JP2563958B2 - 液晶ディスプレイ検査装置 - Google Patents
液晶ディスプレイ検査装置Info
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- JP2563958B2 JP2563958B2 JP3778588A JP3778588A JP2563958B2 JP 2563958 B2 JP2563958 B2 JP 2563958B2 JP 3778588 A JP3778588 A JP 3778588A JP 3778588 A JP3778588 A JP 3778588A JP 2563958 B2 JP2563958 B2 JP 2563958B2
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- Japan
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- resistance value
- liquid crystal
- tft
- crystal display
- gate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Liquid Crystal (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は液晶ディスプレイ検査装置に関し、特に液
晶ディスプレイの欠陥検査装置に関するものである。
晶ディスプレイの欠陥検査装置に関するものである。
薄膜トランジスタ（以下、TFTと略す）を数万〜数十
万個内蔵したアクティブ・マトリックス型液晶ディスプ
レイでは、ゴミ、成膜・パターンニング工程における膜
欠陥あるいは膜の応力歪、ラビング時あるいは取り扱い
時の静電気破壊などが原因で多層の膜構造を有する部
分、特にTFTのゲートとソースとの間で短絡欠陥が生じ
やすい。これら短絡欠陥は液晶ディスプレイの動作時に
おいて、致命的な線欠陥となるため、検査装置を用いた
良否判定が必要となる。
万個内蔵したアクティブ・マトリックス型液晶ディスプ
レイでは、ゴミ、成膜・パターンニング工程における膜
欠陥あるいは膜の応力歪、ラビング時あるいは取り扱い
時の静電気破壊などが原因で多層の膜構造を有する部
分、特にTFTのゲートとソースとの間で短絡欠陥が生じ
やすい。これら短絡欠陥は液晶ディスプレイの動作時に
おいて、致命的な線欠陥となるため、検査装置を用いた
良否判定が必要となる。
第４図は液晶ディスプレイ用TFTアレイの電気的等価
回路図、第５図は従来の液晶ディスプレイ検査装置のシ
ステム構成図である。図において、１及び10はTFTアレ
イ、２はTFTアレイ１のゲート11とソース12とを電気的
に接続するためのプローバ、３はゲート11及びソース12
を切り換えるためのリレースキャナ、４はゲート11とソ
ース12との間の絶縁抵抗値を測定するための抵抗計、５
はプローバ2,リレースキャナ３及び抵抗計４を制御する
ためのコンピュータである。14はTFTでゲート11,ソース
12,及びドレイン13から構成されている。
回路図、第５図は従来の液晶ディスプレイ検査装置のシ
ステム構成図である。図において、１及び10はTFTアレ
イ、２はTFTアレイ１のゲート11とソース12とを電気的
に接続するためのプローバ、３はゲート11及びソース12
を切り換えるためのリレースキャナ、４はゲート11とソ
ース12との間の絶縁抵抗値を測定するための抵抗計、５
はプローバ2,リレースキャナ３及び抵抗計４を制御する
ためのコンピュータである。14はTFTでゲート11,ソース
12,及びドレイン13から構成されている。
TFT14のゲート11とソース12との間の絶縁抵抗値が小
さいと液晶ディスプレイで画像を表示した時、TFT14が
常時導通状態となり動作しないため、常時黒線が発生し
液晶ディスプレイとして致命欠陥となる。前記液晶ディ
スプレイの黒線欠陥は前記絶縁抵抗値が例えば200MΩ以
上であれば発生しない。また、TFTアレイ基板10には数
万〜数十万個のTFT14が形成されているため、生産性の
観点から高速検査が必要となり、且つ、前記絶縁抵抗値
の判定値が液晶ディスプレイの歩留りを決定することか
ら高速で且つ高精度の検査装置が必要とされていた。
さいと液晶ディスプレイで画像を表示した時、TFT14が
常時導通状態となり動作しないため、常時黒線が発生し
液晶ディスプレイとして致命欠陥となる。前記液晶ディ
スプレイの黒線欠陥は前記絶縁抵抗値が例えば200MΩ以
上であれば発生しない。また、TFTアレイ基板10には数
万〜数十万個のTFT14が形成されているため、生産性の
観点から高速検査が必要となり、且つ、前記絶縁抵抗値
の判定値が液晶ディスプレイの歩留りを決定することか
ら高速で且つ高精度の検査装置が必要とされていた。
第５図に示した従来の液晶ディスプレイ検査装置は以
上のように構成されているので、200MΩ程度の極めて大
きなTFTのゲートとソース間の絶縁抵抗値を測定する場
合、プローバ及びリレースキャナ自身の絶縁抵抗値の影
響に基づく測定精度の低下、抵抗計の長いセトリング時
間などのために検査精度（例えば±50％）及び検査時間
（例えば60〜180分）に問題があった。
上のように構成されているので、200MΩ程度の極めて大
きなTFTのゲートとソース間の絶縁抵抗値を測定する場
合、プローバ及びリレースキャナ自身の絶縁抵抗値の影
響に基づく測定精度の低下、抵抗計の長いセトリング時
間などのために検査精度（例えば±50％）及び検査時間
（例えば60〜180分）に問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、TFTのゲートとソースとの間の絶縁抵抗値
を高速，高精度で測定し、生産性，検査精度の良好な液
晶ディスプレイ検査装置を提供することを目的とする。
れたもので、TFTのゲートとソースとの間の絶縁抵抗値
を高速，高精度で測定し、生産性，検査精度の良好な液
晶ディスプレイ検査装置を提供することを目的とする。
この発明に係る液晶ディスプレイ検査装置は、集光さ
れた可視光を発する可視光源，プローバ，リレースキャ
ナ，抵抗値測定手段、及びこれらを制御する制御手段を
備え、液晶ディスプレイに内蔵されるTFTに可視光を照
射しながらTFTの被測定端子間の抵抗値を測定し、TFTの
良否検査をするようにしたものである。
れた可視光を発する可視光源，プローバ，リレースキャ
ナ，抵抗値測定手段、及びこれらを制御する制御手段を
備え、液晶ディスプレイに内蔵されるTFTに可視光を照
射しながらTFTの被測定端子間の抵抗値を測定し、TFTの
良否検査をするようにしたものである。
本発明の液晶ディスプレイ検査装置によれば、TFTの
被測定端子間の絶縁抵抗値測定に際し、集光された可視
光をTFTに照射するようにしたので、ゲート絶縁膜を介
して被測定端子間に形成されたアモルファス・シリコン
の光感応効果で被測定端子間の絶縁抵抗値が下がり、被
測定端子間の絶縁抵抗値に対するプローバ及びリレース
キャナ自身の絶縁抵抗値の影響が低減し、かつ抵抗計の
セトリング時間が短縮するので、抵抗値測定の速度及び
精度を向上させることができる。
被測定端子間の絶縁抵抗値測定に際し、集光された可視
光をTFTに照射するようにしたので、ゲート絶縁膜を介
して被測定端子間に形成されたアモルファス・シリコン
の光感応効果で被測定端子間の絶縁抵抗値が下がり、被
測定端子間の絶縁抵抗値に対するプローバ及びリレース
キャナ自身の絶縁抵抗値の影響が低減し、かつ抵抗計の
セトリング時間が短縮するので、抵抗値測定の速度及び
精度を向上させることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の液晶ディスプレイ検査装置のシステ
ム構成図、第２図は液晶ディスプレイ検査装置の検査原
理を説明するためのTFTアレイの断面図である。第１
図，第２図において、１はTFTアレイ、２はプローバ、
３はリレー・スキャナ、４は抵抗計、５はコンピュー
タ、６は可視レーザ、14はTFT、100はガラス基板、110
は材料がクロムでその膜厚が0.1〜0.3μｍのゲート、12
0及び130はアルミよりなるソース及びドレイン、200は
窒化シリコンなどの材料よりなるゲート絶縁膜、300は
アモルファス・シリコン、400はレーザ・ビームであ
る。
ム構成図、第２図は液晶ディスプレイ検査装置の検査原
理を説明するためのTFTアレイの断面図である。第１
図，第２図において、１はTFTアレイ、２はプローバ、
３はリレー・スキャナ、４は抵抗計、５はコンピュー
タ、６は可視レーザ、14はTFT、100はガラス基板、110
は材料がクロムでその膜厚が0.1〜0.3μｍのゲート、12
0及び130はアルミよりなるソース及びドレイン、200は
窒化シリコンなどの材料よりなるゲート絶縁膜、300は
アモルファス・シリコン、400はレーザ・ビームであ
る。
第１図において、検査されるTFTアレイ10上のTFT14は
プローバ２及びリレースキャナ３を介して抵抗計４でコ
ンピュータ５で制御されながら順次ゲート110とソース1
20との間の絶縁抵抗値が測定され、その際、コンピュー
タ５でオン・オフが制御され光学系で集光された可視レ
ーザ６からレーザ・ビーム400がTFT14に照射される。可
視レーザ６としてはパルス的に制御された緑色の第２高
調波YAGレーザ・キセノン・レーザ、アルゴン・イオン
レーザ、赤色のヘリウム・ネオンレーザなどが用いられ
る。
プローバ２及びリレースキャナ３を介して抵抗計４でコ
ンピュータ５で制御されながら順次ゲート110とソース1
20との間の絶縁抵抗値が測定され、その際、コンピュー
タ５でオン・オフが制御され光学系で集光された可視レ
ーザ６からレーザ・ビーム400がTFT14に照射される。可
視レーザ６としてはパルス的に制御された緑色の第２高
調波YAGレーザ・キセノン・レーザ、アルゴン・イオン
レーザ、赤色のヘリウム・ネオンレーザなどが用いられ
る。
次に第２図のTFTアレイ基板の断面図を用いて検査原
理を説明する。TFT14のゲート110とソース120との間の
絶縁抵抗値を抵抗計（図示せず）で測定している時、TF
T14に可視レーザ（図示せず）からのレーザ・ビーム400
を照射するとアモルファス・シリコン300が光感応性を
もつため、ゲート110とソース120との間の抵抗値が１〜
３桁低下する。尚、レーザ・ビーム400はガラス基板10
0,ゲート110及びゲート絶縁膜200を介してアモルファス
・シリコン300に照射されるが、ゲート110の膜厚が0.1
〜0.3μｍのように薄いこと、ゲート絶縁膜200が可視光
を透過することなどからアモルファス・シリコン300の
光感応効果は十分なものが得られる。その結果、TFTア
レイ１の良否検査はTFT14のゲート110とソース120との
間の低い絶縁抵抗値を測定し判定すればよいことにな
り、ゲート110とソース120間の絶縁抵抗値に対するプロ
ーバ２及びリレースキャナ３自身の絶縁抵抗値の影響が
低減し、しかも抵抗計４のセトリング時間が少なくとも
従来の装置における抵抗計４のセトリング時間の1/100
以下に短縮するので、液晶ディスプレイの検査速度を大
幅に速くでき、しかも検査精度の向上も図ることができ
る。
理を説明する。TFT14のゲート110とソース120との間の
絶縁抵抗値を抵抗計（図示せず）で測定している時、TF
T14に可視レーザ（図示せず）からのレーザ・ビーム400
を照射するとアモルファス・シリコン300が光感応性を
もつため、ゲート110とソース120との間の抵抗値が１〜
３桁低下する。尚、レーザ・ビーム400はガラス基板10
0,ゲート110及びゲート絶縁膜200を介してアモルファス
・シリコン300に照射されるが、ゲート110の膜厚が0.1
〜0.3μｍのように薄いこと、ゲート絶縁膜200が可視光
を透過することなどからアモルファス・シリコン300の
光感応効果は十分なものが得られる。その結果、TFTア
レイ１の良否検査はTFT14のゲート110とソース120との
間の低い絶縁抵抗値を測定し判定すればよいことにな
り、ゲート110とソース120間の絶縁抵抗値に対するプロ
ーバ２及びリレースキャナ３自身の絶縁抵抗値の影響が
低減し、しかも抵抗計４のセトリング時間が少なくとも
従来の装置における抵抗計４のセトリング時間の1/100
以下に短縮するので、液晶ディスプレイの検査速度を大
幅に速くでき、しかも検査精度の向上も図ることができ
る。
なお、上記実施例ではTFTアレイ（第２図）の検査装
置を示したが、第３図に示すようなTFTパネルについて
も上記実施例と同様の効果を得ることができる。TFTパ
ネルとはTFTアレイ10と対向基板20との間にシール層600
を介して液晶500を封入したものである。対向基板20に
はカラー・フイルター140及びコモン・パターン150が形
成されている。
置を示したが、第３図に示すようなTFTパネルについて
も上記実施例と同様の効果を得ることができる。TFTパ
ネルとはTFTアレイ10と対向基板20との間にシール層600
を介して液晶500を封入したものである。対向基板20に
はカラー・フイルター140及びコモン・パターン150が形
成されている。
また、上記実施例ではTFT14に照射する可視光として
は可視レーザ６からのレーザ・ビーム400を用いたが、
この可視レーザ６の代わりに所要の光量が得られ、且つ
コンピュータ５で高速オン・オフ制御ができるパルス的
に制御された発光ダイオード（LED）などの可視光源を
用いても良いことは勿論である。
は可視レーザ６からのレーザ・ビーム400を用いたが、
この可視レーザ６の代わりに所要の光量が得られ、且つ
コンピュータ５で高速オン・オフ制御ができるパルス的
に制御された発光ダイオード（LED）などの可視光源を
用いても良いことは勿論である。
さらに上記実施例ではTFT14のゲート120とソース130
との間の絶縁抵抗値測定には抵抗計５を用いたが、この
抵抗計５の代わりにゲート120とソース130との間に所定
の電圧を印加しそのリーク電流を測定する微小電流計を
使用してもよい。
との間の絶縁抵抗値測定には抵抗計５を用いたが、この
抵抗計５の代わりにゲート120とソース130との間に所定
の電圧を印加しそのリーク電流を測定する微小電流計を
使用してもよい。
以上のようにこの発明に係る液晶ディスプレイ検査装
置によれば、液晶ディスプレイ検査装置を可視光源、プ
ローバ、リレースキャナー、抵抗計及びこれらを制御す
るためのコンピュータで構成し、液晶ディスプレイに内
蔵されるTFTに可視光を照射しながら被測定端子間の絶
縁抵抗値を測定するようにしたので、TFTの被測定端子
間の絶縁抵抗値が低下し、そのため、TFTの被測定端子
間の絶縁抵抗値に対するプローバ及びリレースキャナ自
身の絶縁抵抗値の影響を低減でき、しかも抵抗計のセト
リング時間の短縮を図ることができるので、液晶ディス
プレイを高速度・高精度を検査できる効果がある。
置によれば、液晶ディスプレイ検査装置を可視光源、プ
ローバ、リレースキャナー、抵抗計及びこれらを制御す
るためのコンピュータで構成し、液晶ディスプレイに内
蔵されるTFTに可視光を照射しながら被測定端子間の絶
縁抵抗値を測定するようにしたので、TFTの被測定端子
間の絶縁抵抗値が低下し、そのため、TFTの被測定端子
間の絶縁抵抗値に対するプローバ及びリレースキャナ自
身の絶縁抵抗値の影響を低減でき、しかも抵抗計のセト
リング時間の短縮を図ることができるので、液晶ディス
プレイを高速度・高精度を検査できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による液晶ディスプレイ検査
装置のシステム構成図、第２図は本発明の一実施例によ
る液晶ディスプレイ検査装置の検査原理を説明するため
のTFTアレイの断面図、第３図は本発明の他の実施例に
よる液晶ディスプレイ検査装置のTFTパネルの断面図、
第４図はTFTアレイの等価電気回路図、第５図は従来の
液晶ディスプレイ検査装置のシステム構成図である。 1,10はTFTアレイ、２はプローバ、３はリレー・スキャ
ナ、４は抵抗計、５はコンピュータ、６は可視レーザ、
11,110はゲート、12,120はソース、13,130はドレイン、
20は対向基板、100はガラス基板、140はカラー・フィル
タ、150はコモン・パターン、200はゲート絶縁膜、300
はアモルファス・シリコン、400はレーザ・ビーム、500
は液晶、600はシール層である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
装置のシステム構成図、第２図は本発明の一実施例によ
る液晶ディスプレイ検査装置の検査原理を説明するため
のTFTアレイの断面図、第３図は本発明の他の実施例に
よる液晶ディスプレイ検査装置のTFTパネルの断面図、
第４図はTFTアレイの等価電気回路図、第５図は従来の
液晶ディスプレイ検査装置のシステム構成図である。 1,10はTFTアレイ、２はプローバ、３はリレー・スキャ
ナ、４は抵抗計、５はコンピュータ、６は可視レーザ、
11,110はゲート、12,120はソース、13,130はドレイン、
20は対向基板、100はガラス基板、140はカラー・フィル
タ、150はコモン・パターン、200はゲート絶縁膜、300
はアモルファス・シリコン、400はレーザ・ビーム、500
は液晶、600はシール層である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】液晶ディスプレイに内蔵される薄膜トラン
ジスタの被測定端子間を電気的に接続するプローバと、 上記被測定端子間を切り換えるリレースキャナと、 上記被測定端子間の抵抗値を測定する抵抗値測定手段
と、 集光された可視光を発する可視光源と、 上記薄膜トランジスタに上記可視光を照射しながら上記
被測定端子間の抵抗値を測定するよう上記可視光源，プ
ローバ，リレースキャナ及び抵抗値測定手段を制御する
制御手段とを備えたことを特徴とする液晶ディスプレイ
検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3778588A JP2563958B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 液晶ディスプレイ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3778588A JP2563958B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 液晶ディスプレイ検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212328A JPH01212328A (ja) | 1989-08-25 |
| JP2563958B2 true JP2563958B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=12507142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3778588A Expired - Lifetime JP2563958B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 液晶ディスプレイ検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2563958B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3107039B2 (ja) | 1998-03-20 | 2000-11-06 | 日本電気株式会社 | 面光源プローバ装置及び検査方法 |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP3778588A patent/JP2563958B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01212328A (ja) | 1989-08-25 |
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