JP3064612B2 - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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- JP3064612B2 JP3064612B2 JP34301291A JP34301291A JP3064612B2 JP 3064612 B2 JP3064612 B2 JP 3064612B2 JP 34301291 A JP34301291 A JP 34301291A JP 34301291 A JP34301291 A JP 34301291A JP 3064612 B2 JP3064612 B2 JP 3064612B2
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- Japan
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- crystal display
- active matrix
- type liquid
- matrix type
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス型
液晶表示装置（ＡＭ−ＬＣＤ）に関し、特に詳細には、
画素絶縁膜にポリイミドなどの有機材料を用いたものに
使用される。
液晶表示装置（ＡＭ−ＬＣＤ）に関し、特に詳細には、
画素絶縁膜にポリイミドなどの有機材料を用いたものに
使用される。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示装置
は、データ線や走査線、さらにはスイッチとしての薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）や画素電極を形成した下側基板
と、共通電極などが形成された上側基板（対向基板）と
を対向して配置し、この間隙に液晶材料を注入して形成
される。この場合、下側基板にいわゆる画素欠陥がある
と、表示装置として用いることができず、従って画素欠
陥を探す不良品検査が行われる。
は、データ線や走査線、さらにはスイッチとしての薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）や画素電極を形成した下側基板
と、共通電極などが形成された上側基板（対向基板）と
を対向して配置し、この間隙に液晶材料を注入して形成
される。この場合、下側基板にいわゆる画素欠陥がある
と、表示装置として用いることができず、従って画素欠
陥を探す不良品検査が行われる。
【０００３】このような不良品検査は、従来は次のよう
に行われてきた。第１は、液晶を注入した後に実際にア
クティブマトリクス型液晶表示装置として点灯駆動させ
るものであり、第２は、液晶を注入する前に薄膜トラン
ジスタを駆動し、画素電極の電位を測定するものであ
る。そして、後者の従来技術では、電気光学素子を画素
電極に接近させて、カー効果などにより電位を測定する
方法と、電子ビームの照射により画素電極の電位を測定
する方法がある。
に行われてきた。第１は、液晶を注入した後に実際にア
クティブマトリクス型液晶表示装置として点灯駆動させ
るものであり、第２は、液晶を注入する前に薄膜トラン
ジスタを駆動し、画素電極の電位を測定するものであ
る。そして、後者の従来技術では、電気光学素子を画素
電極に接近させて、カー効果などにより電位を測定する
方法と、電子ビームの照射により画素電極の電位を測定
する方法がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記第１の従
来技術では、不良品になると液晶注入までのプロセスと
材料、部品が全て無駄になってしまう。また、第２の従
来技術のうちカー効果などを使用するものでは、電気光
学素子を画素電極に接近させるため、極めて高精度の機
械的制御が必要になり、また解像度は１０μｍ程度と十
分ではない。さらに、電子ビームを用いる技術では、真
空チャンバ内で操作しなければならず、装置も大型で高
価になる。
来技術では、不良品になると液晶注入までのプロセスと
材料、部品が全て無駄になってしまう。また、第２の従
来技術のうちカー効果などを使用するものでは、電気光
学素子を画素電極に接近させるため、極めて高精度の機
械的制御が必要になり、また解像度は１０μｍ程度と十
分ではない。さらに、電子ビームを用いる技術では、真
空チャンバ内で操作しなければならず、装置も大型で高
価になる。
【０００５】そこで本発明は、画素欠陥を精度よく容易
に検査することが可能なアクティブマトリクス型液晶表
示装置を提供することを目的とする。
に検査することが可能なアクティブマトリクス型液晶表
示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るアクティブ
マトリクス型液晶表示装置は、有機材料からなる画素絶
縁膜上に画素電極が形成された装置において，有機材料
には電界によって発光する発光要素が混入されている。
ここで、発光要素は、ＺｎＳ、ＣａＳまたはＳｒＳを主
成分として不純物を含む化合物であることが望ましい。
マトリクス型液晶表示装置は、有機材料からなる画素絶
縁膜上に画素電極が形成された装置において，有機材料
には電界によって発光する発光要素が混入されている。
ここで、発光要素は、ＺｎＳ、ＣａＳまたはＳｒＳを主
成分として不純物を含む化合物であることが望ましい。
【０００７】
【作用】本発明の構成によれば、画素絶縁膜中には発光
要素が混入されているので、例えば、走査線と画素電極
の間に交流電界を印加することで画素絶縁膜を発光させ
ることができ、従って発光の強度分布などを調べること
で画素欠陥を検査できる。
要素が混入されているので、例えば、走査線と画素電極
の間に交流電界を印加することで画素絶縁膜を発光させ
ることができ、従って発光の強度分布などを調べること
で画素欠陥を検査できる。
【０００８】
【実施例】以下、添付図面により本発明の実施例を説明
する。なお、同一要素には同一符号を付し、重複する説
明を省略する。
する。なお、同一要素には同一符号を付し、重複する説
明を省略する。
【０００９】図１は下側基板の平面図であり、図２はそ
のＡ−Ａ線断面図である。ガラスなどの基板１には、薄
膜トランジスタを構成するポリシリコンなどの半導体薄
膜２が形成され、全面にＳｉＯ2 などのゲート絶縁膜３
が形成されている。そして、複数本のクロムからなる走
査線４、同じく複数本のとデータ線５とが絶縁膜（図示
せず）をはさんで交差するように設けられ、走査線４は
薄膜トランジスタ部分で突出されてゲート電極６とさ
れ、データ線５は薄膜トランジスタのソースである半導
体薄膜２の部分にオーミックコンタクトされている。
のＡ−Ａ線断面図である。ガラスなどの基板１には、薄
膜トランジスタを構成するポリシリコンなどの半導体薄
膜２が形成され、全面にＳｉＯ2 などのゲート絶縁膜３
が形成されている。そして、複数本のクロムからなる走
査線４、同じく複数本のとデータ線５とが絶縁膜（図示
せず）をはさんで交差するように設けられ、走査線４は
薄膜トランジスタ部分で突出されてゲート電極６とさ
れ、データ線５は薄膜トランジスタのソースである半導
体薄膜２の部分にオーミックコンタクトされている。
【００１０】さらに、その上面にはＳｉＯ2 などの層間
絶縁膜７が堆積され、その上にポリイミドなどの有機材
料からなる画素絶縁膜８がスピンコート法などで形成さ
れている。そして、画素ごとにＩＴＯなどの画素電極９
が形成されることで、下側基板が構成されている。
絶縁膜７が堆積され、その上にポリイミドなどの有機材
料からなる画素絶縁膜８がスピンコート法などで形成さ
れている。そして、画素ごとにＩＴＯなどの画素電極９
が形成されることで、下側基板が構成されている。
【００１１】なお、上記構成において各層の膜厚は、ゲ
ート絶縁膜３が１５００オングストローム、走査線４が
２０００オングストローム、層間絶縁膜７が５０００オ
ングストローム、画素絶縁膜８が３μｍ、画素電極９が
１０００オングストロームとなっている。
ート絶縁膜３が１５００オングストローム、走査線４が
２０００オングストローム、層間絶縁膜７が５０００オ
ングストローム、画素絶縁膜８が３μｍ、画素電極９が
１０００オングストロームとなっている。
【００１２】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置は、このようなアクティブマトリクス基板におい
て、画素絶縁膜８を成す有機材料に発光要素１０とし
て、例えば、ＺｎＳ（硫化亜鉛）、ＣａＳ（硫化カルシ
ウム）あるいはＳｒＳ（硫化ストロンチウム）などを混
入させた点に特徴がある。そして、ＺｎＳのときは、直
径が０．５μｍ程度の粒子が１個／μｍ2 の割合で混入
されている。
装置は、このようなアクティブマトリクス基板におい
て、画素絶縁膜８を成す有機材料に発光要素１０とし
て、例えば、ＺｎＳ（硫化亜鉛）、ＣａＳ（硫化カルシ
ウム）あるいはＳｒＳ（硫化ストロンチウム）などを混
入させた点に特徴がある。そして、ＺｎＳのときは、直
径が０．５μｍ程度の粒子が１個／μｍ2 の割合で混入
されている。
【００１３】このようにすると、走査線４と画素電極９
のオーバーラップ領域にある発光要素１０（図２に黒丸
印で表示）は、交流電界に依存して発光する。従って、
画素に欠陥があると、下側基板を駆動したときに発光強
度、交流駆動に対する対称性が異なってくるので、欠陥
を容易に検出できる。発光要素の混入比率、粒径など
は、通常ＴＦＴ−ＬＣＤの駆動条件（６０ＨZ 、正負電
圧約５Ｖ）下で発光強度が視感度強度よりも充分低く、
かつＴＦＴのリーク電流を増加させない強度となる様に
設計された値である。
のオーバーラップ領域にある発光要素１０（図２に黒丸
印で表示）は、交流電界に依存して発光する。従って、
画素に欠陥があると、下側基板を駆動したときに発光強
度、交流駆動に対する対称性が異なってくるので、欠陥
を容易に検出できる。発光要素の混入比率、粒径など
は、通常ＴＦＴ−ＬＣＤの駆動条件（６０ＨZ 、正負電
圧約５Ｖ）下で発光強度が視感度強度よりも充分低く、
かつＴＦＴのリーク電流を増加させない強度となる様に
設計された値である。
【００１４】なお、発光検出は例えばＣＣＤカメラを用
いればよいが、フォトンカウンターカメラなどを用いる
と、低電圧駆動あるいは低周波駆動時における微弱発光
も観測できる。
いればよいが、フォトンカウンターカメラなどを用いる
と、低電圧駆動あるいは低周波駆動時における微弱発光
も観測できる。
【００１５】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り本発明では、
画素絶縁膜中には発光要素が混入されているので、例え
ば、走査線と画素電極の間に一定電位差を印加すること
で画素絶縁膜を発光させることができ、従って発光の強
度分布などを調べることで画素欠陥を検査できる。この
ように、簡単かつ精度よく、しかも対向基板の組立てや
液晶注入などのプロセスを行う前に検査ができるので、
表示装置の低コスト化が可能になる。
画素絶縁膜中には発光要素が混入されているので、例え
ば、走査線と画素電極の間に一定電位差を印加すること
で画素絶縁膜を発光させることができ、従って発光の強
度分布などを調べることで画素欠陥を検査できる。この
ように、簡単かつ精度よく、しかも対向基板の組立てや
液晶注入などのプロセスを行う前に検査ができるので、
表示装置の低コスト化が可能になる。
【図１】実施例に係るアクティブマトリクス基板の平面
図である。
図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
１…基板、２…半導体薄膜、３…ゲート絶縁膜、４…走
査線、５…データ線、６…ゲート電極、７…層間絶縁
膜、８…画素絶縁膜、９…画素電極、１０…発光要素。
査線、５…データ線、６…ゲート電極、７…層間絶縁
膜、８…画素絶縁膜、９…画素電極、１０…発光要素。
Claims (2)
- 【請求項１】 有機材料からなる画素絶縁膜上に画素電
極が形成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて，前記有機材料には電界によって発光する発光要
素が混入されていることを特徴とするアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記発光要素が、ＺｎＳ、ＣａＳまたは
ＳｒＳを主成分として不純物を含む化合物であることを
特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34301291A JP3064612B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34301291A JP3064612B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05173178A JPH05173178A (ja) | 1993-07-13 |
| JP3064612B2 true JP3064612B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=18358259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34301291A Expired - Lifetime JP3064612B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3064612B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10206857A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100326881B1 (ko) * | 1999-10-15 | 2002-03-13 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP34301291A patent/JP3064612B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05173178A (ja) | 1993-07-13 |
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