JP3061114U - 半導体装置のモ―ルド樹脂 - Google Patents

半導体装置のモ―ルド樹脂

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JP3061114U
JP3061114U JP1999000359U JP35999U JP3061114U JP 3061114 U JP3061114 U JP 3061114U JP 1999000359 U JP1999000359 U JP 1999000359U JP 35999 U JP35999 U JP 35999U JP 3061114 U JP3061114 U JP 3061114U
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mold resin
substrate
resin
mold
semiconductor chip
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俊哲 李
仁廣 方
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日月光半導體製造股▲分▼有限公司
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 基板、半導体チップ、ワイヤ、上モール
ド樹脂および下モールド樹脂により構成され、基板にス
ルーホールが穿設され、半導体チップはスルーホールの
下方に位置するように形成され、複数本のワイヤは基板
の上表面のターミナルと半導体チップのターミナルとを
連接するように形成され、上モールド樹脂は上型の注入
口から液体モールド樹脂を注入してなるもので、下モー
ルド樹脂は上金型の注入口から液体モールド樹脂を注入
してなるように構成されている。 【効果】 半導体チップの正面と背面において型を利用
して液体モールド樹脂の注入を行うことにより、モール
ド樹脂の量を適当に制御すると共に、ワイヤ露出した
り、気泡が生じたりするのを避けることができる半導体
装置のモールド樹脂を提供することにある。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【考案の属する技術分野】
本考案は、主として半導体装置のモールド樹脂に関し、特に基板上の電子素子 或いは半導体チップをパッケージする時、上型と下型からモールド樹脂を注入し てパッケージを行う半導体装置のモールド樹脂に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来この種のものにあっては、下記のようなものになっている。
【0003】 図1の従来の半導体装置のモールド樹脂の態様を示す図において、基板10に はスルーホール11が穿設されており、スルーホール11の下方にパッド12が 設けられている。パッド12は半導体チップ20を設置するのに用いられ、半導 体チップ20の背面から型を利用してモールド樹脂の注入を行い、溶解されたモ ールド樹脂を型の注入口を経て注入することにより、基板の表面から突出してい る集積回路の半導体チップ20の背面全体を完全に包み込むことにより、モール ド樹脂22が形成される。しかし、半導体チップ20の正面に布設されたワイヤ 21の部分では、基板10の阻止と制限を受けるため、型を利用してモールド樹 脂の注入を行うのは無理で、モールド樹脂の点滴注入の方式しか利用できない。 従来のモールド樹脂の点滴注入の方式によると、溶解されたモールド樹脂を点滴 式注入することにより、基板の表面から突出している集積回路の半導体チップ2 0の正面全体を完全に包み込むため、モールド樹脂23が形成されることにより 、集積回路の半導体チップ20に完全気密の密封環境を提供することができる。 それから、モールド樹脂が硬くなってから、型を外すことにより半導体装置のモ ールド樹脂が形成される。
【0004】 このような従来の半導体装置のモールド樹脂の構造については、以下のような 問題を指摘することができる。
【0005】 上述した従来の半導体装置のモールド樹脂は、点滴注入方式により液体モール ド樹脂を基板10の表面にたらした時、液体モールド樹脂の拡散範囲を制御する ことができないため、モールド樹脂23の形状が不規則になったり、モールド樹 脂23の表面が凸凹で平らでなかったり、或いはまたワイヤが露出したりすると いう問題点が生じてくる。この他に、点滴注入方式でパッケージを行う時、モー ルド樹脂23の中に気泡が生じるのを避けるため、真空の状態で行わなければな らず、水蒸気爆が発生するのを避けなければならないという不便さを更に有して いる。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】
本考案は、従来の技術の有するこのような問題点に鑑みなされたものであり、 その目的とするところは、次のようなことを達成できる半導体装置のモールド樹 脂を提供しようとするものである。
【0007】 本考案の目的は、半導体チップの正面と背面において型を利用して膠状樹脂材 料の注入を行うことにより、モールド樹脂の量を適当にコントロールすることが できると共に、ワイヤが露出したり、気泡が生じたりするのを避けることができ る半導体装置のモールド樹脂を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本考案による半導体装置のモールド樹脂は下記の ようになるものである。
【0009】 すなわち、本考案の半導体装置のモールド樹脂は、基板、半導体チップ、ワイ ヤ、上モールド樹脂および下モールド樹脂により構成される。基板は上表面と下 表面を有すると共に、基板にスルーホールが穿設される。スルーホールは上表面 と下表面を貫穿し、半導体チップは基板の下表面に位置するように形成され、複 数本のワイヤは基板の上表面のターミナルと半導体チップのターミナルとを連接 するように形成される。上モールド樹脂は上型の注入口からモールド樹脂を注入 してなるものであり、下モールド樹脂は上型の注入口からモールド樹脂を注入し てなるものである。上モールド樹脂と下モールド樹脂は半導体チップを完全に密 封するように構成される。
【0010】 また、本考案の半導体装置のモールド樹脂は、下記のように構成することもで きる。 1. 基板のスルーホールにパッドが粘着され、パッドは半導体チップが設置され るのに用いられる。 2. 上型は基板の上表面のスルーホールの上方に位置するように構成される。 3. 下型は基板の下表面のスルーホールの下方に位置するように構成される。 4. 上型に注入口が設けられるように構成されている。 5. 上型に注入口が設けられるように構成されている。
【0011】 本考案の半導体装置のモールド樹脂は、基板にスルーホールが穿設され、基板 の下表面のスルーホールの周囲にパッドを粘着してから、再び半導体チップをパ ッドの下方に設置し、複数本のワイヤは基板の上表面のターミナルと半導体チッ プのターミナルとを連接するように形成される。上型は基板の上表面のスルーホ ールの丁度上方に位置するのに対し、下型は基板の下表面のスルーホールの丁度 下方に位置する。上型と下型にはぞれぞれ液体モールド樹脂を注入するための注 入口が設けられ、基板の上表面と下表面にそれぞれ上モールド樹脂と下モールド 樹脂が形成されることにより、半導体チップに完全気密の密封環境を提供するこ とができる。
【0012】 本考案の半導体装置のモールド樹脂は、上型と下型により基板の上表面と下表 面に膠状樹脂材料の注入を行うことにより、従来の技術においてモールド樹脂の 形状が不規則になったり、モールド樹脂の表面が凸凹で平らでなかったり、ワイ ヤが露出したり、気泡が生じたりする欠点を避けることができる。
【0013】
【考案の実施の形態】 本考案の実施の形態について、以下、図面を参照して説明する。
【0014】 図2に示す本考案の実施例による半導体装置のモールド樹脂のパッケージ前の 態様を示す図において、本考案の半導体装置のモールド樹脂は基板30、半導体 チップ35、ワイヤ36、上型42と下型40により構成される。基板30は上 表面31と下表面32を有し、基板30にはスルーホール33が穿設される。ス ルーホール33は上表面31と下表面32を貫穿している。基板30の下表面3 2のスルーホール33の周囲にパッド34を粘着してから、再び半導体チップ3 5をパッド34の下方に設置し、複数本のワイヤ36は基板30の上表面31の ターミナルと半導体チップ20のターミナルとを連接するように形成されるため 、半導体チップ35の集積回路は基板30の回路レイアウトと連接するように形 成される。上型42は基板30の上表面31のスルーホール33の丁度上方に位 置するのに対し、下型40は基板30の下表面32のスルーホール33の丁度下 方に位置する。上型42と下型40にはぞれぞれ液体モールド樹脂を注入するた めの注入口43,41が設けられる。
【0015】 図3の本考案の実施例の半導体装置のモールド樹脂の態様を示す図において、 上型42と下型40の注入口43,41から液体モールド樹脂を注入することに より、基板30の上表面31および基板30の下表面32にはそれぞれ上モール ド樹脂38と下モールド樹脂37が形成されるため、半導体チップ35に完全気 密の密封環境を提供することができる。また、本考案の半導体装置のモールド樹 脂は上型42と下型40によりモールド樹脂の注入を行うため、真空の環境で基 板30のパッケージを行う必要がなく、製造上において本考案は従来の技術より 大変便利になる。
【0016】 図1と図3を参照すると、従来の技術は点滴注入方式は、溶解された液体モー ルド樹脂を点滴式注入することにより、基板10の表面から突出している半導体 チップ20の正面全体を完全に包み込むため、モールド樹脂23が形成される。 これに対し、本考案では、上型42により基板30の上表面31に液体モールド 樹脂の注入を行うことにより、上モールド樹脂38が形成される。このため、本 考案の上モールド樹脂38は、従来の技術によるモールド樹脂23と比べてみる と、上モールド樹脂38の形状がモールド樹脂23の形状よりも固定されている と共に、上モールド樹脂38の表面が平坦であり、更に、上モールド樹脂38の 中のワイヤが露出することはなく、また、上モールド樹脂38の中に気泡が生じ ることもないため、本考案は従来の技術によって発生したモールド樹脂の形状が 不規則になったり、モールド樹脂の表面が凸凹で平らでなかったり、ワイヤが露 出したり、気泡が生じたりするなどの欠点を避けることができる。この他に、基 板30の上表面31は上型42により液体モールド樹脂を注入して上モールド樹 脂38を形成させるため、上モールド樹脂38の形状は上型42の形状により変 化を与えることができ、しかも、上モールド樹脂38の表面にタイプすることに より、上モールド樹脂38の外観を改善することができる。また、上モールド樹 脂38のモールド樹脂の量を適量にコントロールすることができるため、材料の 浪費を避けることができる。
【0017】
【考案の効果】
本考案は、上述の通り構成されているので次に記載する効果を奏する。
【0018】 本考案の半導体装置のモールド樹脂によれば、上型と下型により基板の上表面 と下表面にモールド樹脂の注入を行うことにより、モールド樹脂の量を適当にコ ントロールすることができると共に、ワイヤが露出したり、気泡が生じたりする のを避けることができ、また、モールド樹脂の形状が更に規則になると共に、平 坦なモールド樹脂の表面を得ることができる。
【0019】 本考案は、その主旨及び必須の特徴事項から逸脱することなく他のやり方で実 施することができ、従って、本明細書に記載した好ましい実施例は単なる例示的 なものでしかなく、限定を意味するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の半導体装置のモールド樹脂の態様を示す
図である。
【図2】本考案の実施例の半導体装置のモールド樹脂の
パッケージング前の態様を示す図である。
【図3】本考案の実施例の半導体装置のモールド樹脂の
態様を示す図である。
【符号の説明】
10 基板 11 スルーホール 1
2 パッド 20 半導体チップ 21 ワイヤ 2
2 モールド樹脂 23 モールド樹脂 30 基板 3
1 上表面 32 下表面 33 スルーホール 3
4 パッド 35 半導体チップ 36 ワイヤ 3
7 下モールド樹脂 38 上モールド樹脂 40 下型 4
1 注入口 42 上型 43 注入口

Claims (6)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板(30)、半導体チップ(35)、
    ワイヤ(36)、上モールド樹脂(38)および下モー
    ルド樹脂(37)により構成され、基板(30)は上表
    面(31)と下表面(32)を有すると共に、基板(3
    0)にスルーホール(33)が穿設され、スルーホール
    (33)は上表面(31)と下表面(32)を貫穿し、
    半導体チップ(35)は基板(30)の下表面(32)
    に位置するように形成され、複数本のワイヤ(36)は
    基板(30)の上表面(31)のターミナルと半導体チ
    ップ(35)のターミナルとを連接するように形成さ
    れ、上モールド樹脂(38)は上型(42)の注入口
    (43)からモールド樹脂を注入してなるもので、下モ
    ールド樹脂(37)は上型(40)の注入口(41)か
    らモールド樹脂を注入してなるもので、上モールド樹脂
    (38)と下モールド樹脂(37)は半導体チップ(3
    5)を完全に密封するように構成されていることを特徴
    とする半導体装置のモールド樹脂。
  2. 【請求項2】 基板(30)のスルーホール(33)に
    パッド(34)が粘着され、パッド(34)は半導体チ
    ップ(35)が設置されるのに用いられるよう構成され
    ている請求項1記載の半導体装置のモールド樹脂。
  3. 【請求項3】 上型(42)は基板(30)の上表面
    (31)のスルーホール(33)の上方に位置するよう
    に構成されている請求項1記載の半導体装置のモールド
    樹脂。
  4. 【請求項4】 下型(40)は基板(30)の下表面
    (32)のスルーホール(33)の下方に位置するよう
    に構成されている請求項1記載の半導体装置のモールド
    樹脂。
  5. 【請求項5】 上型(42)に注入口(43)が設けら
    れるように構成されている請求項3記載の半導体装置の
    モールド樹脂。
  6. 【請求項6】 上型(40)に注入口(41)が設けら
    れるように構成されている請求項4記載の半導体装置の
    モールド樹脂。
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