JP3366460B2 - 片面樹脂封止型半導体パッケージ並びに片面樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
片面樹脂封止型半導体パッケージ並びに片面樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は片面樹脂封止型半導体パ
ッケージ並びに片面樹脂封止型半導体装置及びその製造
方法に関する。
ッケージ並びに片面樹脂封止型半導体装置及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層のプリント回路基板を用いたＢＧＡ
（Ball Grid Array)構造の半導体装置には図８に示すよ
うにパッケージ本体１０の外部接続端子を形成する面側
にキャビティ１２を設け、キャビティ１２の底面に半導
体チップ１４を搭載したいわゆるキャビティ・ダウン構
造の製品がある。このキャビティ・ダウン構造の半導体
装置はスルーホール等の内部配線パターンやボンディン
グワイヤなどを介して半導体チップ１４と外部接続端子
１１とを電気的に接続し、樹脂１６によって半導体チッ
プ１４を搭載したキャビティ１２を樹脂封止した状態で
半導体装置の外部接続端子１５を実装基板（図示せず）
へ接合した際、樹脂封止されたキャビティ１２が実装基
板と向かい合う構造となる。このような半導体装置の製
造にあたっては、図７に示すように下金型１８ａと上金
型１８ｂで半導体チップ１４が搭載されたパッケージ本
体１０の上下面をクランプし、キャビティ１２の開口部
にゲート２０を配置しキャビティ１２に樹脂１６を充填
することによって樹脂成形し、次いで、外部接続端子１
１を形成することによって行う。
（Ball Grid Array)構造の半導体装置には図８に示すよ
うにパッケージ本体１０の外部接続端子を形成する面側
にキャビティ１２を設け、キャビティ１２の底面に半導
体チップ１４を搭載したいわゆるキャビティ・ダウン構
造の製品がある。このキャビティ・ダウン構造の半導体
装置はスルーホール等の内部配線パターンやボンディン
グワイヤなどを介して半導体チップ１４と外部接続端子
１１とを電気的に接続し、樹脂１６によって半導体チッ
プ１４を搭載したキャビティ１２を樹脂封止した状態で
半導体装置の外部接続端子１５を実装基板（図示せず）
へ接合した際、樹脂封止されたキャビティ１２が実装基
板と向かい合う構造となる。このような半導体装置の製
造にあたっては、図７に示すように下金型１８ａと上金
型１８ｂで半導体チップ１４が搭載されたパッケージ本
体１０の上下面をクランプし、キャビティ１２の開口部
にゲート２０を配置しキャビティ１２に樹脂１６を充填
することによって樹脂成形し、次いで、外部接続端子１
１を形成することによって行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のようにキャビテ
ィ１２の開口部にゲート２０を配置して樹脂封止する場
合は、キャビティ１２に充填した樹脂中にボイド１６ａ
が生じたり、キャビティ１２に樹脂を充填したゲート部
分にゲート残り２０ａが生じたりするという問題点があ
った。ボイド１６ａは半導体チップ１４と内部配線パタ
ーンとを接続するボンディングワイヤやＴＡＢテープよ
りもキャビティ１２の底面側に生じやすい。ボイド１６
ａは半導体装置の信頼性に悪影響を及ぼし、ゲート残り
２０ａは半導体装置を実装基板に表面実装する際の妨げ
となる。図８に示す片面樹脂封止型半導体装置では外部
接続端子１１としてはんだボールを取り付けているが、
樹脂１６の外面にゲート残り２０ａ等があると、これが
表面実装する際に実装基板に当たって邪魔になり実装基
板への確実な表面実装ができなくなるという問題があっ
た。また、パッケージ本体１０にはんだボール等の外部
接続端子１１を取り付ける際にも、ゲート残り２０ａ等
があると治具などに当たって邪魔になるという問題もあ
った。
ィ１２の開口部にゲート２０を配置して樹脂封止する場
合は、キャビティ１２に充填した樹脂中にボイド１６ａ
が生じたり、キャビティ１２に樹脂を充填したゲート部
分にゲート残り２０ａが生じたりするという問題点があ
った。ボイド１６ａは半導体チップ１４と内部配線パタ
ーンとを接続するボンディングワイヤやＴＡＢテープよ
りもキャビティ１２の底面側に生じやすい。ボイド１６
ａは半導体装置の信頼性に悪影響を及ぼし、ゲート残り
２０ａは半導体装置を実装基板に表面実装する際の妨げ
となる。図８に示す片面樹脂封止型半導体装置では外部
接続端子１１としてはんだボールを取り付けているが、
樹脂１６の外面にゲート残り２０ａ等があると、これが
表面実装する際に実装基板に当たって邪魔になり実装基
板への確実な表面実装ができなくなるという問題があっ
た。また、パッケージ本体１０にはんだボール等の外部
接続端子１１を取り付ける際にも、ゲート残り２０ａ等
があると治具などに当たって邪魔になるという問題もあ
った。
【０００４】本発明はこれら問題点を解消すべくなされ
たものであり、その目的とするところは、キャビティ・
ダウン構造の片面樹脂封止型半導体パッケージ及び片面
樹脂封止型半導体装置において、ボイド等をなくして確
実な樹脂封止ができ、かつ実装基板へ確実に実装するこ
とができる片面樹脂封止型半導体パッケージ並びに片面
樹脂封止型半導体装置及びその好適な製造方法を提供し
ようとするものである。
たものであり、その目的とするところは、キャビティ・
ダウン構造の片面樹脂封止型半導体パッケージ及び片面
樹脂封止型半導体装置において、ボイド等をなくして確
実な樹脂封止ができ、かつ実装基板へ確実に実装するこ
とができる片面樹脂封止型半導体パッケージ並びに片面
樹脂封止型半導体装置及びその好適な製造方法を提供し
ようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、パッケージ本体
に半導体素子を搭載するキャビティが設けられたキャビ
ティ・ダウン構造に形成され、前記キャビティの底面に
半導体素子が搭載された後、パッケージ本体がキャビテ
ィの開口面側と基板の外面との間で金型によりクランプ
され、前記キャビティに樹脂が充填されて樹脂封止され
る片面樹脂封止型半導体パッケージにおいて、前記半導
体素子をキャビティの底面で支持する基板の前記半導体
素子を搭載する部位の周辺部に、前記基板を貫通して前
記キャビティに連通され、基板の外面側から前記キャビ
ティに樹脂が充填される樹脂充填孔が開口して設けられ
たことを特徴とする。また、前記片面樹脂封止型半導体
パッケージに取り付ける外部接続端子としてはんだボー
ルが好適に使用でき、前記樹脂充填孔としては複数設け
たもの、前記キャビティの底面の角部に設けたものが好
適である。また、前記基板の外面に、前記樹脂充填孔に
連通するゲート溝が形成されたことを特徴とする。ま
た、キャビティの底面の半導体素子を搭載する部位の周
辺部にエアベント用の貫通孔が設けられたことを特徴と
する。また、パッケージ本体に半導体素子を搭載するキ
ャビティが設けられたキャビティ・ダウン構造に形成さ
れ、前記キャビティの底面に半導体素子が搭載された
後、パッケージ本体がキャビティの開口面側と基板の外
面との間で金型によりクランプされ、前記キャビティに
樹脂が充填されて樹脂封止された片面樹脂封止型半導体
装置において、前記半導体素子をキャビティの底面で支
持する基板の前記半導体素子を搭載する部位の周辺部
に、前記基板を貫通し前記キャビティに連通されて開口
する樹脂充填孔を介して、前記基板の外面側から前記キ
ャビティに樹脂が充填されたことを特徴とする。また、
前記基板の外面に、前記樹脂充填孔に連通するゲート溝
が形成されたことを特徴とする。また、パッケージ本体
に半導体素子を搭載するキャビティが設けられたキャビ
ティ・ダウン構造に形成され、前記キャビティの底面に
半導体素子を搭載し、キャビティに樹脂を充填して樹脂
封止して成る片面樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、前記半導体素子をキャビティの底面で支持する基
板の前記半導体素子を搭載する部位の周辺部に、前記基
板を貫通し前記キャビティに連通されて開口する樹脂充
填孔が設けられたパッケージ本体に半導体素子を搭載
し、該パッケージ本体をキャビティの開口面側と基板の
外面との間で金型によりクランプし、前記樹脂充填孔を
介して、前記基板の外面側から前記キャビティに樹脂を
充填することにより樹脂封止することを特徴とする。
するため次の構成を備える。すなわち、パッケージ本体
に半導体素子を搭載するキャビティが設けられたキャビ
ティ・ダウン構造に形成され、前記キャビティの底面に
半導体素子が搭載された後、パッケージ本体がキャビテ
ィの開口面側と基板の外面との間で金型によりクランプ
され、前記キャビティに樹脂が充填されて樹脂封止され
る片面樹脂封止型半導体パッケージにおいて、前記半導
体素子をキャビティの底面で支持する基板の前記半導体
素子を搭載する部位の周辺部に、前記基板を貫通して前
記キャビティに連通され、基板の外面側から前記キャビ
ティに樹脂が充填される樹脂充填孔が開口して設けられ
たことを特徴とする。また、前記片面樹脂封止型半導体
パッケージに取り付ける外部接続端子としてはんだボー
ルが好適に使用でき、前記樹脂充填孔としては複数設け
たもの、前記キャビティの底面の角部に設けたものが好
適である。また、前記基板の外面に、前記樹脂充填孔に
連通するゲート溝が形成されたことを特徴とする。ま
た、キャビティの底面の半導体素子を搭載する部位の周
辺部にエアベント用の貫通孔が設けられたことを特徴と
する。また、パッケージ本体に半導体素子を搭載するキ
ャビティが設けられたキャビティ・ダウン構造に形成さ
れ、前記キャビティの底面に半導体素子が搭載された
後、パッケージ本体がキャビティの開口面側と基板の外
面との間で金型によりクランプされ、前記キャビティに
樹脂が充填されて樹脂封止された片面樹脂封止型半導体
装置において、前記半導体素子をキャビティの底面で支
持する基板の前記半導体素子を搭載する部位の周辺部
に、前記基板を貫通し前記キャビティに連通されて開口
する樹脂充填孔を介して、前記基板の外面側から前記キ
ャビティに樹脂が充填されたことを特徴とする。また、
前記基板の外面に、前記樹脂充填孔に連通するゲート溝
が形成されたことを特徴とする。また、パッケージ本体
に半導体素子を搭載するキャビティが設けられたキャビ
ティ・ダウン構造に形成され、前記キャビティの底面に
半導体素子を搭載し、キャビティに樹脂を充填して樹脂
封止して成る片面樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いて、前記半導体素子をキャビティの底面で支持する基
板の前記半導体素子を搭載する部位の周辺部に、前記基
板を貫通し前記キャビティに連通されて開口する樹脂充
填孔が設けられたパッケージ本体に半導体素子を搭載
し、該パッケージ本体をキャビティの開口面側と基板の
外面との間で金型によりクランプし、前記樹脂充填孔を
介して、前記基板の外面側から前記キャビティに樹脂を
充填することにより樹脂封止することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明に係る片面樹脂封止型半導体パッケージ
は、キャビティの底面の半導体素子を搭載する部位の周
辺部に設けた樹脂充填孔からキャビティに樹脂を充填し
て樹脂封止することによって、半導体パッケージの実装
面側にゲート残りを残さずに樹脂封止できる。これによ
って、半導体装置を確実に表面実装することを可能にす
る。また、キャビティの底面に設けた樹脂充填孔から樹
脂充填することによってボイド等を生じさせず、樹脂の
充填性を向上させることができて、良好に樹脂封止され
た半導体装置を得ることができる。
は、キャビティの底面の半導体素子を搭載する部位の周
辺部に設けた樹脂充填孔からキャビティに樹脂を充填し
て樹脂封止することによって、半導体パッケージの実装
面側にゲート残りを残さずに樹脂封止できる。これによ
って、半導体装置を確実に表面実装することを可能にす
る。また、キャビティの底面に設けた樹脂充填孔から樹
脂充填することによってボイド等を生じさせず、樹脂の
充填性を向上させることができて、良好に樹脂封止され
た半導体装置を得ることができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて説明する。図１は本発明に係る片面樹脂封止型半
導体パッケージに半導体素子を搭載し、キャビティを樹
脂封止する方法を示す。実施例の片面樹脂封止型半導体
パッケージはキャビティ１２の開口面側の基板表面に外
部接続端子を取り付けるいわゆるキャビティ・ダウン構
造の半導体パッケージである。キャビティ１２に樹脂を
充填する際は、キャビティ１２の底面に半導体素子１４
を接合し、ワイヤボンディングによりキャビティ１２内
に露出する配線パターンの先端領域と半導体素子１４と
を電気的に接続した後、パッケージ本体１０を下金型１
８ａと上金型１８ｂでクランプし、キャビティ１２の底
面となる基板１０ａの外面側からキャビティ１２内に樹
脂を充填する。半導体パッケージはキャビティ１２の底
面で、かつ半導体素子１４を搭載する周辺部に基板１０
ａを貫通させて樹脂充填孔２２を設け、下金型１８ａに
樹脂充填孔２２に連絡するゲート２０を設けてキャビテ
ィ１２に樹脂を充填する。なお、本実施例ではワイヤボ
ンディングにより配線パターンと半導体素子１４とを接
続したが、リード間のフィルム部分に樹脂流通孔を開口
したＴＡＢテープを用いて配線パターンと半導体素子１
４とを接続した場合も同様に適用できる。
づいて説明する。図１は本発明に係る片面樹脂封止型半
導体パッケージに半導体素子を搭載し、キャビティを樹
脂封止する方法を示す。実施例の片面樹脂封止型半導体
パッケージはキャビティ１２の開口面側の基板表面に外
部接続端子を取り付けるいわゆるキャビティ・ダウン構
造の半導体パッケージである。キャビティ１２に樹脂を
充填する際は、キャビティ１２の底面に半導体素子１４
を接合し、ワイヤボンディングによりキャビティ１２内
に露出する配線パターンの先端領域と半導体素子１４と
を電気的に接続した後、パッケージ本体１０を下金型１
８ａと上金型１８ｂでクランプし、キャビティ１２の底
面となる基板１０ａの外面側からキャビティ１２内に樹
脂を充填する。半導体パッケージはキャビティ１２の底
面で、かつ半導体素子１４を搭載する周辺部に基板１０
ａを貫通させて樹脂充填孔２２を設け、下金型１８ａに
樹脂充填孔２２に連絡するゲート２０を設けてキャビテ
ィ１２に樹脂を充填する。なお、本実施例ではワイヤボ
ンディングにより配線パターンと半導体素子１４とを接
続したが、リード間のフィルム部分に樹脂流通孔を開口
したＴＡＢテープを用いて配線パターンと半導体素子１
４とを接続した場合も同様に適用できる。
【０００８】キャビティ１２の外面を成形する上金型１
８ｂの金型面は平坦面に形成され、樹脂を充填するゲー
ト２０はキャビティ１２の開口面とは反対側の基板１０
ａ側にあるから、キャビティ１２に充填されて硬化した
樹脂１６の外面にはゲート残り等が形成されず平坦面に
なる。片面樹脂封止型半導体装置は樹脂封止した後、は
んだボール等の外部接続端子をキャビティ１２の開口面
側の基板表面に取り付けて完成する。こうして、キャビ
ティ・ダウン構造の半導体装置で樹脂封止部にゲート残
り等がなく、実装基板に確実に表面実装できる製品が得
られる。
８ｂの金型面は平坦面に形成され、樹脂を充填するゲー
ト２０はキャビティ１２の開口面とは反対側の基板１０
ａ側にあるから、キャビティ１２に充填されて硬化した
樹脂１６の外面にはゲート残り等が形成されず平坦面に
なる。片面樹脂封止型半導体装置は樹脂封止した後、は
んだボール等の外部接続端子をキャビティ１２の開口面
側の基板表面に取り付けて完成する。こうして、キャビ
ティ・ダウン構造の半導体装置で樹脂封止部にゲート残
り等がなく、実装基板に確実に表面実装できる製品が得
られる。
【０００９】実施例の半導体パッケージの場合はキャビ
ティ１２の底面に設けた樹脂充填孔２２からキャビティ
１２内に樹脂を注入するから、キャビティ１２の開口面
側から樹脂を注入する場合にくらべて樹脂１６中にボイ
ドを発生させずに樹脂を充填することができるという利
点がある。従来方法ではキャビティ１２の開口面側から
樹脂を注入するからボンディングワイヤ１５の下方に樹
脂が回り込みにくくなるのに対して、本実施例の半導体
パッケージを用いる場合はボンディングワイヤ１５の下
方から樹脂を注入することにより樹脂の充填性を向上で
きるからである。
ティ１２の底面に設けた樹脂充填孔２２からキャビティ
１２内に樹脂を注入するから、キャビティ１２の開口面
側から樹脂を注入する場合にくらべて樹脂１６中にボイ
ドを発生させずに樹脂を充填することができるという利
点がある。従来方法ではキャビティ１２の開口面側から
樹脂を注入するからボンディングワイヤ１５の下方に樹
脂が回り込みにくくなるのに対して、本実施例の半導体
パッケージを用いる場合はボンディングワイヤ１５の下
方から樹脂を注入することにより樹脂の充填性を向上で
きるからである。
【００１０】図２は片面樹脂封止型半導体パッケージの
他の実施例について、キャビティ１２に樹脂を充填する
方法を示す。上記実施例では樹脂充填孔２２はキャビテ
ィ１２の底面で半導体チップ１４を搭載した周辺部に１
つ設けたが、本実施例では半導体チップ１４を搭載した
キャビティ１２の底面で各角部に樹脂充填孔２２を設け
たことを特徴とする。図３はキャビティ１２の底面に設
けた樹脂充填孔２２の平面配置を示す。
他の実施例について、キャビティ１２に樹脂を充填する
方法を示す。上記実施例では樹脂充填孔２２はキャビテ
ィ１２の底面で半導体チップ１４を搭載した周辺部に１
つ設けたが、本実施例では半導体チップ１４を搭載した
キャビティ１２の底面で各角部に樹脂充填孔２２を設け
たことを特徴とする。図３はキャビティ１２の底面に設
けた樹脂充填孔２２の平面配置を示す。
【００１１】図２に示すように、本実施例の片面樹脂封
止型半導体パッケージに対し樹脂封止する場合は、基板
１０ａの外面側に下金型１８ａに設けたゲート２０と前
記樹脂充填孔２２とを連絡するゲート溝２４を設け、ゲ
ート２０からゲート溝２４を介してキャビティ１２内に
樹脂を充填する。実施例では図３に示すようにゲート２
０が当接する基板１０ａの外面側に樹脂溜まり部として
カル部２６を設け、カル部２６にゲート溝２４を連絡し
カル部２６から放射状にゲート溝２４を配置した。な
お、図２の半導体パッケージの断面は図３のＡ−Ａ線断
面で見た状態を示す。
止型半導体パッケージに対し樹脂封止する場合は、基板
１０ａの外面側に下金型１８ａに設けたゲート２０と前
記樹脂充填孔２２とを連絡するゲート溝２４を設け、ゲ
ート２０からゲート溝２４を介してキャビティ１２内に
樹脂を充填する。実施例では図３に示すようにゲート２
０が当接する基板１０ａの外面側に樹脂溜まり部として
カル部２６を設け、カル部２６にゲート溝２４を連絡し
カル部２６から放射状にゲート溝２４を配置した。な
お、図２の半導体パッケージの断面は図３のＡ−Ａ線断
面で見た状態を示す。
【００１２】本実施例の片面樹脂封止型半導体パッケー
ジに半導体チップ１４を搭載して樹脂封止して得られる
半導体装置は、キャビティ１２の底面の角部に配置した
樹脂充填孔２２から樹脂を充填することによってキャビ
ティ１２内へ均等に樹脂を充填することができるという
特徴がある。また、キャビティ１２の底面の角部ではボ
ンディングワイヤ１５が疎に配置されるからキャビティ
１２の開口側への樹脂の充填がしやすくなるという利点
もある。この実施例の場合も、ゲート残りは基板１０ａ
の外面側に残り、外部接続端子を設けるパッケージ本体
１０の外面側にゲート残り等が生じることがなく、半導
体装置を確実に表面実装することが可能になる。
ジに半導体チップ１４を搭載して樹脂封止して得られる
半導体装置は、キャビティ１２の底面の角部に配置した
樹脂充填孔２２から樹脂を充填することによってキャビ
ティ１２内へ均等に樹脂を充填することができるという
特徴がある。また、キャビティ１２の底面の角部ではボ
ンディングワイヤ１５が疎に配置されるからキャビティ
１２の開口側への樹脂の充填がしやすくなるという利点
もある。この実施例の場合も、ゲート残りは基板１０ａ
の外面側に残り、外部接続端子を設けるパッケージ本体
１０の外面側にゲート残り等が生じることがなく、半導
体装置を確実に表面実装することが可能になる。
【００１３】図４は片面樹脂封止型半導体パッケージの
さらに他の実施例について、キャビティ１２に樹脂を充
填する様子を示す。本実施例は半導体素子１４と配線パ
ターンとをＴＡＢテープ１７で接続した例を示す。本実
施例の半導体パッケージもキャビティ１２の底面に樹脂
充填孔２２を設けてキャビティ１２内に樹脂を充填可能
とした構成は上記実施例と同様である。ただし、本実施
例の半導体パッケージはパッケージ本体１０の側方にゲ
ート２０を配置して、パッケージ本体１０の側方から樹
脂を充填するよう構成したことを特徴とする。
さらに他の実施例について、キャビティ１２に樹脂を充
填する様子を示す。本実施例は半導体素子１４と配線パ
ターンとをＴＡＢテープ１７で接続した例を示す。本実
施例の半導体パッケージもキャビティ１２の底面に樹脂
充填孔２２を設けてキャビティ１２内に樹脂を充填可能
とした構成は上記実施例と同様である。ただし、本実施
例の半導体パッケージはパッケージ本体１０の側方にゲ
ート２０を配置して、パッケージ本体１０の側方から樹
脂を充填するよう構成したことを特徴とする。
【００１４】そのため、基板１０ａの外面側に金型に設
けたゲート２０に連絡する連通ゲート溝２８および前記
樹脂充填孔２２と連通ゲート溝２８とを連絡するゲート
溝２４を設ける。図５に樹脂充填後の半導体装置を基板
１０ａの外面側から見た状態を示す。連通ゲート溝２８
は基板１０ａの中央部に設けたカル部２６に連絡し、カ
ル部２６と樹脂充填孔２２がゲート溝２４によって連絡
されている。下金型１８ａと上金型１８ｂでパッケージ
本体１０上下面をクランプし、ゲート２０から樹脂を圧
送すると、樹脂はカル部２６でいったん溜まった後、各
ゲート溝２４を介して樹脂充填孔２２からキャビティ１
２内に充填される。
けたゲート２０に連絡する連通ゲート溝２８および前記
樹脂充填孔２２と連通ゲート溝２８とを連絡するゲート
溝２４を設ける。図５に樹脂充填後の半導体装置を基板
１０ａの外面側から見た状態を示す。連通ゲート溝２８
は基板１０ａの中央部に設けたカル部２６に連絡し、カ
ル部２６と樹脂充填孔２２がゲート溝２４によって連絡
されている。下金型１８ａと上金型１８ｂでパッケージ
本体１０上下面をクランプし、ゲート２０から樹脂を圧
送すると、樹脂はカル部２６でいったん溜まった後、各
ゲート溝２４を介して樹脂充填孔２２からキャビティ１
２内に充填される。
【００１５】本実施例では、上記実施例とは異なり樹脂
充填孔２２をボンディングワイヤ１５が比較的密に配置
される部位に配置した。樹脂充填孔２２をこのように配
置した場合は、ボンディングワイヤ１５の下側部分で樹
脂の充填性が向上し、ボンディングワイヤ１５の近傍で
ボイドが発生することを抑えることができるという効果
がある。また、この実施例の場合も樹脂充填孔２２をキ
ャビティ１２の底面に複数個設けることによってキャビ
ティ１２内へ均等に樹脂を充填できるという効果もあ
る。
充填孔２２をボンディングワイヤ１５が比較的密に配置
される部位に配置した。樹脂充填孔２２をこのように配
置した場合は、ボンディングワイヤ１５の下側部分で樹
脂の充填性が向上し、ボンディングワイヤ１５の近傍で
ボイドが発生することを抑えることができるという効果
がある。また、この実施例の場合も樹脂充填孔２２をキ
ャビティ１２の底面に複数個設けることによってキャビ
ティ１２内へ均等に樹脂を充填できるという効果もあ
る。
【００１６】上記実施例で示した片面樹脂封止型半導体
パッケージではパッケージ自体にエアベントを設けてい
ないが、半導体チップ１４を搭載する基板１０ａにキャ
ビティ１２に連通する貫通孔を設けることによって貫通
孔をエアベント用として用いることができる。たとえ
ば、図３に示した実施例で図６に示すように対角位置に
ある一対の樹脂充填孔２２とのみゲート溝２４とカル部
２６を連絡し、残りの樹脂充填孔２２ａを単なる貫通孔
としておけば、樹脂充填の際に樹脂充填孔２２ａによっ
てエアベント作用を奏させることができる。図５に示し
た実施例の場合も同様である。また、対角位置に貫通孔
を設けるかわりにエアベント用として基板１０ａの半導
体チップ１４を搭載する領域の周辺の適宜位置に貫通孔
を設けることもできる。このように、キャビティ１２の
開口面とは反対側の基板１０ａにエアベントを設けた場
合はエアベント部が半導体装置の実装に何ら悪影響を及
ぼさないという利点もある。
パッケージではパッケージ自体にエアベントを設けてい
ないが、半導体チップ１４を搭載する基板１０ａにキャ
ビティ１２に連通する貫通孔を設けることによって貫通
孔をエアベント用として用いることができる。たとえ
ば、図３に示した実施例で図６に示すように対角位置に
ある一対の樹脂充填孔２２とのみゲート溝２４とカル部
２６を連絡し、残りの樹脂充填孔２２ａを単なる貫通孔
としておけば、樹脂充填の際に樹脂充填孔２２ａによっ
てエアベント作用を奏させることができる。図５に示し
た実施例の場合も同様である。また、対角位置に貫通孔
を設けるかわりにエアベント用として基板１０ａの半導
体チップ１４を搭載する領域の周辺の適宜位置に貫通孔
を設けることもできる。このように、キャビティ１２の
開口面とは反対側の基板１０ａにエアベントを設けた場
合はエアベント部が半導体装置の実装に何ら悪影響を及
ぼさないという利点もある。
【００１７】なお、本発明ではパッケージ本体１０に取
り付ける外部接続端子１１としてはんだボールが好適に
用いられるが、はんだボールの他に挿入支持用のリード
ピンあるいは表面実装用のリードピンも使用できる。
り付ける外部接続端子１１としてはんだボールが好適に
用いられるが、はんだボールの他に挿入支持用のリード
ピンあるいは表面実装用のリードピンも使用できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明に係る片面樹脂封止型半導体パッ
ケージ、片面樹脂封止型半導体装置および片面樹脂封止
型半導体装置の製造方法によれば、上述したように、パ
ッケージ本体の基板の外面側から樹脂充填孔を介してキ
ャビティの底面側からキャビティに樹脂を充填するか
ら、半導体パッケージの実装面側にゲート残りを残さず
に樹脂封止でき、これによって、半導体装置を確実に表
面実装することが可能になる。また、キャビティの底面
に設けた樹脂充填孔から樹脂充填することによって、ボ
イド等を生じさせずに、好適に樹脂封止された半導体装
置として得ることができる等の著効を奏する。
ケージ、片面樹脂封止型半導体装置および片面樹脂封止
型半導体装置の製造方法によれば、上述したように、パ
ッケージ本体の基板の外面側から樹脂充填孔を介してキ
ャビティの底面側からキャビティに樹脂を充填するか
ら、半導体パッケージの実装面側にゲート残りを残さず
に樹脂封止でき、これによって、半導体装置を確実に表
面実装することが可能になる。また、キャビティの底面
に設けた樹脂充填孔から樹脂充填することによって、ボ
イド等を生じさせずに、好適に樹脂封止された半導体装
置として得ることができる等の著効を奏する。
【図１】片面樹脂封止型半導体パッケージの実施例につ
いて、キャビティに樹脂充填する様子を示す断面図であ
る。
いて、キャビティに樹脂充填する様子を示す断面図であ
る。
【図２】片面樹脂封止型半導体パッケージの他の実施例
について、キャビティに樹脂充填する様子を示す断面図
である。
について、キャビティに樹脂充填する様子を示す断面図
である。
【図３】キャビティ底面での樹脂充填孔の平面配置を示
す説明図である。
す説明図である。
【図４】片面樹脂封止型半導体パッケージのさらに他の
実施例について、キャビティに樹脂充填する様子を示す
断面図である。
実施例について、キャビティに樹脂充填する様子を示す
断面図である。
【図５】図４に示す片面樹脂封止型半導体装置の底面図
である。
である。
【図６】エアベントを設けた片面樹脂封止型半導体装置
の底面図である。
の底面図である。
【図７】片面樹脂封止型半導体装置の従来の製造方法を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】片面樹脂封止型半導体装置の従来例を示す断面
図である。
図である。
１０ パッケージ本体
１０ａ 基板
１１ 外部接続端子
１２ キャビティ
１４ 半導体素子
１６ 樹脂
１８ａ 下金型
１８ｂ 上金型
２０ ゲート
２２ 樹脂充填孔
２４ ゲート溝
２６ カル部
２８ 連通ゲート溝
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−111454（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−193814（ＪＰ，Ａ)
特開 昭54−33663（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−4234（ＪＰ，Ａ)
実開 昭63−136333（ＪＰ，Ｕ)
社団法人 ハイブリッドマイクロエレ
クトロニクス協会編，エレクトロニクス
実装技術用語辞典，日本，株式会社 工
業調査会，1992年１月20日，ｐ176
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/00 - 23/10
H01L 21/56
H01L 23/28 - 23/30
Claims (9)
- 【請求項１】 パッケージ本体に半導体素子を搭載する
キャビティが設けられたキャビティ・ダウン構造に形成
され、前記キャビティの底面に半導体素子が搭載された
後、パッケージ本体がキャビティの開口面側と基板の外
面との間で金型によりクランプされ、前記キャビティに
樹脂が充填されて樹脂封止される片面樹脂封止型半導体
パッケージにおいて、 前記半導体素子をキャビティの底面で支持する基板の前
記半導体素子を搭載する部位の周辺部に、前記基板を貫
通して前記キャビティに連通され、基板の外面側から前
記キャビティに樹脂が充填される樹脂充填孔が開口して
設けられたことを特徴とする片面樹脂封止型半導体パッ
ケージ。 - 【請求項２】 外部接続端子としてはんだボールが取り
付けられることを特徴とする請求項１記載の片面樹脂封
止型半導体パッケージ。 - 【請求項３】 前記樹脂充填孔が複数設けられたことを
特徴とする請求項１記載の片面樹脂封止型半導体パッケ
ージ。 - 【請求項４】 前記樹脂充填孔が前記キャビティの底面
の角部に設けられたことを特徴とする請求項１記載の片
面樹脂封止型半導体パッケージ。 - 【請求項５】 前記基板の外面に、前記樹脂充填孔に連
通するゲート溝が形成されたことを特徴とする請求項１
記載の片面樹脂封止型半導体パッケージ。 - 【請求項６】 キャビティの底面の半導体素子を搭載す
る部位の周辺部にエアベント用の貫通孔が設けられたこ
とを特徴とする請求項１記載の片面樹脂封止型半導体パ
ッケージ。 - 【請求項７】 パッケージ本体に半導体素子を搭載する
キャビティが設けられたキャビティ・ダウン構造に形成
され、前記キャビティの底面に半導体素子が搭載された
後、パッケージ本体がキャビティの開口面側と基板の外
面との間で金型によりクランプされ、前記キャビティに
樹脂が充填されて樹脂封止された片面樹脂封止型半導体
装置において、 前記半導体素子をキャビティの底面で支持する基板の前
記半導体素子を搭載する部位の周辺部に、前記基板を貫
通し前記キャビティに連通されて開口する樹脂充填孔を
介して、前記基板の外面側から前記キャビティに樹脂が
充填されたことを特徴とする片面樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項８】 前記基板の外面に、前記樹脂充填孔に連
通するゲート溝が形成されたことを特徴とする請求項７
記載の片面樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項９】 パッケージ本体に半導体素子を搭載する
キャビティが設けられたキャビティ・ダウン構造に形成
され、前記キャビティの底面に半導体素子を搭載し、キ
ャビティに樹脂を充填して樹脂封止して成る片面樹脂封
止型半導体装置の製造方法において、 前記半導体素子をキャビティの底面で支持する基板の前
記半導体素子を搭載する部位の周辺部に、前記基板を貫
通し前記キャビティに連通されて開口する樹脂充填孔が
設けられたパッケージ本体に半導体素子を搭載し、該パッケージ本体をキャビティの開口面側と基板の外面
との間で金型によりクランプし、 前記樹脂充填孔を介して、前記基板の外面側から前記キ
ャビティに樹脂を充填することにより樹脂封止すること
を特徴とする片面樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22331394A JP3366460B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 片面樹脂封止型半導体パッケージ並びに片面樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22331394A JP3366460B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 片面樹脂封止型半導体パッケージ並びに片面樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888292A JPH0888292A (ja) | 1996-04-02 |
| JP3366460B2 true JP3366460B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=16796201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22331394A Expired - Fee Related JP3366460B2 (ja) | 1994-09-19 | 1994-09-19 | 片面樹脂封止型半導体パッケージ並びに片面樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3366460B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT410727B (de) * | 2000-03-14 | 2003-07-25 | Austria Mikrosysteme Int | Verfahren zum unterbringen von sensoren in einem gehäuse |
| KR101349605B1 (ko) | 2007-09-27 | 2014-01-09 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지의 제조방법 |
| JP5498836B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-05-21 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | 電子機器の製造方法 |
| JP5343939B2 (ja) * | 2010-07-08 | 2013-11-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2013120914A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-17 | Semiconductor Components Industries Llc | 回路装置の製造方法 |
| JP7058813B1 (ja) * | 2021-08-25 | 2022-04-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-09-19 JP JP22331394A patent/JP3366460B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 社団法人 ハイブリッドマイクロエレクトロニクス協会編，エレクトロニクス実装技術用語辞典，日本，株式会社 工業調査会，１９９２年１月２０日，ｐ１７６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0888292A (ja) | 1996-04-02 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |