JPWO2005085938A1 - 基板の検査方法、アレイ基板の検査方法、及びアレイ基板の検査装置 - Google Patents
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Abstract
マザー基板(100)上の複数の領域にはそれぞれ画素領域(30aないし30f)を含むアレイ基板部(101aないし101f)が形成されている。各アレイ基板部内の画素領域では、複数の走査線と複数の信号線とが交差して形成され、これら複数の走査線と複数の信号線との交差部近傍にそれぞれ画素部が形成されている。マザー基板全体を真空チャンバーに収容し、電子ビームテスタを用いて画素部の検査を行う検査方法において、電子ビーム走査器による電子ビーム走査でビーム照射される照射範囲が、複数のアレイ基板部(101aないし101f)の一部を跨いだ又は全部を同時にカバーした状態に設定し、その照射範囲に属する各アレイ基板部の画素部の検査情報を取得する。
Description
この発明は、液晶表示装置の構成要素である基板の検査方法、アレイ基板の検査方法、及びアレイ基板の検査装置に関する。
液晶表示装置は、ノート型パーソナルコンピュータ(ノートPC)のディスプレイ部、携帯電話器のディスプレイ部、テレビジョン受像機のディスプレイ部など種々の個所に使用されている。液晶表示装置は、複数の画素電極がマトリックス状に配置されるアレイ基板と、複数の画素電極に対向する対向電極を有した対向基板と、アレイ基板と対向基板との間に保持される液晶層と、を有する。
アレイ基板は、マトリックス状に配列される複数の画素電極、複数の画素電極の行に沿って配置される複数の走査線、複数の画素電極の列に沿って配列される複数の信号線、及びこれら走査線と信号線の交差位置近傍に配置される複数のスイッチング素子を有する。
アレイ基板のタイプとして、2つのタイプがある。即ち、スイッチング素子が、アモルファスシリコンの半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタであるアレイ基板と、スイッチング素子が、ポリシリコンの半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタであるアレイ基板とがある。ポリシリコンは、アモルファスシリコンより高いキャリア移動度を持つ。ここで、ポリシリコンタイプのアレイ基板では、画素電極用のスイッチング素子だけでなく、走査線及び信号線の駆動回路をアレイ基板に組み込むことができる。
上記のアレイ基板は、その製造過程において欠陥品を検出するために、検査工程を通ることになる。検査方法及び検査装置としては、特開平11−271177号、特開2000−3142号公報、U.S.P.5,268,638に開示された技術がある。
特開平11−271177号公報は、アモルファスタイプのLCD(Liquid Crystal Display)基板の検査において、点欠陥検査プロセスに特徴を持たせた技術が開示されている。ここでは、LCD基板の全面に直流成分の直射光を当て、アモルファスシリコン膜が光感応して導通状態となることを利用する。補助容量に蓄積された電荷のリーク量を検出することで、欠陥の状況を判断できる。特開2000−3142号公報に開示された技術では、電子ビームを画素電極に照射したとき、放出される2次電子は、薄膜トランジスタにかかっている電圧に比例することを利用している。U.S.P.5,268,638の技術でも、電子ビームを画素電極に照射したときに放出される2次電子を利用するものである。
上記のように液晶表示装置の製造過程において、アレイ基板が検査工程を通ることは必須である。ところが、検査工程における検査時間が長時間となっており、その効率の改善が要望されている。
そこでこの発明は、アレイ基板の検査時間を短縮でき、結果的には製品価格の低減にも有効となる基板の検査方法、アレイ基板の検査方法、及びアレイ基板の検査装置を提供することを目的とする。
本発明の態様に係る基板の検査方法は、
マザー基板上に、分断予定線を挟んでそれぞれ形成され、走査線と信号線とを含む配線と、前記走査線と信号線との交点近傍に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、をそれぞれ有した第1アレイ領域と第2アレイ領域とを有する基板の検査方法において、
前記画素電極に対してビーム源から放出される電子ビームを照射し前記画素電極から放出される2次電子の情報によって前記画素電極の欠陥の有無を検査し、
前記電子ビームは、前記マザー基板と前記ビーム源との相対位置関係が固定された状態で、前記第1アレイ領域の少なくとも一部及び前記第2アレイ領域の少なくとも一部を含む照射範囲に照射する。
マザー基板上に、分断予定線を挟んでそれぞれ形成され、走査線と信号線とを含む配線と、前記走査線と信号線との交点近傍に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、をそれぞれ有した第1アレイ領域と第2アレイ領域とを有する基板の検査方法において、
前記画素電極に対してビーム源から放出される電子ビームを照射し前記画素電極から放出される2次電子の情報によって前記画素電極の欠陥の有無を検査し、
前記電子ビームは、前記マザー基板と前記ビーム源との相対位置関係が固定された状態で、前記第1アレイ領域の少なくとも一部及び前記第2アレイ領域の少なくとも一部を含む照射範囲に照射する。
また、本発明の他の態様に係るアレイ基板の検査方法は、
マザー基板上の複数の領域にそれぞれアレイ基板部が形成されており、各アレイ基板部内の画素領域では、複数の走査線と複数の信号線とが交差して形成され、前記複数の走査線と複数の信号線との交差部近傍にそれぞれ画素部が形成され、画素領域の外の領域に、前記複数の走査線に接続されて前記複数の画素部に対して行方向へ順次駆動信号を与える走査線駆動回路が形成され、前記複数の信号線に接続され前記複数の画素部の各列へ信号を供給する信号線駆動回路が形成され、前記走査線駆動回路及び信号線駆動回路に接続されるパッド群が形成されており、
前記マザー基板全体を真空チャンバーに収容し、電子ビームテスタを用いて画素部の検査を行う検査方法において、
電子ビーム走査器による電子ビーム走査でビーム照射される照射範囲を前記複数のアレイ基板部の一部を跨いだ又は全部を同時にカバーした状態に設定し、前記照射範囲に属する各アレイ基板部の画素部の検査情報を取得する。
マザー基板上の複数の領域にそれぞれアレイ基板部が形成されており、各アレイ基板部内の画素領域では、複数の走査線と複数の信号線とが交差して形成され、前記複数の走査線と複数の信号線との交差部近傍にそれぞれ画素部が形成され、画素領域の外の領域に、前記複数の走査線に接続されて前記複数の画素部に対して行方向へ順次駆動信号を与える走査線駆動回路が形成され、前記複数の信号線に接続され前記複数の画素部の各列へ信号を供給する信号線駆動回路が形成され、前記走査線駆動回路及び信号線駆動回路に接続されるパッド群が形成されており、
前記マザー基板全体を真空チャンバーに収容し、電子ビームテスタを用いて画素部の検査を行う検査方法において、
電子ビーム走査器による電子ビーム走査でビーム照射される照射範囲を前記複数のアレイ基板部の一部を跨いだ又は全部を同時にカバーした状態に設定し、前記照射範囲に属する各アレイ基板部の画素部の検査情報を取得する。
また、本発明の他の態様に係るアレイ基板の検査装置は、
マザー基板上の複数の領域にそれぞれアレイ基板部が形成されており、各アレイ基板部内の画素領域では、複数の走査線と複数の信号線とが交差して形成され、前記複数の走査線と複数の信号線との交差部近傍にそれぞれ画素部が形成され、前記複数の走査線に接続されて前記複数の画素部に対して行方向へ順次駆動信号を与える走査線駆動回路が形成され、前記複数の信号線に接続され前記複数の画素部の各列へ信号を供給する信号線駆動回路が形成され、前記走査線駆動回路及び信号線駆動回路に接続されるパッド群が形成されており、
前記マザー基板全体を真空チャンバーに収容し、電子ビームテスタを用いて画素部の検査を行う検査装置において、
電子ビーム走査器による電子ビーム走査でビーム照射される照射範囲を前記複数のアレイ基板部の一部を跨いだ又は全部を同時にカバーした状態に設定する手段と、前記照射範囲に属する各アレイ基板部の画素部の検査情報を取得する手段と、を有する。
マザー基板上の複数の領域にそれぞれアレイ基板部が形成されており、各アレイ基板部内の画素領域では、複数の走査線と複数の信号線とが交差して形成され、前記複数の走査線と複数の信号線との交差部近傍にそれぞれ画素部が形成され、前記複数の走査線に接続されて前記複数の画素部に対して行方向へ順次駆動信号を与える走査線駆動回路が形成され、前記複数の信号線に接続され前記複数の画素部の各列へ信号を供給する信号線駆動回路が形成され、前記走査線駆動回路及び信号線駆動回路に接続されるパッド群が形成されており、
前記マザー基板全体を真空チャンバーに収容し、電子ビームテスタを用いて画素部の検査を行う検査装置において、
電子ビーム走査器による電子ビーム走査でビーム照射される照射範囲を前記複数のアレイ基板部の一部を跨いだ又は全部を同時にカバーした状態に設定する手段と、前記照射範囲に属する各アレイ基板部の画素部の検査情報を取得する手段と、を有する。
[図1]本発明の前提となる技術を説明するために示した図であり、アモルファスシリコンタイプのアレイ基板の基本構成を示す説明図である。
[図2]本発明の前提となる技術を説明するために示した図であり、ポリシリコンタイプのアレイ基板の基本構成を示す説明図である。
[図3]本発明の実施の形態に係る液晶表示パネルの概略断面図である。
[図4]上記液晶表示装置の一部を示す斜視図である。
[図5]マザー基板上のアレイ基板部の配列例を示す説明図である。
[図6]本発明の実施の形態に係るアレイ基板を取り出してその概略を示す図である。
[図7]図6のアレイ基板の画素領域の一部を拡大して示す概略平面図である。
[図8]図7に示したアレイ基板を備えた液晶表示パネルの概略断面図である。
[図9]本発明の実施の形態に係る電子ビームテスタの基本的な構成と動作を説明するために示した図である。
[図10]本発明の実施の形態に係る電子ビームテスタを含むアレイ基板部の検査装置の構成と動作を説明するために示した図である。
[図11]検査が行なわれるマザー基板上のアレイ基板部の配列例を示す説明図である。
[図12]本発明の実施の形態に係る検査方法を説明するために示したフローチャートである。
[図13]図12に示したフローチャートにおける信号解析部および制御部の内部処理を説明するためのブロック図である。
[図14]本発明の実施の形態に係る検査方法を説明するために示したフローチャートである。
[図2]本発明の前提となる技術を説明するために示した図であり、ポリシリコンタイプのアレイ基板の基本構成を示す説明図である。
[図3]本発明の実施の形態に係る液晶表示パネルの概略断面図である。
[図4]上記液晶表示装置の一部を示す斜視図である。
[図5]マザー基板上のアレイ基板部の配列例を示す説明図である。
[図6]本発明の実施の形態に係るアレイ基板を取り出してその概略を示す図である。
[図7]図6のアレイ基板の画素領域の一部を拡大して示す概略平面図である。
[図8]図7に示したアレイ基板を備えた液晶表示パネルの概略断面図である。
[図9]本発明の実施の形態に係る電子ビームテスタの基本的な構成と動作を説明するために示した図である。
[図10]本発明の実施の形態に係る電子ビームテスタを含むアレイ基板部の検査装置の構成と動作を説明するために示した図である。
[図11]検査が行なわれるマザー基板上のアレイ基板部の配列例を示す説明図である。
[図12]本発明の実施の形態に係る検査方法を説明するために示したフローチャートである。
[図13]図12に示したフローチャートにおける信号解析部および制御部の内部処理を説明するためのブロック図である。
[図14]本発明の実施の形態に係る検査方法を説明するために示したフローチャートである。
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態に係る基板の検査方法、アレイ基板の検査方法、及びアレイ基板の検査装置について詳しく説明する。
まず、本発明の前提となる技術を説明する。図1、図2に示すように、アレイ基板のタイプとして、アモルファスシリコンタイプのアレイ基板と、ポリシリコンタイプのアレイ基板とがある。XGA(eXtended Graphics Array)を例にとると、アモルファスシリコンタイプのアレイ基板は、画素領域30、および外付け回路接続用の約3000個の端子からなるパッド群PDaを有する。これに対しポリシリコンタイプのアレイ基板では、画素領域30の他に全てのX、Y座標の画素を駆動するための走査線駆動回路40および信号線駆動回路50が形成され、これらの回路は薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する)で構成されている。したがって、パッド群PDpの端子数は走査線駆動回路40および信号線駆動回路50の入力分でよいため、合計で約300個となる。
上記のアレイ基板は、製造過程において、製品検査が必要である。画素領域30の状況を検査するテスタとして、電気的テスタ、および電子ビームテスタ(以下、EBテスタと称する)がある。電気的テスタを用いた検査は、画素部の補助容量へ電荷を蓄積させた後、蓄積された電荷をプローブにより読み出すことで行なわれる。EBテスタを用いた検査は、画素の補助容量へ電荷を蓄積させた後、その画素部に電子ビームを照射し、放出された2次電子を検出することにより行われる。
電気的テスタを用いてアモルファスシリコンタイプのアレイ基板を検査する際、この検査に用いるプローブは約3000個必要である。この場合、プローブは非常に高価であるため、多大な費用となる。電気的テスタを用いてポリシリコンタイプのアレイ基板を検査するとした場合、この検査に用いるプローブ数は約300個必要である。プローブ数は低減されるが、走査線駆動回路40および信号線駆動回路50を介しての検査となるため、その検査を良好に行うことができない。また、検査のための信号処理が複雑となる。
一方、EBテスタを用いてアモルファスシリコンタイプのアレイ基板を検査する場合、共通のプローブからパッド群PDpを介して画素部の補助容量へ電荷を蓄積させた後、EBテスタを用いた検査が行われる。また、EBテスタを用いてポリシリコンタイプのアレイ基板を検査する場合、画素部の補助容量への電荷の蓄積は、走査線駆動回路40および信号線駆動回路50を介して行うことはできる。しかしながら、パッド群PDpは、入力信号の異なる種々の端子を有しているため、アモルファスシリコンタイプのように共通のプローブを利用して簡単に電荷チャージすることはできない。
以上のように、アモルファスシリコンタイプのアレイ基板およびポリシリコンタイプのアレイ基板を、電気的テスタ、およびEBテスタによって検査する場合の検査方法例を4通り説明した。
図3、図4を参照して、ポリシリコンタイプのアレイ基板を有した液晶表示装置について説明する。ここで、ポリシリコンタイプのアレイ基板を、以下アレイ基板101として説明する。図3、図4に示すように、液晶表示装置は、アレイ基板101と、このアレイ基板に所定の隙間を保持して対向配置された対向基板102と、これら両基板に狭持された液晶層103とを備える。アレイ基板101および対向基板102は、スペーサとして柱状スペーサ127により所定の隙間を保持している。アレイ基板101および対向基板102の周縁部同士はシール材160で接合されており、シール材の一部に形成された液晶注入口161は封止材162で封止されている。
図5には、マザー基板100上に複数のアレイ基板部101、101、…が形成された様子を示している。マザー基板100の上に形成されている状態をアレイ基板部と称し、マザー基板100が切り取りラインeに沿って切断されアレイ基板部が独立した状態をアレイ基板と称することにする。
図6には、マザー基板100から切り出された1つのアレイ基板101を代表して示している。アレイ基板101の一辺には、正規パッド群PDpが形成されている。正規パッド群PDpは、走査線駆動回路40および信号線駆動回路50に接続されている。正規パッド群PDpは、それぞれ異なる信号を入力する他、検査用の信号を入出力するために用いられる。
アレイ基板101上の画素領域30には、複数の画素電極Pがマトリクス状に配置されている。アレイ基板101は、画素電極Pに加えて、これら画素電極Pの行に沿って配置された複数の走査線Y、これら画素電極Pの列に沿って配置された複数の信号線Xを備える。更に、アレイ基板101は、走査線Yおよび信号線Xの交差部近傍に配置されるスイッチング素子としてTFTSW、および各々複数の走査線を駆動する走査線駆動回路40、複数の信号線を駆動する信号線駆動回路50を有する。
各TFTSWは、対応走査線Yを介して駆動された時に対応信号線Xの信号電圧を対応画素電極Pに印加する。走査線駆動回路40および信号線駆動回路50は、アレイ基板101の端部に隣接するとともに画素領域30の外側領域に配置されている。また、走査線駆動回路40および信号線駆動回路50は、TFTSWと同様なポリシリコンの半導体膜を用いたTFTを利用して構成されている。
図7、図8を参照して、図6に示した画素領域30の一部をとり出して更に説明する。図7は平面的に表す図、図8は断面を示した図である。アレイ基板101は透明な絶縁基板(ガラス)としての基板111を有する(図8)。画素領域30において、基板111上には、複数の信号線X、および複数の走査線Yがマトリクス状に配置され、信号線と走査線との各交差部にTFTSW(図7の円171で囲む部分参照)が設けられている。
TFTSWは、ポリシリコンで形成されソース/ドレイン領域112a、112bを有した半導体膜112と、走査線Yの一部を延在したゲート電極115bと、を有している。また、基板111上には、補助容量素子131を形成するストライプ状の補助容量線116が複数形成され、走査線Yと平行に延びている。この部分に画素電極Pが形成されている(図7の円172で囲む部分と図8参照)。
詳細に述べると、基板111上には、半導体膜112と、補助容量下部電極113と、が形成され、これら半導体膜および補助容量下部電極113を含む基板上にゲート絶縁膜114が成膜されている。ここで、補助容量下部電極113は、半導体膜112と同様ポリシリコンで形成されている。ゲート絶縁膜114上に、走査線Y、ゲート電極115b、および補助容量線116が配設されている。補助容量線116および補助容量下部電極113はゲート絶縁膜114を介し対向配置されている。走査線Y、ゲート電極115b、および補助容量線116を含むゲート絶縁膜114上には層間絶縁膜117が成膜されている。
層間絶縁膜117上には、コンタクト電極121、および信号線Xが形成されている。コンタクト電極121は、それぞれコンタクトホールを介して、半導体膜112のソース/ドレイン領域112a、および画素電極Pにそれぞれ接続されている。信号線Xはコンタクトホールを介して、半導体膜のソース/ドレイン領域112bと接続されている。
コンタクト電極121、信号線X、および層間絶縁膜117に重ねて保護絶縁膜122が形成され、更に、保護絶縁膜122上には、それぞれストライプ状の緑色の着色層124G、赤色の着色層124R、および青色の着色層124Bが隣接し交互に並んで配設され、カラーフィルタを形成している。
着色層124G、124R、124B上には、ITO(インジウム・すず酸化物)等の透明な導電膜により画素電極Pがそれぞれ形成されている。そして、各画素電極Pは、着色層および保護絶縁膜122に形成されたコンタクトホール125を介してコンタクト電極121に接続されている。画素電極Pの周縁部は、補助容量線116および信号線Xに重ねて位置している。画素電極Pに接続された補助容量素子131は、電荷を蓄積する補助容量として機能する。
着色層124R、124G上には、柱状スペーサ127(図7参照)が形成されている。全てを図示しないが、柱状スペーサ127は各着色層上に所望の密度で複数本形成されている。着色層124G、124R、124Bおよび画素電極P上には、配向膜128が形成されている。対向基板102は、透明な絶縁基板として基板151を有している。この基板151上には、ITO等の透明材料で形成された対向電極152、および配向膜153が順次形成されている。
図9を参照して、EBテスタを用いたアレイ基板101の検査方法の基本的な事項について説明する。この検査は、基板上に画素電極Pを形成した後に行なわれる。
まず、信号発生器および信号解析器302に接続される複数のプローブは対応する複数のパッド201、202に接続される。信号発生器および信号解析器302から出力される駆動信号はプローブ、およびパッド201、202を介して画素部203に供給される。駆動信号が画素部203に供給された後、その画素部には、電子線源301から放出される電子ビームEBが照射される。
この照射によって画素部203の電圧を表す2次電子SEが放出され、この2次電子SEは、電子検出器DEで検出される。2次電子SEは、放出される個所の電圧に比例する。ここで、検査の工程において、アレイ基板101の画素部203は、信号発生器および信号解析器302からの駆動信号によって電気的に走査される。この走査は電子ビームEBが矢印d1で示されるアレイ基板101表面上の走査と同期して行われる。ここで、電子ビームEBの照射範囲は円状である。この照射範囲には制限があり、その照射が可能である範囲は15インチサイズの画面が覆われる程度である。
電子検出器DEで検出した2次電子の情報は、画素部203の解析のために信号発生器および信号解析器302に送られる。また、信号発生器および信号解析器302に送られる2次電子の情報は、各画素部203のTFTの端子に供給する駆動信号に対する各画素部の応答性能を反映していることになる。これにより、各画素部203の画素電極Pの電圧の状態を検査することが可能である。つまり画素部203に欠陥がある場合、EBテスタによってその欠陥を検出することができる。
図10を参照して、本発明に係るEBテスタを用いたアレイ基板部101の検査方法及び装置について説明する。まず、アレイ基板部101の検査に用いる検査装置の構成を説明する。この検査装置には、電子ビームテスタが一体化して設けられている。真空チャンバー310には、電子ビーム走査器300が設けられている。電子ビーム走査器300は、真空チャンバー310内部を気密状態に維持しながら移動自在(矢印d2の示す方向)に設けられている。電子ビーム走査器300は、真空チャンバー310の内部に配置され、この内部で移動制御される方式でも良い。真空チャンバー310内には、マザー基板100を収容することができ、また取り出すこともできる。さらに真空チャンバー310内には、電子検出器350が設けられている。さらにまた真空チャンバー310内には、プローブユニット340も配置され、プローブユニット340は、その複数のプローブをアレイ基板部101の対応するパッドに接触させることができる。上記の各ユニットのコントロールは、図示しないがロボットにより精度良く行なわれる。
真空チャンバー310の側壁には、封止コネクタ311が設けられている。この封止コネクタ311は、真空チャンバー310内部を気密状態に維持しながら、内部のプローブユニット340、電子検出器350などを外部の各対応するユニットに接続するためのものである。真空チャンバー310の外側には制御装置320が配置されている。制御装置320は、信号源部321、駆動回路制御部322、信号解析部323、これらを制御する制御部324、入出力部325を有する。
制御部324は、駆動回路制御部322を制御し、プローブユニット340を介してアレイ基板部101上の駆動回路の検査を行うことができる。プローブユニット340から取り込まれた検査結果信号は駆動回路制御部322に入力する。そして、この検査結果信号は、駆動回路制御部322から制御部324に取り込まれ、入出力部325を介して外部の例えば表示装置へ出力される。また駆動回路制御部322は、アレイ基板部101上の規定パッド群を介して、アレイ基板部101上の素子をドライブすることができる。このときは、信号源部321からの信号もアレイ基板部上の規定パッド群に与えられ、各画素部の補助容量に対する電荷チャージを実現することもできる。
制御部324は、電子ビーム走査器300を制御し、アレイ基板部101の画素部を電子走査させることができる。このとき画素部から放出される2次電子は、電子検出器350によって検出され、その検出情報は、信号解析部323に送られる。信号解析部323は、電子検出器350からの検出情報を解析し、また制御部324からの位置情報(検出した画素のアドレス)を参照し、画素部の状態を判断する。
図11、図12を参照して、マザー基板100上に互いに隣接して形成されたアレイ基板部101a〜101fを検査する際、これらアレイ基板部の各画素領域を跨いで検査する場合について説明する。図11には、検査の対象となるアレイ基板部の一例を示す。各アレイ基板部101a〜101fは、それぞれ画素領域30a〜30fを含み、その画面サイズが17型と大型のものである。図12は、制御部324に設定されたフローチャートの一例であり、このフローはアレイ基板部101aないしアレイ基板部101fの画素部を検査する際の検査手順を示している。
画素部の検査がスタートすると(ステップS1)、制御部324により、電子ビーム走査器300が制御され、所定のエリアのビーム走査が実行される(ステップS2)。2次電子SEは、電子検出器350で検出され、検出情報は信号解析部323で解析され、解析結果が制御部324に送られる。制御部324は、解析結果にアライメントマークが検出されているかどうかを判断し(ステップS3)、検出されていない場合には、電子ビームの走査エリアをシフトすべく電子ビーム走査器300を制御する(ステップS4)。ここで、マザー基板100あるいは各アレイ基板部上にはアライメントマークが形成されており、このアライメントマークをEBテスタで検出することにより、各アレイ基板部および上記画素部の位置を特定することができる。
アライメントマークが検出されると、制御部324は、ビーム走査エリアを微調整し、第1走査工程として第1走査領域A1内の各画素部を確実に走査するように制御される(ステップS6)。このとき、第1走査領域A1内の各画素部から放出される2次電子が検出され、その検出情報は、信号解析部323にて解析される(ステップS7)。ここで、電子ビームは、各画素部のみに照射され、第1走査領域A1内であっても画素部の配置されていない領域には照射されない。これは、予めアレイ基板部101aの構成を示す情報が制御部324に与えられているからである。制御部324は、アレイ基板部101aの構成情報に基づいて電子ビームの偏向エリアを設定している。検査情報が解析された後、制御部324により、走査されていない画素部の有無が判断される(ステップS8)。
画素部全てが走査された場合、画素部の検査は終了される(ステップ9)。走査されていない画素部がある場合、制御部324により、電子ビーム走査器300が調整され(ステップS4)、所定のエリアのビーム走査が実行される(ステップS2)。このとき、アライメントマークが検出されているかどうかが判断される。アライメントマークが検出されると、第2走査工程として第2走査領域A2内の画素部を確実に走査するように制御される(ステップS6)。
第2走査領域A2内の画素部を検査する際、2つのアレイ基板101a、101bを跨いで検査される。つまり、アレイ基板101aにおいては、第2走査領域A2内に配置された各画素部が検査され、アレイ基板101bにおいては、同じく第2走査領域内に配置された各画素部が検査される。ここで、第1走査領域A1および第2走査領域A2はアレイ基板101aにおいて一部重複するが、この重複した領域に配置された各画素部は重複して検査されることはなく、第1走査工程または第2走査工程のいずれかの工程において検査される。上記した検査の情報は、信号解析部323にて解析される(ステップS7)。
その後、電子ビーム走査器300が調整され(ステップS4)、所定のエリアのビーム走査が実行される(ステップS2)。そして、アライメントマークが検出されると、第3走査工程として第3走査領域A3内の各画素部を確実に走査するように制御される(ステップ6)。第3走査工程においては、第2走査工程で検査された各画素部を除いて検査されるため、画素領域30bの未検査の各画素部のみが検査される。上記した検査の情報は、信号解析部323にて解析される(ステップS7)。
上記したようにアレイ基板部101aおよびアレイ基板部101bの各画素部が検査される。続いて、アレイ基板部101c〜101fの各画素部も同様に検査され、マザー基板100上に配置された全てのアレイ基板部の検査が終了する。
図13を参照して、上記した第1走査工程ないし第3走査工程における信号解析部323および制御部324の内部の処理について説明する。信号解析部323は、複数のメモリ部を含み、例えば第1メモリ部M1ないし第5メモリ部M5を含む。
第1走査工程において、各画素部が走査されると、各画素部の情報は、第1走査情報i1として第1メモリ部M1内に格納される。続く、第2走査工程において、各画素部が走査されると、各画素部の情報は、第2走査情報i2および第3走査情報i3として第2メモリ部M2内に格納される。各メモリ部に格納された第1走査情報i1および第2走査情報i2は、制御部324からの制御信号により読み出され、この読み出された走査情報は第4メモリ部M4内に格納される。これにより、第4メモリ部M4には、画素領域30aの全画素部の走査情報が格納される。第4メモリ部M4の走査情報は各画素部の状態を表している。そして、これら各画素部の状態を検査するために各画素部の電圧がチェックされる。このチェックは、制御部324からの制御信号により行なわれ、チェックされた各画素部の情報は制御部を介して入出力部325に送られる。
続いて、第3走査工程において、各画素部が走査されると、各画素部の情報は、第4走査情報i4として第3メモリ部M3内に格納される。第2メモリ部M2および第3メモリ部M3に格納された第3走査情報i3および第4走査情報i4は、制御部324からの制御信号により読み出され、この読み出された捜査情報は第5メモリ部M5内に格納される。これにより、第5メモリ部M5には、画素領域30bの全画素部の走査情報が格納される。第5メモリ部M5の走査情報は各画素部の状態を表している。そして、これら各画素部の状態を検査するために各画素部の電圧がチェックされる。このチェックは、制御部324からの制御信号により行なわれ、チェックされた各画素部の情報は制御部を介して入出力部325に送られる。
図14を参照して、上記したアレイ基板部101を2段階で検査するプロセスを概略的に説明する。ステップS11において、アレイ基板の検査がスタートすると、ステップS12のアレイ工程において、カラーフィルタ形成前のアレイ基板部101が作製される。次いで、このアレイ基板部101は、ステップS13のアレイ中間検査として電気的テスタにより検査される。この段階での検査は、図10に示したプローブユニット340を介して実行される。ステップS14において、アレイ基板部101に欠陥が検出された場合、アレイ基板部の修復修理を行うリペア工程(ステップS15)或いは破棄工程へ送られる。
そして、アレイ基板部101が良好である場合や修復処理を行った場合は、次のCOA(color filter on array)の工程に移行される(ステップS16)。この工程において、上記アレイ基板部101には、カラーフィルタおよび画素電極Pが形成される。次に、画素電極Pが形成されたアレイ基板部101は、ステップS17において、アレイ最終検査として電子ビームにより検査される。より詳しくは、電荷がチャージされた画素電極Pに対し電子ビームを照射し、画素電極から放出される2次電子を検出・解析することにより、この画素電極が正常に電荷を保持しているか否か検査される。ここでの検査は、画素電極P自体の不良だけではなく、画素電極に接続されているTFTSWの不良、画素電極を含む補助容量素子131の不良等々、画素電極に関する検査を意味する。
ステップS18において、アレイ基板部101に欠陥が検出された場合、アレイ基板部の修復修理を行うリペア工程(ステップS19)或いは破棄工程へ送られる。ここで、アレイ中間検査を第1検査工程、アレイ最終検査を第2検査工程とする。そして、ステップS18においてアレイ基板が良好である場合やステップS19において修復修理を行った場合、アレイ基板の検査は終了する(ステップS20)。
ここで、図14に示した検査プロセスにおいて、第2検査工程の前に第1検査工程を設けた利点を説明する。ここで、第2検査工程のみでアレイ基板部101を検査する場合に、不備なアレイ基板部が検出されたとする。例えば、信号線Xや走査線Y等のアレイ配線の断線が原因の場合、第2検査工程はカラーフィルタおよび画素電極P形成後に行われるため、下層のアレイ配線の修復修理を行うことができない。しかし、第1検査工程を設けることで、アレイ配線に断線があったとしても、その修復修理を行うことができる。このため、第2検査工程で破棄工程に送られるアレイ基板部101を抑制することができる。また、不備なアレイ基板部101をより早く検出し、修復することにより、歩留まり率を向上し、結果として製造コストを低減することができる。
以上のように構成された、アレイ基板の検査方法及び検査装置によれば、マザー基板100上に互いに隣接して配置されたアレイ基板部101の画面サイズが17インチと大型であり、これらアレイ基板部をEBテスタで検査する場合、隣接した2つのアレイ基板部は跨いで検査される。2つのアレイ基板部101、101を跨がずに検査する場合、電子ビームEBを4回走査する必要があるが、2つのアレイ基板部を跨いで検査した場合、電子ビームEBを3回走査すれば良い。そのため、隣接した2つのアレイ基板部を跨いで検査することにより、アレイ基板部の検査時間を短縮できる。電子ビームEBを走査する回数が低減されると、アライメントマークを検出する回数も低減されるため、一層検査時間を短縮できる。マザー基板100上に形成されたアライメントマークの位置をEBテスタで検出することにより、基板上の画素部の位置を把握することができる。このため、画素部の状態を検査する際、予め画素部の位置を把握した状態で検査することができる。
また、アレイ基板部101を2段階で検査する場合、検査時間が長くなるが、マザー基板100上に形成された複数のアレイ基板部を跨いで検査することにより、全体的な検査に要する時間のリカバリーも行なうことができる。アレイ基板部の検査を行なうことにより、画素部に生じる欠陥を発見することができる。これにより、不良の液晶表示装置の製品流出を抑制することができる。
なお、この発明は、上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、マザー基板100上に互いに隣接して配置されたアレイ基板部を跨いで検査する際は、アレイ基板部101aとアレイ基板部101cを検査しても良く(図11参照)、電子ビームの照射範囲に属するアレイ基板部を検査すれば良い。マザー基板100上に互いに隣接して配置されるアレイ基板部101の画面サイズは17インチ以上の場合も有効であり、2つのアレイ基板部を跨いだ検査ができれば良い。上記したこととは逆に、マザー基板100上に互いに隣接して配置されたアレイ基板部101の画面サイズは15インチ以下の場合も有効であり、2つあるいはそれ以上のアレイ基板部の一部を跨いだ又は全部をカバーした検査ができれば良い。なお、アレイ基板部101の画面サイズは15インチ以上、17インチ以下の場合でも有効である。上記したことは、品種の異なるあるいは大きさの異なる複数のアレイ基板部101がマザー基板100上に隣接して配置される場合においても有効である。
この発明によれば、アレイ基板の検査時間を短縮でき、且つ歩留まり率を向上することができ、結果的には製品価格の低減にも有効となる基板の検査方法、アレイ基板の検査方法、及びアレイ基板の検査装置を提供することができる。
Claims (6)
- マザー基板上に、分断予定線を挟んでそれぞれ形成され、走査線と信号線とを含む配線と、前記走査線と信号線との交点近傍に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、をそれぞれ有した第1アレイ領域と第2アレイ領域とを有する基板の検査方法において、
前記画素電極に対してビーム源から放出される電子ビームを照射し前記画素電極から放出される2次電子の情報によって前記画素電極の欠陥の有無を検査し、
前記電子ビームは、前記マザー基板と前記ビーム源との相対位置関係が固定された状態で、前記第1アレイ領域の少なくとも一部及び前記第2アレイ領域の少なくとも一部を含む照射範囲に照射する基板の検査方法。 - マザー基板上の複数の領域にそれぞれアレイ基板部が形成されており、各アレイ基板部内の画素領域では、複数の走査線と複数の信号線とが交差して形成され、前記複数の走査線と複数の信号線との交差部近傍にそれぞれ画素部が形成され、画素領域の外の領域に、前記複数の走査線に接続されて前記複数の画素部に対して行方向へ順次駆動信号を与える走査線駆動回路が形成され、前記複数の信号線に接続され前記複数の画素部の各列へ信号を供給する信号線駆動回路が形成され、前記走査線駆動回路及び信号線駆動回路に接続されるパッド群が形成されており、
前記マザー基板全体を真空チャンバーに収容し、電子ビームテスタを用いて画素部の検査を行う検査方法において、
電子ビーム走査器による電子ビーム走査でビーム照射される照射範囲を前記複数のアレイ基板部の一部を跨いだ又は全部を同時にカバーした状態に設定し、前記照射範囲に属する各アレイ基板部の画素部の検査情報を取得するアレイ基板の検査方法。 - 前記照射範囲を超えたサイズの前記画素領域を有するアレイ基板部の画素部の検査情報を取得する際、前記アレイ基板部の一部領域の各画素部の検査情報を取得した後、前記アレイ基板部の残りの領域の各画素部の検査情報を取得するとともに、前記アレイ基板部に隣接して配置された他のアレイ基板部の一部領域の各画素部の検査情報を取得する請求項2に記載のアレイ基板の検査方法。
- 前記画素部の検査情報を取得し、前記アレイ基板部の画素部の検査終了した後、前記アレイ基板部にカラーフィルタを形成する請求項3に記載のアレイ基板の検査方法。
- マザー基板上の複数の領域にそれぞれアレイ基板部が形成されており、各アレイ基板部内の画素領域では、複数の走査線と複数の信号線とが交差して形成され、前記複数の走査線と複数の信号線との交差部近傍にそれぞれ画素部が形成され、前記複数の走査線に接続されて前記複数の画素部に対して行方向へ順次駆動信号を与える走査線駆動回路が形成され、前記複数の信号線に接続され前記複数の画素部の各列へ信号を供給する信号線駆動回路が形成され、前記走査線駆動回路及び信号線駆動回路に接続されるパッド群が形成されており、
前記マザー基板全体を真空チャンバーに収容し、電子ビームテスタを用いて画素部の検査を行う検査装置において、
電子ビーム走査器による電子ビーム走査でビーム照射される照射範囲を前記複数のアレイ基板部の一部を跨いだ又は全部を同時にカバーした状態に設定する手段と、前記照射範囲に属する各アレイ基板部の画素部の検査情報を取得する手段と、を有するアレイ基板の検査装置。 - 前記マザー基板は、前記照射範囲を超えたサイズの前記画素領域を有するアレイ基板部が形成され、
前記アレイ基板部の一部領域の各画素部の検査情報を取得する手段と、
前記アレイ基板部の残りの領域の各画素部の検査情報を取得するとともに、前記アレイ基板部に隣接して配置された他のアレイ基板部の一部領域の各画素部の検査情報を取得する手段と、を具備したことを特徴とする請求項5に記載のアレイ基板の検査装置。
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