JPH09252062A - 半導体集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップ実装基板上に実装された半導体チップ
を、それを取り囲む枠体と、枠体の開口部を塞ぐキャッ
プと、枠体の中空領域内に流入される封止材料とによっ
て封止してなる半導体集積回路装置の歩留りおよび信頼
性を向上させる。 【解決手段】 半導体チップ１を実装する熱拡散板２に
おいて、半導体チップ１の側面とベース３の中空内壁面
との間の隙間に当たる位置に、キャビティに通じる貫通
孔１０を設け、そこからキャビティ内に封止材料９を注
入することを可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置およびその製造技術に関し、特に、チップ実装基板上
に実装された半導体チップを、それを取り囲む枠体部
と、その枠体部の開口部を塞ぐキャップと、その枠体部
の中空領域内に流入された封止材料とによって封止して
なる半導体集積回路装置およびその製造技術に適用して
有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】この種のパッケージ構造において、チッ
プ実装基板は、プラスチックやセラミック等のような絶
縁材料が用いられる場合もあるし、熱拡散板等のような
金属板が用いられる場合もある。

【０００３】半導体チップを取り囲む枠体部は、プラス
チックまたはセラミック等のような絶縁材料からなる。
なお、この枠体部はチップ実装基板と一体的に成形され
ている場合もあるし、チップ実装基板とは別に成形され
ている場合もある。

【０００４】このような枠体部には配線が設けられてお
り、この配線において枠体部の中空領域（キャビティ）
内に配置された一端がボンディングワイヤを通じて半導
体チップのボンディングパッドと電気的に接続されてい
る。そして、このボンディングワイヤは、半導体チップ
と枠体部との間の隙間をまたぐように配置されている。

【０００５】また、枠体部に設けられた配線においてパ
ッケージ外壁面側に配置された他端は外部端子と電気的
に接続されている。この外部端子は、半導体集積回路装
置とパッケージ外部の電子装置とを電気的に接続するた
めの部材であり、ピンの場合やバンプの場合等がある。

【０００６】また、枠体部のキャビティ内には、半導体
チップの耐湿性を向上させる観点からシリコーンゲルや
封止樹脂等のような封止材料が注入されており、これに
よって半導体チップおよびボンディングワイヤが被覆さ
れている。この封止材料は、通常、ワイヤボンディング
工程を経た後、枠体部の開口部をキャップで塞ぐ前に、
その開口部から枠体のキャビティ内に流入されるように
なっている。

【０００７】なお、このようなパッケージ構造の半導体
集積回路装置については、例えば日経ＢＰ社、１９９３
年５月３１日発行、「ＶＬＳＩ パッケージング技術
（下）」Ｐ６３〜Ｐ６５に記載があり、気密封止のパッ
ケージ構造について説明されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記したパ
ッケージ構造の半導体集積回路装置においては、以下の
問題があることを本発明者は見出した。

【０００９】すなわち、キャビティ内に流し込まれた封
止材料が半導体チップと枠体との間の微細な隙間に上手
く流れていかないために、その部分に空気溜まり（気
泡）ができてしまい、その気泡が半導体集積回路装置の
信頼性評価等における熱処理時に膨張し、その隙間の上
方に配置されているボンディングワイヤが圧力を受けて
曲がってしまったり、断線してしまったりする問題であ
る。

【００１０】本願発明者は、このような問題を解決すべ
く、半導体チップと枠体との隙間量を検討し気泡発生の
解を検討したが、それだけではボンディングワイヤの曲
がり不良や断線不良を低減することは困難であると判明
した。

【００１１】しかも、近年、半導体集積回路装置におい
ては、半導体チップの大形化に伴って半導体チップと枠
体との隙間量が小さくなってきており、その隙間に封止
材料が入り難くなっているとともに、リードピン数の増
加要求によってボンディングワイヤの径およびがワイヤ
ボンディングを行うパッド間隔が微細化される傾向にあ
るため、上述の問題は顕著になっている。

【００１２】本発明の目的は、チップ実装基板上に実装
された半導体チップを、それを取り囲む枠体と、枠体の
開口部を塞ぐキャップと、枠体の中空領域内に流入され
る封止材料とによって封止してなる半導体集積回路装置
の歩留りおよび信頼性を向上させることのできる技術を
提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１５】本発明の半導体集積回路装置は、半導体チ
ップを実装するチップ実装基板と、前記半導体チップの
周囲を取り囲むように配置された枠体と、前記枠体の中
空領域を塞ぐキャップと、前記中空領域内に一端が配置
され、他端が外部端子と電気的に接続された配線とを備
え、前記半導体チップのボンディングパッドと、前記中
空領域内に配置された配線の一端とをボンディングワイ
ヤによって電気的に接続するとともに、前記半導体チッ
プおよびボンディングワイヤを中空領域内に注入した封
止材料によって封止してなる半導体集積回路装置であっ
て、前記チップ実装基板において、前記枠体と前記半導
体チップとの間の隙間領域にあたる位置に、前記中空領
域内に封止材料を注入する場合にその封止材料が流れる
貫通孔を設けたものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する（なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、その繰り返しの説明は省略する）。

【００１７】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態である半導体集積回路装置の断面図、図２は図１の
半導体集積回路装置の要部拡大断面図、図３は図１の半
導体集積回路装置の平面図、図４および図５は図３の変
形例を示す図１の半導体集積回路装置の平面図、図６〜
図９は図１の半導体集積回路装置の製造工程を模式的に
示す断面図、図１０および図１１は図１の半導体集積回
路装置の他の製造方法を説明するための半導体集積回路
装置の製造工程を模式的に示す断面図である。

【００１８】まず、本実施の形態１における半導体集積
回路装置の構造を図１〜図５によって説明する。なお、
図３〜図５においては図面を見易くするためベースの開
口部を塞ぐキャップを取り外した状態を示す。

【００１９】半導体チップ１は、例えば平板状のシリコ
ン（Ｓｉ）単結晶の小片からなり、その主面には、例え
ばマイクロプロセッサ等のような論理回路やＤＲＡＭ
（Dynamic Random Access Memory）等のような記憶回路
等、所定の集積回路が形成されている。

【００２０】この集積回路の電極は、半導体チップ１の
主面における外周近傍に配置された複数のボンディング
パッドＢＰを通じて半導体チップ１の外部に引き出され
るようになっている。なお、このボンディングパッドＢ
Ｐは、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる。

【００２１】このような半導体チップ１は、その主面を
図１および図２の下方に向けた状態で平板状の熱拡散板
２の中央に実装されている。この熱拡散板２は、集積回
路の動作時に半導体チップ１で発生した熱をパッケージ
の外部に効率良く放散させる部材であり、例えば銅（Ｃ
ｕ）等のような熱伝導率の高い金属からなる。

【００２２】熱拡散板２の主面の外周には、枠状のベー
ス（枠体）３が接着剤４によって接合されており、これ
によって半導体チップ１の周囲が取り囲まれている。た
だし、半導体チップ１の側面とベース３の内壁面との間
には、例えば0.２ｍｍ程度の隙間があいている。

【００２３】このベース３は、複数枚の枠状の絶縁板３
ａ（図２参照）を接着剤を介してその厚さ方向に積み重
ねることで構成されている。この絶縁板３ａは、例えば
ガラスエポキシ樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹
脂等のようなプラスチック材料からなる。

【００２４】各絶縁板３ａの間には、例えばＣｕ等から
なる配線３ｂ（図２参照）が所定形状にパターン形成さ
れている。また、ベース３の裏面においてその外周側に
は、複数のバンプ下地パターン３ｃが形成されている。

【００２５】このバンプ下地パターン３ｃは、例えばＣ
ｕ等からなり、バンプ５ａが接合されている。このバン
プ５ａは、例えば鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓｎ）等からなり、
ベース３の裏面に規則的に配置されている（図３参
照）。なお、このバンプ５ａは、所定のプリント配線基
板上のランド等と接合されるようになっている。

【００２６】このような配線３ｂとバンプ５ａとは、絶
縁板３ａの上下面間を導通する接続部３ｄを通じて互い
に電気的に接続されている。この接続部３ｄは、絶縁板
３ａの面間を貫通する接続孔内に、例えばＣｕ等のよう
な金属が埋め込まれて形成されている。

【００２７】このようなベース３の中空部は階段状に形
成されており、その階段部の上面に前記した配線３ｂの
一端が露出している。なお、この配線３ｂの露出端の表
面には、例えばニッケル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）メッキ処
理が施されている。

【００２８】この配線３ｂの一端は、ボンディングワイ
ヤ６を通じて半導体チップ１のボンディングパッドＢＰ
と電気的に接続されている。すなわち、半導体チップ１
の集積回路の電極は、ボンディングパッドＢＰ、からボ
ンディングワイヤ６、配線３ｂおよび接続部３ｄを通じ
てバンプ５ａに引き出されるようになっている。なお、
ボンディングワイヤ６は、例えばＡｕまたはＡｌ等から
なる。

【００２９】ベース３の開口部は、キャップ７によって
塞がれている。キャップ７は、例えばＡｌ等からなり、
ベース３の裏面において開口部の近傍に塗布された接着
剤８によってベース３と接合されている。

【００３０】さらに、このような熱拡散板２、ベース３
およびキャップ７によって囲まれた中空領域（以下、キ
ャビティという）内には、例えばシリコーンゲル等のよ
うな封止材料９が注入されている。

【００３１】これにより、半導体チップ１およびボンデ
ィングワイヤ６が被覆され、その耐湿性を向上させるこ
とが可能となっている。なお、本実施の形態１において
は、図面を見易くするため、封止材料９にハッチングを
付す。

【００３２】ところで、本実施の形態１においては、熱
拡散板２において、半導体チップ１の側面とベース３の
中空内壁面との間に当たる位置に、熱拡散板２の上下面
を貫通する貫通孔１０が穿孔されており、例えばここか
ら封止材料を注入することが可能な構造となっている。

【００３３】このため、その封止材料９が、半導体チッ
プ１の側面と、ベース３の中空内壁面との間の極めて狭
い隙間にも充分に充填されている。したがって、その隙
間に封止材料９が充分に流れ込まず気泡ができることに
起因して、その気泡が製品評価等の熱処理時において膨
張し、ボンディングワイヤ６を曲げたり、切断してしま
ったりするのを防止することが可能となっている。

【００３４】この貫通孔１０は、図３に示すように、例
えば半導体チップ１の四辺に沿って延在されている。た
だし、貫通孔１０の形状、個数等は、半導体チップ１と
ベース３との間の隙間の形状に合わせて形成すれば良く
種々変更可能であり、例えば図４および図５に示すよう
にしても良い。

【００３５】すなわち、図４においては、貫通孔１０
が、半導体チップ１の角部から半導体チップ１の各辺の
中央近傍にまで延在されている。したがって、気泡が溜
まり易いと考えられる半導体チップ１の角部とベース３
の中空部の角部との間の隙間にも充分に流し込むことが
可能となっている。

【００３６】また、図５においては、貫通孔１０が平面
円形状に形成されているとともに、半導体チップ１を取
り囲むように規則的な間隔で複数個穿孔されている。こ
の場合も半導体チップ１の角部近傍に貫通孔１０を配置
することで、半導体チップ１の角部とベース３の中空部
の角部との間の隙間にも封止材料を充分に流し込むこと
が可能となる。

【００３７】これらの他、図３および図５の貫通孔１０
の組み合わせ、あるいは図３および図４の貫通孔１０の
組み合わせでも良い。例えば図３の半導体チップ１の角
部近傍に図５のような円形状の貫通孔１０を穿孔しても
良い。

【００３８】次に、このような半導体集積回路装置の製
造方法の一例を図６〜図１１によって説明する。なお、
図６〜図１１においては図面を見易くするため封止材料
９にハッチングを付す。また、図６〜図１１は封止材料
の注入工程を判り易くするために模式的に記した図であ
る。

【００３９】図６は、半導体集積回路装置の製造工程中
における断面図を示している。この段階では、既に、ワ
イヤボンディング工程を経て、ベース３の開口部がキャ
ップ７によって塞がれている。

【００４０】まず、このような半導体集積回路装置を、
その熱拡散板２が図６の上方を向くように載置した後、
封止材料９を熱拡散板２に穿孔された貫通孔１０から半
導体集積回路装置のキャビティ内に注入する。封止材料
９を注入するには、例えば次のようにする。

【００４１】すなわち、図６に示すように、ニードル１
１ａの先端を貫通孔１０の開口部に位置合わせした後、
シリンジ１１ｂに詰められた封止材料９を空気圧等によ
って押圧することによりニードル１１ａの先端から押し
出し、図７に示すように、貫通孔１０を通じて半導体集
積回路装置のキャビティ内に注入する。

【００４２】このため、本実施の形態１においては、封
止材料９を半導体チップ１とベース３との間の隙間にも
良好に充填することができるので、その隙間に生じた気
泡に起因するボンディングワイヤの曲折や断線不良等を
防止することが可能となっている。

【００４３】続いて、図８に示すように、ニードル１１
ａの先端を、他の貫通孔１０に位置合わせした後、上述
と同様にして、その貫通孔１０を通じて封止材料９を半
導体集積回路装置のキャビティ内に注入する。

【００４４】このような処理を各貫通孔１０毎に行い、
図９に示すように、封止材料９を半導体集積回路装置の
キャビティ内に所定量注入し終えたら封止材料９の注入
処理を終了する。

【００４５】ただし、封止材料９の注入方法は、これに
限定されるものではなく種々変更可能であり、例えば図
１０および図１１に示すようにしても良い。すなわち、
例えば次の通りである。

【００４６】図１０は、半導体集積回路装置の製造工程
中における断面図を示している。この段階では、既に、
ワイヤボンディング工程を終了している。ただし、この
段階では、ベース３の開口部がキャップ７によって塞が
れていない。

【００４７】まず、このような半導体集積回路装置を、
その熱拡散板２が図１０の上方を向くように載置した
後、封止材料９を熱拡散板２に穿孔された貫通孔１０か
ら半導体集積回路装置のキャビティ内に注入する。ただ
し、ここでは、封止材料９が半導体チップ１とベース３
との間の狭い隙間内に充填される程度にしておく。

【００４８】続いて、このような処理を各貫通孔１０に
おいて行った後、図１１に示すように、半導体集積回路
装置を、その熱拡散板２が図１１の下方となるように載
置する。

【００４９】その後、前記したニードル１１ａよりも内
径の大きなニードル１１ａ1 の先端を半導体チップ１の
主面上方に移動させた後、シリンジに詰められた封止材
料９を空気圧等によって押圧することによりニードル１
１ａ1 の先端から押し出し、半導体チップ１の主面側か
ら流し込む。これにより、封止材料９の注入処理を上述
の場合よりも速く行うことが可能となる。

【００５０】以上、本実施の形態１によれば、以下の効
果を得ることが可能となる。

【００５１】(1).熱拡散板２において、半導体チップ１
の外周とベース３の中空内周との間に当たる位置に、熱
拡散板２の上下面を貫通する貫通孔１０を設け、ここか
ら封止材料９をキャビティ内に注入することにより、そ
の封止材料９を、半導体チップ１の側面と、ベース３の
中空内壁面との間の極めて狭い隙間にも充分に充填する
ことが可能となる。

【００５２】(2).前記(1) により、半導体チップ１の側
面と、ベース３の中空内壁面との間の隙間に封止材料９
が充分に流れ込まず気泡ができることに起因して、その
気泡が製品評価等の熱処理時において膨張し、ボンディ
ングワイヤ６を曲げたり、切断してしまったりするのを
防止することが可能となる。

【００５３】(3).前記(1) および(2) により、半導体集
積回路装置の歩留りおよび信頼性を向上させることが可
能となる。

【００５４】（実施の形態２）図１２は本発明の一実施
の形態である半導体集積回路装置の断面図である。

【００５５】本実施の形態２は、例えば図１２に示すよ
うなＰＧＡ（Pin Grid Array）パッケージ形の半導体集
積回路装置に本発明を適用した場合を説明する例であ
る。ただし、半導体集積回路装置と外部の電子装置とを
接続する外部端子として、バンプ電極に代えてリードピ
ン５ｂを用いている以外は前記実施の形態１と同じであ
る。

【００５６】リードピン５ａは、例えばコバール等のよ
うな金属からなり、ベース３の上下面を貫通する接続孔
３ｅ内に挿入され固定されている。リードピン５ａは、
その接続孔３ｅ内において配線３ｂ（図２参照）と電気
的に接続され、この配線３ｂおよびボンディングワイヤ
６を通じて半導体チップ１の集積回路と電気的に接続さ
れている。

【００５７】このような本実施の形態２の半導体集積回
路装置においても熱拡散板２にキャビティに通じる貫通
孔１０が前記実施の形態１と同様に穿孔されており、例
えばここからキャビティ内に封止材料９を注入すること
が可能となっている。したがって、本実施の形態１にお
いても、前記実施の形態１と同じ効果を得ることが可能
となる。

【００５８】（実施の形態３）図１３は本発明の一実施
の形態である半導体集積回路装置の断面図である。

【００５９】本実施の形態３は、例えば図１３に示すよ
うに、キャビティが実装面の上方に配置される、いわゆ
るキャビティアップパッケージ形の半導体集積回路装置
に本発明を適用した場合を説明する例であり、それ以外
は、前記実施の形態１と同じである。

【００６０】半導体チップ１は、パッケージ基板（チッ
プ実装基板）１２の主面中央に実装されている。パッケ
ージ基板１２は、例えばガラスエポキシ樹脂またはビス
マレイミドトリアジン樹脂等のようなプラスチック材料
からなり、その裏面にはバンプ５ａが配置されている。

【００６１】このパッケージ基板１２とベース３とは一
体的に成形されている。なお、パッケージ基板１２にお
いて、半導体チップ１が実装される部分に熱拡散板を設
けても良い。

【００６２】このような本実施の形態３の半導体集積回
路装置においては、パッケージ基板１２において、半導
体チップ１の側面とベース３の中空内壁面との間の隙間
に当たる位置に、キャビティに通じる貫通孔１０が穿孔
されており、例えばここからキャビティ内に封止材料９
を注入することが可能となっている。したがって、本実
施の形態３においても、前記実施の形態１と同じ効果を
得ることが可能となる。

【００６３】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態１〜３に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。

【００６４】例えば前記実施の形態１〜３においては、
熱拡散板やパッケージ基板の外壁面において貫通孔の開
口部を塞いでいないが、キャビティ内の封止材料が貫通
孔を通じて外部に洩れるのを防止するために、その開口
部をキャップで塞いでも良い。

【００６５】また、その封止材料洩れ防止用のキャップ
に代えて図１４に示すように、熱拡散板２の上面に、例
えばＡｌ等からなる放熱フィン１３をシリコーンゴム等
によって接着しても良い。これにより、キャビティ内の
封止材料９が貫通孔１０を通じて外部に洩れるのを防止
することができるとともに、半導体チップ１における集
積回路の動作時の放熱性を向上させることが可能とな
る。

【００６６】また、前記実施の形態１〜３においては、
封止材料を貫通孔を通じてキャビティ内に注入すること
で、半導体チップとベースとの間の隙間に封止材料を充
填させる場合について説明したが、例えばキャビティ内
に封止材料を注入した後、キャビティ内の封止材料を貫
通孔を通じて若干真空引きすることにより、半導体チッ
プとベースとの間の隙間に封止材料を充填させるように
しても良い。

【００６７】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるプラス
チックパッケージ形の半導体集積回路装置に適用した場
合について説明したが、それに限定されるものではな
く、例えばベースやパッケージ基板をセラミックで形成
するセラミックパッケージ形の半導体集積回路装置に適
用できる。

【００６８】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。

【００６９】(1).本発明の半導体集積回路装置によれ
ば、半導体チップと枠体との間の隙間に封止材料を良好
に流し込むことができ、その隙間に気泡が発生するのを
防止することができるので、その気泡の膨張に起因する
ボンディングワイヤの曲折や断線等を防止することが可
能となる。したがって、半導体集積回路装置の歩留りお
よび信頼性を向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の断面図である。

【図２】図１の半導体集積回路装置の要部拡大断面図で
ある。

【図３】図１の半導体集積回路装置の平面図である。

【図４】図３の変形例を示す図１の半導体集積回路装置
の平面図である。

【図５】図３の変形例を示す図１の半導体集積回路装置
の平面図である。

【図６】図１の半導体集積回路装置の製造工程を模式的
に示す断面図である。

【図７】図１の半導体集積回路装置の図６に続く製造工
程を模式的に示す断面図である。

【図８】図１の半導体集積回路装置の図７に続く製造工
程を模式的に示す断面図である。

【図９】図１の半導体集積回路装置の図８に続く製造工
程を模式的に示す断面図である。

【図１０】図１の半導体集積回路装置の他の製造方法を
説明するための半導体集積回路装置の製造工程を模式的
に示す断面図である。

【図１１】図１の半導体集積回路装置の他の製造方法を
説明するための半導体集積回路装置の図１０に続く製造
工程を模式的に示す断面図である。

【図１２】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の断面図である。

【図１３】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の断面図である。

【図１４】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体チップ ２ 熱拡散板（チップ実装基板） ３ ベース（枠体） ３ａ 絶縁板 ３ｂ 配線 ３ｃ バンプ下地パターン ３ｄ 接続部 ３ｅ 接続孔 ４ 接着剤 ５ａ バンプ（外部端子） ５ｂ リードピン（外部端子） ６ ボンディングワイヤ ７ キャップ ８ 接着剤 ９ 封止材料 １０ 貫通孔 １１ａ, １１ａ1 ニードル １１ｂ シリンジ １２ パッケージ基板（チップ実装基板） １３ 放熱フィン ＢＰ ボンディングパッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊池 卓 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 宝蔵寺 裕之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 三輪 孝志 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップを実装するチップ実装基板
   と、前記半導体チップの周囲を取り囲むように配置され
   た枠体と、前記枠体の中空領域を塞ぐキャップと、前記
   中空領域内に一端が配置され、他端が外部端子と電気的
   に接続された配線とを備え、前記半導体チップのボンデ
   ィングパッドと、前記中空領域内に配置された配線の一
   端とをボンディングワイヤによって電気的に接続すると
   ともに、前記半導体チップおよびボンディングワイヤを
   中空領域内に注入した封止材料によって封止してなる半
   導体集積回路装置であって、前記チップ実装基板におい
   て、前記枠体と前記半導体チップとの間の隙間領域にあ
   たる位置に、前記中空領域内に封止材料を注入する場合
   にその封止材料が流れる貫通孔を設けたことを特徴とす
   る半導体集積回路装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体集積回路装置にお
   いて、前記貫通孔を、前記半導体チップの角部近傍に設
   けたことを特徴とする半導体集積回路装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体集積回路
   装置において、前記チップ実装基板は熱拡散板であり、
   前記外部端子は前記枠体において前記キャップの設置面
   側に設けられたことを特徴とする半導体集積回路装置。
4. 【請求項４】 半導体チップを実装するチップ実装基板
   と、前記半導体チップの周囲を取り囲むように配置され
   た枠体と、前記枠体の中空領域を塞ぐキャップと、前記
   中空領域内に一端が配置され、他端が外部端子と電気的
   に接続された配線とを備え、前記半導体チップのボンデ
   ィングパッドと、前記中空領域内に配置された配線の一
   端とをボンディングワイヤによって電気的に接続すると
   ともに、前記半導体チップおよびボンディングワイヤを
   中空領域内に注入した封止材料によって封止してなる半
   導体集積回路装置の製造方法であって、前記チップ実装
   基板において前記枠体と前記半導体チップとの間の隙間
   領域にあたる位置に前記チップ実装基板の裏面と前記中
   空領域とが連通するように設けられた貫通孔を通じて、
   前記封止材料を前記中空領域内に注入する工程を有する
   ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。