JPH1126483A - 樹脂封止半導体装置及びその樹脂封止方法 - Google Patents

樹脂封止半導体装置及びその樹脂封止方法

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JPH1126483A
JPH1126483A JP17495497A JP17495497A JPH1126483A JP H1126483 A JPH1126483 A JP H1126483A JP 17495497 A JP17495497 A JP 17495497A JP 17495497 A JP17495497 A JP 17495497A JP H1126483 A JPH1126483 A JP H1126483A
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JP
Japan
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resin
substrate
sealing resin
semiconductor chip
semiconductor device
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JP17495497A
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Yasushi Tanaka
恭史 田中
Shigenari Takami
茂成 高見
Kazunari Kuzuhara
一功 葛原
Tomoaki Nemoto
知明 根本
Koichi Sato
晃一 佐藤
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Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 封止樹脂の未充填個所をなくすことにより未
充填個所に起因する信頼性の劣化を防止するとともに、
封止樹脂の注入速度を向上させた樹脂封止半導体装置及
びそのその樹脂封止方法を提供する。 【解決手段】 エリア全域にわたってバンプ２の形成さ
れた半導体チップ１を基板３にフリップチップ実装した
後、樹脂封止４するようにした樹脂封止半導体装置にお
いて、予め基板３の回路の非形成個所に貫通孔３１を形
成しておくようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エリア全域にわた
ってバンプの形成された半導体チップを基板にフリップ
チップ実装した後、樹脂封止するようにした樹脂封止半
導体装置及びその樹脂封止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の樹脂封止半導体装置は、
バンプの形成された半導体チップを基板にフリップチッ
プ実装した後、半導体チップの周囲から封止樹脂を注入
し、樹脂の浸透圧により接続部分を封止していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような樹脂封止半導体装置の樹脂封止方法にあっては、
封止樹脂を注入する過程で気泡が混じって、封止樹脂の
未充填個所が発生し、この未充填個所に起因する信頼性
の劣化が発生するという問題があった。また、半導体チ
ップの全周囲から同時に封止樹脂を注入すると半導体チ
ップと基板との間に空気が閉じ込められてしまうので、
少なくとも一方の面は開けておく必要があるので、全周
囲から同時に封止樹脂を注入するのに対して封止樹脂の
注入に要する時間が長くなるという問題があった。
【０００４】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、封止樹脂の未充填個所
をなくすことにより未充填個所に起因する信頼性の劣化
を防止するとともに、封止樹脂の注入速度を向上させた
樹脂封止半導体装置及びそのその樹脂封止方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
エリア全域にわたってバンプの形成された半導体チップ
を基板にフリップチップ実装した後、樹脂封止するよう
にした樹脂封止半導体装置において、予め前記基板の回
路の非形成個所に貫通孔を形成しておくようにしたこと
を特徴とするものである。
【０００６】請求項２記載の発明は、請求項１記載の樹
脂封止半導体装置の樹脂封止方法であって、前記半導体
チップの周囲から樹脂を注入するとともに、前記基板に
形成した貫通孔を介して減圧するようにしたことを特徴
とするものである。
【０００７】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、請求項１記載の樹脂封止半導体装置の樹脂
封止方法であって、前記基板に形成した貫通孔から樹脂
を注入するとともに、前記半導体チップの周囲から減圧
するようにしたことを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は、本発明の実施の形態
の一例に係る樹脂封止半導体装置の断面を示す模式図で
ある。本実施形態において、１は半導体チップであり、
エリア全域にわたってバンプ２が設けられている。３は
基板であり、基板３上にはバンプ２と接続するための電
極や回路パターン等が形成され、さらには、前記電極や
回路パターンの存在しない個所に貫通孔３１が形成され
ている。半導体チップ１はフリップチップ実装により基
板３上に実装される。４は封止樹脂であり、基板３上に
実装された半導体チップ１の周囲あるいは基板３の裏側
から貫通孔３１を介して注入される。なお、貫通孔３１
の個数や大きさは特に限定されるものではなく、基板３
に形成された電極や回路パターン等に影響を与えないも
のであれば良い。また、本実施形態では、半導体チップ
１と基板３との間にのみ封止樹脂を注入しているが、半
導体チップ１全体が封止樹脂で覆われるようにしてもよ
い。
【０００９】本実施形態によれば、封止樹脂４の注入に
際し、半導体チップ１の周囲から封止樹脂４を注入した
場合には空気は貫通孔３１を介して基板３の裏側に逃
げ、基板３の裏側から貫通孔３１を介して注入した場合
には空気は基板３の表側の半導体チップ１の周囲から逃
げるのである。従って、封止樹脂を注入する過程で気泡
が混じって、封止樹脂の未充填個所が発生することがな
くなる。また、半導体チップ１の周囲から封止樹脂４を
注入する場合には、半導体チップ１の全周囲から注入す
ることができるので、注入速度が向上する。基板３の裏
側から貫通孔３１を介して注入する場合には、貫通孔３
１の数を増やしたり、形状を大きくしたりすることによ
り、注入速度を向上させることができる。
【００１０】図２は上述の樹脂封止半導体装置の樹脂封
止方法の一例を示す断面の模式図であり、基板３上に実
装された半導体チップ１の周囲から封止樹脂を注入する
場合を示している。半導体チップ１の周囲からディスペ
ンサー５により封止樹脂４を注入するのであるが、この
時、基板３の裏側から貫通孔３１を介して減圧するよう
にしている。このようにすることにより、封止樹脂の未
充填個所の発生の防止と注入速度の向上という効果を一
層増進することができるのである。
【００１１】図３は樹脂封止半導体装置の樹脂封止方法
の他の例を示す断面の模式図であり、基板３の裏側から
貫通孔３１を介して封止樹脂を注入する場合を示してい
る。基板３の裏側から貫通孔３１を介してディスペンサ
ー５により封止樹脂４を注入するのであるが、この時、
基板３の表側（半導体チップ１の実装面側）を減圧する
ようにしている。このようにすることにより、封止樹脂
の未充填個所の発生の防止と注入速度の向上という効果
を一層増進することができるのである。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、エリア全域にわたってバンプの形成された半導体
チップを基板にフリップチップ実装した後、樹脂封止す
るようにした樹脂封止半導体装置において、予め前記基
板の回路の非形成個所に貫通孔を形成しておくようにし
たので、封止樹脂の未充填個所をなくすことにより未充
填個所に起因する信頼性の劣化を防止するとともに、封
止樹脂の注入速度を向上させた樹脂封止半導体装置が提
供できた。
【００１３】請求項２及び請求項３記載の発明によれ
ば、請求項１記載の樹脂封止半導体装置の樹脂封止方法
であって、封止樹脂の注入に際して、前記基板に対して
封止樹脂の注入側とは逆側から貫通孔を介して減圧する
ようにしたので、上述の効果を一層増進することができ
るのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る樹脂封止半導体装置
の断面を示す模式図である。
【図２】同上の樹脂封止半導体装置の樹脂封止方法の一
例に係る断面の模式図である。
【図３】図１の樹脂封止半導体装置の樹脂封止方法の他
の例に係る断面の模式図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ バンプ ３ 基板 ４ 樹脂 ５ ディスペンサー５ ３１ 貫通孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 根本 知明 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 佐藤 晃一 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 エリア全域にわたってバンプの形成され
    た半導体チップを基板にフリップチップ実装した後、樹
    脂封止するようにした樹脂封止半導体装置において、予
    め前記基板の回路の非形成個所に貫通孔を形成しておく
    ようにしたことを特徴とする樹脂封止半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止半導体装置の樹
    脂封止方法であって、前記半導体チップの周囲から樹脂
    を注入するとともに、前記基板に形成した貫通孔を介し
    て減圧するようにしたことを特徴とする樹脂封止半導体
    装置の樹脂封止方法。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の樹脂封止半導体装置の樹
    脂封止方法であって、前記基板に形成した貫通孔から樹
    脂を注入するとともに、前記半導体チップの周囲から減
    圧するようにしたことを特徴とする樹脂封止半導体装置
    の樹脂封止方法。
JP17495497A 1997-06-30 1997-06-30 樹脂封止半導体装置及びその樹脂封止方法 Pending JPH1126483A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127194A (ja) * 1999-10-28 2001-05-11 Sharp Corp フリップチップ型半導体装置及びその製造方法
JP2001267345A (ja) * 2000-03-21 2001-09-28 Apic Yamada Corp 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
JP2013187297A (ja) * 2012-03-07 2013-09-19 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
US8727311B2 (en) 2008-09-05 2014-05-20 Vat Holding Ag Vacuum valve with gas-tight shaft penetration

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