布を測定し、図７に示すように、
照度分布は、ＬＣＤ基板１の面積に対して、そのＵｎｉ
ｆｏｒｍｉｔｙ（均一性）が±３％以内の照度分布とな
るように、直流光源１４を配置する必要がある。この場
合、どうしてもＬＣＤ基板１の周辺４方向が照度が低下
する傾向にある。この解決方法として、ＬＣＤ基板１の
面積以上のエリアを照射すべく、直流蛍光灯を配置する
必要がある。
直流蛍光灯よりなる直流光源１４を均等間隔にて配置
し、直流蛍光灯の本数は、ＬＣＤ基板１の面積に比例し
て、決定される。その決定方法となるのが、ＬＣＤ基板
１の照度による面内分布を測定し、図７に示すように、
照度分布は、ＬＣＤ基板１の面積に対して、そのＵｎｉ
ｆｏｒｍｉｔｙ（均一性）が±３％以内の照度分布とな
るように、直流光源１４を配置する必要がある。この場
合、どうしてもＬＣＤ基板１の周辺４方向が照度が低下
する傾向にある。この解決方法として、ＬＣＤ基板１の
面積以上のエリアを照射すべく、直流蛍光灯を配置する
必要がある。
【００４７】なお、検査を行うにあたり、必要とされる
照度は、事前に、テスタ装置２６にて補助容量８（図２
参照）のリーク量検出感度と整合させ、条件出しを行っ
ておく必要がある。
照度は、事前に、テスタ装置２６にて補助容量８（図２
参照）のリーク量検出感度と整合させ、条件出しを行っ
ておく必要がある。
【００４８】本発明の一実施例において、必要な照度の
一例としては、５０ｃｄ〜７０ｃｄが最適である。この
照度値は、実際のトランジスタ回路をオン、オフできる
最小、最大の照度である。
一例としては、５０ｃｄ〜７０ｃｄが最適である。この
照度値は、実際のトランジスタ回路をオン、オフできる
最小、最大の照度である。
【００４９】一般的に室内の蛍光灯の明るさが１８０ｃ
ｄ〜２１０ｃｄ程度あるのに対して、かなり低い照度が
要求される。例えば室内蛍光灯レベルの照度で検査した
場合には、ａ−Ｓｉ膜が完全に導通状態となるため、ト
ランジスタ回路のオン、オフ機能確認ができない状況に
なる。この場合、検出しようとしている点欠陥そのもの
が検出不可能であるため、欠陥の部位特定はできない。
このため、図２に示すように、ゲート端子２とドレイン
端子３から補助容量８に書き込んだ電荷が完全にリーク
して点欠陥の検査が出来ない状態となる。
ｄ〜２１０ｃｄ程度あるのに対して、かなり低い照度が
要求される。例えば室内蛍光灯レベルの照度で検査した
場合には、ａ−Ｓｉ膜が完全に導通状態となるため、ト
ランジスタ回路のオン、オフ機能確認ができない状況に
なる。この場合、検出しようとしている点欠陥そのもの
が検出不可能であるため、欠陥の部位特定はできない。
このため、図２に示すように、ゲート端子２とドレイン
端子３から補助容量８に書き込んだ電荷が完全にリーク
して点欠陥の検査が出来ない状態となる。
【００５０】したがって、前記したような低い照度で、
なお、かつ、照度分布は３％以内レベルが要求される。
なお、かつ、照度分布は３％以内レベルが要求される。
【００５１】次に、再び図１を参照してＬＣＤ基板１に
ついて説明すると、ロボットなどのハンドリング装置に
よりステージ１８の吸着テーブル上に移載させプローブ
ユニット１３のマニピュレータ１３ａの位置にＬＣＤ基
板１のゲート端子２とドレイン端子３が全端子精度良く
コンタクトできるように、ＬＣＤ基板１の面内にある＋
形状などのアライメントマークをプローブユニット１３
に具備してあるカメラにより位置を認識し、マニピュレ
ータ１３ａのプローブ針とＬＣＤ基板１上のゲート端子
２ならびにドレイン端子３と精度良く合う位置へ補正さ
せ、吸着テーブル１７上に吸着固定させる動作を実行す
る。
ついて説明すると、ロボットなどのハンドリング装置に
よりステージ１８の吸着テーブル上に移載させプローブ
ユニット１３のマニピュレータ１３ａの位置にＬＣＤ基
板１のゲート端子２とドレイン端子３が全端子精度良く
コンタクトできるように、ＬＣＤ基板１の面内にある＋
形状などのアライメントマークをプローブユニット１３
に具備してあるカメラにより位置を認識し、マニピュレ
ータ１３ａのプローブ針とＬＣＤ基板１上のゲート端子
２ならびにドレイン端子３と精度良く合う位置へ補正さ
せ、吸着テーブル１７上に吸着固定させる動作を実行す
る。
【００５２】つづいてコンタクトについて説明すると、
ステージシャフト１９をモータなどの駆動機器により、
ステージ１８と吸着テーブル１７をマニピュレータ１３
ａのプローブ針が接触し、なおかつある一定のオーバー
ドライブがかかるまで上昇させ、ＬＣＤ基板１のゲート
端子２とドレイン端子３をコンタクトさせ、テスタ装置
２６からの検査開始信号により、テスト２５を開始す
る。
ステージシャフト１９をモータなどの駆動機器により、
ステージ１８と吸着テーブル１７をマニピュレータ１３
ａのプローブ針が接触し、なおかつある一定のオーバー
ドライブがかかるまで上昇させ、ＬＣＤ基板１のゲート
端子２とドレイン端子３をコンタクトさせ、テスタ装置
２６からの検査開始信号により、テスト２５を開始す
る。
【００５３】この時点では、シールドボックス１５によ
り、吸着テーブル１７より上部は暗環境のままテスタ装
置２６は、検査シーケンスを走らせる。
り、吸着テーブル１７より上部は暗環境のままテスタ装
置２６は、検査シーケンスを走らせる。
【００５４】この検査シーケンスとしては、まずＮ個の
ゲート端子２から所定の電圧をブロック分けして順次印
加し、その抵抗値を検出してゲートライン上での断線や
短絡があるか否かを検査する。
ゲート端子２から所定の電圧をブロック分けして順次印
加し、その抵抗値を検出してゲートライン上での断線や
短絡があるか否かを検査する。
【００５５】その後、同様にして、ドレイン端子３から
順次電圧を印加し、ドレインライン上の線欠陥を検査す
る。
順次電圧を印加し、ドレインライン上の線欠陥を検査す
る。
【００５６】次に、ゲート端子２から印加された電圧
は、補助容量８に電荷として蓄積される。この蓄積され
た電荷を放電させるときに、ドレイン端子３からプロー
ブ針を介して、ある一定のホールド時間、補助容量８か
らのリーク量を観察する。
は、補助容量８に電荷として蓄積される。この蓄積され
た電荷を放電させるときに、ドレイン端子３からプロー
ブ針を介して、ある一定のホールド時間、補助容量８か
らのリーク量を観察する。
【００５７】一例として、電荷蓄積完了から６０ｍｓま
での間にて、どのくらいのリーク量があるかによって欠
陥の有無を判定しているが、この検査を点欠陥検出プロ
セスという。
での間にて、どのくらいのリーク量があるかによって欠
陥の有無を判定しているが、この検査を点欠陥検出プロ
セスという。
【００５８】この検査シーケンスの中で、点欠陥検出プ
ロセスへ移行したときに、はじめてテスタ装置２６から
偏光シャッター１２へシャッターを開にする信号が送ら
れで３ｍｓ（ｍｉｎ）〜６０ｍｓ（ｍａｘ）の間だけ偏
光シャッター１２を開くことにより、プローブユニット
１３の下部にあるＬＣＤ基板１の被検査対象パネルの、
場合によって数百万個にも及ぶトランジスタ６や画素７
に直流光源２０が照射され、テスタ装置２６よりゲート
端子２から印加された書き込み電圧をドレイン端子３よ
り読み出すことにより、点欠陥の部位を特定する。
ロセスへ移行したときに、はじめてテスタ装置２６から
偏光シャッター１２へシャッターを開にする信号が送ら
れで３ｍｓ（ｍｉｎ）〜６０ｍｓ（ｍａｘ）の間だけ偏
光シャッター１２を開くことにより、プローブユニット
１３の下部にあるＬＣＤ基板１の被検査対象パネルの、
場合によって数百万個にも及ぶトランジスタ６や画素７
に直流光源２０が照射され、テスタ装置２６よりゲート
端子２から印加された書き込み電圧をドレイン端子３よ
り読み出すことにより、点欠陥の部位を特定する。
【００５９】この偏光シャッター１２は、一般的なＴＮ
（ツイステッドネマチック）型液晶と同一構造であり、
ＴＦＴ基板と無色のＣＦ基板の間に液晶材が注入されて
いる構造のものである。
（ツイステッドネマチック）型液晶と同一構造であり、
ＴＦＴ基板と無色のＣＦ基板の間に液晶材が注入されて
いる構造のものである。
【００６０】偏光シャッター１２には、常時電圧が印加
されており、点欠陥検出プロセス時のみ印加電圧がグラ
ンドレベルにおちると、偏光シャッター１２が開いた状
態となる。閉じる場合は、逆に、電圧を印加する。本発
明の一実施例においては、いわゆる光を通すためと、短
時間でのシャッター開閉動作のため、ＴＮ型液晶構造を
採用している。
されており、点欠陥検出プロセス時のみ印加電圧がグラ
ンドレベルにおちると、偏光シャッター１２が開いた状
態となる。閉じる場合は、逆に、電圧を印加する。本発
明の一実施例においては、いわゆる光を通すためと、短
時間でのシャッター開閉動作のため、ＴＮ型液晶構造を
採用している。
【００６１】このとき、ａ−Ｓｉ膜の残りなどに起因す
る図３に示すような欠陥種別を検出することが可能とな
る。
る図３に示すような欠陥種別を検出することが可能とな
る。
【００６２】すなわち欠陥の種別として、図３に示すよ
うに、ＴＦＴトランジスタ回路内の、Ｇ（ゲート）−Ｄ
（ドレイン）ショート１０１、ＴＦＴトランジスタ回路
内のＧ（ゲート）−Ｓ（ソース）ショ−ト１０２、トラ
ンジスタ回路内のＤ（ドレイン）−Ｓ（ソース）ショ−
ト１０３、Ｇ１（ゲート）−Ｐｉ（画素電極）ショート
１０４、Ｄ１−Ｐｉショート１０５、Ｄ２−Ｐｉショー
ト１０６、ＳＣショ−ト１０７、Ｇ２−Ｐｉショート１
０８、Ｐｉ−Ｐｉシヨート１０９、トランジスタ特性不
良１１０などが挙げられ、これらの欠陥を総称して「点
欠陥」と呼ぶ。
うに、ＴＦＴトランジスタ回路内の、Ｇ（ゲート）−Ｄ
（ドレイン）ショート１０１、ＴＦＴトランジスタ回路
内のＧ（ゲート）−Ｓ（ソース）ショ−ト１０２、トラ
ンジスタ回路内のＤ（ドレイン）−Ｓ（ソース）ショ−
ト１０３、Ｇ１（ゲート）−Ｐｉ（画素電極）ショート
１０４、Ｄ１−Ｐｉショート１０５、Ｄ２−Ｐｉショー
ト１０６、ＳＣショ−ト１０７、Ｇ２−Ｐｉショート１
０８、Ｐｉ−Ｐｉシヨート１０９、トランジスタ特性不
良１１０などが挙げられ、これらの欠陥を総称して「点
欠陥」と呼ぶ。
【００６３】また同時に、従来方式の検査で検出される
Ｇライン断線１１１、Ｄライン断線１１２、Ｄ−Ｇライ
ンショート１１３、Ｄ−Ｄラインショート１１４などの
欠陥検出も可能である。欠陥１１１〜１１４を総称して
「線欠陥」と呼ぶ。
Ｇライン断線１１１、Ｄライン断線１１２、Ｄ−Ｇライ
ンショート１１３、Ｄ−Ｄラインショート１１４などの
欠陥検出も可能である。欠陥１１１〜１１４を総称して
「線欠陥」と呼ぶ。
【００６４】例えば、正常ピクセル部と、ａ−Ｓｉ膜シ
ョートによるピクセル部の補助容量８への電荷を測定し
たときを比較した場合について、ゲート端子２から電圧
を印加し、ＴＦＴを導通状態として、データ書き込み、
ドレイン端子３から書き込んだデータを読みとった後直
ぐの時間から６０ｍｓ後までの時間的リーク量の推移
を、図５に示す。
ョートによるピクセル部の補助容量８への電荷を測定し
たときを比較した場合について、ゲート端子２から電圧
を印加し、ＴＦＴを導通状態として、データ書き込み、
ドレイン端子３から書き込んだデータを読みとった後直
ぐの時間から６０ｍｓ後までの時間的リーク量の推移
を、図５に示す。
【００６５】図５は、正常ピクセル部を、従来通り暗環
境下にて測定したケースと、正常ピクセル部に直流光を
照射したケースと、ａ−Ｓｉ膜が画素（ピクセル）部と
ショートしたピクセル部に直流光を照射したケースにつ
いて、補助容量に蓄積された電荷（ＣＨＡＲＧＥ）のリ
ーク量を時間軸的推移にて測定したグラフである。
境下にて測定したケースと、正常ピクセル部に直流光を
照射したケースと、ａ−Ｓｉ膜が画素（ピクセル）部と
ショートしたピクセル部に直流光を照射したケースにつ
いて、補助容量に蓄積された電荷（ＣＨＡＲＧＥ）のリ
ーク量を時間軸的推移にて測定したグラフである。
【００６６】図５からもわかるように、正常ピクセル部
を、従来通り暗環境下で測定した結果（図５の黒丸印）
は、電荷を書き込み完了後から６０ｍｓ経ったあとの電
荷量変化でも０．１ｐＣ〜０．２ｐＣの変化は見られる
ものの、端的にリークしている状態ではないことがわか
る。
を、従来通り暗環境下で測定した結果（図５の黒丸印）
は、電荷を書き込み完了後から６０ｍｓ経ったあとの電
荷量変化でも０．１ｐＣ〜０．２ｐＣの変化は見られる
ものの、端的にリークしている状態ではないことがわか
る。
【００６７】次に正常ピクセル部に直流光を照射したケ
ース（図５の黒四角印）では、電荷書き込み完了後から
６０ｍｓ経ったあとでは、ａ−Ｓｉ膜の光感応効果の作
用で、最大０．５ｐＣ程度の微少なリークが検出され
る。ただし、このリーク量が即点欠陥に結びつく訳では
ない。すなわち、正常ピクセル部を従来通り暗環境にて
測定したときの補助容量８のリーク量は、０．１ｐＣの
減衰傾向にあるのに対して、正常ピクセル部に直流光２
０を照射したときの補助容量８のリーク量は、０．５ｐ
Ｃと若干減衰が大きい傾向にある。
ース（図５の黒四角印）では、電荷書き込み完了後から
６０ｍｓ経ったあとでは、ａ−Ｓｉ膜の光感応効果の作
用で、最大０．５ｐＣ程度の微少なリークが検出され
る。ただし、このリーク量が即点欠陥に結びつく訳では
ない。すなわち、正常ピクセル部を従来通り暗環境にて
測定したときの補助容量８のリーク量は、０．１ｐＣの
減衰傾向にあるのに対して、正常ピクセル部に直流光２
０を照射したときの補助容量８のリーク量は、０．５ｐ
Ｃと若干減衰が大きい傾向にある。
【００６８】さらに、ａ−Ｓｉ膜が何らかの原因でエッ
チング除去されずにピクセル部とショートした状態で残
った場合のピクセル部に直流光を照射したケース（図５
の×印）では、電荷書き込み完了後から６０ｍｓ経った
あとの電荷を測定すると、最大で１．０ｐＣものリーク
量を検出することができる。
チング除去されずにピクセル部とショートした状態で残
った場合のピクセル部に直流光を照射したケース（図５
の×印）では、電荷書き込み完了後から６０ｍｓ経った
あとの電荷を測定すると、最大で１．０ｐＣものリーク
量を検出することができる。
【００６９】ａ−Ｓｉ膜によるショートしたピクセル部
の補助容量８のリーク量は、１．１ｐＣと大きく減衰し
ており、しかも、時間軸的にも減衰時間が６〜１２ｍｓ
後で急激に減衰していることがわかる。また、電荷書き
込み完了から６ｍｓ後には０．４ｐＣもリークし、さら
に３０ｍｓ後には０．７ｐＣも電荷がリークしているこ
とがわかる。この状態では、すでにトランジスタ部のオ
ン、オフ機能が不可能な状態にある。
の補助容量８のリーク量は、１．１ｐＣと大きく減衰し
ており、しかも、時間軸的にも減衰時間が６〜１２ｍｓ
後で急激に減衰していることがわかる。また、電荷書き
込み完了から６ｍｓ後には０．４ｐＣもリークし、さら
に３０ｍｓ後には０．７ｐＣも電荷がリークしているこ
とがわかる。この状態では、すでにトランジスタ部のオ
ン、オフ機能が不可能な状態にある。
【００７０】逆に、ａ−Ｓｉ膜によるショートピクセル
部を暗環境下にて検査した場合（図５の黒三角印）に
は、ａ−Ｓｉ膜自体が絶縁状態となるため、補助容量８
のリーク量が正確に検知できず、欠陥部位の特定ならび
に点欠陥として検出できないことが、怏々にしてある。
部を暗環境下にて検査した場合（図５の黒三角印）に
は、ａ−Ｓｉ膜自体が絶縁状態となるため、補助容量８
のリーク量が正確に検知できず、欠陥部位の特定ならび
に点欠陥として検出できないことが、怏々にしてある。
【００７１】本発明の一実施例では、光をＬＣＤ基板１
の被検査対象パネルに照射するが、通常室内などに使用
されている交流の蛍光灯では周波数によるちらつきで照
度のムラが発生し検査に障害をもたらすことになるた
め、直流光源等、バラツキのない光が望ましい。
の被検査対象パネルに照射するが、通常室内などに使用
されている交流の蛍光灯では周波数によるちらつきで照
度のムラが発生し検査に障害をもたらすことになるた
め、直流光源等、バラツキのない光が望ましい。
【００７２】ＬＣＤ基板１の被検査対象パネルは、多面
取りになっているため、最小は１面取りから最大でもＮ
面取りまででレイアウト構成されており、ステージ１８
と吸着テーブル１７がＸ−Ｙ方向に動作する動きと、Ｌ
ＣＤ基板１のゲート端子２とドレイン端子３にプローブ
ユニット１３のマニピュレータ１３ａのプローブ針をコ
ンタクトさせるためのステージシャフト１９とステージ
１８の昇降する動作が、ＬＣＤ基板１の被検査対象パネ
ルの検査面取り数分だけ前述した動作フローを繰り返す
ことになる。
取りになっているため、最小は１面取りから最大でもＮ
面取りまででレイアウト構成されており、ステージ１８
と吸着テーブル１７がＸ−Ｙ方向に動作する動きと、Ｌ
ＣＤ基板１のゲート端子２とドレイン端子３にプローブ
ユニット１３のマニピュレータ１３ａのプローブ針をコ
ンタクトさせるためのステージシャフト１９とステージ
１８の昇降する動作が、ＬＣＤ基板１の被検査対象パネ
ルの検査面取り数分だけ前述した動作フローを繰り返す
ことになる。
【００７３】本発明の一実施例によれば、光の照度を任
意に設定可能であり、かつ照度分布の精度を向上してい
る。具体的には、照度設定範囲を調光ボックスからの出
力電流値の２０％〜１２０％の範囲で設定可能である。
意に設定可能であり、かつ照度分布の精度を向上してい
る。具体的には、照度設定範囲を調光ボックスからの出
力電流値の２０％〜１２０％の範囲で設定可能である。
【００７４】また、蛍光灯の場合、マザーガラス基板に
対して周辺の照度が中央部に対して劣る傾向にあるが、
ステージ全体をカバーできるだけの広範囲なレイアウト
により照度分布的には、バラツキを３％以内にすること
が可能であるとともに、比較的安価なコストにて実現す
ることが可能である。
対して周辺の照度が中央部に対して劣る傾向にあるが、
ステージ全体をカバーできるだけの広範囲なレイアウト
により照度分布的には、バラツキを３％以内にすること
が可能であるとともに、比較的安価なコストにて実現す
ることが可能である。
【００７５】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。本発明の他の実施例として、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を導通状態にすべく、ＴＦＴに光を照射して、パ
ターンの断線、短絡ならびにＴＦＴの特性不良を検出す
るものであり、前記実施例とは、検出対象の欠陥種別が
異なる。
る。本発明の他の実施例として、薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）を導通状態にすべく、ＴＦＴに光を照射して、パ
ターンの断線、短絡ならびにＴＦＴの特性不良を検出す
るものであり、前記実施例とは、検出対象の欠陥種別が
異なる。
【００７６】また、画素毎に、電子銃による電子線と上
・下部からおのおの光を照射する、もしくは上下から同
時に光を照射することによる点欠陥検出と温度制御によ
り欠陥を検出する構成としてもよい。その他にも、上記
従来の検査方法のように、光スイッチング素子へ光を照
射するが、その媒体としてレーザ光を使用することによ
り、欠陥の検出を行うようにしてもよい。さらに、薄膜
トランジスタへ可視光線を照射し、被端子間部の絶縁抵
抗値測定を行い、欠陥を検出するようにしてもよい。
・下部からおのおの光を照射する、もしくは上下から同
時に光を照射することによる点欠陥検出と温度制御によ
り欠陥を検出する構成としてもよい。その他にも、上記
従来の検査方法のように、光スイッチング素子へ光を照
射するが、その媒体としてレーザ光を使用することによ
り、欠陥の検出を行うようにしてもよい。さらに、薄膜
トランジスタへ可視光線を照射し、被端子間部の絶縁抵
抗値測定を行い、欠陥を検出するようにしてもよい。
【００７７】本発明の他の実施例において、上記検出を
行うための基本的構成は、上記した実施例と同一である
が、薄膜トランジスタに光を照射するについてさらに詳
細に説明する。面光源プローバ装置の構成は、前記実施
例と同じような構成されている。
行うための基本的構成は、上記した実施例と同一である
が、薄膜トランジスタに光を照射するについてさらに詳
細に説明する。面光源プローバ装置の構成は、前記実施
例と同じような構成されている。
【００７８】薄膜トランジスタに光（可視光含む）、レ
ーザ光ならびに電子線などを照射する際、光の照射方向
としては、上部方向、下部方向、および上下同時方向な
どが挙げられる。
ーザ光ならびに電子線などを照射する際、光の照射方向
としては、上部方向、下部方向、および上下同時方向な
どが挙げられる。
【００７９】照射された光で、薄膜トランジスタを導通
状態にすることで、欠陥検査を実行するが、その検査内
容としては、パターンの断線、短絡、およびＴＦＴ特性
不良や被端子間絶縁抵抗、画素部の点欠陥などの検出が
行われるが、その構成から、機構的にも複雑な機構や価
格的に高価になるという問題点がある。さらに、検出さ
れる欠陥の種別によっては、薄膜トランジスタに光を当
てた場合には検査出来ないケースも出てくる。
状態にすることで、欠陥検査を実行するが、その検査内
容としては、パターンの断線、短絡、およびＴＦＴ特性
不良や被端子間絶縁抵抗、画素部の点欠陥などの検出が
行われるが、その構成から、機構的にも複雑な機構や価
格的に高価になるという問題点がある。さらに、検出さ
れる欠陥の種別によっては、薄膜トランジスタに光を当
てた場合には検査出来ないケースも出てくる。
【００８０】一般的に、ＴＦＴ特性不良などの検査は暗
環境下にて実行されている。すなわちａ−Ｓｉを完全に
導通状態にするとＴＦＴとしての機能が損なわれる。こ
のため、ＴＦＴのゲート、ソース、ドレイン間で電流が
瞬時に流れてしまうため、画素部蓄積されるはずの電荷
が全く蓄積されないことになる。
環境下にて実行されている。すなわちａ−Ｓｉを完全に
導通状態にするとＴＦＴとしての機能が損なわれる。こ
のため、ＴＦＴのゲート、ソース、ドレイン間で電流が
瞬時に流れてしまうため、画素部蓄積されるはずの電荷
が全く蓄積されないことになる。
【００８１】この状態で検査を実施しても、ＴＦＴ画素
部の図４で示す、いわゆる「点欠陥」と称される欠陥検
査を行うことは非常に困難な状況にある。
部の図４で示す、いわゆる「点欠陥」と称される欠陥検
査を行うことは非常に困難な状況にある。
【００８２】本発明の他の実施例では、薄膜トランジス
タに光を照射する構成としているがその手段として、Ｄ
Ｃランプにて光を照射することにより、周波数による光
のムラや実際に検査する基板の面内分布の均一性などの
精度を向上させることができる。
タに光を照射する構成としているがその手段として、Ｄ
Ｃランプにて光を照射することにより、周波数による光
のムラや実際に検査する基板の面内分布の均一性などの
精度を向上させることができる。
【００８３】このように、本実施例では、ＤＣランプに
よる光照射検査を、低い照度と均一な照度分布にて行う
ため、薄膜トランジスタを完全な導通状態ではなく電荷
量の微少なリーク量を検出して検査しているため、ＴＦ
Ｔ画素部の、図３に示すような各種の欠陥を検出するこ
とができる。
よる光照射検査を、低い照度と均一な照度分布にて行う
ため、薄膜トランジスタを完全な導通状態ではなく電荷
量の微少なリーク量を検出して検査しているため、ＴＦ
Ｔ画素部の、図３に示すような各種の欠陥を検出するこ
とができる。
【００８４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば下
記記載の効果を奏する。
記記載の効果を奏する。
【００８５】本発明の第１の効果は、ａ−Ｓｉ膜の光感
応効果を利用したため、回路上ａ−Ｓｉ膜が成膜されな
い部位において、ａ−Ｓｉ膜の残りなどによる他の回路
との接続などがあることで、電荷を蓄積している補助容
量のリーク量の測定により、点欠陥部位の特定を可能と
し、欠陥種が点欠陥であることが判明できる、というこ
とである。
応効果を利用したため、回路上ａ−Ｓｉ膜が成膜されな
い部位において、ａ−Ｓｉ膜の残りなどによる他の回路
との接続などがあることで、電荷を蓄積している補助容
量のリーク量の測定により、点欠陥部位の特定を可能と
し、欠陥種が点欠陥であることが判明できる、というこ
とである。
【００８６】本発明の第２の効果は、ａ−Ｓｉ膜に光を
照射して検査するが、一般的に使用される交流方式の蛍
光灯ではなく、周波数に依存されない直流方式の蛍光灯
を採用することで、被検査対象パネル内を光のちらつき
や、照度ムラによる検査精度低下への影響等を低減する
ことができる、ということである。
照射して検査するが、一般的に使用される交流方式の蛍
光灯ではなく、周波数に依存されない直流方式の蛍光灯
を採用することで、被検査対象パネル内を光のちらつき
や、照度ムラによる検査精度低下への影響等を低減する
ことができる、ということである。
【００８７】本発明の第３の効果は、光の照度を任意に
設定可能であり、かつ照度分布の精度を向上することが
できる、ということである。蛍光灯の場合、マザーガラ
ス基板に対して、周辺の照度が中央部に対して劣る傾向
にあるが、本発明によれば、ステージ全体をカバーでき
るだけの広範囲なレイアウトにより、照度分布的には、
バラツキを一例として３％以内にすることが可能であ
り、比較的安価なコストにて実現することができる。
設定可能であり、かつ照度分布の精度を向上することが
できる、ということである。蛍光灯の場合、マザーガラ
ス基板に対して、周辺の照度が中央部に対して劣る傾向
にあるが、本発明によれば、ステージ全体をカバーでき
るだけの広範囲なレイアウトにより、照度分布的には、
バラツキを一例として３％以内にすることが可能であ
り、比較的安価なコストにて実現することができる。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施例を説明するための図であり、
ＬＣＤ基板の平面図である。
ＬＣＤ基板の平面図である。
【図３】本発明の一実施例を説明するための図であり、
ＴＦＴアレイの欠陥種別を説明するための図である。
ＴＦＴアレイの欠陥種別を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施例を説明するための図であり、
プローバとテスタとの配置を示す図である。
プローバとテスタとの配置を示す図である。
【図５】本発明の一実施例を説明するための図であり、
補助容量に蓄積された電荷のリーク量を時間軸的推移に
て測定したグラフである。
補助容量に蓄積された電荷のリーク量を時間軸的推移に
て測定したグラフである。
【図６】本発明の一実施例を説明するための図であり、
照明別電荷量変化を時間軸的推移にて測定したグラフで
ある。
照明別電荷量変化を時間軸的推移にて測定したグラフで
ある。
【図７】本発明の一実施例を説明するための図であり、
基板面上の照明分布の一例を示す図である。
基板面上の照明分布の一例を示す図である。
１ ＬＣＤ基板 ２ ゲート端子 ３ ドレイン端子 ４ データ線 ５ ゲート走査線 ６ トランジスタ ７ 画素 ８ 補助容量 ９ ゲートパッド １０ ドレインパッド １１ 照明治具 １２ 偏光シャッター １３ プローブユニット １３ａ マニピュレータ １４ 光源 １５ シールドボックス １６ 調光ボックス １７ 吸着テーブル １８ ステージ １９ ステージシャフト ２０ 光 ２１ プローバ装置 ２６ テスタ装置
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01M 11/00 - 11/02 G01R 13/00 G01R 31/00
Claims (8)
- 【請求項１】ステージ上に搭置される検査対象のＬＣＤ
基板全面に直流光を照射するための直流光源と、 前記直流光源からの直流光の前記ＬＣＤ基板に照射・遮
断を切替制御するための偏光シャッターと、 前記ＬＣＤ基板の端子に電圧を印加し前記ＬＣＤ基板の
画素の補助容量へ電荷を蓄積させるとともに蓄積電荷を
読み出すためのプローブ手段と、 を備え、 前記直流光源からの直流光が前記偏光シャッターを介し
て点欠陥検査時にのみ、検査対象のＬＣＤ基板全面にほ
ぼ均一に当たるように制御する、ことを特徴とする面光
源プローバ装置。 - 【請求項２】前記ＬＣＤ基板の画素毎に設けられる薄膜
トランジスタをオン状態とし、前記蓄積電荷のリーク量
の測定結果に基づき、欠陥部位及び欠陥種別を特定す
る、ことを特徴とする請求項１記載の面光源プローバ装
置 - 【請求項３】前記直流光源が、前記ＬＣＤ基板面内での
照度分布が予め定めた所定範囲内、、好ましくは３％以
内となるように、構成されていることを特徴とする請求
項１記載の面光源プローバ装置。 - 【請求項４】ＴＦＴアレイ（薄膜トランジスタ）の製造
工程のアモルファスシリコン膜の残りによる画素部の短
絡を、前記画素部に設けられた補助容量に保持された電
荷リーク量を測定することで、前記ＴＦＴアレイの点欠
陥検出が行われる、ことを特徴とする請求項１記載の面
光源プローバ装置。 - 【請求項５】前記直流光源がＤＣランプよりなることを
特徴とする請求項１記載の面光源プローバ装置。 - 【請求項６】前記偏光シャッターがＴＮ型液晶構造を有
し、印加電圧の印加の有無でその開閉が制御される、こ
とを特徴とする請求項１記載の面光源プローバ装置。 - 【請求項７】ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイをプロ
ーブ装置を用いて検査するにあたり、点欠陥検査時に、
直流成分によるムラのないある一定範囲で微調可変可能
な照度を持った直流光を、テスト装置からの制御信号に
より、検査対象の基板上のトランジスタ回路がオン状態
の時に照射するように制御し、ＴＦＴアレイ製造工程で
除去できずに残されたアモルファスシリコン膜残りの光
感応効果による短絡による、画素部に設けられた補助容
量に保持された電荷のリーク量を検出することで該画素
部の欠陥を検出する、ことを特徴とする液晶表示パネル
の検査方法。 - 【請求項８】前記直流光の前記基板上への照射・遮断
を、偏光シャッターを用いて行うことを特徴とする請求
項７記載の液晶表示パネルの検査方法。
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| JP10092425A JP3107039B2 (ja) | 1998-03-20 | 1998-03-20 | 面光源プローバ装置及び検査方法 |
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| US7947953B2 (en) * | 2008-10-08 | 2011-05-24 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle detection apparatus and detection method |
| KR101913311B1 (ko) * | 2012-04-09 | 2019-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 실리콘 박막 측정 방법, 실리콘 박막 결함 검출 방법, 및 실리콘 박막 결함 검출 장치 |
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| JPH073446B2 (ja) | 1988-05-18 | 1995-01-18 | 松下電器産業株式会社 | スイッチング素子を有したアクティブ基板の欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
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| JPH04147128A (ja) | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Brother Ind Ltd | 液晶露光装置 |
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