JP3010712B2 - アクティブマトリクス基板の欠陥修復方法 - Google Patents
アクティブマトリクス基板の欠陥修復方法Info
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- JP3010712B2 JP3010712B2 JP25537490A JP25537490A JP3010712B2 JP 3010712 B2 JP3010712 B2 JP 3010712B2 JP 25537490 A JP25537490 A JP 25537490A JP 25537490 A JP25537490 A JP 25537490A JP 3010712 B2 JP3010712 B2 JP 3010712B2
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 マトリクス型表示パネル及びその断線修復方法に関
し、 リーク電流による欠陥を適切に検出してそのような欠
陥を処置できるようにすることを目的とし、 アクティブマトリクス基板の走査電極線と信号電極線
に電圧を印加し、微弱発光の位置を検出し、発光の位置
がトランジスタ部か走査電極線と信号電極線の交差部か
を判断し、発光の位置をリーク電流有りと判断してトラ
ンジスタ部か交差部かに従って修復する構成とする。
し、 リーク電流による欠陥を適切に検出してそのような欠
陥を処置できるようにすることを目的とし、 アクティブマトリクス基板の走査電極線と信号電極線
に電圧を印加し、微弱発光の位置を検出し、発光の位置
がトランジスタ部か走査電極線と信号電極線の交差部か
を判断し、発光の位置をリーク電流有りと判断してトラ
ンジスタ部か交差部かに従って修復する構成とする。
〔産業上の利用分野〕 本発明は例えば液晶表示装置等のアクティブマトリク
ス基板の欠陥修復方法及び装置に関する。
ス基板の欠陥修復方法及び装置に関する。
最近、液晶表示装置は、陰極線管（CRT）表示装置に
代わるテレビ受像装置として期待されてきている。液晶
表示装置をカラーテレビやハイビジョンテレビ等として
使用するためには多数の画素からなる高解像度を備える
ことが必要であり、このためにはアクティブマトリクス
駆動回路を設けることが必要と思われている。
代わるテレビ受像装置として期待されてきている。液晶
表示装置をカラーテレビやハイビジョンテレビ等として
使用するためには多数の画素からなる高解像度を備える
ことが必要であり、このためにはアクティブマトリクス
駆動回路を設けることが必要と思われている。
液晶表示装置の一例が第７図に示されており、これは
透明なガラス等の上基板10と下基板12との間に液晶14を
封入し、上基板10には透明な全面電極16を設けるととも
に、下基板12には小さな面積の多数の画素電極18を設け
てある。各画素電極18はスイッチとしてのトランジスタ
（FET）20に接続され、各画素電極18と全面電極16との
間に印加される電圧の変化により液晶14の透過特性を変
化させつつ上基板10に画像を形成する。なお、FET 20は
非晶質シリコン等の半導体21を含み、ゲート22、ドレー
ン24、ソース26からなる。ゲート22とソース26及びドレ
ーン24との間には絶縁層28が形成され、ソース26及びド
レーン24の上には保護層30が形成される。ゲート22、ソ
ース26、及びドレーン24はそれぞれゲート電極（図示せ
ず）、ソース電極26a、ドレーン電極24aに接続される。
ソース電極26aが画素電極18に接続される。
透明なガラス等の上基板10と下基板12との間に液晶14を
封入し、上基板10には透明な全面電極16を設けるととも
に、下基板12には小さな面積の多数の画素電極18を設け
てある。各画素電極18はスイッチとしてのトランジスタ
（FET）20に接続され、各画素電極18と全面電極16との
間に印加される電圧の変化により液晶14の透過特性を変
化させつつ上基板10に画像を形成する。なお、FET 20は
非晶質シリコン等の半導体21を含み、ゲート22、ドレー
ン24、ソース26からなる。ゲート22とソース26及びドレ
ーン24との間には絶縁層28が形成され、ソース26及びド
レーン24の上には保護層30が形成される。ゲート22、ソ
ース26、及びドレーン24はそれぞれゲート電極（図示せ
ず）、ソース電極26a、ドレーン電極24aに接続される。
ソース電極26aが画素電極18に接続される。
第６図に示されるように、アクティブマトリクス駆動
回路は複数本の走査電極線Ｘと複数本の信号電極線Ｙと
が交差したマトリクス状に配置されたものである。FET
20は走査電極線Ｘと信号電極線Ｙに跨がって配置され、
すなわち、各FET 20のゲート電極が走査電極線Ｘに接続
され、ドレーン電極26aは信号電極線Ｙに接続される。
このようなアクティブマトリクス駆動回路は、下基板12
上に全てのFET 20並びに走査電極線Ｘ及び信号電極線Ｙ
を作り込んだ集積構造として構成されるようになってお
り、そのような集積構造は例えば薄膜トランジスタ（TF
T）として公知である。以下本発明では、FET 20並びに
走査電極線Ｘ及び信号電極線Ｙを作り込んだ下基板21を
アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
回路は複数本の走査電極線Ｘと複数本の信号電極線Ｙと
が交差したマトリクス状に配置されたものである。FET
20は走査電極線Ｘと信号電極線Ｙに跨がって配置され、
すなわち、各FET 20のゲート電極が走査電極線Ｘに接続
され、ドレーン電極26aは信号電極線Ｙに接続される。
このようなアクティブマトリクス駆動回路は、下基板12
上に全てのFET 20並びに走査電極線Ｘ及び信号電極線Ｙ
を作り込んだ集積構造として構成されるようになってお
り、そのような集積構造は例えば薄膜トランジスタ（TF
T）として公知である。以下本発明では、FET 20並びに
走査電極線Ｘ及び信号電極線Ｙを作り込んだ下基板21を
アクティブマトリクス基板と呼ぶ。
上記したように、アクティブマトリクス基板はFET 20
並びに走査電極線Ｘ及び信号電極線Ｙを形成し、通常は
その上に保護層30を形成したものである。走査電極線Ｘ
及び信号電極線Ｙは第６図では簡単化のために３本ずつ
しか示されていないが、液晶表示装置をテレビとして使
用する場合には約500本あるいは1200本になる場合もあ
る。このような大規模な集積構造では、製造中には何度
か試験を行い、FET 20並びに走査電極線Ｘ及び信号電極
線Ｙに欠陥がないかどうか試験する。しかし、そのよう
な試験にもかかわらず製造後に絶縁層においてリーク電
流が発生することがある。例えば、第７図にＰで示すよ
うに、各FET 20部において、ゲート22とドレーン24との
間、又はゲート22とソース26との間でリーク電流が発生
することがある。あるいは、第６図にＱで示すように、
走査電極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部でリーク電流が
発生することがある。そのようなリーク電流が発生する
とアクティブマトリクス基板は不良品になるので、リー
ク電流の発生部位を検出して、そのような欠陥を修復す
ることができれば製品の歩留りを上げることができる。
並びに走査電極線Ｘ及び信号電極線Ｙを形成し、通常は
その上に保護層30を形成したものである。走査電極線Ｘ
及び信号電極線Ｙは第６図では簡単化のために３本ずつ
しか示されていないが、液晶表示装置をテレビとして使
用する場合には約500本あるいは1200本になる場合もあ
る。このような大規模な集積構造では、製造中には何度
か試験を行い、FET 20並びに走査電極線Ｘ及び信号電極
線Ｙに欠陥がないかどうか試験する。しかし、そのよう
な試験にもかかわらず製造後に絶縁層においてリーク電
流が発生することがある。例えば、第７図にＰで示すよ
うに、各FET 20部において、ゲート22とドレーン24との
間、又はゲート22とソース26との間でリーク電流が発生
することがある。あるいは、第６図にＱで示すように、
走査電極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部でリーク電流が
発生することがある。そのようなリーク電流が発生する
とアクティブマトリクス基板は不良品になるので、リー
ク電流の発生部位を検出して、そのような欠陥を修復す
ることができれば製品の歩留りを上げることができる。
従来、顕微鏡を用いてFET 20の検査を行うことがあっ
た。しかし、顕微鏡検査は外観検査であり、FET 20に構
造的な異常がないかどうかを判断できるだけであり、電
気的に異常がないかどうかを判断することはできなかっ
た。そこで、リーク電流の発生の検出は、走査電極線Ｘ
と信号電極線Ｙとの間に電流を流しながら行うことが必
要である。例えば、ある特定の走査電極線Ｘと信号電極
線Ｙとの間で異常電流が検出されたら、その走査電極線
Ｘと信号電極線Ｙに跨がった位置のFET 20が異常である
と判断することができ、そのFET 20を処理すればよいこ
とになる。
た。しかし、顕微鏡検査は外観検査であり、FET 20に構
造的な異常がないかどうかを判断できるだけであり、電
気的に異常がないかどうかを判断することはできなかっ
た。そこで、リーク電流の発生の検出は、走査電極線Ｘ
と信号電極線Ｙとの間に電流を流しながら行うことが必
要である。例えば、ある特定の走査電極線Ｘと信号電極
線Ｙとの間で異常電流が検出されたら、その走査電極線
Ｘと信号電極線Ｙに跨がった位置のFET 20が異常である
と判断することができ、そのFET 20を処理すればよいこ
とになる。
しかして、このような電気的な検査によって不良と判
定されたFET 20の処置（切断）を行った後で、その走査
電極線Ｘと信号電極線Ｙとの間に電流を流して検査を行
った結果、再度異常電流が検出された。この結果から、
FET 20には最初から異常がなく、走査電極線Ｘと信号電
極線Ｙとの交差部でリーク電流が発生していたと推定さ
れる。この場合、FET 20は良品であるにもかかわらず処
置してしまい、そのような処置の後で良品であることが
分かったことになる。このように、従来の電気的な検査
方法では、リーク電流の発生が検出されても、異常がFE
T 20にあるのか、あるいはその他の部位にあるのかを判
定することができず、適切な処置を行うことができなか
った。
定されたFET 20の処置（切断）を行った後で、その走査
電極線Ｘと信号電極線Ｙとの間に電流を流して検査を行
った結果、再度異常電流が検出された。この結果から、
FET 20には最初から異常がなく、走査電極線Ｘと信号電
極線Ｙとの交差部でリーク電流が発生していたと推定さ
れる。この場合、FET 20は良品であるにもかかわらず処
置してしまい、そのような処置の後で良品であることが
分かったことになる。このように、従来の電気的な検査
方法では、リーク電流の発生が検出されても、異常がFE
T 20にあるのか、あるいはその他の部位にあるのかを判
定することができず、適切な処置を行うことができなか
った。
本発明はリーク電流による欠陥を適切に検出してその
ような欠陥を処置できるようにしたアクティブマトリク
ス基板の欠陥修復方法及び装置を提供することを目的と
するものである。
ような欠陥を処置できるようにしたアクティブマトリク
ス基板の欠陥修復方法及び装置を提供することを目的と
するものである。
本発明のアクティブマトリクス基板の欠陥修復方法
は、複数本の走査電極線（Ｘ）と複数本の信号電極線
（Ｙ）とが交差したマトリクス状に配置され、これらの
走査電極線と信号電極線に跨がってスイッチとしてのト
ランジスタを設けたアクティブマトリクス基板の欠陥修
復方法であって、該アクティブマトリクス基板の走査電
極線と信号電極線に電圧を印加し、光学装置で第１の倍
率で該アクティブマトリクス基板の表面の一部の領域の
微弱発光の位置を検出し、該アクティブマトリクス基板
の検出された微弱発光の位置をリーク電流有りと判断し
前記光学装置で第１の倍率より大きい第２の倍率でアク
ティブマトリクス基板の表面の前記一部の領より狭い領
域で微弱発光の位置を検出し、発光の位置がトランジス
タ部か走査電極線と信号電極線の交差部かを判断し、該
アクティブマトリクス基板の検出された微弱発光の位置
をリーク電流有りと判断してトランジスタ部か交差部か
に従って修復することを特徴とするものである。
は、複数本の走査電極線（Ｘ）と複数本の信号電極線
（Ｙ）とが交差したマトリクス状に配置され、これらの
走査電極線と信号電極線に跨がってスイッチとしてのト
ランジスタを設けたアクティブマトリクス基板の欠陥修
復方法であって、該アクティブマトリクス基板の走査電
極線と信号電極線に電圧を印加し、光学装置で第１の倍
率で該アクティブマトリクス基板の表面の一部の領域の
微弱発光の位置を検出し、該アクティブマトリクス基板
の検出された微弱発光の位置をリーク電流有りと判断し
前記光学装置で第１の倍率より大きい第２の倍率でアク
ティブマトリクス基板の表面の前記一部の領より狭い領
域で微弱発光の位置を検出し、発光の位置がトランジス
タ部か走査電極線と信号電極線の交差部かを判断し、該
アクティブマトリクス基板の検出された微弱発光の位置
をリーク電流有りと判断してトランジスタ部か交差部か
に従って修復することを特徴とするものである。
本発明は走査電極線と信号電極線に電圧を印加すると
アクティブマトリクス基板の表面に微弱発光があらわ
れ、そのような微弱発光がリーク電流の発生によりあら
われたものであることに着想したことに基づくものであ
る。従って、アクティブマトリクス基板の走査電極線と
信号電極線に電圧を印加し、該アクティブマトリクス基
板の表面の微弱発光の位置を検出し、微弱発光の位置を
リーク電流有りと判断して修復する。このような微弱発
光の位置の検出は、例えば顕微鏡を使用して行うことが
でき、顕微鏡の倍率を上げることによって発光の位置が
トランジスタ部か走査電極線と信号電極線の効差部かを
判断することができる。
アクティブマトリクス基板の表面に微弱発光があらわ
れ、そのような微弱発光がリーク電流の発生によりあら
われたものであることに着想したことに基づくものであ
る。従って、アクティブマトリクス基板の走査電極線と
信号電極線に電圧を印加し、該アクティブマトリクス基
板の表面の微弱発光の位置を検出し、微弱発光の位置を
リーク電流有りと判断して修復する。このような微弱発
光の位置の検出は、例えば顕微鏡を使用して行うことが
でき、顕微鏡の倍率を上げることによって発光の位置が
トランジスタ部か走査電極線と信号電極線の効差部かを
判断することができる。
第１図は本発明の実施例によるアクティブマトリクス
基板の欠陥修復装置を示す図である。アクティブマトリ
クス基板12は例えば第７図に示したような液晶表示装置
に適用され、第６図に示したような走査電極線Ｘ及び信
号電極線Ｙ、並びにFET 20が設けられたものである。
基板の欠陥修復装置を示す図である。アクティブマトリ
クス基板12は例えば第７図に示したような液晶表示装置
に適用され、第６図に示したような走査電極線Ｘ及び信
号電極線Ｙ、並びにFET 20が設けられたものである。
アクティブマトリクス基板12はプローバ40に取りつけ
られるようになっている。プローバ40はアクティブマト
リクス基板12を支持するとともに、一対の可動のプロー
バ電極42,44を有する。一方のプローバ電極42はアクテ
ィブマトリクス基板12上の例えば約500本の走査電極線
Ｘの内の一部、例えば10本の走査電極線Ｘに接触し、順
次に位置を変えて10本の走査電極線Ｘに電流を供給する
ようになっている。他方のプローバ電極44も同様であ
り、例えば約1000本の信号電極線Ｙの内の一部、例えば
10本の信号電極線Ｙに接触し、順次に位置を変えて電流
を供給する。従って、アクティブマトリクス基板12上の
一部の領域12aに電圧が印加され、この領域12aも順次に
変わっていく。
られるようになっている。プローバ40はアクティブマト
リクス基板12を支持するとともに、一対の可動のプロー
バ電極42,44を有する。一方のプローバ電極42はアクテ
ィブマトリクス基板12上の例えば約500本の走査電極線
Ｘの内の一部、例えば10本の走査電極線Ｘに接触し、順
次に位置を変えて10本の走査電極線Ｘに電流を供給する
ようになっている。他方のプローバ電極44も同様であ
り、例えば約1000本の信号電極線Ｙの内の一部、例えば
10本の信号電極線Ｙに接触し、順次に位置を変えて電流
を供給する。従って、アクティブマトリクス基板12上の
一部の領域12aに電圧が印加され、この領域12aも順次に
変わっていく。
プローバ40及びアクティブマトリクス基板12の上方に
は超高感度顕微鏡カメラ46が配置され、アクティブマト
リクス基板12の表面にあらわれる発光を観察し、且つ撮
影するようになっている。発光位置検出手段48は顕微鏡
カメラ46自体でもよいが、好ましくは撮影した画像を処
理する画像処理装置を含み、画像処理装置で発光の位置
を読み取る。顕微鏡カメラ46と組み合わせ可能な画像処
理装置は、例えば浜松ホトニクスC2700を利用できる。
は超高感度顕微鏡カメラ46が配置され、アクティブマト
リクス基板12の表面にあらわれる発光を観察し、且つ撮
影するようになっている。発光位置検出手段48は顕微鏡
カメラ46自体でもよいが、好ましくは撮影した画像を処
理する画像処理装置を含み、画像処理装置で発光の位置
を読み取る。顕微鏡カメラ46と組み合わせ可能な画像処
理装置は、例えば浜松ホトニクスC2700を利用できる。
制御装置50は例えば演算と制御の機能を有する中央処
理装置（CPU）と、プログラム及びデータ等を記憶させ
るメモリからなる。制御装置50は主な機能として電圧印
加位置設定手段52と、発光位置記憶手段54とを有する。
電圧印加位置設定手段52はプローバ電極42,44の位置及
び電圧印加時期を制御して、アクティブマトリクス基板
12の走査すべき領域12aを指定する。発光位置記憶手段5
2は発光位置検出手段48で得られた発光の位置を記憶し
ておく。
理装置（CPU）と、プログラム及びデータ等を記憶させ
るメモリからなる。制御装置50は主な機能として電圧印
加位置設定手段52と、発光位置記憶手段54とを有する。
電圧印加位置設定手段52はプローバ電極42,44の位置及
び電圧印加時期を制御して、アクティブマトリクス基板
12の走査すべき領域12aを指定する。発光位置記憶手段5
2は発光位置検出手段48で得られた発光の位置を記憶し
ておく。
さらに、欠陥修復手段56はプローバ40上で検出したア
クティブマトリクス基板12の欠陥を発光位置記憶手段54
の記憶内容に従って修復するものである。欠陥修復手段
56は、例えばマイクロン社のＬ−1Dレーザーリペア装置
56aを利用することができる。Ｌ−1Dレーザーリペア装
置56aは挿入口56bに通じる内部室に設けたＸ−Ｙテーブ
ル56cと、レーザー光源56dと、キーボード56eを備え、
レーザーの照射による回路部分の切断と、導体雰囲気中
でレーザーを照射することによって回路部分に導体を付
着（デポジット）させて修復とを行うことができる。ア
クティブマトリクス基板12の発光の位置等はキーボード
56eから入力することができるが、制御装置50から直接
に入力することもできる。
クティブマトリクス基板12の欠陥を発光位置記憶手段54
の記憶内容に従って修復するものである。欠陥修復手段
56は、例えばマイクロン社のＬ−1Dレーザーリペア装置
56aを利用することができる。Ｌ−1Dレーザーリペア装
置56aは挿入口56bに通じる内部室に設けたＸ−Ｙテーブ
ル56cと、レーザー光源56dと、キーボード56eを備え、
レーザーの照射による回路部分の切断と、導体雰囲気中
でレーザーを照射することによって回路部分に導体を付
着（デポジット）させて修復とを行うことができる。ア
クティブマトリクス基板12の発光の位置等はキーボード
56eから入力することができるが、制御装置50から直接
に入力することもできる。
次に第４図のフローチャートを参照して、実施例の作
動について説明する。ステップ60において電圧印加領域
を設定する。これはプローバ40のプローバ電極42,44の
位置を定め、アクティブマトリクス基板12の一部の領域
12aを設定するものである。ステップ61においてプロー
バ電極42,44からアクティブマトリクス基板12の選択し
た領域12aに電圧を印加し、且つ発光位置検出手段48で
アクティブマトリクス基板12の表面の発光を検出する。
このときの顕微鏡カメラ46の視野の一例が第２図に示さ
れており、選択した領域12aに発光Ｌがある場合を示し
ている。ステップ62において発光があるかないかを判定
する。イエスであればステップ63に進み、ノーであれば
ステップ67に進む。
動について説明する。ステップ60において電圧印加領域
を設定する。これはプローバ40のプローバ電極42,44の
位置を定め、アクティブマトリクス基板12の一部の領域
12aを設定するものである。ステップ61においてプロー
バ電極42,44からアクティブマトリクス基板12の選択し
た領域12aに電圧を印加し、且つ発光位置検出手段48で
アクティブマトリクス基板12の表面の発光を検出する。
このときの顕微鏡カメラ46の視野の一例が第２図に示さ
れており、選択した領域12aに発光Ｌがある場合を示し
ている。ステップ62において発光があるかないかを判定
する。イエスであればステップ63に進み、ノーであれば
ステップ67に進む。
ステップ62において発光があると判定された場合に
は、ステップ63で顕微鏡カメラ46の倍率を上げ、発光の
位置を判定する。このときの顕微鏡カメラ46の視野の一
例が第３図に示されている。第３図では単位FET 20がア
ップして見えており、ゲート22、ソース26、ドレーン24
が平行に並んで延びているのが分かる。また、走査電極
線Ｘと信号電極線Ｙの一部も見えている。発光Ｌはあき
らかにゲート22とドレーン24とが重なる位置にあらわれ
ており、これは第７図にＰで示したようにゲート22とド
レーン24との間の絶縁層28を通るリーク電流によるもの
である。もし走査電極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部で
リーク電流が発生する場合には、第３図の発光Ｌの位置
から左上の場所で信号電極線Ｙの上に発光があらわれ、
これは第３図のFET 20部の発光Ｌとは明瞭に判別でき
る。
は、ステップ63で顕微鏡カメラ46の倍率を上げ、発光の
位置を判定する。このときの顕微鏡カメラ46の視野の一
例が第３図に示されている。第３図では単位FET 20がア
ップして見えており、ゲート22、ソース26、ドレーン24
が平行に並んで延びているのが分かる。また、走査電極
線Ｘと信号電極線Ｙの一部も見えている。発光Ｌはあき
らかにゲート22とドレーン24とが重なる位置にあらわれ
ており、これは第７図にＰで示したようにゲート22とド
レーン24との間の絶縁層28を通るリーク電流によるもの
である。もし走査電極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部で
リーク電流が発生する場合には、第３図の発光Ｌの位置
から左上の場所で信号電極線Ｙの上に発光があらわれ、
これは第３図のFET 20部の発光Ｌとは明瞭に判別でき
る。
こうしてステップ64でFET 20部の発光Ｌかどうかを判
定し、イエスの場合にはステップ69で発光Ｌの位置を記
憶する。この場合、発光Ｌの位置とはアクティブマトリ
クス基板12上の単位FET 20の位置であり、これは走査電
極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部に対して判別された位
置である。ステップ64でノーの場合にはステップ65で走
査電極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部（バス部）の発光
がどうかを判定し、イエスの場合にはステップ70でバス
部の位置を記憶する。ステップ65でノーになるのはステ
ップ62を通った結果から見て別の異常の可能性を含み、
例外的な措置としてステップ65でハードコピーを出力さ
せてステップ71に進む。なお、ステップ69,70の後もス
テップ71に進む。
定し、イエスの場合にはステップ69で発光Ｌの位置を記
憶する。この場合、発光Ｌの位置とはアクティブマトリ
クス基板12上の単位FET 20の位置であり、これは走査電
極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部に対して判別された位
置である。ステップ64でノーの場合にはステップ65で走
査電極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部（バス部）の発光
がどうかを判定し、イエスの場合にはステップ70でバス
部の位置を記憶する。ステップ65でノーになるのはステ
ップ62を通った結果から見て別の異常の可能性を含み、
例外的な措置としてステップ65でハードコピーを出力さ
せてステップ71に進む。なお、ステップ69,70の後もス
テップ71に進む。
ステップ71では、ステップ62の判定状態でさらに他の
発光があるかどうかを判断し、イエスであればステップ
63に戻って前に説明した手順を繰り返し、ノーであれば
ステップ67に進んで全領域完了かどうかを判断する。ス
テップ67でノーの場合にはステップ68に進み、プローバ
40のプローバ電極42,44の位置を変えて次の領域の検出
を行う。ステップ67でイエスになれば発光の検出は終了
する。
発光があるかどうかを判断し、イエスであればステップ
63に戻って前に説明した手順を繰り返し、ノーであれば
ステップ67に進んで全領域完了かどうかを判断する。ス
テップ67でノーの場合にはステップ68に進み、プローバ
40のプローバ電極42,44の位置を変えて次の領域の検出
を行う。ステップ67でイエスになれば発光の検出は終了
する。
ここで、リーク電流による発光について説明する。ア
クティブマトリクス基板12では１×10-7A程度のリーク
電流を検出する必要があり、そのリーク電流にょる発光
はかなり微弱である。上記した超高感度顕微鏡カメラ46
では、第３図に示したように単位FET 20がアップになる
ほどの倍率でこのような微弱な発光をFET 20部かバス部
か判別しながら捕らえることができるが、アクティブマ
トリクス基板12全体が見える程度の倍率では発光を認識
することができない。最初から第３図のような倍率で検
出を行うと数千から数万個に達する多数のFET 20を走査
することが必要になり、面倒で困難な作業になる。最初
にステップ60から62の手順でアクティブマトリクス基板
12の分割された領域12a毎に何とか見える発光の有無を
調べ、次にステップ63から65で発光の位置を検出してい
るのは、微弱な発光の位置を効率よく調べるためであ
る。
クティブマトリクス基板12では１×10-7A程度のリーク
電流を検出する必要があり、そのリーク電流にょる発光
はかなり微弱である。上記した超高感度顕微鏡カメラ46
では、第３図に示したように単位FET 20がアップになる
ほどの倍率でこのような微弱な発光をFET 20部かバス部
か判別しながら捕らえることができるが、アクティブマ
トリクス基板12全体が見える程度の倍率では発光を認識
することができない。最初から第３図のような倍率で検
出を行うと数千から数万個に達する多数のFET 20を走査
することが必要になり、面倒で困難な作業になる。最初
にステップ60から62の手順でアクティブマトリクス基板
12の分割された領域12a毎に何とか見える発光の有無を
調べ、次にステップ63から65で発光の位置を検出してい
るのは、微弱な発光の位置を効率よく調べるためであ
る。
次に第５図のフローチャートを参照してアクティブマ
トリクス基板12の欠陥修復について説明する。ここで
は、欠陥修復手段56としてマイクロン社のＬ−1Dレーザ
ーリペア装置56aを利用し、アクティブマトリクス基板1
2をプローバ40からＬ−1Dレーザーリペア装置56aに移送
する。発光の位置は第４図のステップ69,70でそれぞれF
ET 20部か、走査電極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部
（バス部）かのいずれかで記憶されている。最初にステ
ップ80で発光の位置がFET 20部かどうかを判定する。イ
エスの場合にはステップ81に進み、そのFET 20部をレー
ザーにより切断する。FET 20の再生修復が可能な場合に
は、切断したFET 20を修復する。FET 20の再生修復が不
可能な場合には、そのFET 20は使用不可能になる。しか
し、アクティブマトリクス基板12の単位画素毎に複数の
FET 20を設けた冗長構成の場合には、一部のFET 20を切
断しても残りのFET 20を生かせばよい。
トリクス基板12の欠陥修復について説明する。ここで
は、欠陥修復手段56としてマイクロン社のＬ−1Dレーザ
ーリペア装置56aを利用し、アクティブマトリクス基板1
2をプローバ40からＬ−1Dレーザーリペア装置56aに移送
する。発光の位置は第４図のステップ69,70でそれぞれF
ET 20部か、走査電極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部
（バス部）かのいずれかで記憶されている。最初にステ
ップ80で発光の位置がFET 20部かどうかを判定する。イ
エスの場合にはステップ81に進み、そのFET 20部をレー
ザーにより切断する。FET 20の再生修復が可能な場合に
は、切断したFET 20を修復する。FET 20の再生修復が不
可能な場合には、そのFET 20は使用不可能になる。しか
し、アクティブマトリクス基板12の単位画素毎に複数の
FET 20を設けた冗長構成の場合には、一部のFET 20を切
断しても残りのFET 20を生かせばよい。
次にステップ80でノーの場合にはステップ82に進み、
発光のあった走査電極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部
（バス部）を切断し、それから修復する。第７図の構成
のように、ゲート22がソース26及びドレーン24の下層に
形成されている場合には、走査電極線Ｘはゲート22と同
じく絶縁層28の下側に形成され、信号電極線Ｙは絶縁層
28の上側に形成される。従って、信号電極線Ｙは比較的
に検査の機会が少ないが、その切断、修復は比較的に容
易に行うことができる。
発光のあった走査電極線Ｘと信号電極線Ｙとの交差部
（バス部）を切断し、それから修復する。第７図の構成
のように、ゲート22がソース26及びドレーン24の下層に
形成されている場合には、走査電極線Ｘはゲート22と同
じく絶縁層28の下側に形成され、信号電極線Ｙは絶縁層
28の上側に形成される。従って、信号電極線Ｙは比較的
に検査の機会が少ないが、その切断、修復は比較的に容
易に行うことができる。
以上説明したように、本発明によれば、アクティブマ
トリクス基板の走査電極線と信号電極線に電圧を印加
し、光学装置で第１の倍率で該アクティブマトリクス基
板の表面の一部の領域の微弱発光の位置を検出し、該ア
クティブマトリクス基板の検出された微弱発光の位置を
リーク電流有りと判断し前記光学装置で第１の倍率より
大きい第２の倍率でアクティブマトリクス基板の表面の
前記一部の領より狭い領域で微弱発光の位置を検出し、
発光の位置がトランジスタ部か走査電極線と信号電極線
の交差部かを判断し、該アクティブマトリクス基板の検
出された微弱発光の位置をリーク電流有りと判断してト
ランジスタ部か交差部かに従って修復することができる
ので、アクティブマトリクス基板の欠陥を修復して歩留
りを向上させることができる。
トリクス基板の走査電極線と信号電極線に電圧を印加
し、光学装置で第１の倍率で該アクティブマトリクス基
板の表面の一部の領域の微弱発光の位置を検出し、該ア
クティブマトリクス基板の検出された微弱発光の位置を
リーク電流有りと判断し前記光学装置で第１の倍率より
大きい第２の倍率でアクティブマトリクス基板の表面の
前記一部の領より狭い領域で微弱発光の位置を検出し、
発光の位置がトランジスタ部か走査電極線と信号電極線
の交差部かを判断し、該アクティブマトリクス基板の検
出された微弱発光の位置をリーク電流有りと判断してト
ランジスタ部か交差部かに従って修復することができる
ので、アクティブマトリクス基板の欠陥を修復して歩留
りを向上させることができる。
第１図は本発明の実施例を示す図、第２図は第１図の顕
微鏡カメラの視野を示す図、第３図は同顕微鏡カメラの
倍率を上げたときの視野を示す図、第４図は実施例の発
光の検出フローチャート、第５図は修復のフローチャー
ト、第６図はアクティブマトリクス基板を示す図、第７
図は液晶表示装置の１例を示す断面図である。 12……アクティブマトリクス基板、 20……FET、40……プローバ、 42,44……プローバ電極、46……顕微鏡カメラ、 56a……レーザーリペア装置、 Ｘ……走査電極線、Ｙ……信号電極線。
微鏡カメラの視野を示す図、第３図は同顕微鏡カメラの
倍率を上げたときの視野を示す図、第４図は実施例の発
光の検出フローチャート、第５図は修復のフローチャー
ト、第６図はアクティブマトリクス基板を示す図、第７
図は液晶表示装置の１例を示す断面図である。 12……アクティブマトリクス基板、 20……FET、40……プローバ、 42,44……プローバ電極、46……顕微鏡カメラ、 56a……レーザーリペア装置、 Ｘ……走査電極線、Ｙ……信号電極線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 27/12 Ｈ０１Ｌ 27/12 Ａ (56)参考文献 特開 平２−281133（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−72552（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−64594（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/136 G02F 1/13 G01R 31/02 G01N 21/88
Claims (1)
- 【請求項１】複数本の走査電極線（Ｘ）と複数本の信号
電極線（Ｙ）とが交差したマトリクス状に配置され、こ
れらの走査電極線と信号電極線に跨がってスイッチとし
てのトランジスタを設けたアクティブマトリクス基板の
欠陥修復方法であって、該アクティブマトリクス基板の
走査電極線と信号電極線に電圧を印加し、光学装置で第
１の倍率で該アクティブマトリクス基板の表面の一部の
領域の微弱発光の位置を検出し、該アクティブマトリク
ス基板の検出された微弱発光の位置をリーク電流有りと
判断し前記光学装置で第１の倍率より大きい第２の倍率
でアクティブマトリクス基板の表面の前記一部の領域よ
り狭い領域で微弱発光の位置を検出し、発光の位置がト
ランジスタ部か走査電極線と信号電極線の交差部かを判
断し、該アクティブマトリクス基板の検出された微弱発
光の位置をリーク電流有りと判断してトランジスタ部か
交差部かに従って修復することを特徴とするアクティブ
マトリクス基板の欠陥修復方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25537490A JP3010712B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | アクティブマトリクス基板の欠陥修復方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25537490A JP3010712B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | アクティブマトリクス基板の欠陥修復方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134429A JPH04134429A (ja) | 1992-05-08 |
| JP3010712B2 true JP3010712B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=17277880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25537490A Expired - Lifetime JP3010712B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | アクティブマトリクス基板の欠陥修復方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3010712B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103620482A (zh) * | 2011-06-24 | 2014-03-05 | 夏普株式会社 | 缺陷检查装置和缺陷检查方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7084970B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-08-01 | Photon Dynamics, Inc. | Inspection of TFT LCD panels using on-demand automated optical inspection sub-system |
| JP5323906B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2013-10-23 | シャープ株式会社 | 配線欠陥検出方法および配線欠陥検出装置 |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP25537490A patent/JP3010712B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103620482A (zh) * | 2011-06-24 | 2014-03-05 | 夏普株式会社 | 缺陷检查装置和缺陷检查方法 |
| CN103620482B (zh) * | 2011-06-24 | 2016-04-13 | 夏普株式会社 | 缺陷检查装置和缺陷检查方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04134429A (ja) | 1992-05-08 |
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