KR20000077060A - 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

액정 표시 패널의 이온 밀도를 비파괴로 측정할 수 있도록 한다. 액정 표시 패널의 이온 밀도 분포를 파악할 수 있도록 한다.
1㎐ 정도의 낮은 주파수의 구형파를 인가하여 플리커를 관측한다(스텝 S303). 관측된 플리커의 진폭을 측정한다(스텝 S306). 미리 구해진 검량선(플리커의 진폭과 이온 밀도와의 상관 관계를 나타내는 선도)으로부터 액정 패널 내의 이온 밀도를 산출한다(스텝 S307).

Description

액정 패널의 이온 밀도 측정 방법 및 그 장치{A METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING ION DENSITY OF LIQUID CRYSTAL PANEL}
본 발명은 액정 표시 패널 내의 불순물 이온의 밀도(농도)를 측정하는 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 특히 비파괴로 액정의 이온 밀도를 측정하는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
네마틱 액정 표시 패널 중 불순물 이온은 패널의 전기적 파라미터에 직접 영향을 미치기 때문에, 액정 표시 패널의 표시 불량의 원인이 되거나 표시 품질의 저하 원인이 된다. 그 때문에, 공업적인 생산 작업 시에서는 검사 공정에서의 문제 발생과 동시에 제품의 액정 표시 패널 내의 불순물 이온 밀도를 측정하는 것이 요구되고 있다.
종래의 수법으로서는 패널을 파괴하여 추출한 액정 내의 이온종이나 농도를 전기 화학적 분석 수법으로서 아는 방법이나, 패널을 파괴하여 추출한 액정을 평가용 셀에 재주입하고, 그 전기적인 응답을 측정하여 이온 농도를 결정하는 방법 등이 있다. 그러나, 어느 수법도 패널 파괴를 요하기 때문에, 문제 발생으로부터 상당한 시간이 경과한 시점에서 측정 할 수 밖에 없어 시료 작성 조작의 과정에서 액정의 재오염을 초래하기 쉽고 측정의 고정밀도화가 곤란하다.
또한, 액정 표시 패널의 표시 불량은 이온의 액정 표시 패널에서의 면내 분포의 불균일성에 기인하는 경우가 많기 때문에, 이온의 면내 분포의 정보가 요구되고 있지만, 상술한 패널을 파괴하는 수법에서는 액정 표시 패널 면내 분포를 측정하는 것은 불가능하다. 비파괴로 액정 표시 패널 내의 이온에 관한 정보를 얻기 위해서는 액정 표시 패널을 형성하는 각 화소의 전기적인 특성을 각각 독립적으로 측정할 수 있으면 된다. 이온에 관한 정보는 인가 전압에 대한 응답 전류 파형으로부터 유도되는 경우가 많기 때문이다. 그러나, 액정 디스플레이의 전기적 구동 방법이 단순 매트릭스형의 액정 표시 패널에서는 구동 조건을 최적화함으로써, 어느 정도 독립한 화소만의 응답 전류가 얻어지며 이온에 관한 정보가 얻어질 것이지만, 크로스토크에 의한 인접 전극의 영향을 완전하게 차단할 수는 없다. 또한, 박막 트랜지스터(TFT) 구동 방식 등으로 구동되는 액티브 매트릭스형의 액정 표시 패널에 대해서는 구성 회로 상 독립적으로 각 화소의 전기적 정보를 얻는 것은 매우 곤란하다.
종래의 불순물 이온 밀도의 측정 방법은 액정 표시 패널을 파괴하여 행하는 것이었기 때문에, 시간, 공정수가 증가되는 데다가 측정 정밀도에 문제가 있었다. 또한, 종래의 측정 방법에서는 액정 표시 패널 제조 공정 관리 상 중요한 정보인 면내의 이온 분포를 알 수 없었다.
본원 발명의 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하는 것이며, 그 목적은 첫째로 비파괴로 액정 패널의 이온 밀도를 측정할 수 있도록 하는 것이고, 둘째는 이온 밀도의 면내 분포를 파악할 수 있도록 하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따르면 액정 패널에 교번 전압을 인가하고, 그 투과광 강도의 플리커 파형으로부터 액정 내의 이온 밀도를 검출하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법이 제공된다.
그리고, 바람직하게는 이온 밀도는 투과광 강도의 플리커 파형의 진폭 혹은 플리커 파형의 면적에서 구해진다. 또한, 바람직하게는 액정 패널의 부분 영역으로부터의 투과광의 강도가 개별적으로 측정되고, 부분 영역마다의 이온 밀도가 구해진다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따르면 액정 패널을 구동하는 임의 파형 발생 장치와, 액정 패널에 광을 조사하는 광원과, 상기 액정 패널을 투과하는 광의 강도를 관측하는 영역 이미지 센서와, 상기 임의 파형 발생 장치 및 상기 영역 이미지 센서의 동작을 총괄하는, 기억 장치를 갖는 정보 처리 장치를 구비한 액정 패널의 이온 밀도 측정 장치에 있어서, 상기 영역 이미지 센서의 화소마다의 검출 데이터를 개개로 처리할 수가 있어 상기 화소마다 플리커를 검출할 수 있는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 장치가 제공된다.
그리고, 바람직하게는 상기 영역 이미지 센서의 출력 파형을 감시할 수 있는 오실로스코프가 더 구비되고 있으며, 상기 정보 처리 장치는 상기 오실로스코프를 통하여 상기 영역 이미지 센서의 출력 데이터를 수집한다.
본 발명에서는 액정 표시 패널 중 불순물 이온에 관한 정보를 얻기 위해서 액정 중 이온이 야기하는 투과광 강도의 플리커(변동)에 주목한다. 통상, 네마틱 액정 표시 패널의 각 화소에는 플러스 마이너스 대칭인 교번 전압이 인가되며, 이온이 존재하지 않은 경우에는 교번 전압 인가에서의 각 인가 필드에서 같은 전압이 액정에 걸린다. 이 경우, 액정 분자는 인가 전압의 크기에 따라서 일정한 기울기각을 가진채 변화하지 않고 투과광 강도의 플리커는 나타나지 않는다.
그래서, 현재 시점에서 상세하게는 밝히지 않았지만, 어떠한 이유로 액정 셀 내에 내부 전압이 생기고 있는 경우가 있으며, 이 경우에는 이 내부 전압이 인가 전압에 중첩되기 때문에, 각 인가 필드마다 다른 크기의 전압이 액정에 걸린다. 예로서, 유전 이방성이 플러스인 네마틱 액정을 이용한 TN 모드가 노말리 화이트 모드인 경우, 내부 전압과 동일 부호인 전압이 인가되었을 때는 액정에 걸리는 전압이 커지며 액정은 이상의 기울기각보다도 크게 기울어 투과광 강도가 낮아진다. 한편, 내부 전압과 역 부호인 전압이 인가되었을 때는 액정에 관한 전압이 낮아지며, 액정의 기울기 각도도 이상의 기울기각보다도 작아지며 투과광 강도가 상승한다. 이것이 액정 표시 패널에서의 플리커의 일례이다. 이 플리커의 주기(이온에 의존하지 않은 플리커의 주기)는 인가 전압 주기와 동일하게되어 있다.
한편, 액정 내에 인가 전압 주기에 추종할 수 있는 가동 이온이 존재하는 경우, 인가 필드마다 이온의 드리프트에 의한 전계 저하가 생기고 액정에 걸리는 전압이 시간과 함께 감쇠한다. 예를 들면, 플러스 전압이 인가되는 필드에서는 전압이 인가된 순간에 가장 높은 전압이 액정에 걸리며 액정은 이것에 추종하여 상승한다. 동시에 액정 내의 이온은 각각의 극성과는 역극성의 전극 방향으로 드리프트를 시작하기 때문에, 액정에 걸리는 전압이 시간과 함께 감쇠한다. 이 전압의 저하때문에 액정은 어느 시간에서부터 기울기 시작한다. 이 액정의 움직임에 따라 광의 투과율도 어느 시간까지는 저하하지만 그 후는 상승한다(노말리 화이트인 경우). 계속해서 마이너스 전압이 인가되는 필드 내에서도 마찬가지의 현상이 일어난다. 따라서, 액정 내에 인가 주파수에 추종할 수 있는 가동 이온이 존재하는 경우의 플리커는 인가 주파수의 2배의 주파수를 갖게 된다.
상기한 바와 같이, 플리커에는 인가 전압의 주파수 의존성이 있으며, 이온이 추종할 수 없을 정도의 높은 인가 주파수에서는 플리커가 소실되고, 충분히 추종할 수 있는 낮은 주파수 영역에서는 포화한다. 따라서, 액정 표시 패널에 대하여 이온이 추종할 수 있는 만큼 충분히 낮은 주파수 영역에서 전압 인가를 행하고, 그 때에 발생하는 플리커를 관측하면, 액정 내의 이온의 존재를 액정 표시 패널을 파괴하지 않고 확인할 수 있다. 그리고, 이 플리커의 크기(플리커의 진폭 등)는 액정 표시 패널 내의 이온 밀도에 의존하는 것이므로, 플리커의 크기를 관측함으로써 비파괴로 이온 밀도를 알 수 있다. 더구나, 플리커의 크기는 광이 투과하는 패널 각부의 국소적인 이온 밀도에 의존하고 있다. 바꾸어 말하면, 패널면 내의 각 부분의 국소적인 플리커의 크기는 패널의 그 부분에서의 이온 밀도에 의존한다. 그래서, 본 발명에서는 CCD 카메라 등의 영역형의 이미지 센서를 이용함으로써, 패널면 내의 각 부마다의 플리커 정보를 수집하여 이에 기초하여 면 내 각 부에서의 이온 밀도를 구하고 있다. 따라서, 본 발명에 따르면 액정 패널면 내에서의 이온 밀도 분포를 인식할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태 및 실시예를 설명하기 위한 플로우차트(그 1).
도 2는 본 발명의 실시 형태 및 실시예를 설명하기 위한 플로우차트(그 2).
도 3은 본 발명의 실시 형태 및 실시예를 설명하기 위한 플로우차트(그 3).
도 4는 본 발명의 실시 형태 및 실시예를 설명하기 위한 측정 장치의 개략 구성도.
도 5는 본 발명의 실시 형태 및 실시예를 설명하기 위한 회로도와 전압 파형도.
도 6은 본 발명의 실시 형태를 설명하기 위한 파형도(그 1).
도 7은 본 발명의 실시 형태를 설명하기 위한 파형도(그 2).
도 8은 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위한 패턴도와 단면도.
도 9는 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위한 편광판 배치도.
도 10은 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위한 특성도(그 1).
도 11은 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위한 특성도(그 2).
도 12는 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위한 파형도(그 1).
도 13은 본 발명의 제1 실시예를 설명하기 위한 파형도(그 2).
도 14는 본 발명의 제2 실시예를 설명하기 위한 특성도(그 1).
도 15는 본 발명의 제2 실시예를 설명하기 위한 특성도(그 2).
도 16은 본 발명의 제2 실시예를 설명하기 위한 파형도.
도 17은 본 발명의 제3 실시예를 설명하기 위한 측정 장치의 구성도.
도 18은 본 발명의 제3 실시예를 설명하기 위한 특성도.
도 19는 본 발명의 제3 실시예를 설명하기 위한 파형도.
도 20은 본 발명의 제3 실시예를 설명하기 위한 이온 밀도 분포도.
도 21은 본 발명의 제4 실시예를 설명하기 위한 표시 패턴도.
도 22는 본 발명의 제4 실시예를 설명하기 위한 표시 패턴도.
도 23은 본 발명의 제4 실시예를 설명하기 위한 이온 밀도 분포도.
도 24는 본 발명의 제4 실시예를 설명하기 위한 이온 밀도 분포도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
41 : 광원
42, 43 : 편광판
44 : 액정 셀
45 : 광 검출기
46 : 임의 파형 발생기
47 : 오실로스코프
48 : 정보 처리 장치
49 : 기억 장치
71 : 투과율 변화의 포화 상태 영역
72 : 최소 투과율
73 : 플리커 진폭
74 : 플리커 면적
81 : 유리 기판
82 : 화소 전극
83 : 인출 전극
84 : 폴리이미드 배향막
85 : 에폭시계 접착제
86 : 네마틱 액정
91, 92 : 편광판의 편광 방향
93 : 러빙 방향
161 : 플리커 면적
170 : 액정 표시 패널
171 : 액정 셀
172, 173 : 편광판
174, 175 : 렌즈
176 : CCD 검출기
177 : 광원
다음에, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1 ∼ 도 3은 본 발명의 실시 형태를 나타내는 플로우차트이며, 도 4는 본 발명에 따른 이온 밀도 측정 방법이 행해지는 측정 장치의 개략을 나타내는 블록도이다.
도 4에서 광원(41)으로부터 출사된 광은 편광판(42)을 통하여 액정 셀(44)을 통과한 후 다시 편광판(43)을 통하여 광 검출기(45)에서 검출되며, 오실로스코프(47)에 일시적으로 데이터 수집된 후, 퍼스널 컴퓨터 등의 정보 처리 장치(48)로 전송되며 정보 처리 장치(48)에 부설된 기억 장치(49)에 기억된다. 액정 셀(44)로의 전압 인가는 임의 파형 발생기(46)에 의해 행하고, 시간에 대한 전압치의 데이터가 투과광 강도와 동시에 오실로스코프(47)에 축적되고 나서 정보 처리 장치(48)에 전송된다. 이들 임의 파형 발생기(46), 광 검출기(45) 및 오실로스코프(47)의 동작은 정보 처리 장치(48)에 의해 총괄된다. 또한, 정보 처리 장치(48)가 행하는 처리 프로그램은 기억 장치(49) 내에 저장되어 있다.
광원(41)으로서는 액정 셀(44) 전면을 조사하는 경우에는 할로겐 램프, 메탈 할로겐 램프, 냉음극관을 사용할 수 있으며, 또한 액정 셀(44)을 국소적으로 조사하는 경우에는 가시광 레이저를 이용할 수 있다. 광 검출기(45)로서는 액정 패널의 전면의 평균적 광 강도를 측정하는 경우에는 광 강도를 측정할 수 있는 일반적인 광 검출기를 사용할 수 있지만, 액정 셀(44) 상의 부분적인 투과광 강도를 측정하는 경우에는 CCD(charge coupled device) 고체 촬상 장치 등의 영역 이미지 센서가 이용된다. 후자인 경우, 영역 이미지 센서의 화소마다 혹은 그룹으로 나누어진 화소마다의 검출 광의 데이터가 정보 처리 장치(48)에 수집되어 처리된다.
그리고, 필요에 따라서 액정 셀(44)의 광원(41)측 또는 광 검출기(45)측 중 어느 한쪽 또는 양쪽에 집광하기 위한 혹은 평행광선을 얻기 위한 렌즈계를 배치할 수 있다.
통상의 액정 표시 패널에서는 편광판은 액정 셀의 양면에 일체적으로 고착된다. 따라서, 이미 편광판이 고착되어 있는 액정 패널에 대하여 측정을 행하는 경우에는 측정 장치 내에 편광판(42, 43)을 배치할 필요는 없다.
본 발명에 따른 이온 밀도의 측정은 도 1에 도시되는 스테이지 I, 도 2에 도시되는 스테이지 II, 도 3에 도시되는 스테이지 III에 따라서 순차 행해진다. 이 중, 스테이지 I 및 스테이지 II는 본 발명의 측정 방법의 핵심 부분을 이루는 스테이지 III을 실시하기 위한 준비 단계에서의 수속을 나타내는 플로우차트이다. 따라서, 스테이지 I 또는 스테이지 I 및 II에 의해서 얻어지는 데이터가 이미 입수되어 있는 경우에는 스테이지 I 또는 스테이지 I 및 II의 처리를 생략할 수 있다.
종래에서부터 주류의 네마틱 액정 표시 패널의 투과광 강도는 인가 전압과 투과율의 상관을 나타내는 그래프 상의 투과광 강도 특성 곡선의 가장 급격한 영역, 즉 중간조 전압 부근에서 이온의 드리프트의 영향을 받기 쉽다. 따라서, 이온 정보의 검출 시에 액정 표시 패널에 인가되는 전압은 전압-투과율 그래프 상의 투과광 강도 특성 곡선이 급격한 부분으로 결정하는 것이 측정 효율 상 바람직하다. 그래서, 스테이지 I에서는 전압-투과율 곡선의 급격한 영역이 구해지며 플리커 측정용 인가 전압치라고 결정된다.
우선, 스텝 S101에서 측정 개시 전압이 지정되며, 스텝 S102에서 지정된 전압에서의 교번 전압이 임의 파형 발생기(46)에서 액정 셀(44)에 인가되며, 그때의 투과율이 광 검출기(45)에 의해 검출되며, 그 데이터는 인가 전압과 함께 오실로스코프(47)에 취입된 후, 정보 처리 장치(48)로 전송된다. 계속해서, 스텝 S103에서 인가 전압이 예정된 측정 종료 전압에 도달했는지의 여부가 체크되며, 도달되지 않았으면, 스텝 S104에서 인가 전압을 1 단위 상승시켜서 스텝 S102로 되돌아간다. 측정 종료 전압에 도달했으면, 스텝 S105로 이행하고, 구해진 V-T(전압-투과율) 특성 곡선에서 그 변화가 가장 급격한 전압을 측정에 사용하는 인가 전압으로 결정하여 처리를 종료한다(구해진 V-T 특성 곡선의 일례를 도 10에 도시한다).
또, 여기서 이용하는 액정 셀은 이온이 전혀 포함되지 않은 것이나 극히 미량의 이온밖에 포함하고 있지 않은 것이 참조용 액정 셀로서 사용된다. 또한, 스테이지 I에서 이용되는 액정 셀은 제품용 셀 중에서부터 선택된 것이어도 좋지만, 이온이 도핑되지 않도록 제작된 인가 전압 결정용의 액정 셀이어도 좋다.
스테이지 I에서 결정된 전압치는 스테이지 II 및 스테이지 III에서 사용되게 되지만, 스테이지 II, III에서는 반드시 스테이지 I에서 결정된 전압치를 엄격하게 실시할 필요는 없다. 중간조 표시 근변의 전압치이면 충분한 경우가 많다. 다만, 스테이지 II와 스테이지 III에서는 동일한 인가 전압을 사용할 필요가 있다.
스테이지 II에서는 서로 다른 이온 농도를 가지는 복수매의 검량선 작성용 액정 셀을 이용하여 검량선이 작성된다. 스테이지 II에서 이용되는 액정 셀은 제품용 셀 중에서부터 선택된 것이라도 좋지만, 미리 이온을 함유하게 하여 제작한 검량선 작성용 액정 셀이어도 좋다.
우선, 스텝 S201에서 함유 불순물 이온 농도가 다른 복수매의 이온 오염 액정 셀이 준비된다. 스텝 S202에서는 준비된 액정 셀 중 1매가 선택되며, 스텝 S203에서는 예를 들면 1㎐의 스테이지 I에서 구해진 전압치의 구형파가 인가되고, 전압 인가 시의 투과광 강도가, 따라서 플리커가 관측된다. 여기서, 인가 전압의 주파수로서 선정된 1㎐는 이온 이동이 충분하게 포화할 것을 예정하여 결정된 것이다. 따라서, 이 목적에 적합한 주파수이면 적절하게 변경할 수 있는 것이다. 계속해서, 스텝 S204에서는 플리커가 나타나지 않게 되는 영역, 즉 투과광 일정 영역이 나타나는지의 여부가 체크되며, 투과광 강도 일정 영역이 존재하지 않은 경우에는 스텝 S205로 이행하여, 주파수를 내리고 전압 인가를 행하여 플리커 측정을 행하고, 스텝 S204로 되돌아간다. 스텝 S204에서, 투과광 일정 영역의 존재가 확인된 경우에는 스텝 S206으로 이행하여, 플리커 진폭 또는 플리커 면적이 구해진다. 여기서, 플리커 진폭이란 투과광 일정 영역에서부터 본 진동(의 절대치)의 최대치이며, 플리커 면적이란 투과광 일정을 나타내는 수평선과 플리커 파형에 따라서 둘러싸인 면적인 것이다.
다음에, 스텝 S207에서 저주파(예를 들면 0.01㎐)의 삼각파 전압이 인가되며 그 때 액정 셀을 흐르는 전류가 측정된다. 이 때 셀을 흐르는 전류는 이 셀에 함유되어 있는 이온의 밀도에 의존하고 있기 때문에, 이 전류 측정에 의해서 액정 셀의 이온 밀도를 알 수 있다. 따라서, 스텝 S208에서 얻어진 응답 전류 파형에 나타나는 이온 전류 피크에서 이온 밀도가 산출된다. 계속해서, 스텝 S209에서 준비된 액정 셀의 전부에 대하여 측정이 행해졌는지의 여부가 체크되며, 측정이 완료되지 않았으면 스텝 S202로 복귀되어 다음의 액정 셀이 선택된다. 준비된 전 액정 셀에 대한 측정이 완료된 경우에는 스텝 S210에서 검량선이 작성된다. 즉, 플리커 진폭 또는 플리커 면적과 이온 밀도가 조합이 상관도 상에 플롯되며 검량선이 구해진다(구해진 검량선의 일례는 도 11에 도시되어 있다).
스테이지 I 및 스테이지 II에서 스테이지 I용 또는 스테이지 II용으로서 특별한 액정 셀을 준비하는 경우에는 단일 화소를 갖는 셀이 제작된다. 액티브 매트릭스 액정 표시 패널에 대한 측정을 행하기 위한 인가 전압과 검량선을 단일 화소의 셀을 이용하여 하는 경우에는 단일 화소의 액정 셀을 의사 액티브 매트릭스 동작시킴으로써, 인가 전압과 검량선을 구한다. 의사 액티브 매트릭스 동작은 도 5a에 도시하는 회로에 의해 행해진다. 도 5a에서 참조 번호 51은 파형 발생기, 참조 번호 52는 임피던스 변환기, 참조 번호 53은 액정 셀이다. 여기서, 임피던스 변환기(52)는 고임피던스 상태와 저임피던스 상태가 교대로 반복하는 동작을 행하여 박막 트랜지스터(TFT)의 동작을 의사한다. 임피던스 변환기(52)의 입출력측 신호 패턴을 도 5b와 도 5c에 도시한다.
또한, 스테이지 I, II에서 실제의 제품의 액정 패널이 이용되는 경우에는 액정 패널은 전면이 동일 표시 상태로 구동된다. 이 경우에, 액티브 매트릭스형 패널에 대해서는 스텝 S102 등에서 액티브 매트릭스 구동이 이루어진 것으로 한다.
스테이지 III은 본 발명의 측정 방법의 핵심이 되는 과정이며, 도 3에 도시되는 플로우차트에 따라서 행해진다. 우선, 스텝 S301에서 액정 셀(44) 내에 가동성의 이온이 존재하는지 여부가 판정된다. 이 때의 인가 전압은 스테이지 I에서 결정된 것이며, 또한 인가 주파수는 예를 들면 10㎐가 이용되지만, 이 주파수는 셀의 갭이나 목적으로 하는 이온의 이동도에 따라서 적절하게 변경되는 것이며, 액정 내에서의 이온이 인가 전압에 추종할 수 있는 주파수이면 포화하는 주파수나 포화하지 않는 주파수여도 좋다. 미량인 이온의 영향을 검출하는 경우, 이온의 드리프트에 의한 영향을 최대한으로 끌어내기 위하여 이온의 드리프트 거리가 길어지는 포화하는 주파수인 것이 바람직하다. 그러나, 이온의 영향은 이온이 움직임으로써 생기므로, 포화하지 않는 주파수라도 이온의 검출은 할 수 있으며 이 경우 측정 시간이 단축된다. 불순물 이온에 기초하는 플리커가 발생한 경우에는 도 6에 도시된 바와 같이, 하부의 인가 입력 전압에 대하여 도면의 상부에 도시된 바와 같이 인가 전압의 2배의 주파수의 플리커가 관측된다. 스텝 S302에서 플리커가 발생되었는지의 여부가 판단되며, 플리커가 관측되지 않으면 이 시점에서 액정 셀(44)의 측정은 종료된다.
플리커가 검출된 경우, 스텝 S303에서 이온의 드리프트가 인가 필드 내에서 종료하도록, 즉 인가 필드 내에 플리커 파형이 나타난 후에 투과율이 변화하지 않게 되는 영역을 확인할 수 있도록, 인가 주파수를 예를 들면 1㎐로 낮게 하여 플리커를 관측한다. 또, 이미 불순물 이온에 기인하는 플리커가 발생된 것을 알 수 있고 있는 경우에는 도면 중 파선에서 나타낸 바와 같이, 스텝 S301, 302를 거치지 않고 스텝 S303으로부터 개시하는 것으로 한다.
계속해서, 스텝 S304에서 투과광 강도가 일정해지는 영역이 존재하는지의 여부가 판단되며, 그 영역을 확인할 수 없는 경우에는 스텝 S305로 이행하여, 인가 전압의 주파수를 저감하고, 투과광 강도가 일정해지는 영역이 나타날 때까지 이 동작을 계속하여, 투과광 강도 일정 영역의 존재가 확인된 경우에는 스텝 S306으로 이행한다. 도 7은 이 경우에 관측되는 투과율의 변화와 인가 전압을 나타내는 그래프이다. 즉, 인가 필드 내에 투과율 변화의 포화 상태 영역(71)이 나타나고 있다. 여기서, 투과율 변화의 포화 상태 영역(71)의 투과율과 최소 투과율(72)의 차를 플리커 진폭(73)으로서 정의하여 측정한다. 혹은 플리커의 포화 상태 영역(71)을 나타내는 수평선과 플리커 파형에 따라서 둘러싸인 면적을 플리커 면적(74)으로 정의하여 이것을 측정한다.
다음에, 스텝 S307에서 미리 구해진 이온 밀도와 플리커 진폭(또는 플리커 면적)과의 관계를 나타내는 검량선으로부터 이온 밀도를 구한다.
다음에, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
[제1 실시예]
본 실시예에서는 네마틱 액정의 균일(homogeneous) 배향 셀에 구형파를 인가했을 때의 플리커 진폭으로부터 이온 밀도를 구하는 방법에 대하여 설명한다.
본 실시예에서 이용한 액정 셀은 도 8a, 도 8b에 도시한 바와 같이 제작하였다.
도 8에 도시한 바와 같이, 코닝(7059)으로 이루어지는 3㎝×4㎝의 유리 기판(81) 상에 산화 인듐 주석(ITO)막을 성막하고, 1㎝×1㎝의 화소 전극(82)을 중앙부에 형성함과 함께 인출 전극(83)을 형성하였다. 전극 형성 후 그 위에, 폴리아민산을 스핀-코팅하여 90℃에서 30분의 가소성을 행한 후, 200℃에서 1시간 본 소성을 행하여 폴리이미드 배향막(84)을 형성하였다. 또한, 1개의 셀 조립을 행하는데 상기 배향막 부착 기판을 2매 필요로 한다. 폴리아민산에는 폴리(4, 4 옥시 디페닐 피로멜리트 아민산)를 이용하였다. 또한, 반사 엘립소미터로 측정한 폴리이미드 배향막의 막 두께는 780Å ∼ 820Å였다.
러빙은 레이온의 롤을 이용하여 회전수 800 회전/min, 압입 0.6㎜, 스테이지 속도 20㎜/s의 조건으로 1회 행하였다. 러빙 후, 2매의 유리 기판(81)을 각각 러빙 방향이 반대 방향이 되도록 중첩시켜서, 직경이 6㎛의 스페이서 입자를 섞은 에폭시계 접착제(85)로 고정하였다. 이 셀에 불소계의 네마틱 액정(86)을 등방상 주입하여, 자외선 경화 수지로 구멍을 밀봉시켜서, 역병렬 셀(대향하는 2면의 배향 방향이 180° 다른 셀)로 하였다. 또, 도시되어 있지 않지만 화소 전극을 제외하는 유리 기판 상에는 차광막이 형성되어 있다.
이와 같이 형성된 액정 셀은 도 4에 도시하는 측정 장치에 배치되지만 이 때의 편광판(42, 43)과 배향막(84)의 러빙 방향의 관계를 도 9에 도시한다. 도면 중, 편광판(42, 43)의 편광 방향을 각각 화살표(91, 92)로 나타내고, 폴리이미드 배향막(84)의 러빙 방향을 화살표(93)로 나타낸다. 도 9에 도시된 바와 같이, 편광판(42, 43)의 편광 방향은 직교하고 있으며 또한 그 편광 방향은 각각 러빙 방향과 45°를 이루고 있다.
상기한 바와 같이 액정 셀을 복수개 작성하여, 삼각파 전압 인가의 응답 전류로부터 이온 밀도를 구하고, 이온 전류를 확인할 수 없는 것을 전압-투과율 그래프 상의 투과광 강도 특성 곡선 측정용 참조용 액정 셀로 하고, 이온 전류가 확인된 것을 측정용 액정 셀로 하였다.
그 외에, 후술하는 투과율의 진폭으로부터 이온 밀도를 구할 때의 검량선의 작성용으로 강제 오염을 행한 액정 셀을 작성하였다. 작성 조건은 상기와 마찬가지이지만, 기판을 접합시키기 전에 메탄올에 침지하고, 침지 시간을 변화시켜서 배향막 표면의 오염 레벨이 다른 액정 셀을 작성하고 검량선 작성용 액정 셀로 하였다.
처음에, 참조용 액정 셀의 전압-투과율 그래프 상의 투과광 강도 특성 곡선을 측정하였다(도 1 : 스테이지 I). 즉, 상술한 도 4의 측정 장치를 사용하고 10㎐의 구형파를 0V ∼ ±10V까지 0.1V 스텝으로 임의 파형 발생기(46)를 이용하여 인가하고, 각각의 전압치에 대한 투과광 강도를 액정 셀 표면의 일부분 또는 전면에 광을 조사함으로써 측정하였다. 그런 후, 정보 처리 장치(48)는 기억 장치(49) 내에 저장되어 있는 프로그램에 의해 0V 인가 시의 투과광 강도를 100%, ±10V 인가 시의 투과광 강도를 0%로하여 투과광 강도를 투과율로 변환시켰다. 그 결과 얻어진 전압-투과율 그래프 상의 투과광 강도 특성 곡선을 도 10에 도시한 바와 같이 작성하였다. 이 전압-투과율 특성 곡선에서 전압의 변위에 대한 투과율 변화가 최대가 되는 점의 전압을 플리커 측정 전압으로 하였다. 도 10의 경우, 정보 처리 장치(48)에 의해 해석시킨 결과, 2.7V로 결정되었다.
다음에, 플리커 진폭으로부터 이온 밀도를 구하기 위한 검량선을 작성하였다. 검량선 작성용 액정 셀에 ±2.7V, 1㎐의 구형파 전압을 인가하여 플리커 진폭을 구하고(스테이지 II : 스텝 S203 ∼ 206), 계속해서 진폭10V, 0.01㎐의 삼각파 전압을 인가했을 때의 응답 전류로부터 이온 밀도를 구했다(스테이지 II : 스텝 S207, 208). 복수의 액정 셀을 측정한 결과 얻어진 검량선을 도 11에 도시한다. 이온 밀도는 포함되고 있는 이온이 1가이고 플러스 마이너스 이온 모두 등량이라고 가정하여 1㎤당 갯수로 나타내었다. 얻어진 검량선의 식은,
이온 밀도=2.6×1012×플리커 진폭
이었다.
본 실시예에서 작성한 피검정 대상의 측정용 액정 셀은 7개로, 이들의 이온 밀도를 본 발명에 의해 측정하였다. 플리커 측정 전압은 이미 2.7V로 결정되어 있다. 스테이지 III(도 3)의 플로우차트에 따라서, 우선, ± 2.7V, 10㎐의 구형파를 인가하고, 그 때 나타난 플리커 파형의 일례를 도 12에 도시하였다. 도 12에 도시한 바와 같이, 플리커가 인가 주파수의 2배의 주파수를 갖기 때문에, 가동 이온의 존재를 확인할 수 있었다. 다음에, 인가 전압의 주파수를 1㎐로 바꾸어서 플리커 진폭을 구하였다. 이 때 얻어진 플리커 파형의 일례를 도 13에 도시하였다. 각각의 플리커 진폭으로부터 검량선을 이용하여 이온 밀도를 구할 수 있었다.
[평가]
이와 같이 하여 구해진 이온 밀도와, 삼각파 전압 인가 시의 응답 전류로부터 구해진 이온 밀도를 비교한 결과를 표 1에 나타낸다. 약간의 차는 있지만 양자의 결과는 잘 일치하고 있으며, 본 발명이 이온 밀도 측정에 유효한 것을 알 수 있다.
본 발명 1.2 5.4 2.4 1.8 3.1 2.9 2.2
삼각파 1.4 5.2 2.1 1.9 2.9 2.8 2.1
(단위 : ×1013개/㎤)
[제2 실시예]
본 실시예에서는 이하에 나타내는 플리커의 발생에 의해 생긴 그래프 상의 플리커 면적보다, 이온 밀도를 구하는 방법에 대하여 구체적으로 설명한다. 즉, 본 실시예에서는 스테이지 II에서 플리커 면적의 검량선을 구해두고, 스테이지 III에서 이 검량선을 이용하여 이온 밀도를 산출하였다.
본 실시예에서 이용한 액정 셀은 이하와 같이 제작한 트위스티드 네마틱(TN) 액정 셀이며, 배향 방향이 90° 다른 기판 간에 플러스의 유전 이방성을 가지는 액정을 끼움으로써, 액정 분자의 배향 방향이 90° 연속적으로 트위스트되어 있다.
액정 셀은 유리 기판 2매로 카이럴 네마틱 액정을 끼운 샌드위치 구조이다. 유리 기판은 3㎝×4㎝의 코닝(7059)을 이용하였다. 도 8에 도시한 제1 실시예의 경우와 마찬가지로, 산화 인듐 주석막을 성막하여 유리 기판의 중앙부에 1㎝×1㎝의 화소 전극을 형성함과 함께 인출 전극을 형성하였다. 전극 형성 후 그 위에, 폴리아민산을 스핀-코팅하여 90℃에서 30분의 가소성을 행한 후, 230℃에서 1 시간 본 소성을 행하여 폴리이미드 배향막을 형성하였다. 폴리아민산에는 폴리(4, 4 '옥시 디페닐렌 피로멜리트 아민산)를 이용하였다. 또한, 반사 엘립소미터로 측정한 배향막의 막 두께는 520Å에서 550Å였다.
러빙은 레이온의 롤을 이용하여 회전수 600 회전/min, 압입 0.5㎜, 스테이지 속도 20㎜/s의 조건으로 1회 행하였다. 래핑 후, 2매의 유리 기판을 러빙 방향이 직교하도록 중첩시켜서, 직경이 6㎛의 스페이서 입자를 섞은 에폭시계 접착제로 고정하였다. 이 셀에 불소계의 카이럴 네마틱 액정 재료를 등방상 주입하여, 자외선 경화 수지로 구멍을 밀봉하여 트위스티드 네마틱 셀을 제작하였다. 이러한 액정 셀을 복수개 작성하여, 삼각파 전압 인가의 응답 전류로부터 이온 밀도를 구하고, 이온 전류를 확인할 수 없는 것을 투과광 강도 특성 곡선 측정용 참조용 액정 셀로 하고, 이온 전류가 확인된 것을 측정용 액정 셀로 하였다.
또한, 플리커에 의해 생긴 면적에서 이온 밀도를 구할 때의 검량선의 작성용에 강제 오염을 행한 액정 셀을 작성하였다. 작성 조건은 상기와 거의 마찬가지이지만, 기판을 접합시키기 전에 메탄올에 침지하고, 침지 시간을 변화시켜서 배향막 표면의 오염 레벨의 다른 액정 셀을 작성하고 검량선 작성용 액정 셀로 하였다.
측정은 이하와 같이 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 행하였다. 처음에, 참조용 액정 셀의 투과광 강도를 측정하고, 투과광 강도 특성 곡선을 작성하였다. 즉, 액정 셀을 측정 장치에 설치하여, 10㎐의 구형파를 0V ∼ ±10V까지 0.1V 스텝으로 인가하여, 각각의 전압치에 대한 투과광 강도를 액정 표시 패널 표면의 일부분 또는 전면에 광을 조사하여 측정하였다. 그 후, 기억 장치(49)에 저장되어 있는 프로그램에 의해 0V 인가 시의 투과광 강도를 100%, ±10V 인가 시의 투과광 강도를 0%로서 투과광 강도를 투과율로 변환시켰다. 그 결과 얻어진 투과광 강도 특성 곡선에서 횡축을 전압, 종축을 투과율로 하는 투과광 강도 특성 곡선을 도 14에 도시한 바와 같이 작성하였다. 이 투과광 강도 특성 곡선에서 전압의 변위에 대한 투과율 변화가 최대가 되는 점의 전압을 플리커 측정 전압으로 하였다. 도 14인 경우 3.1V로 유도되었다.
다음에, 플리커에 의해 생긴 면적에서 이온 밀도를 구하기 위한 검량선을 작성하였다. 검량선 작용 액정 셀을 이용하여, 도 4의 장치 구성에 의해 도 2의 스테이지 II의 처리를 행하였다. 즉, 진폭 10V, 0.01㎐의 삼각파 전압을 인가했을 때의 응답 전류로부터 이온 밀도를 구하고, ±3.1V, 1㎐의 구형파 전압을 인가하여 플리커 면적을 구하였다. 여러개의 액정 셀을 측정하여 얻어진 검량선을 도 15에 도시하였다. 이온 밀도는 포함되고 있는 이온이 1가이며 플러스 마이너스 이온 모두 등량이라고 가정하고 1㎤당의 갯수로 나타내었다. 얻어진 검량선의 식은,
이온 밀도=2.3×1012×플리커 면적
이었다.
다음에, 도 3에 도시한 스테이지 III의 플로우차트에 따라서 ±3.1V, 10㎐의 구형파를 인가하여, 제1 실시예의 경우와 마찬가지로 하여 이온의 존재를 확인하였다. 다음에, 인가 전압의 주파수를 1㎐로 바꾸어서, 플리커 파형을 측정하여 플리커 면적을 구하였다. 발생한 플리커 파형의 일례를 도 16에 도시하였다. 도 16에서 플리커 면적은 161로 나타냈다. 이 플리커 면적(161)의 2개의 합을 이용하여 먼저 구해진 검량선을 참조하여 이온 밀도를 산출할 수 있다.
[평가]
이와 같이 하여 구해진 이온 밀도와, 삼각파 전압 인가 시의 응답 전류로부터 구해진 이온 밀도와 비교한 결과를 표 2에 나타낸다. 약간의 차는 있지만 양자의 결과는 잘 일치하고 있으며, 본 발명이 이온 밀도 측정에 유효한 것을 알 수 있다.
본 발명 2.8 1.4 0.7 1.7 3.4
삼각파 2.4 1.7 0.5 1.9 3.2
(단위 : ×1013개/㎤)
[제3 실시예]
본 실시예에서는 박막 트랜지스터( TFT)에 의해서 구동 제어되는 흑백 표시의 액티브 매트릭스형 액정 표시 패널 내에서의 이온 밀도를 측정하였다. 본 실시예에서는, 측정 전압은 중간조 전압을 이용하는 것으로 하고, 스테이지 I의 측정은 행하지 않고 스테이지 II의 측정은 제2 실시예와 마찬가지로 하여 제작한 액정 셀을 이용하고(단지, 셀의 양면에 편광판을 접착한 것을 사용), 스테이지 III에서만 액티브 매트릭스형의 액정 패널을 이용하였다.
측정 장치의 구성은 도 17에 도시된 바와 같이, 광학계만을 도 4에 도시된 장치로부터 변경하고, 광학계 이외의 장치 구성은 도 4와 마찬가지로 하였다. 피측정의 액정 표시 패널(170)로서는 액정 셀(171)에 편광판(172, 173)이 부착된 것이 이용된다. 광원(177)에는 할로겐 램프를 사용하고, 입사측의 렌즈(174)에 의해 평행 광선으로 변환하여 액정 표시 패널(170) 표면의 일부분 또는 전면에 조사하였다. 출사측의 렌즈(175)로 다시 집광하여 CCD 검출기(176)에서 검출하였다.
검량선 작성용의 액정 셀의 이온 오염 농도는 프로세스 분위기에 방치하는 시간을 변경하여 변화시켰다. 이들의 액정 셀의 이온 밀도를 진폭 10V, 0.01㎐의 삼각파 전압을 인가했을 때의 응답 전류로부터 구하였다. 또한, 플리커 측정은 도 5a에 도시하는 회로에서 행하고, 검량선 작성 시도 피검 패널 측정 시와 동일 조건이 되도록 하였다. 얻어진 검량선을 도 18에 도시한다. 검량선의 식은
이온 밀도=3.3×1011×플리커 진폭
이었다. 이 계수는 제1, 제2 실시예의 경우에 비하여 약 1자릿수 작아지고 있다. 이것은 구형파 인가에서는 액정 셀 내의 전계 변화에 따라서 전극에 전하가 공급되지만, 액티브 매트릭스 동작에서의 유지 기간 중에서는 전극으로의 전하 공급은 없고 이온의 드리프트에 의한 전압 강하가 보다 현저하게 발생하기 때문이라고 생각된다.
측정용 액정 표시 패널로서, 통상의 제조 공정에 의해 생산된 것과, 박막 트랜지스터 기판과 대향 기판을 접합시키기 전에, 통상보다도 길게 프로세스 분위기에 방치한 것과의 2종을 준비하였다.
박막 트랜지스터에 의해 각 화소로 전하 공급을 행하는 충전 시간을 100㎲로 하여 중간조 전압을 인가하고, 0.4999s 간 유지시켰다. 도 19는 전자의 액정 패널에 대하여 이 구동 조건으로 얻어진 플리커 파형의 일례이다. 이에 따라, 해당하는 영역에서의 이온 밀도는 검량선에서 약 4.5×1012개/㎤로 구해졌다.
도 20은 후자의 시료(프로세스 분위기에 노출된 시료)에 대한 패널 전면에서의 측정 결과이다. 도 20에서 검은 영역은 이온 밀도가 1×1012개/㎤ 미만이고, 흰 영역은 이온 밀도가 1×1012개/㎤ 이상의 영역이다. 도면 중, 흰색 원으로 둘러싼 영역의 이온 밀도는 1.4×1013개/㎤에 도달하고 있으며, 눈으로 확인하여도 콘트라스트 불균일을 관찰할 수 있었다.
본 발명이 제품 레벨의 액정 표시 패널, 즉 액티브 매트릭스형 액정 표시 패널의 면 내의 이온 밀도 분포 평가에 유효한 것을 알 수 있었다.
[제4 실시예]
본 발명의 이온 밀도 측정 방법에 의해, 액티브 매트릭스형 액정 표시 패널의 표시 인화 불량의 검사를 행하였다. 측정용 모노크롬 액티브 매트릭스형 액정 패널은 제3 실시예와 마찬가지로, 또한 기판을 접합시키기 전에 제3 실시예의 경우보다 장시간 프로세스 내에 방치를 행하여 제작하였다. 그리고, 도 21에 도시하는 흑과 백의 패턴 표시를 흑 표시 부분에 ±10V의 펄스 전압을 충전 시간 100㎲, 유지 기간을 49.9㎳로 하여 인가하고, 백표시 부분에는 전압을 인가하지 않음으로써 행하였다. 48 시간 표시를 계속한 후, 중간조의 회색 표시를 액정 표시 패널 전면에 행한 바, 도 22에 도시한 바와 같이 흑 표시되어 있는 부분이 백 표시되어 있는 부분보다 짙어진 패턴 잔류가 발생하였다.
이 패턴 잔류에 따른 이온 밀도의 변화를 측정하였다. 패턴 표시를 행하기 전의 패널면 내의 이온 밀도 분포를 도 23에 도시한다. 도면 중, 검은 영역은 이온 밀도가 5×1012개/㎤ 미만이고, 흰 영역은 이온 밀도가 5×1012개/㎤ 이상의 영역이다. 프로세스 분위기 방치 시간이 길었기 때문인지 제3 실시예보다도 이온 밀도가 높고 균일하게 분포되어 있다. 48 시간의 패턴 표시를 행한 직후의 이온 밀도 분포를 도 24에 도시한다. 흑표시 부분의 이온 밀도가 백표시 부분에 비하여 낮아지는 것을 알 수 있다. 이 이온 밀도의 감소는 아마 배향막 표면에 이온이 흡착한 것에 기인하고 있는 것으로 생각된다. 그래서, 이온의 배향막으로의 흡착은 액정 중 가동이온 밀도를 감소시키고, 액티브 매트릭스형 액정 표시 패널이 중요한 전기 파라미터인 전압 유지율을 상승시킨다. 이와 같이, 부분적으로 전압 유지율이 상승함으로써 투과율에 차가 생기고 인화가 확인되었다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 액정 표시 패널의 동작과 이온과의 상관을 조사할 수 있으므로, 표시 불량 원인이 이온에 의한 것인지 또는 그 외에 의한 것인지를 분간할 수 있으며, 표시 패널의 동작 해석이나 검사에 유효한 수단을 제공할 수 있다.
또, 본 발명은 액정 표시 패널뿐만아니라 일반 액정 패널에 대해서도 적용이 가능한 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 액정 패널의 이온 측정 방법은 액정 패널의 투과광에 나타나는 플리커의 크기를 검지하여 이온 밀도를 측정하는 것이므로, 비파괴로 패널 내의 이온 밀도를 알 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 이온 밀도의 패널면 내의 분포나 국소 영역에서의 이온 밀도를 알 수 있으므로, 액정 패널의 동작 해석/불량 해석에 유효한 수단을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 문제 발생으로부터 액정 내의 이온 밀도 정보를 입수하기까지의 시간이 단시간에 끝나기 때문에 공업 상의 이용 가치는 매우 크다.

Claims (16)

  1. 액정 패널에 교번 전압을 인가하고, 그 투과광 강도의 플리커 파형으로부터 액정 내의 이온 밀도를 검출하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 액정 내에서의 이온의 이동이 완료되기에 충분한 낮은 주파수의 교번 전압을 인가하여 플리커를 발생시키는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 액정 내에서의 이온이 인가 전압에 추종할 수 있으며 또한 포화하는 주파수의 교번 전압으로 액정 패널을 구동하고, 이온의 존재의 확인을 행하는 과정이 포함되고 있는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 액정 내에서의 이온이 인가 전압에 추종할 수 있으며 또한 포화하지 않는 주파수의 교번 전압으로 액정 패널을 구동하고, 이온의 존재의 확인을 행하는 과정이 포함되고 있는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 교번 전압의 전압값은 해당 액정 패널이 중간조 부근을 표시할 수 있는 값인 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  6. 제1항에 있어서, 투과광 강도의 플리커 파형의 진폭으로부터 이온 밀도를 구하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  7. 제1항에 있어서, 투과광 강도의 플리커 파형에 의해 생긴 플리커 파형이 없는 상황 시의 수평선과 플리커 파형 부분에 의해 둘러싸인 면적으로부터 이온 밀도를 구하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  8. 제1항에 있어서, 액정 패널이 구형파 구동 또는 액티브 매트릭스 구동되는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  9. 제1항에 있어서, 교번 전압이 인가되는 액정 패널 전면에 균일한 가시광을 조사하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  10. 제1항에 있어서, 교번 전압이 인가되는 액정 패널의 일부분에 균일한 가시광을 조사하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  11. 제1항 또는 제9항에 있어서, 패널 전면에서 출사되는 투과광의 평균적인 강도를 측정하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  12. 제1항, 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 액정 패널의 부분 영역으로 투과 광의 강도를 개별로 측정하고, 부분 영역마다의 이온 밀도를 구하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 액정 패널의 투과 광을 촬상 소자에 의해서 관측하고, 상기 촬상 소자의 화소마다 또는 그룹 분할된 화소마다 분리하여 액정 패널의 투과광을 측정하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 방법.
  14. 액정 패널을 구동하는 임의 파형 발생 장치와, 액정 패널에 광을 조사하는 광원과, 상기 액정 패널을 투과하는 광의 강도를 관측하는 영역 이미지 센서와, 상기 임의 파형 발생 장치 및 상기 영역 이미지 센서의 동작을 총괄하는 기억 장치를 가지는 정보 처리 장치를 구비한 액정 패널의 이온 밀도 측정 장치에 있어서,
    상기 영역 이미지 센서의 화소마다의 검출 데이터를 개개로 처리할 수 있으며 상기 화소마다 플리커를 검출할 수 있는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 영역 이미지 센서의 출력 파형을 감시할 수 있는 오실로스코프가 더 구비되고 있는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 정보 처리 장치는 상기 오실로스코프를 통하여 상기 영역 이미지 센서의 출력 데이터를 수집하는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 이온 밀도 측정 장치.
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