CN1802592A - 阵列基板检查方法 - Google Patents

Abstract

用电荷给任意的像素电极充电。然后，在维持连接到已充电像素电极的开关元件的关状态的同时，维持电荷达大于至少一帧周期的时间周期。在维持电荷后，发射电子束到像素电极上，基于从像素电极发射的二次电子的数据检查像素电极。

Description

阵列基板检查方法

技术领域

本发明涉及检查阵列基板的阵列基板检查方法，阵列基板是液晶显示板的结构部件。

背景技术

液晶显示板被用于设备的不同部分，诸如笔记本个人电脑(笔记本PC)的显示单元，移动电话的显示单元和电视机的显示单元。液晶显示板包括具有多个以矩阵排列的像素电极的阵列基板，包括分别面向多个像素电极的对置电极的对置基板，和在阵列基板和对置基板之间保持的液晶。

阵列基板包括多个以矩阵排列的像素电极、多条各自沿着像素电极的行排列的扫描线、多条各自沿着像素电极的列排列的信号线和多个各自排列在每条扫描线和每条信号线交叉的交叉位置附近的开关元件。

有两种类型的阵列基板，也就是说，其中开关元件是每个都使用非晶硅半导体薄膜的薄膜晶体管的阵列基板和其中开关元件是每个都使用多晶硅半导体薄膜的薄膜晶体管的另一种阵列基板。多晶硅的载流子迁移率比非晶硅高。在这里应当注意的是多晶硅类型阵列基板不但能包含像素电极的开关元件，而且能包含置于其中的扫描线和信号线的驱动电路。

为了检查缺陷，上述的阵列基板在其生产过程中经受检验步骤。在第11-271177号日本专利申请公开说明书、第2000-3142号日本专利申请公开说明书和5,268,638号美国专利说明书中论述了检查方法和检查设备的例子。

第11-271177号日本专利申请公开说明书揭示了一种检查非晶类型LCD基板的技术，该技术包括特性点缺陷检查过程。这一技术基于以下机理。就是说，DC部件的直射光被加到LCD基板的整个表面，并且当非晶硅膜感测到光时，它变成导电。这里，通过检测辅助电容中累积的充电的漏泄量能够判断缺陷的状态。在第2000-3142号日本专利申请公开说明书公开的技术利用了这样的机理：当电子束照射在像素电极上时，发射的二次电子的数量与施加到薄膜晶体管的电压成正比。第5,268,638号美国专利技术也利用了当电子束照射在像素电极上时发射的二次电子。

发明内容

为了提高液晶显示板的可靠性，必须用严格的方式通过检测是否有来自元件(像素部分)的漏泄以高精度选择好的产品。这里，为了严格地判断产品是好或不好，在阵列基板制造过程中进行的检查阵列基板质量的检查方法的可靠性必须高是自然的。

本发明根据上述观点提出了本发明，因此本发明的目的是提供一种检查阵列基板的方法，该方法能提高检查阵列基板的可靠性。

为达到上述目的，根据本发明的方面，提供了一种检查阵列基板的方法，该阵列基板包括基板；多条形成在基板上的扫描线，并且每条扫描线在行方向上延伸；多条信号线，每条在列方向上延伸以交叉扫描线；每个都形成在相应扫描线和相应信号线的交叉点附近的多个开关元件；以及各自连接到多个开关元件且以矩阵排列的多个像素电极，该方法包括：用电荷给任意的像素电极充电；在维持连接到已充电像素电极的开关元件的关状态的同时，保持电荷达大于至少一帧周期的时间周期；以及向像素电极发送电子束和基于从像素电极发射的二次电子的数据检查像素电极。

附图说明

图1是为示出用依照本发明实施例的检查阵列基板方法得出的测量结果而绘制的时间图；

图2是示意性地示出包括阵列基板的液晶显示板的横截面的示意图；

图3是图2中示出的液晶显示板的部分的透视图；

图4是示出使用母基板构成的阵列基板的排列的例子的平面图；

图5是示意性地示出图4中示出的阵列基板的主区域的平面图；

图6是示意性地示出图5中示出的阵列基板的像素区域的部分的放大平面图；

图7是示意性地示出包含图6中示出的阵列基板的液晶显示板的横截面的示意图；

图8是示意性地示出图7中示出的阵列基板的部分的放大横截面图；

图9是示意性地示出包括电子检测仪和电子束检测仪的阵列基板检查装置的结构图；

图10是为示出检查阵列基板的方法而绘制的流程图；

图11是示出要检查的阵列基板的末端部分的例子的平面图；

图12是示意性地示出阵列基板的主要区域的改造例子的平面图。

具体实施方式

将参照附图描述依照本发明实施例的检查阵列基板的方法。首先，将描述包括多晶硅类型阵列基板的液晶显示板。在此实施例中，多晶硅类型阵列基板将被描述为阵列基板101。

如图2和3所示，液晶显示板包括阵列基板101，以基板之间保持的预定间隙与阵列基板相对排列的对置基板102，置于这些基板之间的液晶层103。借助于用作衬垫的圆柱衬垫127，阵列基板101和对置基板102具有保持在基板之间的预定间隙。阵列基板101和对置基板102的边缘部分用密封材料160联接在一起。在密封材料的一部分形成的液晶入口161用密封剂162密封。

接下来，参照图4，将说明阵列基板101。图4示出了比那些基板具有更大尺寸的用作基板的母基板100，并且该图示出了通过使用母基板构成4块阵列基板101的例子。如此，阵列基板101通常使用母基板100来形成。

接下来，现在将通过聚焦作为典型例子的图4中示出的一个阵列基板101描述阵列基板101的结构。阵列基板101包括阵列基板主区域101a和阵列基板子区域101b。这里，将详细描述阵列基板主区域101a。阵列基板子区域101b的详细说明将在后面提供。

如图5中示出，多个像素电极P在阵列基板101上的像素区域30中以矩阵排列。除像素电极P外，阵列基板101包括多条沿这些像素电极P的行排列的扫描线Y和多条沿这些像素电极P的列排列的信号线X。换言之，多条扫描线Y在行方向延伸及多条信号线在列方向延伸。阵列基板101还包括每个用作排列在扫描线Y和信号线X的交叉点附近的开关元件的薄膜晶体管(在下文中简写为TFT)SW。阵列基板101包括作为驱动电路单元的用来驱动多条扫描线Y的驱动电路40。

每一TFT SW，当它被各自的扫描线Y驱动时，施加各自的信号线X的信号电压到各自的像素电极P。扫描线驱动电路40建立在阵列基板101上并位于像素区域30的外部区域。扫描线驱动电路40由每个都包含多晶硅半导体薄膜的多个TFT制成，如同TFT SW的情况。

此外，阵列基板包括焊盘组PDp，焊盘组进一步包括沿着阵列基板主区域101a的边缘线一侧排列以及与扫描线驱动电路40和信号线X连接的多个接线端。除了接受各种信号之外，焊盘组PDp还被用来输入和输出检查信号。例如，通过沿着各自阵列基板的边沿e(见图4)切除母基板以将该基板与其它基板分开获得每一阵列基板101。

接下来，参照图6和7，针对液晶显示板的像素区域30的一部分做进一步描述。图6是示意性地示出阵列基板的像素区域30的放大平面图，图7是液晶显示板的像素区域的放大的横截面图。如所示，阵列基板101包括为诸如玻璃板的透明绝缘基板的基板111。在基板111上，多条信号线X和多条扫描线Y以矩阵排列，并且在信号线和扫描线的每一交叉点的附近设有TFT SW(见图6中被圆171包围的部分)。

每一TFT SW包括具有由多晶硅制成的源/漏区域112a和112b的半导体膜112和栅电极115b，栅电极是各自的扫描线Y的部分的延伸。

在基板111上，多条辅助电容线116被以条形式排列以形成辅助电容元件131，并且它们以与扫描线Y相平行方向延伸。像素电极P形成在这个部分中。(见图6由圆172包围的部分和图7。)

更具体地说，在基板111上，形成了半导体膜112和辅助电容低电极113，并且还在包括这些半导体膜和辅助电容低电极的基板上形成了栅绝缘膜114。如同半导体膜112的情况，辅助电容低电极113由多晶硅形成。在栅绝缘膜114上，排列了扫描线Y、栅电极115b和辅助电容线116。辅助电容线116和辅助电容低电极113经由栅绝缘膜114被排列成互相面对。层间绝缘膜117形成在包括了扫描线Y、栅电极115b和辅助电容线116的栅绝缘膜114上。

接触电极121和信号线X形成在层间绝缘膜117上。每一接触电极121经由各自的接触孔连接到各自的半导体膜112的源/漏区域112a和像素电极P。接触电极121连接到辅助电容低电极113。每一信号线经由各自的接触孔连接到各自的半导体膜112的源/漏区域112b。

保护绝缘膜122形成为以覆盖接触电极121、信号线X和层间绝缘膜117中的每一个。在保护绝缘膜112上，以条形式形成的绿色层124G、红色层124R和蓝色层124B被交替排列以互相邻接。色彩层124G、124R和124B形成滤色器。

通过诸如ITO(氧化铟锡)的透明导电膜在它们各自的色彩层124G、124R和124B上形成像素电极P。每一像素电极P经由在色彩层和保护绝缘膜122中形成的接触孔125被连接到各自的接触电极121。像素电极P的外围部分形成为以覆盖在辅助电容116线和信号线X上。连接到像素电极P的辅助电容元件131起辅助电容存储电荷的作用。

圆柱衬垫127(见图6)形成在色彩层124R和124G上。虽然该图未示出所有的圆柱衬垫，多个圆柱衬垫127以预定的密度形成在每一色彩层上。校准膜128形成在色彩层124G、124R和124B以及像素电极P上。

对置基板102包括为透明绝缘基板的基板151。由诸如ITO的透明材料制成的对置电极152和校准膜153以这个顺序形成在基板151上。

对于阵列基板101的检查方法以及使用电子束检测仪(下文中被称作“EB检测仪”)和电子检测仪的阵列基板检查设备，现在将参照图9加以描述。应当注意的是在基板上形成像素电极P后执行检查。

首先，现在将描述用于检查阵列基板101的检查设备的结构。用作检查室的真空室310配备电子束扫描器300。电子束扫描器300起到用于发射电子束到阵列基板上的电子束发射装置的作用。真空室310具有这样的结构，在该结构中要被检查的阵列基板能够被装卸。此外，在真空室310中设有电子检测器350。电子检测器350起到用于检测从阵列基板发射的二次电子的电子检测装置的作用。探针单元340排列在真空室310中，并且能够使探针单元340的探针与阵列基板101的对应焊盘相接触。这种操作由机器人以高精度控制，未在该图中示出。

在真空室310的侧壁设有密封连接器311。密封连接器311被设计成在维持真空室310内部的密封状态的同时，把诸如探针单元340和电子检测器350的内部构件分别连接到外部对应的单元。在真空室310的外部设有控制设备320。控制设备320包括信号源单元321、驱动电路控制单元322、信号分析单元323、控制上述单元的控制单元324和输入/输出单元325。信号源单元321起到用于把电信号供给阵列基板的电信号供给装置的作用。信号分析单元323起到用于检测流过阵列基板的电信号的电信号检测装置的作用。

控制单元324控制驱动电路控制单元322并经由探针单元340进行阵列基板101上扫描线驱动电路40的检查。用于检测扫描线驱动电路40的检测数据从驱动控制单元322中取出被送到控制单元324，并且然后经输入/输出单元325被输出到外部设备，例如，显示设备。驱动电路控制单元322经由阵列基板101上的扫描线驱动电路40能够驱动阵列基板101上的元件。在此时，来自信号源单元321的信号能够施加到阵列基板上的信号线X，来为每一像素部分200的辅助电容获得电荷。

控制单元324控制电子束扫描器300以扫描阵列基板101的像素部分200。在扫描期间，从像素部分200发射的二次电子被电子检测器350检测到，且检测数据被送到信号分析单元323。信号分析单元323分析从电子检测单元350输出的检测数据，并且参考从控制单元324输出的位置数据(被检测的像素部分的地址)，以及判断像素部分200的状况。

检查设备以下面的方式检查阵列基板101。就是说，首先，把阵列基板101放在真空室310中。探针单元340的探针连接到连接焊盘组CPDp，这将在以后做出描述。作为从信号源单元321输出的电信号的驱动信号，经由探针单元340被供应到连接焊盘组CPDp。如此，驱动信号被供应到连接到连接焊盘组CPDp的扫描线驱动电路40和信号线X。通过检测和分析流经扫描线驱动电路40的驱动信号，驱动电路40被电气地检查。此外，驱动信号被供应到扫描线驱动电路40和信号线X以在像素电极P上累积电荷。然后，在像素电极P象这样充电时，电子束从电子束扫描器300发射到像素P上。通过检测和分析从像素电极P发射的二次电子，检查像素电极P是否适当地持有电荷。这种检查不仅包括像素电极自身的缺陷检查，而且包括与像素电极有关的元件的缺陷检查，诸如连接到像素电极P的TFT SW和包含像素电极的辅助电容元件131。

图10示意性地示出了如上所述检查阵列基板101的过程。在真空室310中，驱动信号被输入到扫描线驱动电路40(步骤S1)。用电测试器检查扫描线驱动电路40(步骤S2)。一个检查项目是供应启动脉冲到扫描线驱动电路40并基于串行输出是否正常判断扫描线驱动电路40的工作是否正常(步骤S3)。在这点如果发现了缺陷，修理或丢弃扫描线驱动电路。

接下来，在扫描线驱动电路40的工作被判断为正常时，开始每个像素部分的检测。首先，每个像素部分200的辅助电容元件131被电气地充电(步骤S4).通过用电测试器供应来自信号源电源321的驱动信号，可进行充电。同时，驱动电子束扫描器300。因而，来自电子检测器350的检测数据被送到信号分析单元323，在哪儿进行每个像素部分200的检测(步骤S5)。这里，发射的二次电子被测量以判断每一像素部分200的电压是否正常(步骤S6)。当检测到有缺限的阵列基板时，它被维修或丢弃。

在上面的描述中，如图9中示出的阵列基板被假定为要被检查的阵列基板的例子。但是，本发明并不局限于检查上面描述的这种阵列基板。

图11示出了依据本实施例的检查方法中要被检查的阵列基板101的末端部分的例子。阵列基板101包括阵列基板主区域101a和位于主区域外侧101a的阵列基板子区域101b。应当注意在检查之后，阵列基板子区域101b被切除，例如，通过绘制沿着切除线e2的位置线。

阵列基板主区域101a的焊盘组PDp经由布线导线连接图5中示出的扫描线驱动电路40和信号线X。形成在位于这个区域中的焊盘组PDp的接线端的类型可以分类成逻辑接线端、电源接线端、检查接线端和信号输入接线端。

逻辑接线端包括接线端CLK和接线端ST。输入到接线端CLK和接线端ST的信号是时钟信号和起始脉冲信号。时钟信号和起始脉冲信号是要被输入到扫描线驱动电路40的信号。

检查接线端是串行输出接线端s/o。从串行输出接线端s/o输出的信号是从扫描线驱动电路40的移位寄存器输出的应答起始脉冲的串行输出信号。

有诸如接线端VDD和接线端VSS的多种电源接线端。输入到接线端VDD和接线端VSS的信号是高电平电源和低电平电源。信号输入端是接线端VIDEO。要被输入到接线端VIDEO的例子是视频信号。这里应当注意的是接线端VIDEO有几百个到几千个接线端，并且它占据了焊盘PDp的大部分。

另一方面，在阵列基板子区域101b的一侧提供了连接焊盘组CPDp。连接焊盘组CPDp经由布线导线被连接到阵列基板主区域101a侧的焊盘组PDp。

连接焊盘组CPDp的接线端包括时钟使用从属接线端dCLK，高电平从属接线端dVDD，低电平从属接线端DVss，图像信号使用公共接线端cVIDEO等等。从属接线端dCLK、从属接线端dVDD、从属接线端dVSS、公共接线端cVIDEO等等被排列在阵列基板子区域101b的e侧，并且它们经由布线导线连接到对应的阵列基板主区域101a的焊盘组PDp。

上述实施例具有其中多个接线端VIDEO被连接到一个公共接线端cVIDEO的结构；但是本发明并不局限于此，它可以是只要接线端VIDEO被连接到少数公共接线端的任何结构。照这样，阵列基板子区域101b中设置的连接焊盘组CPDp的数量与阵列基板主区域101a中设置的焊盘组PDp的数量相比显著降低。

具有上述结构的阵列基板101的像素部分，以下面的方式用EB检测器检查。就是说，探针连接到阵列基板101的连接焊盘组CPDp的每一对应的焊盘，并因此经由探针在每一像素部分200的辅助电容元件121中累积电荷。在累积电荷时，电子束被发射到每一像素部分200。因此，从每一像素部分200发射的二次电子被检测到以检查在每一像素部分200中是否有缺陷。

如上所述，为提高产品的可靠性，必须检测到每一像素部分200的漏泄量和选择好的产品。这里，在阵列基板101的像素部分200产生漏电流的可能原因被认为是由于下述方面。

就是说，图8是图7中示出的阵列基板101的部分的放大图，并且示出了漏电流发生的情形。如上所述，辅助电容低电极由多晶硅(P-Si)制成。辅助电容低电极113以下面的方式形成。就是说，例如，非晶硅(a-Si)膜淀积在基板111上，并且，准分子激光束照射在a-Si膜上。形成辅助电容低电极113以使得表面部分被凸出。同时，辅助电容线116由例如钼化钨(MoW)形成。采用这种结构，如果不适当地保持辅助电容低电极113和辅助电容线116之间的距离，会发生漏电流。这是因为在通过准分子激光束的照射形成P-Si膜时，辅助电容电容低电极113的表面在它形成时被凸出。

在辅助电容低电极113的表面被凸出时，由于漏电流本身非常低，必须以更严格的方式执行漏电流的测量。以下是用于测量非常小的漏电流的检查方法的说明。

参照图1，将描述在这一实施例中测量像素部分200的电压的时间安排。首先，栅信号Gate1在t0时刻从像素部分200的外部被输入到第一行扫描线Y。随后，栅信号被依次地输入到第二行、第三行，等扫描线Y。那么，最后，栅信号Gate final被输入到最后一行扫描线Y。在栅信号被输入到每一扫描线Y的同时，连接到各自扫描线的TFT SW设在开状态。当驱动信号在这个时刻被输入到相应的信号线X时，每一行的像素电极P被电气地充电。然后，当完成栅信号的输入时，连接到各自扫描线Y的TFT SW设置为关状态。随后，另一栅信号被输入到下一行的扫描线。

一帧被定义为从输入栅信号Gate1的点t0到最终完成栅信号Gate final的输入的点t1的时间周期T1。一帧通常约为16ms。

当驱动信号(数据)以将栅信号输入到每一条扫描线Y这样的时间安排输入到相应的信号线X，每一行的像素电极P被电气地充电。换言之，不同行的像素电极P被电气地充电。在像素电极P从第一行到最后一行按顺序被电气地充电之后，就是说，当所有行的TFT SW设置在关状态时，在这个实施例中每一像素电极P的电荷被保持实际上相等于四帧的时间周期。换言之，电荷被保持在包含相应像素电极的辅助电容中。在包含被输入栅信号Gate1的第一行的像素电极的辅助电容中持有的电荷量用数据Data来表示。

在相等于四帧的周期之后，将电子束从第一行按顺序照射在像素电极P上，从而执行EB检测。这里，例如，第一行的像素电极P的持有时间是相等于从像素电极被电气地充电的时间直到最后一行扫描线Y被扫描(1帧)的全部时间周期和4帧，即，5帧。

通过提供如上所述设定的一定的保持时间周期，在检查的时候，当辅助电容的漏泄量Vo已经变大时，可以检查到具有非常弱的漏泄的像素部分200，并从而用这样小的漏泄识别有缺陷的像素。通过比较像素的数据Data和有关由正常像素电极P持有的电荷的理想数据，能够做出对有缺陷的像素的判断。

在上述实施例中，从完成所有像素电极P的充电后关闭所有TFT SW时的点的持有时间被设为四帧；然而本发明并不必要局限于四帧，持有时间能够根据需要设置成一帧以上。考虑到检查效率，持有时间的上限是10秒。在本实施例中，一帧可被设置成与在将被检测的部件制成实际产品时显示的时间周期相同的时间周期。或者，为使用EB检测器对进行检查的像素电极P充电的写入时间有可能设置为与持有时间不同。应当注意的是本发明的持有时间设置参照了实际产品显示操作的一帧周期。

根据具有上述结构的阵列基板检查方法，可以以更严格的方式测量辅助电容中产生的漏泄量，并因此提高阵列基板检查的可靠性。从而，有可能禁止具有缺陷的液晶显示板的产品的销售。

本发明并不局限于上述实施例，在本发明的范围内可以做出各种修改。例如，在检查任一像素电极时，首先，像素电极被电气地充电。然后，在以关状态设置连接到以充电的像素电极P的TFT SW的同时，电荷被持有达大于至少一帧的周期。在持有电荷后，电子束照射在像素电极P上，并因此从像素电极P发射二次电子。基于二次电子的数据，能够检查像素电极。

或者，把扫描线驱动电路40和驱动多条信号线的驱动电路50作为驱动电路单元建在如图12所示的阵列基板101的像素区域30的外部区域是可能的。信号线驱动电路50使用如TFT SW的具有多晶硅半导体膜的TFT制成。

信号线驱动电路50经由焊盘组PDp与连接焊盘组CPDp连接。连接焊盘组CPDp包括连接到信号线驱动电路50的逻辑接线端、检查接线端等等。当视频信号、时钟信号和起始脉冲信号输入到信号线驱动电路50时，构成信号线驱动电路50的移位寄存器被驱动，从而来自移位寄存器的输出信号被输出。通过分析输出，判断信号线驱动电路50是否正常。

在上述方式中，控制单元324控制驱动电路控制单元322以经由探针单元340检查阵列基板101上的扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50。通过检查和分析流经扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50的驱动信号，能够电气地检查扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50。

因为驱动信号被供给扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50，像素电极P能够被电气地充电。因此，可能用上述的电子束检查它。

作为要被检查的阵列基板，如果基板包括建在基板上的且包括将驱动信号供应到扫描线Y的扫描线驱动电路40及将驱动信号供应到信号线X的信号线驱动电路50中至少一个的驱动电路就行了。构成扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50的TFT可以不是使用多晶硅的类型。

工业适用性

根据本发明，提供了一种检查阵列基板的方法，该方法能提高阵列基板检查方法的可靠性。

Claims (8)

1.一种检查阵列基板的方法，所述阵列基板包括基板；多条形成在所述基板上的扫描线，并且每条扫描线在行方向上延伸；多条各自在列方向上延伸的信号线以交叉扫描线；每个形成在相应扫描线和相应信号线的交叉点附近的多个开关元件；以及每个连接到多个开关元件和以矩阵排列的多个像素电极，所述方法包括：

用电荷给多个像素电极充电；

在维持连接到已充电像素电极的开关元件的关状态的同时，维持电荷达一预定时间周期；以及

维持电荷达预定时间周期之后，照射电子束到多个像素电极和基于从像素电极发射的二次电子的数据检查像素电极。

2.如权利要求1所述的检查方法，其特征在于：所述阵列基板还包括驱动电路单元，所述驱动电路单元建在基板上且包括配置成将驱动信号供应到多条扫描线中的每一条的扫描线驱动电路及配置成将驱动信号供应到多条信号线中的每一条的信号线驱动电路。

3.如权利要求2所述的检查方法，其特征在于：所述驱动电路单元和所述开关元件各自包括使用多晶硅的薄膜晶体管。

4.如权利要求1所述的检查方法，其特征在于：所述多个像素电极被排列在不同的行。

5.一种检查阵列基板的方法，所述阵列基板包括基板；多条形成在所述基板上的扫描线，并且每条扫描线在行方向上延伸；多条各自在列方向上延伸的信号线以交叉扫描线；每个形成在相应扫描线和相应信号线的交叉点附近的多个开关元件；以及每个连接到多个开关元件和以矩阵排列的多个像素电极，所述方法包括：

用电荷给任意的像素电极充电；

在维持连接到已充电像素电极的开关元件的关状态的同时，维持电荷达大于至少一帧周期的时间周期；以及

发射电子束到像素电极和基于从像素电极发射的二次电子的数据检查像素电极。

6.如权利要求5所述的检查方法，其特征在于：维持电荷达四帧的周期或更长。

7.如权利要求5所述的检查方法，其特征在于：所述阵列基板还包括驱动电路单元，所述驱动电路单元建在基板上且包括至少一个配置成将驱动信号供应到多条扫描线中的每一条的扫描线驱动电路及配置成将驱动信号供应到多条信号线中的每一条的信号线驱动电路。

8.如权利要求7所述的检查方法，其特征在于：驱动电路单元和开关元件各自包括使用多晶硅的薄膜晶体管。

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