CN1930514A - 检查基板的方法、以及用于检查阵列基板的方法和装置 - Google Patents

Abstract

在母板(100)的多个区域处形成有包括像素区域(30a－30f)的阵列基板部分(101a－101f)。在阵列基板部分的像素区域，多条扫描线和多条信号线彼此相交地形成，并且像素部分分别形成在扫描线和信号线的交点附近。在使用电子束测试器检查像素部分的检查方法中，通过将整个母板包含在真空腔中，用电子束扫描器并以电子束扫描形式照射的照射范围被设置成电子束扫描执行于阵列基板部分(101a－101f)的一部分上的范围或者在同时执行于所有阵列基板部分上的范围，以及获取关于位于照射区域内的阵列基板部分的像素部分的检查信息。

Description

检查基板的方法、以及用于检查阵列基板的方法和装置

技术领域

本发明涉及一种作为液晶显示装置构成部分的基板的方法以及检查阵列基板的方法和装置。

背景技术

液晶显示装置被应用于诸如笔记本计算机(笔记本PC)、蜂窝电话以及电视接收机的各种部分。液晶显示装置包括：其中多个像素电极以矩阵形式配置的阵列基板；包含与像素电极相对设置的对置电极的对置基板；以及保持在阵列基板和对置基板之间的液晶层。

阵列基板包括：以矩阵形式配置的像素电极；沿多个像素电极行配置的多条扫描线；沿多个像素电极列配置的多条信号线；以及配置在扫描线和信号线交点处附近的多个开关元件。

现已知的阵列基板有两种，即开关元件是采用由非晶硅形成的薄半导体膜的薄膜晶体管的阵列基板；以及开关元件是采用由多晶硅形成的薄半导体膜的薄膜晶体管的阵列基板。多晶硅比非晶硅具有更高的载流子迁移率。应当注意多晶硅型阵列基板不仅包括像素电极的开关元件，并且包括扫描线和信号线的驱动电路。

上述阵列基板需要经受检查步骤以检测是否存在缺陷。在日本专利申请KOKAI公布11-271177、日本专利申请KOKAI公布2000-3142以及U.S.P5268638中公开的技术作为检查方法和检查装置。

日本专利申请KOKAI公布11-271177公开一种技术，其中驻留有非晶型LCD(液晶显示器)基板的检查的技术尤其是点缺陷检查过程。这种技术利用一种现象，即当直流成分的直接光施加于LCD基板的整个表面时，非晶硅膜与光发生作用并且变得可导。通过检测积聚在辅助电容器中的电荷泄漏量，可确定是否基板存在缺陷。日本专利申请KOKAI公布2000-3142中公开的技术利用一种现象，即当电子束被发射到像素电极时，所发射出的二次电子与施加于薄膜晶体管的电压成比例。U.S.P No.5268638中公开的技术也利用当将电子束发射到像素电极时发射出的二次电子。

发明内容

如上所述，在液晶显示装置的制造过程中，阵列基板经历检查步骤是必不可少的。然而，检查步骤中所需的检查时间长。因此希望提高其效率。

鉴于上述情况，本发明的目的是提供检查基板的方法以及检查阵列基板的方法和装置，由此能缩短检查阵列基板的时间并因此能有效地降低产品的价格。

根据本发明的实施例，这里提供一种检查基板的方法，该基板包括形成于母板上并相对于旨在分割的线而彼此相对的第一阵列区和第二阵列区，每个阵列区包括布线，布线包括扫描线和信号线、在紧靠扫描线和信号线交点处的开关元件以及连接到开关元件的像素电极，该方法包括：将电子束从电子束源照射到像素电极；并基于由从像素电极照射出的二次电子指示的信息而就是否像素电极有缺陷作出检查；其中电子束被照射到包括至少部分第一阵列区和至少部分第二阵列区的照射区，母板和电子束源之间的相对位置关系是确定的。

根据本发明另一实施例的方法，通过使用电子束测试器来检查阵列基板或检查像素部分，整个母板被包含在真空腔内，其中阵列基板部分被形成在母板上的区域内并包括扫描线和信号线彼此交叉形成的像素区，多个像素部分分别形成在扫描线和信号线的交点附近，扫描线驱动电路形成在像素区域的外面并连接于扫描线以连续地将驱动信号沿行方向提供给像素部分，信号线驱动电路形成在像素区外面的区域并连接于信号线以将驱动信号提供给像素部分的列，以及连接于扫描线驱动电路和信号线驱动电路的一组焊盘，该方法包括：设置一照射范围，该范围是电子束以由电子束扫描器扫描的电子束的形式照射到电子束扫描执行于彼此对置的阵列基板部分的一部分上的范围或者是照射到电子束扫描同时执行于所有阵列基板部分上的范围，并获取位于照射范围内的阵列基板部分的像素部分上的检查信息。

根据本发明另一实施例的装置，通过使用电子束测试器来检查阵列基板和检查像素部分，整个母板被包含在真空腔内，其中阵列基板部分被形成在母板上的诸区域内并包括扫描线和信号线彼此交叉形成的像素区，多个像素部分分别形成在扫描线和信号线的交点附近，扫描线驱动电路连接于扫描线以连续地将驱动信号沿行方向提供给像素部分，信号线驱动电路连接于信号线以将驱动信号提供给像素部分的列，以及连接于扫描线驱动电路和信号线驱动电路的一组焊盘，该装置包括：设置一照射范围的装置，该范围是电子束以由电子束扫描器扫描的电子束的形式照射到电子束扫描执行于彼此对置的阵列基板部分的一部分上的范围或者是照射到电子束扫描同时执行于所有阵列基板部分上的范围，以及获取位于照射范围内的阵列基板部分的像素部分上的检查信息的装置。

附图说明

图1是解释作为本发明基础的技术以及阵列基板的非晶硅型基本构成的视图；

图2是解释作为本发明基础的技术以及阵列基板的多晶硅的基本构成的视图；

图3是根据本发明一个实施例的液晶显示面板的示意性纵断面图；

图4是上述液晶显示装置的一部分的立体图；

图5是解释母板上的阵列基板部分的结构的一个例子的视图；

图6是示意地示出根据本发明实施例的一种阵列基板的视图；

图7是放大地示出图6所示阵列基板中的像素区部分的示意性平面图；

图8是液晶显示面板的示意性纵断面图，它提供有图7所示的阵列基板；

图9是根据本发明实施例的电子束测试器的基本结构和操作的视图；

图10是根据解释本发明实施例的包括电子束测试器的阵列基板部分的检查设备结构和操作的视图；

图11是用来解释待检查母板基板上的阵列基板部分的结构的一个例子的视图；

图12是用来解释根据本发明实施例的检查方法的流程图；

图13是用来解释执行于图12中流程图中的信号分析部分和控制部分中的处理的方框图；

图14是用来解释根据本发明实施例的检查方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合附图对根据本发明的一个实施例的检查基板的方法以及检查阵列基板的方法和装置进行说明。

首先对作为本发明基础的技术进行说明。如图1和图2所示，阵列基板存在非晶硅型阵列基板和多晶硅型阵列基板两种。例如，在XGA(扩展图形阵列)中，非晶硅型阵列基板包括像素区30以及具有用于连接外部电路的各端子的焊盘组Pda，端子数量将近3000。另一方面，在多晶硅型阵列基板中，除像素区30外还提供扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50以驱动所有排列在X、Y坐标上的像素，它们分别由薄膜晶体管形成(下文中称之为TFT)。因此焊盘PDp的焊盘组的端子总数接近300，因为它们都设置为对扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50的输入来说已足够。

需要在制造过程中对阵列基板进行检查。将电气测试器和电子束测试器(下文中称之为EB测试器)提供作为检查像素区30状态的测试器。使用电气测试器的检查是通过在电荷累积于像素部分的辅助电容器中后藉由探针读出累积电荷而实现。使用EB测试器的检查进行如下：在电荷累积于像素的辅助电容器后，一电子束被发射到像素部分上，并检测所发射出的二次电子。

在使用电气测试器检查非晶硅型阵列基板的情况下，用于这项检查的探针数接近3000。由于探针的代价很高，因此这是非常昂贵的。在使用电气测试器检查多晶硅型阵列基板的情况下，用于这项检查的探针数接近300。因此尽管减少了探针数，但由于这是通过使用扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50完成的，因此无法令人满意地进行检查。另外，用于检查的信号处理是复杂的。

另一方面，在使用EB测试器检查非晶硅型阵列基板的情况下，电荷从公共探针通过焊盘组PDp累积到像素部分的辅助电容中，并随后使用EB测试器进行检查。另外，在使用EB测试器检查多晶硅型阵列基板的情况下，电荷可通过扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50累积到像素部分的辅助电容中。然而，与非晶硅型阵列基板不同，由于PDp焊盘组对不同输入信号具有各种端子，因此无法使用公共探针而轻易地使电荷累积。

作为检查方法的例子，上面的解释由四种情况给出，这四种情况分别是：使用电气测试器检查非晶硅型阵列基板；使用EB测试器检查非晶硅型阵列基板；使用电气测试器检查多晶硅型阵列基板；使用EB测试器检查多晶硅型阵列基板；

下面将结合图3和图4对提供有多晶硅型阵列基板的液晶显示装置进行说明。在后面的说明中，多晶硅型阵列基板被表示为阵列基板101。如图3和图4所示，液晶显示装置包括：阵列基板101；与阵列基板保持预设间隙地设置成与阵列基板相对的对置基板102；以及由那些基板夹持的液晶层103。阵列基板101和对置基板102通过作为取间隔件的柱状间隔件127而保持预定的间隙。阵列基板101和对置基板102的外缘部分通过密封件160彼此结合。形成在密封件一部分上的液晶入口161由密封剂162密封。

图5示出形成在母板100上的多个阵列基板部分101、101……。当提供在母板100上时，在下文中将它们表示为阵列基板部分；并且当沿切割线e将母板100切成阵列基板部分以独立提供时，在下文中将它们称为阵列基板。

图6示意地示出作为从母板100上切割下来的一块阵列基板的单个阵列基板101。在阵列基板101的一侧形成有规则焊盘组PDp。规则焊盘组PDp连接于扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50。规则焊盘组PDp被用来输入不同的信号，并且还用来输入和输出检查信号。

在阵列基板101上的像素区30中，将多个像素电极P设置在矩阵中。除像素电极P外，阵列基板101包括沿像素电极P的行设置的多条扫描线Y以及沿像素电极P的列设置的多条信号线X。此外，阵列基板101包括：设置在扫描线Y和信号线X交点附近的作为开关元件的TFT SW；驱动多条扫描线的扫描线驱动电路40；以及驱动多条信号线的信号线驱动电路50。

当通过关联的扫描线Y驱动时，每个TFT SW将关联的信号线X的信号电压提供给关联的像素电极P。扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50被设置在阵列基板101的端部附近并且位于像素区30的外面。另外，扫描线驱动电路40和信号线驱动电路50分别由利用与TFT SW中相同的多晶硅半导体膜的TFT构成。

下面将参考图7和图8对图6所示的像素区30的一部分进行说明。图7是平面视图而图8是纵断面视图。阵列基板101具有作为透明绝缘基板(玻璃)的基板111(图8)。在像素区30中，信号线X和扫描线Y以矩阵形式设置在基板111上，而TFT SW(参照图7中由圆圈171包围的部分)被提供在扫描线和信号线的交点部分。

每个TFT SW包括具有源极/漏极区112a和112b的半导体膜112以及通过延长扫描线Y的一部分而形成的栅电极115b。此外，在基板111上形成有条形辅助电容线116以形成辅助电容元件131并平行于扫描线Y而延伸。在那些部分中形成像素电极P(参阅由图7中的圆圈172包围的一部分和图8)。

更具体地说，半导体膜112和辅助电容下部电极113形成在基板111上。在包括半导体膜和辅助电容下部电极113的基板上形成有栅绝缘膜114。辅助电容下部电极113由与半导体薄膜112中相同的多晶硅形成。在栅极绝缘膜114上提供有扫描线Y、栅电极115b和辅助电容线116。辅助电容线116和辅助电容下部电极113通过栅绝缘膜114彼此相对地设置。

此外，层间绝缘膜117形成在包括扫描线Y、栅电极115b和辅助电容线116的栅绝缘膜114上。

在层间绝缘膜117上形成有接触电极121和信号线X。接触电极121通过接触孔连接到半导体膜112的源极/漏极区112a和像素电极P。信号线X通过接触孔连接到半导体膜的源极/漏极区112b。

保护绝缘膜122层叠地形成在接触电极121、信号线X和层间绝缘膜117上。此外，在保护绝缘膜122上，条状彩色层，即绿色层124G、红色层124R和蓝色层124B彼此邻接地交替设置以形成滤色器。

在彩色层124G、124R和124B上形成有由诸如ITO(铟、锡和氧化物)的透明导电膜构成的像素电极。像素电极P通过形成于彩色层和保护绝缘膜122中的接触孔125连接于接触电极121。像素电极P的外缘部分层叠地位于辅助电容线116和信号线X上。连接于像素电极P的辅助电容元件131用作累积电荷的辅助电容。

在彩色层124R和124G上形成有柱状间隔件127(见图7)。尽管未示出所有柱状间隔件127，然而它们以希望的密度形成在彩色层上。在彩色层124G、124R和124B和像素电极P上形成有配准膜128。对置基板102包括作为透明绝缘层的基板151。在基板151上连续地提供有由诸如ITO的透明材料形成的对置电极152和配准膜153。

下面将结合图9对通过EB测试器检查阵列基板101的方法的基本事项进行说明。在将像素电极P形成在基板后，执行这项检查。

首先，连接于信号发生器和信号分析器302的探针连接于各焊盘201、202。来自信号发生器和信号分析器302的驱动信号输出通过探针和焊盘201、202提供给像素部分203。在将驱动信号提供给像素部分203后，电子束EB从电子束源301照射到像素部分203。

由于该照射，指示像素部分203的电压的二次电子SE被发射出并由电子测试器DE检测到。二次电子SE与发射二次电子部分的电压成比例。在检查步骤中，阵列基板101的像素部分203使用来自信号发生器和信号分析器302的驱动信号被电气地扫描。该扫描与由箭头d1指示的阵列基板101表面上的电子束EB的扫描同步发生。电子束EB的照射范围是圆形范围。该范围被局限在能将电子束EB照射在15英寸对角线屏幕的整个区域上的范围内。

由通过电子测试器DE检测到的二次电子指示的信息被发送到信号发生器和信号分析器302以分析像素部分203。此外，提供给信号发生器和信号分析器302的二次电子的信息反映了对于提供给各像素部分203的TFT的端子的驱动信号的各像素部分的相应性能。由此可检查各像素部分803中的像素电极P的电压状态。换句话说，如果像素部分203具有缺陷，则可通过EB测试器检测到该缺陷。

下面将结合图10对根据本发明的使用EB测试器检查阵列基板部分101的方法和装置。首先将解释用于检查阵列基板部分101的检查装置的结构进行说明。该检查装置包括与装置作为一个整体提供的电子束测试器。在真空腔310内提供有电子束扫描器300。电子束扫描器300(沿由箭头d2指示的方向)被设置成可移动的，同时将真空腔310内保持在气密状态下。电子束扫描器300可位于真空腔310中并且其移动在其中受到控制。母板100位于真空腔310中并能从中移去。此外，在真空腔310中提供有电子测试器350。而且，在真空腔310中提供有探针单元340并且使多个探针与阵列基板部分10的关联的焊盘接触。上述单元受未图示的机器人控制因此精度高。

在真空腔310的侧壁上提供有密封接头311。密封接头311旨在将真空腔310中的探针单元340和电子测试器350连接于各关联的外部单元，同时将真空腔310内保持在气密状态下。此外，控制装置320位于真空腔310外。控制装置320包括信号源部分321、驱动电路控制部分322、信号分析部分323、对这些部分的控制部分324、以及输入/输出部分325。

控制部分324控制驱动电路控制部分322，并可通过探针单元340检查阵列基板部分101上的驱动电路。从探针单元340得到的检查结果信号被输入到驱动电路控制部分322。因此，检查结果信号从驱动电路控制部分322被取至控制部分324并通过输入/输出部分325被输出到外部装置，即显示装置。此外，驱动单元控制部分322可通过阵列基板部分101上的规则焊盘组而驱动阵列基板部分101上的元件。此时，来自信号源部分321的信号也被提供给阵列基板部分上的规则焊盘组，以由此对像素部分的辅助电容充电。

控制部分324可控制电子束扫描器300并使阵列基板部分101的像素部分被电子扫描。此时，从像素部分发射出的二次电子由电子测试器350检测到，并且有关该检测的检测信息被发送给信号分析部分323。信号分析部分323分析来自电子测试器350的检测信息并参照来自控制部分324的位置信息(所检测像素的地址)以由此判断像素部分的状态。

下面将结合图11和图12对下面的情况进行说明：当检查到彼此相邻地形成在母板100上的阵列基板部分101a-101f，则在阵列基板部分的像素区上进行检查。图11示出待检查的阵列基板部分的例子。阵列基板部分101a-101f分别包括像素区30a-30f，并且屏幕是大型的。更具体地说，它是17英寸对角屏幕。图12示出设置在控制部分324中的流程图的一个例子。该流程示出阵列基板部分101a-101f的像素部分的检查过程。

当像素部分的检查开始时(步骤S1)，控制部分324控制电子束扫描器300，实现预定区域的电子束扫描(步骤S2)。二次电子SE由电子测试器350检测到。检测信息由信号分析部分323分析并且将分析结果发送给控制部分324。控制部分324判定是否从分析结果中检测到配准标记(步骤S3)。当确定没有检测到时，控制部分324控制电子束扫描器300以偏移电子束的扫描区(步骤S4)。要注意配准标记形成在母板100或阵列基板部分上。因此，当由EB测试器检测到标记时，则可指定阵列基板部分和像素部分的位置。

当检测到配准标记时，控制部分324微调电子束扫描区，由此进行控制以使第一扫描区A1内的每个像素部分在第一扫描步骤(步骤S6)中可靠地扫描。此时，从第一扫描区A1的像素部分放射出的二次电子被检测到，并且由信号分析部分323分析检测信息(步骤S7)。应当注意电子束仅被照射到每个像素部分上而不被照射到其它区域，即使其它区域位于第一扫描区dA1内。这是因为指示阵列基板质子101a结构的信息被预先赋予控制部分324。控制部分324基于阵列基板部分101a上的结构信息而设置电子束的偏向区域。在分析检查信息后，控制部分324确定尚未扫描的像素部分存在或不存在(S8)。

当扫描所有像素部分时，则像素部分的检查结束(步骤S9)。当存在未经扫描的像素部分时，控制部分324调节电子束扫描器300(步骤S4)，并且进行预定区域的电子束扫描(步骤S22)。此时，确定是否检测到配准标记。当确定检测到配准标记时，则进行控制以使第二扫描区A2中的像素部分受到可靠地扫描(步骤S6)。

当检查第二扫描区A2中的像素位置时，则在两阵列基板101a、101b上进行检查。也就是说，在阵列基板101a中检查位于第二扫描区A2中的像素部分并不在阵列基板101b中检查第二扫描区中的像素部分。应当注意第一扫描区A1和第二扫描区A2在阵列基板101a中部分地彼此重叠，并且在对该重叠区域中的像素部分进行一次检查后，则不再重复进行。它们在第一和第二扫描步骤的任何一个步骤中被检查。关于上述检查信息的信息由信号分析部分323分析(步骤S7)。

此后调节电子束扫描器300(步骤S4)，并且进行预定区域的电子束扫描(步骤S2)。然后，当检测到配准标志时，进行控制以使第三扫描区A3中的像素位置象第三扫描步骤中那样被可靠地扫描(步骤S6)。在第三扫描步骤中，检查除第二扫描步骤中检查到的像素部分外的像素部分，并因此仅检查在像素区30b中未检测到的像素部分。关于上述检查的信息由信号分析部分323分析(步骤S7)。

如上所述，检查阵列基板部分101a-101b的像素部分。然后类似地检查阵列基板部分101c-101f的像素部分，并且对位于母板100上的所有阵列基板部分的检查结束。

下面将结合图13对第一至第三扫描步骤中的信号分析部分323和控制部分324内的处理进行说明。信号扫描部分323包括多个存储部分，例如第一存储部分M1至第五存储部分M5。

在第一扫描步骤中，当检查像素部分时，有关像素部分的信息作为第一扫描信息i1被存储在第一存储部分M1中，然后，在第二扫描步骤，当检查到像素部分时，有关像素部分的信息作为第二扫描信息i2和第三扫描信息i3被存储在第二存储部分M2中。存储在上述存储部分中的第一扫描信息i1和第二扫描信息i2响应于来自控制部分324的控制信号从那里被读出，并随后被存储在第四存储部分M4中。结果，有关像素区30a所有像素部分的扫描信息被存储在第四存储部分M4中。第四存储部分M4中的扫描信息指示像素部分的状态。然后检查像素部分的电压以检查像素部分的状态。该检查响应于来自控制部分324的控制信号而进行，并且检查到的像素部分的信息通过控制部分被发送到输入/输出部分325。

此后，在第三扫描步骤中，当扫描像素部分时，有关像素部分的信息作为第四扫描信息i4被存储在第三存储部分M3中。存储在第二存储部分M2和第三存储部分M3中的第三扫描信息i3和第四扫描信息i4响应来自控制部分324的控制信号从那里被读出，并随后被存储在第五存储部分M5中。

结果，有关像素区域30b的所有像素部分的扫描信息被存储在第五存储部分M5。第五存储部分M5中的扫描信息指示像素部分的状态。然后检查像素部分的电压以检查像素部分的状态。该检查是响应来自控制部分324的控制信号二进行的，并且检查到的关于像素部分的信息通过控制部分被发送到输入/输出部分325。

下面将结合图14对以两个步骤检查阵列基板部分101的过程进行粗略地说明。在步骤S11中，当阵列基板的检查开始时，在形成滤色器前的阵列基板部分101在作为阵列步骤的步骤S12中形成。然后，通过作为阵列中间检查的步骤S13中的电气测试器检测阵列基板部分101。在该阶段的检查是通过使用图10所示的探针单元340进行的。在步骤S14中，如果检测到阵列基板部分101存在缺陷，则将其送至检修阵列基板部分的检修步骤(步骤S15)或丢弃部分。

当阵列基板部分101不存在缺陷时或其经受检修处理时，则所执行的步骤移至后续步骤，即COA(阵列上的滤色器)步骤(步骤S16)。在该步骤中，滤色器和像素电极P被形成在阵列基板部分101。然后，在形成像素电极P后，通过使用电子束在作为阵列最终检查的步骤S17中检查阵列基板部分101。更具体地说，将电子束照射到经充电的像素电极P上，并检测和分析从像素电极发射出的二次电子，由此检查像素电极是否正常地保持有电荷。该检查意味着对连接于像素电极P的TFT SW是否存在缺陷、连接于像素电极P的辅助电容元件131是否存在缺陷还有像素电极P自身是否存在缺陷的检查。

在步骤S18中，当检测到阵列基板部分101具有缺陷，则将其送至检修阵列基板部分的检修步骤(步骤S19)或丢弃步骤。阵列中间检查指第一检查步骤而阵列最终检查指第二检查步骤。在步骤S18中检测到阵列基板不存在缺陷或在步骤S19被检修的情况下，阵列基板的检修结束(步骤S20)。

下面将对在检查过程中的第二检查步骤前提供第一检查步骤的优点进行说明。假设仅在第二检查步骤中检查阵列基板部分101的情况下，在阵列基板部分中检测出一问题。例如，如果原因是诸如信号线X或扫描线Y的阵列线断线，则在形成滤色器和像素电极P后进行第二检查步骤，并因此在较下层检修阵列线是无法实现的。然而，第一检查步骤的提供使这种检修变得可能实现，即使发生阵列线的断路。因此可限制在第二检查步骤中将阵列基板部分101送至丢弃步骤。此外，可更早地检测和检修缺陷阵列基板部分101，由此提高了成品率，其结果是制造成本的降低。

在上述用于检查具有上述结构的阵列基板的检查方法和装置中，在彼此相邻设置在母板100上的阵列基板部分101的屏幕尺寸为17英寸(即大屏幕)并且由EB测试器检查这些基板阵列部分的情况下，则跨过两个相邻基板部分地进行检测。在不横跨那些彼此相对的阵列基板部分扫描电子束地检查两阵列基板部分101的情况下，则需要进行四次电子束扫描。在检查两阵列基板部分101并同时横跨阵列基板部分的上述部分扫描电子束的情况下，进行三次电子束扫描就足够了。因此，当进行检查以使其横跨两相邻基板部分地完成时，检查基板阵列部分所需的时间减少。当电子束EB扫描的次数减少时，检测出配准标记的次数也减少，并且能进一步缩短检查时间周期。形成在母板100上的配准标记的位置由EB测试器检测到，其结果是能够把握基板上的像素部分的位置。因此能实现像素部分状态的检测，并且能预先把握像素部分的位置。

此外，在以两步骤检查阵列基板部分101的情况下，检查时间周期增加。然而，检查是横跨形成在母板100上的多个阵列基板部分地进行的，其结果是也能相对于全部检查所需的时间周期而进行恢复。当进行阵列基板部分的检查时，可检测到像素部分中的缺陷。因此，可防止具有缺陷的液晶显示装置作为产品出现在市场上。

要注意本发明不局限于上述实施例，并且能在本发明的范围内作出各种修正。例如，当横跨彼此相邻地设置在母板100上阵列基板部分而进行检查时，还检查阵列基板部分101a和101c(见图11)。对位于电子束照射范围内的阵列基板部分进行检查就足够了。当彼此相邻地设置在母板100上的阵列基板部分101的屏幕尺寸为17英寸或更多时，这同样有效，即只要能横跨两个阵列基板部分进行检测就足够了。另一方面，在彼此相邻地设置在母板100上的阵列基板部分101的屏幕尺寸为15英寸或更小，这同样有效，即只要横跨两个或多个阵列基板部分的一部分或全部进行检查就足够了。另外，在阵列基板部分101的屏幕尺寸不落在15-17英寸范围内的情况下，这同样有效。上述情况也适用于具有不同尺寸的不同种类的阵列基板部分101或多个阵列基板部分101彼此邻接地设置在母板上。

本发明提供一种检查基板的方法以及检查阵列基板的方法和装置，其中检查阵列基板所需的时间被缩短，并且能提高成品率，因而对降低产品价格是有效的。

Claims (6)

1.一种检查基板的方法，所述基板包括：母板；形成于母板上并关于旨在分割的线而彼此相对的第一阵列区和第二阵列区，每个阵列区包括布线，布线包括扫描线和信号线、在扫描线和信号线交点处附近的开关元件以及连接于开关元件的像素电极，所述方法包括：

将电子束从电子束源照射到像素电极；并基于由从像素电极照射出的二次电子指示的信息而就是否像素电极有缺陷作出检查；其中

电子束被照射到包括至少一部分的第一阵列区和至少一部分的第二阵列区的照射区，母板和电子束源之间的相对位置关系是确定的。

2.一种通过使用电子束测试器来检查阵列基板或检查像素部分的方法，整个母板被包含在真空腔内，其中阵列基板部分被形成在母板上的区域内并包括扫描线和信号线彼此交叉形成的像素区，多个像素部分分别形成在扫描线和信号线的交点附近，扫描线驱动电路形成在像素区域的外面并连接于扫描线以连续地将驱动信号沿行方向提供给像素部分，信号线驱动电路形成在像素区外面的区域并连接于信号线以将驱动信号提供给像素部分的列，以及连接于扫描线驱动电路和信号线驱动电路的一组焊盘，所述方法包括：

设置一照射范围，所述范围是电子束以由电子束扫描器扫描的电子束的形式照射到电子束扫描执行于彼此对置的阵列基板部分的一部分上的范围或者是照射到电子束扫描同时执行于所有阵列基板部分上的范围，并获取位于照射范围内的阵列基板部分的像素部分上的检查信息。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在获得像素区大于照射范围的阵列基板部分的像素部分上的检查信息的情况下，在获得关于多个阵列基板部分中的一个阵列基板部分的一个区域的像素部分的检查信息后，阵列基板部分的剩余区域的像素部分的检查信息以及位于所述阵列基板部分附近的所述多个阵列基板部分的其它阵列基板部分的区域的像素部分的检查信息被一起获得。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

在阵列基板部分处形成滤色器，在获得关于像素部分的检查信息后，多个阵列基板部分的像素部分的检查结束。

5.一种通过使用电子束测试器来检查阵列基板和检查像素部分的装置，整个母板被包含在真空腔内，其中阵列基板部分被形成在母板上的诸区域内并包括扫描线和信号线彼此交叉形成的像素区，多个像素部分分别形成在扫描线和信号线的交点附近，扫描线驱动电路连接于扫描线以连续地将驱动信号沿行方向提供给像素部分，信号线驱动电路连接于信号线以将驱动信号提供给像素部分的列，以及连接于扫描线驱动电路和信号线驱动电路的一组焊盘，所述装置包括：

设置一照射范围的装置，所述范围是电子束以由电子束扫描器扫描的电子束的形式照射到电子束扫描执行于彼此对置的阵列基板部分的一部分上的范围或者是照射到电子束扫描同时执行于所有阵列基板部分上的范围，以及获取位于照射范围内的阵列基板部分的像素部分上的检查信息的装置。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，像素区域大于照射范围的阵列基板部分被形成在母板上，并且所述装置包括：

获得关于多个阵列基板部分的一个阵列基板部分的区域的像素部分的检查信息的装置；

获得关于阵列基板部分剩余区域的像素部分的检查信息以及位于所述阵列基板部分附近的多个阵列基板部分的其它阵列基板部分的区域的像素部分的检查信息的装置。

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