JP2013187297A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013187297A
JP2013187297A JP2012050455A JP2012050455A JP2013187297A JP 2013187297 A JP2013187297 A JP 2013187297A JP 2012050455 A JP2012050455 A JP 2012050455A JP 2012050455 A JP2012050455 A JP 2012050455A JP 2013187297 A JP2013187297 A JP 2013187297A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing material
lead
opening
lid member
leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012050455A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5660063B2 (ja
Inventor
Itaru Ishii
格 石井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2012050455A priority Critical patent/JP5660063B2/ja
Priority to DE201310203561 priority patent/DE102013203561A1/de
Publication of JP2013187297A publication Critical patent/JP2013187297A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5660063B2 publication Critical patent/JP5660063B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】表裏両面がモールド樹脂から露出するように当該モールド樹脂により封止された複数本のリードに対し、当該リードの表裏両面を封止材で封止するにあたって、リード間の隙間を介して封止材をリードの一面側から他面側まで回り込ませることで、当該封止材の配置を行うときに、当該他面側における封止材の漏れおよびボイドの発生を防止する。
【解決手段】第２の封止材５１の漏れを防止するための蓋部材６０を第２の開口部２２に対して嵌め込んでおき、第１の開口部２１側から液状の第２の封止材５１を注入し、リード１１間の隙間を介して、リード１１の他面１０ｂ側まで液状の第２の封止材５１を回り込ませる。蓋部材６０として、第２の開口部２２に回り込んだ第２の封止材５１中のボイドを、リード１１の他面１０ｂ側から離れる方向へ移動させて当該他面１０ｂより逃がす逃がし部６２が設けられたものを用いる。
【選択図】図１Ｃ

Description

本発明は、表裏両面がモールド樹脂から露出するように当該モールド樹脂により封止された複数本のリードを有し、当該リードの表裏両面がさらに封止材で封止されてなる半導体装置、および、そのような半導体装置の製造方法に関する。
従来より、一般的な半導体装置として、一面と他面とが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のリードの表面が露出するように当該リードをモールド樹脂で封止し、モールド樹脂上に半導体チップを搭載し、当該露出するリードの表面と半導体チップとをワイヤボンディングで接続したものが提案されている（特許文献１参照）。
このものでは、モールド樹脂等よりなるケースから露出するリードの表面およびボンディングワイヤを、さらに樹脂よりなる封止材で封止することで、封止された部位の電気絶縁性の確保や外部環境からの保護を実現している。
特開２００６−１７９７３２号公報
本発明者は、この種の半導体装置について鋭意検討を進めた結果、複数本のリードが、表裏両面がモールド樹脂から露出するようにモールド樹脂で封止されて支持され、さらに、各リードの表裏両面が封止材で封止されてなる半導体装置を、試作した。
この場合、個々のリードの両端側をモールド樹脂で封止して支持するとともに、モールド樹脂には、個々のリードの中央側にてリードの一面側、他面側をそれぞれ露出させる第１の開口部、第２の開口部を設ける。このようにリードの表裏両面をモールド樹脂より露出させることは、たとえば次の理由による。
複数本のリードは、元々タイバーで連結されたものである。このことから、モールド樹脂の封止後にタイバーをカットするようにすれば、モールド樹脂封止前における複数本のリードの取り扱い性等に優れる。このとき、モールド樹脂封止後にタイバーカットする場合、当該タイバーを第１および第２の開口部にて露出させておけば、容易にカットを行うことができる。
その後は、第１の開口部を介して半導体チップと個々のリードの一面とをボンディングワイヤにより接続する。さらに、第１の開口部には、リードの一面およびボンディングワイヤを封止する第１の封止材を設け、第２の開口部には、リードの他面を封止する第２の封止材を設けることにより、リードの表裏両面およびワイヤの電気絶縁性が確保されている。
ここで、リードの一面側に第１の封止材を設置し、他面側に第２の封止材を設置する場合、まず、第２の封止材を、リードの一面側から注入してリード間の隙間を介して他面側に回り込ませ、次に、第１の封止材を、リードの一面側に注入することが、製造上、効率的である。
しかし、本発明者の検討によれば、この場合、リード他面側に回り込んだ第２の封止材が、第２の開口部から漏れ出してしまう可能性がある。この対策としては、単純には、第２の封止材を粘性の高いものとしたり、第２の開口部に対して漏れ防止の蓋部材を取り付けたりすることが考えられる。
ここで、第２の封止材の粘性を高くすると、第２の封止材中にボイドが発生し、このボイドがリードの他面に存在すると、当該リードの他面が第２の封止材から露出してしまい、電気絶縁性が損なわれる恐れがある。また、蓋部材を用いた場合、第２の開口部が閉塞されるため、上記漏れは抑制できるが、第２の封止材中のガスが抜けにくくなり、上記したボイドの発生が顕著になる恐れがある。
本発明は、上記問題に鑑み、表裏両面がモールド樹脂から露出するように当該モールド樹脂により封止された複数本のリードを有し、当該リードの表裏両面がさらに封止材で封止されてなる半導体装置を製造するにあたって、リード間の隙間を介して封止材をリードの一面側から他面側まで回り込ませることで、当該封止材の配置を行うときに、当該他面側における封止材の漏れおよびボイドの発生を防止することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）とが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のリード（１１）と、個々のリードの両端側を封止して支持するモールド樹脂（２０）と、モールド樹脂に搭載された半導体チップ（３０）と、を備え、モールド樹脂には、個々のリードの中央側にてリードの一面側、他面側をそれぞれ露出させる第１の開口部（２１）、第２の開口部（２２）が設けられており、第１の開口部を介して半導体チップと個々のリードの一面とがボンディングワイヤ（４０）により接続されており、さらに、第１の開口部には、リードの一面およびボンディングワイヤを封止する第１の封止材（５０）が設けられ、第２の開口部には、リードの他面を封止する第２の封止材（５１）が設けられている半導体装置を製造する製造方法において、さらに以下の特徴を有している。
すなわち、請求項１の製造方法では、複数本のリードを用意するリード用意工程と、第１の開口部および第２の開口部を形成するように複数本のリードをモールド樹脂で封止するモールド工程と、第１の開口部および第２の開口部の外側にてモールド樹脂に半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、第１の開口部を介して半導体チップと個々のリードとの間でワイヤボンディングを行い、ボンディングワイヤを形成するワイヤボンディング工程と、第２の封止材の漏れを防止するための蓋部材（６０）を、蓋部材とリードの他面とが離間した状態で、第２の開口部に対して嵌め込む蓋設置工程と、第１の開口部側から液状の第２の封止材を注入し、複数本のリード間の隙間を介して、個々のリードの他面側まで当該液状の第２の封止材を回り込ませることにより、第２の開口部側にて個々のリードの他面を当該液状の第２の封止材により被覆する第２の封止材工程と、続いて、第１の開口部側から液状の第１の封止材を注入し、第１の開口部側にて個々のリードの一面を当該液状の第１の封止材により被覆する第１の封止材工程と、第１の封止材および第２の封止材を硬化させる封止材硬化工程と、を行うものであり、蓋部材設置工程では、蓋部材として、当該蓋部材のうちリードの他面に対向する面である対向面（６２）が凹んだ形状をなす逃がし部（６２、６４）が設けられたものを用い、第２の封止材工程では、逃がし部によって、第２の開口部に回り込んだ第２の封止材中のボイドを、個々のリードの他面側から離れる方向へ移動させて当該他面より逃がすことを、特徴とする。
それによれば、第２の封止材工程において、第２の開口部が蓋部材で閉塞されているから、第２の開口部から第２の封止材が漏れるのを防止できる。また、第２の開口部内にて第２の封止材中に存在するボイドは、蓋部材に設けられた逃がし部により、リードの他面から離される方向へ移動するので、第２の封止材からリードの他面が露出してしまうようなボイドの発生を極力防止することができる。
よって、本発明によれば、リード間の隙間を介して封止材をリードの一面側から他面側まで回り込ませることで、当該封止材の配置を行うときに、当該他面側における封止材の漏れおよびボイドの発生を防止することができる。
ここで請求項２に記載の発明のように、逃がし部は、蓋部材のうちの対向面を、当該対向面の中央から周辺部に向かってリードの他面から離れるように傾斜させた傾斜面（６２）とした構成であるものとすることが好ましい。
それによれば、第２の封止材工程では、蓋部材の対向面のうちリードの他面に近い中央からリードの他面から遠い周辺部に向かって、傾斜面に沿って、第２の封止材とともにボイドが移動し、当該周辺部に集まる。そのため、当該ボイドをリードの他面側から離れる方向へ適切に逃がすことができる。
この場合、さらに、請求項３に記載の発明のように、蓋部材における対向面の周辺部には、リードの他面から離れる方向に凹み、第２の封止材中のボイドを溜める凹部（６３）が設けられているものとすることが好ましい。そうすれば、逃がし部としての傾斜面である対向面に沿って当該対向面の周辺部に移動して集まったボイドが、この凹部に溜められるから、ボイドの逃がしがより容易になる。
また、請求項４に記載の発明のように、逃がし部は、蓋部材のうちの対向面から当該対向面とは反対側の面（６５）まで、蓋部材を貫通する貫通孔（６４）として構成され、この貫通孔から第２の封止材中のボイドが逃されるものであってもよい。この場合、第２の封止材工程では、第２の封止材中のボイドが、貫通孔から個々のリードの他面側から離れる方向へ逃される。
また、請求項８に記載の発明では、一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）とが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のリード（１１）と、個々のリードの両端側を封止して支持するモールド樹脂（２０）と、モールド樹脂に搭載された半導体チップ（３０）と、を備え、モールド樹脂には、個々のリードの中央側にてリードの一面側、他面側をそれぞれ露出させる第１の開口部（２１）、第２の開口部（２２）が設けられており、第１の開口部を介して半導体チップと個々のリードの一面とがボンディングワイヤ（４０）により接続されており、さらに、第１の開口部には、リードの一面およびボンディングワイヤを封止する第１の封止材（５０）が設けられ、第２の開口部には、リードの他面を封止する第２の封止材（５１）が設けられており、第２の封止材は、リード間の隙間に充填されており、第２の封止材の漏れを防止するための蓋部材（６０）が、蓋部材とリードの他面とが離間した状態で、第２の開口部に対して嵌め込まれており、蓋部材には、当該蓋部材のうちリードの他面に対向する面である対向面（６２）が凹んだ形状をなすものであって、第２の封止材中のボイドを、個々のリードの他面側から離れる方向へ移動させて当該他面より逃がす逃がし部（６２、６４）が設けられていることを、特徴とする。
それによれば、第２の開口部が蓋部材で閉塞されているから、第２の開口部から第２の封止材が漏れるのを防止できる。また、第２の開口部内にて第２の封止材中に存在するボイドは、蓋部材に設けられた逃がし部により、リードの他面から離される方向へ移動するので、第２の封止材からリードの他面が露出してしまうようなボイドの発生を極力防止することができる。
よって、本発明によれば、リード間の隙間を介して封止材をリードの一面側から他面側まで回り込ませることで、当該封止材の配置を行うときに、当該他面側における封止材の漏れおよびボイドの発生を防止するのに適した構成を提供することができる。
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の概略平面図である。 図１Ａ中の半導体装置における一点鎖線IＢ−IＢに沿った概略断面図である。 図１Ａ中の半導体装置における一点鎖線IＣ−IＣに沿った部分を拡大して示す概略断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置における蓋部材の概略平面図である。 図２Ａに示した蓋部材における一点鎖線IIＢ−IIＢに沿った概略断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるリード用意工程を示す概略平面図である。 上記リード工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるモールド工程を示す概略平面図である。 上記モールド工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるタイバーカット工程を示す概略平面図である。 上記タイバーカット工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるチップ搭載工程を示す概略平面図である。 上記チップ搭載工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング工程を示す概略平面図である。 上記ワイヤボンディング工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法におけるダム形成工程を示す概略平面図である。 上記ダム形成工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法における蓋設置工程を示す概略平面図である。 上記蓋設置工程を示す概略断面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法における第１の封止材工程および第２の封止材工程を示す概略平面図である。 上記第１の封止材工程および第２の封止材工程を示す概略断面図である。 本発明の第２実施形態に係る第１の例としての蓋部材の概略平面図である。 図１１Ａに示した蓋部材における一点鎖線XIＢ−XIＢに沿った概略断面図である。 第２実施形態に係る第２の例としての蓋部材の概略断面図である。 第２実施形態に係る第３の例としての蓋部材の概略断面図である。 第２実施形態に係る第４の例としての蓋部材の概略断面図である。 第２実施形態に係る第５の例としての蓋部材の概略断面図である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る半導体装置Ｓ１について、図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃを参照して述べる。この半導体装置Ｓ１は、たとえば自動車に搭載されるＥＣＵ等の電子装置の構成要素として適用される。
本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、リードフレーム１０と、リードフレーム１０を封止するモールド樹脂２０と、モールド樹脂２０上に搭載された半導体チップ３０と、半導体チップ３０とモールド樹脂２０より開口するリードフレーム１０のリード１１とを接続するボンディングワイヤ４０と、を備える。
リードフレーム１０は、一面１０ａと他面１０ｂとが表裏の関係にある板状をなすものであり、板材をパターニングすることで複数本のリード１１、アイランド１２、外部接続端子１３を形成してなるものである。したがって、リードフレーム１０の一面１０ａ、他面１０ｂは、そのままリード１１、アイランド１２、外部接続端子１３の一面１０ａ、他面１０ｂに相当する。
このようなリードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイ等の金属製の板材よりなる。そして、リードフレーム１０は、当該板材をプレスやエッチングでパターニングすることで、後述の図３Ａ等に示されるように、外枠１４およびタイバー１５によって、リード１１、アイランド１２、外部接続端子１３が一体に連結された状態で形成されている。
そして、モールド樹脂２０で封止後に、これら外枠１４、タイバー１５をカットすることで、リードフレーム１０は、リード１１、アイランド１２、外部接続端子１３が互いに分離したものとされる。したがって、図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃに示される半導体装置Ｓ１においては、リードフレーム１０におけるリード１１とアイランド１２と外部接続端子１３とは、モールド樹脂２０で支持されつつ互いに分離した状態とされている。
リード１１は、一面１０ａと他面１０ｂとが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のものよりなり、ここでは、細長の板形状をなしている。各リード１１は、一面１０ａをボンディングワイヤ４０と接続されるワイヤ接続面としている。そして、各リード１１は、この一面１０ａを上方に向けつつ、同一平面にて長手方向を揃えた状態で互いに隙間を有して配列されている。
モールド樹脂２０内にて、アイランド１２には、図示しない電子部品が搭載されている。この電子部品としては、たとえば回路チップ等の表面実装部品や回路基板等が挙げられる。外部接続端子１３は、ワイヤボンディングやはんだ付け等の接続方法によって、半導体装置Ｓ１と外部との接続を行うものである。
また、この外部接続端子１３には、必要に応じて図示しないコンデンサや発振素子等の部品が搭載されている。そして、リード１１、アイランド１２、外部接続端子１３の各間は、モールド樹脂２０内にて、図示しないボンディングワイヤ等で結線され、電気的に接続されている。
モールド樹脂２０は、リードフレーム１０のうち、各リード１１の長手方向の両端側、アイランド１２全体、外部接続端子１３のインナーリード、さらには、上記したリードフレーム１０上の部品や、リードフレームの各部間を接続する図示しないボンディングワイヤを封止している。このモールド樹脂２０は、エポキシ樹脂等よりなり、トランスファーモールド法により形成されている。
このモールド樹脂２０には、半導体チップ３０を搭載するためのチップ搭載部２３が形成されている。この半導体チップ３０としては、特に限定するものではないが、流量センサ、圧力センサ、加速度センサ、角速度センサ等のセンサチップや、その他、回路チップ等が挙げられる。
ここでは、モールド樹脂２０におけるチップ搭載部２３は凹部として構成されている。そして、半導体チップ３０は、このチップ搭載部２３に配置されており、エポキシ樹脂等よりなる接着剤３１を介してモールド樹脂２０に搭載され、モールド樹脂２０に固定されている。
また、このモールド樹脂２０には、リード１１の一面１０ａ側にて第１の開口部２１が設けられている。この第１の開口部２１は、個々のリード１１の長手方向の中央側にてリード１１の一面１０ａ側をモールド樹脂２０より露出させるものである。
それとともに、モールド樹脂２０には、リード１１の他面１０ｂ側にて第２の開口部２２が設けられている。この第２の開口部２２は、個々のリード１１の長手方向の中央側にてリード１１の他面１０ｂ側をモールド樹脂２０より露出させるものである。
ここで、第１の開口部２１と第２の開口部２２とは、モールド樹脂２０内で連続しており、リードフレーム１０の厚さ方向にモールド樹脂２０を貫通する貫通孔を構成している。そして、リード１１は、当該貫通孔の途中部位に露出しており、このリード１１を境にして、リード１１の一面１０ａ側が第１の開口部２１とされ、リード１１の他面１０ｂ側が第２の開口部２２とされている。
さらに言うならば、第１および第２の開口部２１、２２における対向する端部間に延びつつ、当該端部間を跨ぐように、細長板状の各リード１１が配置されている。各リード１１の一端側と他端側は、第１および第２の開口部２１、２２の外郭の外側にてモールド樹脂２０に封止され、モールド樹脂２０に固定されている。これにより、各リード１１は、その長手方向の両端側にてモールド樹脂２０に支持されている
そして、第１の開口部２１を介して半導体チップ３０と個々のリード１１の一面１０ａとが金やアルミニウム等よりなるボンディングワイヤ４０により接続されている。このボンディングワイヤ４０による接続は、各リード１１と半導体チップ３０との間で行われているが、図１Ａでは、一本のボンディングワイヤ４０のみ示してある。
さらに、第１の開口部２１には、第１の開口部２１にて露出するリード１１の一面１０ａおよびボンディングワイヤ４０を封止する第１の封止材５０が設けられている。一方、第２の開口部２２には、第２の開口部２２にて露出するリード１１の他面１０ｂを封止する第２の封止材５１が設けられている。
これら両封止材５０、５１は、この種の半導体装置に用いられる封止材料、たとえばシリカよりなるフィラーを含有するエポキシ樹脂等よりなる。これら第１の封止材５０と第２の封止材とは、粘度等の異なる異種材料よりなるものでもよいし、同一材料よりなるものであってもよい。異種材料の場合、製造工程にて、先に注入される第２の封止材５１の方を第１の封止材５０よりも粘度が大きいものとすることが望ましい。
ここで、図１Ｃに示されるように、第２の封止材５１は、リード１１の他面１０ｂ側に位置するとともに、リード１１間の隙間にまで入り込んで充填されている。一方、第１の封止材５０はリード１１の一面１０ａ上に位置している。
また、第１の封止材５０は、半導体チップ３０におけるボンディングワイヤ４０との接続部位を封止しているが、半導体チップ３０における当該接続部位とは反対側の部位は、第１の封止材５０より露出している。本実施形態では、この第１の封止材５０のはみ出しを防止するためのダム部材７０が、半導体チップ３０上およびその周辺のモールド樹脂２０上に突出して設けられている。このダム部材７０はエポキシ樹脂等よりなる。
そして、本実施形態では、第２の封止材５１の漏れを防止するための蓋部材６０が、蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとが離間した状態で、第２の開口部２２に対して嵌め込まれている。この蓋部材６０について、図２Ａ、図２Ｂも参照して述べる。
図２Ａでは、蓋部材６０のうちリード１１の他面１０ｂに対向する面である対向面６２側から視たときの蓋部材６０の平面構成を示しているが、この蓋部材６０の平面形状は、第２の開口部２２の開口形状に対応した形状とされている。図示例では、蓋部材６０の平面形状は、リード１１の長手方向を短辺、リード１１の配列方向を長辺とする矩形をなしている。
この蓋部材６０は、樹脂、金属、セラミック等よりなるものを採用できる。好ましくは、蓋部材６０は、当該蓋部材６０と接触、または近傍に位置する部材と線膨張係数が近い材料、たとえば、エポキシ樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂材料を成形してなるものが望ましい。
ここでは、蓋部材６０のうち第２の開口部２２の外側寄り部位に、嵌合部６１が設けられている。この嵌合部６１は、蓋部材６０の側面の全周に張り出したものである。そして、この嵌合部６１がモールド樹脂２０、すなわち第２の開口部２２の側面に接触することで蓋部材６０の嵌合がなされている。こうして、蓋部材６０はモールド樹脂２０に固定されている。
また、この蓋部材６０には、後述の製造工程中にて第２の開口部２２に回り込んだ第２の封止材５１中のボイドを逃がす逃がし部６２が設けられている。この逃がし部６２は、第２の封止材５１内部にて個々のリード１１の他面１０ｂに存在しようとするボイドを、当該他面１０ｂ側から離れる方向へ移動させて当該他面１０ｂより逃がすものである。
この逃がし部６２は、蓋部材６０の上記対向面６２が凹んだ形状のものとして構成されているが、本実施形態では、逃がし部６２は、蓋部材６０の上記対向面６２として構成されている。つまり、この対向面６２を、当該対向面６２の中央から周辺部に向かってリード１１の他面１０ｂから離れるように傾斜させた傾斜面としたものとすることで、対向面６２の中央側よりも周辺部が凹んだ形状の逃がし部が構成されている。
ここでは、図２Ｂに示されるように、蓋部材６０の対向面６２は、当該対向面６２における長辺方向、つまり、リード１１の長手方向と直交方向の中央から周辺部に向かって下がっていく傾斜面とされている。一方、図１Ｂに示されるように、対向面６２は、当該対向面６２における短辺方向、つまり、リード１１の長手方向においては、全体に渡って平坦面とされている。
さらに、本実施形態では、図２Ａ、図２Ｂ等に示されるように、蓋部材６０における対向面６２の周辺部には、第２の封止材５１中のボイドを溜める凹部６３が設けられている。この凹部６３は、当該対向面６２の周辺部よりも更にリード１１の他面１０ｂから離れる方向に凹んだものである。ここでは、凹部６３は、対向面６２の外郭全周に設けられている。
言い換えれば、この凹部６３は、蓋部材６０の側面のうち嵌合部６１よりも第２の開口部２２の内部側に位置する部位であって当該嵌合部６１よりも凹んだ部位である。そして、この蓋部材６０の側面としての凹部６３では、蓋部材６０と第２の開口部２２の側面とは離れた状態とされている。
ここで、限定するものではないが、本実施形態の蓋部材６０における各部の寸法の一例を述べる。本実施形態に用いられる第２の封止材５１は、粘度が５Ｐａ・ｓ以上５０Ｐａ・ｓ以下程度のものである。そして、図１Ｃに示される対向面６２の中央の頂部とリード１１の他面１０ｂとの距離Ｌ１、つまり対向面６２とリード１１の他面１０ｂとの最短距離Ｌ１は１００μｍ程度とする。
また、図１Ｃに示される対向面の周辺部とリード１１の他面１０ｂとの距離Ｌ２は４００μｍ程度とする。また、図１Ｃに示される凹部６３における蓋部材６０と第２の開口部２２の側面との隙間Ｌ３は、第２の封止材５１とともにボイドが当該凹部６３に入り込むために、１００μｍ以上が望ましい。
このような半導体装置Ｓ１においては、半導体チップ３０からの信号が、ボンディングワイヤ４０、リード１１を介して、アイランド１２上の図示しない電子部品に伝わり、さらに、外部接続端子１３から外部に出力されるようになっている。
次に、本半導体装置Ｓ１の製造方法について、図３Ａ〜図１０Ａおよび図３Ｂ〜図１０Ｂを参照して述べる。なお、図３Ａ〜図１０Ａでは、ワークを上記図１Ａに対応した平面構成で示し、図３Ｂ〜図１０Ｂでは、ワークを上記図１Ｂに対応した断面にて示している。また、図３Ｂ〜図１０Ｂでは、外枠１４やタイバー１５は省略してある。
［図３Ａおよび図３Ｂに示す工程］
まず、リード用意工程として、複数本のリード１１を用意する。ここでは、外枠１４およびタイバー１５によって、リード１１、アイランド１２、外部接続端子１３が一体に連結された状態のリードフレーム１０を用意する。つまり、本実施形態では、用意される複数本のリード１１は、隣り合う個々のリード１１間に設けられたタイバー１５により一体に連結されたものである。
［図４Ａおよび図４Ｂに示す工程］
次に、モールド工程では、第１の開口部２１および第２の開口部２２を形成するように複数本のリード１１をモールド樹脂２０で封止する。本実施形態では、リード１１間のタイバー１５が第１の開口部２１および第２の開口部２２から露出するようにモールド樹脂２０による封止を行う。これにより、モールド樹脂２０が成形される。
具体的には、当該両開口部２１、２２に対応する突起を有する金型を用い、トランスファーモールド法により、リード１１の両端、アイランド１２、外部接続端子１３のインナーリードを封止する。このとき、モールド樹脂２０においては、チップ搭載部２３も形成される。
［図５Ａおよび図５Ｂに示す工程］
次に、タイバーカット工程では、カット型１００を用いて、第１の開口部２１および第２の開口部２２を介して、リード１１間のタイバー１５を切断して個々のリード１１を分離する。このとき、本実施形態では、モールド樹脂２０より露出する他のタイバー１５および外枠１４は、カットせずに残しておく。
［図６Ａおよび図６Ｂに示す工程］
次に、チップ搭載工程では、第１の開口部２１および第２の開口部２２の外側にてモールド樹脂２０に半導体チップ３０を搭載する。ここでは、接着剤３１をチップ搭載部２３に配置し、この接着剤３１を介して半導体チップ３０を搭載し、チップ搭載部２３に接着する。
［図７Ａおよび図７Ｂに示す工程］
次に、ワイヤボンディング工程では、第１の開口部２１を介して半導体チップ３０と個々のリード１１との間でワイヤボンディングを行い、ボンディングワイヤ４０を形成する。このワイヤボンディングは、金やアルミニウム等のワイヤを用いたボールボンディング、ウェッジボンディング等によりなされる。
［図８Ａおよび図８Ｂに示す工程］
次にダム形成工程では、ダム部材７０を、半導体チップ３０上およびその周辺のモールド樹脂２０上への塗布および硬化により、形成する。
［図９Ａおよび図９Ｂに示す工程］
次に、蓋設置工程では、上記蓋部材６０を、蓋部材６０の対向面６２とリード１１の他面１０ｂとを対向させつつ蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとが離間した状態で、第２の開口部２２に対して嵌め込む。ここでは、蓋部材６０は、嵌合部６１を介して第２の開口部２２に圧入することにより、嵌合させる。
［図１０Ａおよび図１０Ｂに示す工程］
次に、第２の封止材工程、第１の封止材工程を、この順に続けて行う。第２の封止材工程では、第１の開口部２１側から液状の第２の封止材５１を注入し、複数本のリード１１間の隙間を介して、個々のリード１１の他面１０ｂ側まで当該液状の第２の封止５１を回り込ませる。
これにより、液状の第２の封止材５１によって、第２の開口部２２内にてリード１１の他面１０ｂと蓋部材６０の対向面６２との隙間が充填されることとなり、第２の開口部２２側にて個々のリード１１の他面１０ｂが、当該液状の第２の封止材５１により被覆された状態となる。
第１の封止材５０と第２の封止材５１とが異種材料である場合、続く第１の封止材工程では、封止材を取り替えて、第１の封止材５０を用いる。そして、第２の封止材５１と同じく第１の開口部側から、液状の第１の封止材５０を注入する。すると、第２の封止材５１の上に、第１の封止材５０が溜まっていき、第１の開口部２１側にて個々のリード１１の一面１０ａが当該液状の第１の封止材５０により被覆される。
ここで、第１の封止材５０と第２の封止材５１とが同一材料である場合、第２の封止材工程と第１の封止材工程とを連続して行う。つまり、第１の開口部２１側から両封止材５０、５１の材料を注入し、当該材料によって両開口部２１、２２が充填されるまで注入を続ければよい。この場合、両封止部材５０、５１の境界は形成されないが、第１の開口部２１に位置するものが第１の封止材５０、第２の開口部２２に位置するものが第２の封止材５１として構成される。
これら第２の封止材工程、第１の封止材工程の後、ともに液状の第１の封止材５０および第２の封止材５１を硬化させる封止材硬化工程を行う。その後、モールド樹脂２０より露出する他のタイバー１５および外枠１４をカットすることにより、リード１１とアイランド１２と外部接続端子１３とが互いに分離した状態のリードフレーム１０とする。こうして、本実施形態の半導体装置Ｓ１ができあがる。
ところで、本実施形態によれば、蓋部材設置工程において、蓋部材６０として、第２の開口部２２に回り込んだ第２の封止材５１中のボイドを、個々のリード１１の他面１０ｂ側から離れる方向へ移動させて当該他面１０ｂより逃がす逃がし部６２が設けられたものを用いている。
それによれば、第２の封止材工程において、第２の開口部２２が蓋部材６０の嵌合部６１で閉塞されているから、第２の開口部２２から第２の封止材５１が漏れるのを防止することができる。
また、蓋部材６０で閉塞された第２の開口部２２内にて第２の封止材５１中に存在する空気等のガス、つまりボイドは、蓋部材６０に設けられた逃がし部６２により、リード１１の他面１０ｂから離される方向へ移動し、当該リード１１の他面１０ｂから遠い部位に偏って集まる。
具体的に、本実施形態では、上記図２Ａ、図２Ｂ等に示したように、逃がし部を傾斜面としての対向面６２として構成している。それによれば、第２の封止材工程では、蓋部材６０の対向面６２のうちリード１１の他面１０ｂに近い中央からリード１１の他面１０ｂより遠い周辺部に向かって、当該傾斜面に沿って、第２の封止材５１とともにボイドが移動し、当該周辺部に集まる。
このようにして、第２の開口部２２に回り込んだ第２の封止材５１中のボイドが、個々のリード１１の他面１０ｂ側から離れる方向へ移動し、当該リード１１の他面１０ｂより逃がされる。そのため、第２の封止材５１からリード１１の他面１０ｂが露出してしまうようなボイドの発生を極力防止することができる。
よって、本実施形態によれば、リード１１間の隙間を介して第２の封止材５１をリード１１の一面１０ａ側から他面１０ｂ側まで回り込ませることで、第２の封止材５１の配置を行うにあたって、リード１１の他面１０ｂ側における第２の封止材５１の漏れおよびボイドの発生を防止することができる。
また、本実施形態では、蓋部材６０における対向面６２の周辺部には、第２の封止材５１中のボイドを溜める上記凹部６３が設けられている。それによれば、傾斜面である対向面６２に沿って対向面６２の周辺部に移動して集まったボイドが、さらにその外側の凹部６３に落ち込んで、凹部６３に溜められるから、ボイドの逃がしがより容易になるという利点がある。
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態では、上記第１実施形態に示した半導体装置Ｓ１のうち蓋部材６０を変形したものであり、この蓋部材６０の種々の変形例について述べることとする。
図１１Ａ、図１１Ｂに示される第１の例では、逃がし部６４は、蓋部材６０の対向面６２から当該対向面６２とは反対側の面６５まで、蓋部材６０を貫通する貫通孔６４として構成されている。つまり、本実施形態では、この貫通孔６４を凹みとして、蓋部材６０の上記対向面６２が凹んだ形状をなす逃がし部を構成している。そして、この貫通孔６４から第２の封止材５１中のボイドが逃されるものとされている。
この例では、対向面６２は、当該対向面６２におけるリード１１の長手方向と直交方向の中央から周辺部に向かって上がっていく傾斜面とされている。つまり、この傾斜面は、上記図２Ｂとは逆に、中央が凹む傾斜面とされている。そして、この例では、貫通孔６４が、対向面６２の中央に１個、その両側それぞれ１個ずつに設けられている。
ここで、貫通孔６４は、第２の封止材５１は通り抜けずに、ボイドは通り抜けることのできる大きさの幅であることはもちろんである。また、この貫通孔６４は、型成形や打ち抜き加工等により形成されるが、丸孔でも、角孔でもよい。
この場合、第２の封止材工程では、第２の封止材５１は、対向面６２の周辺部側から中に向かって集まるように流れる。そのため、当該第２の封止材５１中のボイドも、対向面の中央に偏って集まりやすい。
それゆえ、この傾斜面である対向面６２における最も低い中央に貫通孔６４を設けることにより、貫通孔６４を介してボイドが排出されやすい構成となる。また、ボイドが対向面６２の中央に集まってくる途中においても、対向面６２の中央の両側に位置する貫通孔６４によってボイドが排出される。このようにして、本第１の例においても、ボイドは、個々のリード１１の他面１０ｂ側から離れる方向へ逃される。
また、図１２に示される第２の例では、上記第１の例において、貫通孔６４を、対向面６２の中央の１個のみとしたものである。この場合も、最もボイドが集まりやすい部位に貫通孔６４が存在するので、上記したボイド排出の効果が期待できる。
また、図１３に示される第３の例は、上記第１実施形態（図２Ｂ参照）に示した蓋部材６０において、貫通孔６４を設けたものである。この場合は、上記第１実施形態と同様の効果に加えて、貫通孔６４によるボイド排出の効果が期待できる。
また、図１４に示される第４の例は、上記第１実施形態に示した蓋部材６０において、傾斜面である対向面６２のうち最も低い周辺部の近傍のみに、貫通孔６４を設けたものである。この場合も、当該対向面６２の周辺部は、ボイドが最も集まりやすい部位であり、その部位に貫通孔６４を設けていることにより、貫通孔６４によるボイド排出の効果が期待できる。
また、図１５に示される第５の例では、蓋部材６０の対向面６２は全体的に平坦面であるが、貫通孔６４を設けた構成としている。この場合、対向面６２の全体に渡って数多くの貫通孔６４を均一に設けることにより、貫通孔６４によるボイド排出の効果が期待できる。
（他の実施形態）
なお、上記第１実施形態では、封止材硬化工程の後に、モールド樹脂２０より露出する他のタイバー１５および外枠１４をカットするようにしたが、これら他のタイバー１５および外枠１４は、上記タイバーカット工程において、リード１１間のタイバー１５とともにカットしてもよい。
この場合も、分離されたリード１１とアイランド１２と外部接続端子１３とは、モールド樹脂２０で支持されているので、後工程に問題はない。ただし、上記第１実施形態のように、封止材硬化工程後に当該他のタイバー１５および外枠１４をカットする方が、タイバーカット工程の後工程において、ワークの機械的強度が確保しやすく、取り扱い性も確保しやすい。
また、たとえば、タイバー１５で連結された複数本のリード１１が、最終的に同電位のものとされる場合等には、上記タイバーカット工程は、省略し、モールド工程後に続いてチップ搭載工程を行うようにしてもよい。
また、上記半導体装置Ｓ１において、第１の封止材５０のはみ出しが問題にならないような場合、あるいは、第１の封止材５０をダム部材が無くても位置精度良く配置できるような場合には、ダム形成工程は省略してもよい。この場合、ワイヤボンディング工程の後、蓋設置工程を行えばよい。
また、上記図２Ａ、図２Ｂに示した蓋部材６０では、対向面６２は、当該対向面６２における長辺方向の中央から周辺部に向かって下がっていく傾斜面とされていたが、さらに対向面６２における短辺方向の中央から周辺部に向かって下がっていく傾斜面でもよい。つまり、対向面６２の中央の１点を頂部とし、周辺に向かって下がっていく錐体状の傾斜面であってもよい。
また、上記図１Ａ等に示した半導体装置Ｓ１において、第２の封止材５１については第２の開口部２２から塗布して配置し、その後、これを押し付けるように、蓋部材６０を第２の開口部２２にはめ込んでもよい。このようにする場合でも、蓋部材６０が上記逃がし部６２、６４を有することで、上記同様のボイドの逃がし効果が十分に発揮されることは明らかである。
また、蓋部材６０の対向面６２に対しては、第２の封止材５１との濡れ性を向上させるための研削等の親水処理を行ってもよい。たとえば、当該対向面６２の表面粗さは、ＪＩＳ（日本工業規格）０６０１−１９７６の表面粗さの規格に規定される中心線平均粗さＲａが０．５μｍ以上であることが望ましい。
また、半導体装置としては、モールド樹脂２０により両端側が封止され表裏両面がモールド樹脂２０から露出する複数本のリードを備え、このリードの一面側にワイヤボンディングがなされ、当該リードの表裏両面がさらに封止材で封止されてなるものであれば、上記図１Ａ等に示した半導体装置Ｓ１に限定されるものではない。
また、逃がし部としては、蓋部材６０の対向面６２が凹んだ形状をなすものであって、第２の封止材５１中のボイドを、個々のリード１１の他面１０ｂ側から離れる方向へ移動させて当該他面１０ｂより逃がすものであればよく、上記した傾斜面としての対向面６２や貫通孔６４以外にも、適宜設計変更可能である。
また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよい。
１１ リード
２０ モールド樹脂
２１ 第１の開口部
２２ 第２の開口部
３０ 半導体チップ
４０ ボンディングワイヤ
５０ 第１の封止材
５１ 第２の封止材
６０ 蓋部材
６２ 逃がし部としての対向面
６４ 逃がし部としての貫通孔

Claims (11)

  1. 一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）とが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のリード（１１）と、
    個々の前記リードの両端側を封止して支持するモールド樹脂（２０）と、
    前記モールド樹脂に搭載された半導体チップ（３０）と、を備え、
    前記モールド樹脂には、個々の前記リードの中央側にて前記リードの一面側、他面側をそれぞれ露出させる第１の開口部（２１）、第２の開口部（２２）が設けられており、
    前記第１の開口部を介して前記半導体チップと個々の前記リードの一面とがボンディングワイヤ（４０）により接続されており、
    さらに、前記第１の開口部には、前記リードの一面および前記ボンディングワイヤを封止する第１の封止材（５０）が設けられ、前記第２の開口部には、前記リードの他面を封止する第２の封止材（５１）が設けられている半導体装置を製造する製造方法であって、
    前記複数本のリードを用意するリード用意工程と、
    前記第１の開口部および前記第２の開口部を形成するように前記複数本のリードを前記モールド樹脂で封止するモールド工程と、
    前記第１の開口部および前記第２の開口部の外側にて前記モールド樹脂に前記半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
    前記第１の開口部を介して前記半導体チップと個々の前記リードとの間でワイヤボンディングを行い、前記ボンディングワイヤを形成するワイヤボンディング工程と、
    前記第２の封止材の漏れを防止するための蓋部材（６０）を、前記蓋部材と前記リードの他面とが離間した状態で、前記第２の開口部に対して嵌め込む蓋設置工程と、
    前記第１の開口部側から液状の前記第２の封止材を注入し、前記複数本のリード間の隙間を介して、個々の前記リードの他面側まで当該液状の第２の封止材を回り込ませることにより、前記第２の開口部側にて個々の前記リードの他面を当該液状の第２の封止材により被覆する第２の封止材工程と、
    前記第１の開口部側から液状の前記第１の封止材を注入し、前記第１の開口部側にて個々の前記リードの一面を当該液状の第１の封止材により被覆する第１の封止材工程と、
    前記第１の封止材および前記第２の封止材を硬化させる封止材硬化工程と、を行うものであり、
    前記蓋部材設置工程では、前記蓋部材として、当該蓋部材のうち前記リードの他面に対向する面である対向面（６２）が凹んだ形状をなす逃がし部（６２、６４）が設けられたものを用い、
    前記第２の封止材工程では、前記逃がし部によって、前記第２の開口部に回り込んだ前記第２の封止材中のボイドを、個々の前記リードの他面側から離れる方向へ移動させて当該他面より逃がすことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記逃がし部は、前記対向面を、当該対向面の中央から周辺部に向かって前記リードの他面から離れるように傾斜させた傾斜面（６２）とした構成であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記蓋部材における前記対向面の周辺部には、前記リードの他面から離れる方向に凹み、前記第２の封止材中のボイドを溜める凹部（６３）が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記逃がし部は、前記蓋部材における前記対向面から当該対向面とは反対側の面（６５）まで、前記蓋部材を貫通する貫通孔（６４）として構成され、この貫通孔から前記第２の封止材中のボイドが逃されるものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
  5. 前記第１の封止材と前記第２の封止材とは異種材料であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記第１の封止材と前記第２の封止材とは同一材料であり、前記第２の封止材工程と前記第１の封止材工程とを連続して行うことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記用意される複数本のリードは、隣り合う個々の前記リード間に設けられたタイバー（１５）により一体に連結されたものであり、
    前記モールド工程では、前記タイバーが前記第１の開口部および前記第２の開口部から露出するように前記モールド樹脂による封止を行い、
    前記モールド工程の後、前記第１の開口部および前記第２の開口部を介して、前記タイバーを切断して個々の前記リードを分離するタイバーカット工程を行い、
    このタイバーカット工程の後、前記チップ搭載工程を行うことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
  8. 一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）とが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のリード（１１）と、
    個々の前記リードの両端側を封止して支持するモールド樹脂（２０）と、
    前記モールド樹脂に搭載された半導体チップ（３０）と、を備え、
    前記モールド樹脂には、個々の前記リードの中央側にて前記リードの一面側、他面側をそれぞれ露出させる第１の開口部（２１）、第２の開口部（２２）が設けられており、
    前記第１の開口部を介して前記半導体チップと個々の前記リードの一面とがボンディングワイヤ（４０）により接続されており、
    さらに、前記第１の開口部には、前記リードの一面および前記ボンディングワイヤを封止する第１の封止材（５０）が設けられ、前記第２の開口部には、前記リードの他面を封止する第２の封止材（５１）が設けられており、
    前記第２の封止材は、前記リード間の隙間に充填されており、
    前記第２の封止材の漏れを防止するための蓋部材（６０）が、前記蓋部材と前記リードの他面とが離間した状態で、前記第２の開口部に対して嵌め込まれており、
    前記蓋部材には、当該蓋部材のうち前記リードの他面に対向する面である対向面（６２）が凹んだ形状をなすものであって、前記第２の封止材中のボイドを、個々の前記リードの他面側から離れる方向へ移動させて当該他面より逃がす逃がし部（６２、６４）が設けられていることを特徴とする半導体装置。
  9. 前記逃がし部は、前記対向面を、当該対向面の中央から周辺部に向かって前記リードの他面から離れるように傾斜させた傾斜面（６２）として構成されたものであることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
  10. 前記蓋部材における前記対向面の周辺部には、前記リードの他面から離れる方向に凹み、前記第２の封止材中のボイドを溜める凹部（６３）が設けられていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
  11. 前記逃がし部は、前記蓋部材における前記対向面から当該対向面とは反対側の面（６５）まで、前記蓋部材を貫通する貫通孔（６４）として構成され、この貫通孔から前記第２の封止材中のボイドが逃されるものであることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１つに記載の半導体装置。
JP2012050455A 2012-03-07 2012-03-07 半導体装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP5660063B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012050455A JP5660063B2 (ja) 2012-03-07 2012-03-07 半導体装置およびその製造方法
DE201310203561 DE102013203561A1 (de) 2012-03-07 2013-03-01 Halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren hierfür

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012050455A JP5660063B2 (ja) 2012-03-07 2012-03-07 半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013187297A true JP2013187297A (ja) 2013-09-19
JP5660063B2 JP5660063B2 (ja) 2015-01-28

Family

ID=49029752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012050455A Expired - Fee Related JP5660063B2 (ja) 2012-03-07 2012-03-07 半導体装置およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5660063B2 (ja)
DE (1) DE102013203561A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199524A (ja) * 1996-01-18 1997-07-31 Matsushita Electric Works Ltd 半導体パッケージ用金型
JPH1126483A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Matsushita Electric Works Ltd 樹脂封止半導体装置及びその樹脂封止方法
JP2010169460A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Denso Corp 流量式センサ
JP2010197102A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Denso Corp センサ装置およびその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4507192B2 (ja) 2005-03-30 2010-07-21 日立金属株式会社 非可逆回路素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199524A (ja) * 1996-01-18 1997-07-31 Matsushita Electric Works Ltd 半導体パッケージ用金型
JPH1126483A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Matsushita Electric Works Ltd 樹脂封止半導体装置及びその樹脂封止方法
JP2010169460A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Denso Corp 流量式センサ
JP2010197102A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Denso Corp センサ装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5660063B2 (ja) 2015-01-28
DE102013203561A1 (de) 2013-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5318737B2 (ja) センサ装置およびその製造方法
JP6255517B2 (ja) 圧力センサおよび圧力センサモジュール
ITMI20001335A1 (it) Procedimento per annegare per colata un gruppo equipaggiato con massacolata antivibrazioni
JP5708688B2 (ja) センサパッケージの製造方法
JP5660063B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4742706B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2009302311A (ja) 半導体装置用パッケージ、半導体装置、並びにマイクロフォンパッケージ
JP6115505B2 (ja) 電子装置
JP4513758B2 (ja) モールドパッケージおよびその製造方法
JP2016201447A (ja) モールドパッケージ
JP6011277B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6032171B2 (ja) モールドパッケージの製造方法
JP5974777B2 (ja) モールドパッケージの製造方法
JP5170122B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5626109B2 (ja) モールドパッケージ
JP2009302312A (ja) 半導体装置用パッケージ本体、パッケージ、半導体装置、並びにマイクロフォンパッケージ
JP2015037103A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5740866B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6011373B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP6264193B2 (ja) モールドパッケージ
JP2016225492A (ja) 半導体パッケージ
JP5974774B2 (ja) センサ装置の製造方法
JP6090041B2 (ja) 電子装置およびその製造方法
JP6032052B2 (ja) 電子装置の製造方法
JP2015005687A (ja) 樹脂パッケージとこの樹脂パッケージを用いた電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140730

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141104

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141117

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees