JP2001168123A - 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器Info
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- JP2001168123A JP2001168123A JP34968099A JP34968099A JP2001168123A JP 2001168123 A JP2001168123 A JP 2001168123A JP 34968099 A JP34968099 A JP 34968099A JP 34968099 A JP34968099 A JP 34968099A JP 2001168123 A JP2001168123 A JP 2001168123A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止工程において製造工程に優れ、か
つ、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法、半導体
装置の製造装置、回路基板並びに電子機器を提供するこ
とにある。 【解決手段】 複数のリード２４を有するリードフレー
ム２０のダイパッド２２に搭載された半導体チップ１０
を樹脂封止するための上型４２及び下型４４からなる金
型４０を含み、前記金型４０は、前記上型４２及び前記
下型４４のそれぞれのプレス領域で囲まれて形成され、
前記半導体チップ１０を配置するためのキャビティ３０
と、前記キャビティ３０に連通し、かつ、前記半導体チ
ップ１０を前記キャビティ３０に配置したときに、前記
プレス領域に位置する前記リードフレーム２０のタイバ
ー２６に面する溝５０と、が形成されてなる。
つ、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法、半導体
装置の製造装置、回路基板並びに電子機器を提供するこ
とにある。 【解決手段】 複数のリード２４を有するリードフレー
ム２０のダイパッド２２に搭載された半導体チップ１０
を樹脂封止するための上型４２及び下型４４からなる金
型４０を含み、前記金型４０は、前記上型４２及び前記
下型４４のそれぞれのプレス領域で囲まれて形成され、
前記半導体チップ１０を配置するためのキャビティ３０
と、前記キャビティ３０に連通し、かつ、前記半導体チ
ップ１０を前記キャビティ３０に配置したときに、前記
プレス領域に位置する前記リードフレーム２０のタイバ
ー２６に面する溝５０と、が形成されてなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電
子機器に関する。
の製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電
子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】半導体装置のパッケージの形態として、
ＱＦＰ（Quad Flat Package）などのようにリードフレ
ームのダイパッドに半導体チップが搭載されたものがあ
る。このような半導体装置は、一般的に、ダイパッドに
搭載された半導体チップの周囲が樹脂によって一括封止
されている。詳しく言うと、ダイパッド上の半導体チッ
プを平面的に矩形であるキャビティに配置し、その後
に、キャビティの四隅のうちの一ヶ所から樹脂を注入す
るとともに、最大でも残りの四隅のうちの三ヶ所に配置
したエアベントによって、空気を抜きつつ、半導体チッ
プの周囲を樹脂によって覆っている。
ＱＦＰ（Quad Flat Package）などのようにリードフレ
ームのダイパッドに半導体チップが搭載されたものがあ
る。このような半導体装置は、一般的に、ダイパッドに
搭載された半導体チップの周囲が樹脂によって一括封止
されている。詳しく言うと、ダイパッド上の半導体チッ
プを平面的に矩形であるキャビティに配置し、その後
に、キャビティの四隅のうちの一ヶ所から樹脂を注入す
るとともに、最大でも残りの四隅のうちの三ヶ所に配置
したエアベントによって、空気を抜きつつ、半導体チッ
プの周囲を樹脂によって覆っている。
【０００３】しかしながら、この場合に、エアベントの
数が限られるため、エアベントから空気が抜けにくく、
キャビティ内にボイドが発生する場合があった。また、
ボイドの発生を防ぐためにエアベントにおける空気の流
れを確保しつつ、樹脂を注入するとしても、注入スピー
ドを速くできないなど、加工条件が制約される場合があ
った。
数が限られるため、エアベントから空気が抜けにくく、
キャビティ内にボイドが発生する場合があった。また、
ボイドの発生を防ぐためにエアベントにおける空気の流
れを確保しつつ、樹脂を注入するとしても、注入スピー
ドを速くできないなど、加工条件が制約される場合があ
った。
【０００４】本発明はこの問題点を解決するためのもの
であり、その目的は、樹脂封止工程において製造工程に
優れ、かつ、信頼性の高い半導体装置及びその製造方
法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器を
提供することにある。
であり、その目的は、樹脂封止工程において製造工程に
優れ、かつ、信頼性の高い半導体装置及びその製造方
法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体装置の製造装置は、複数のリードを有するリードフレ
ームのダイパッドに搭載された半導体チップを樹脂封止
するための上型及び下型からなる金型を含み、前記金型
は、前記上型及び前記下型のそれぞれのプレス領域で囲
まれて形成され、前記半導体チップを配置するためのキ
ャビティと、前記キャビティに連通し、かつ、前記半導
体チップを前記キャビティに配置したときに、前記プレ
ス領域に位置する前記リードフレームのタイバーに面す
る溝と、が形成されてなる。
体装置の製造装置は、複数のリードを有するリードフレ
ームのダイパッドに搭載された半導体チップを樹脂封止
するための上型及び下型からなる金型を含み、前記金型
は、前記上型及び前記下型のそれぞれのプレス領域で囲
まれて形成され、前記半導体チップを配置するためのキ
ャビティと、前記キャビティに連通し、かつ、前記半導
体チップを前記キャビティに配置したときに、前記プレ
ス領域に位置する前記リードフレームのタイバーに面す
る溝と、が形成されてなる。
【０００６】本発明によれば、金型には溝が形成されて
おり、その溝は、ダイパッドに搭載された半導体チップ
をキャビティに配置したときに、上型と下型とのプレス
領域に挟まれたタイバーに面して形成されている。これ
によって、リードフレームにおけるタイバーが位置する
キャビティの側面から、空気を抜くことができる。した
がって、ボイドの発生による樹脂の未充填の領域を容易
になくすことができる。また、樹脂が溝に入り込んでリ
ードフレームに漏れ出た場合であっても、樹脂の漏れ出
る領域は、タイバーの部分であるのでその後の工程で切
除することができる。さらに、溝の形成によって空気を
十分に抜くことによって、樹脂の注入速度及び充填速度
を上げることができるので、封止工程の加工条件を幅広
く選択することができる。したがって、製造工程に優
れ、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
おり、その溝は、ダイパッドに搭載された半導体チップ
をキャビティに配置したときに、上型と下型とのプレス
領域に挟まれたタイバーに面して形成されている。これ
によって、リードフレームにおけるタイバーが位置する
キャビティの側面から、空気を抜くことができる。した
がって、ボイドの発生による樹脂の未充填の領域を容易
になくすことができる。また、樹脂が溝に入り込んでリ
ードフレームに漏れ出た場合であっても、樹脂の漏れ出
る領域は、タイバーの部分であるのでその後の工程で切
除することができる。さらに、溝の形成によって空気を
十分に抜くことによって、樹脂の注入速度及び充填速度
を上げることができるので、封止工程の加工条件を幅広
く選択することができる。したがって、製造工程に優
れ、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
【０００７】（２）この半導体装置の製造装置におい
て、前記溝は、前記上型のみに形成されてもよい。
て、前記溝は、前記上型のみに形成されてもよい。
【０００８】これによって、従来、樹脂の流れが比較的
遅いとされたキャビティ内のリードフレームの上側にお
ける樹脂の流れを、上型に形成された溝を介して空気の
抜けをよくすることによって、促進することができる。
すなわち、キャビティ内に充填される樹脂の偏りを小さ
くして、ボイドの発生による未充填の領域をなくすこと
ができる。したがって、さらに信頼性の高い半導体装置
を提供することができる。
遅いとされたキャビティ内のリードフレームの上側にお
ける樹脂の流れを、上型に形成された溝を介して空気の
抜けをよくすることによって、促進することができる。
すなわち、キャビティ内に充填される樹脂の偏りを小さ
くして、ボイドの発生による未充填の領域をなくすこと
ができる。したがって、さらに信頼性の高い半導体装置
を提供することができる。
【０００９】（３）この半導体装置の製造装置におい
て、前記溝は、前記上型及び前記下型のいずれにおいて
も形成されており、いずれか一方における前記溝の断面
積が、他方よりも大きくてもよい。
て、前記溝は、前記上型及び前記下型のいずれにおいて
も形成されており、いずれか一方における前記溝の断面
積が、他方よりも大きくてもよい。
【００１０】これによって、キャビティの空気の抜ける
量を操作し、キャビティの上側と下側との樹脂の充填速
度を均一にすることができるので、キャビティ内の樹脂
の偏りを小さくすることができる。すなわち、ボイドを
なくしつつ樹脂を確実にキャビティに充填することがで
きるので、信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
量を操作し、キャビティの上側と下側との樹脂の充填速
度を均一にすることができるので、キャビティ内の樹脂
の偏りを小さくすることができる。すなわち、ボイドを
なくしつつ樹脂を確実にキャビティに充填することがで
きるので、信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
【００１１】（４）この半導体装置の製造装置におい
て、前記溝は、前記リードフレームにおける前記リード
上を避けて、前記タイバーの領域の内側を通って形成さ
れてもよい。
て、前記溝は、前記リードフレームにおける前記リード
上を避けて、前記タイバーの領域の内側を通って形成さ
れてもよい。
【００１２】これによって、溝に樹脂が入り込み、リー
ドフレームに漏れ出た場合でも、漏れ出る樹脂をタイバ
ーの範囲内に確実に留めることができる。すなわち、漏
れ出る樹脂がリードに付着することがない。したがっ
て、より信頼性の高い半導体装置を提供することができ
る。
ドフレームに漏れ出た場合でも、漏れ出る樹脂をタイバ
ーの範囲内に確実に留めることができる。すなわち、漏
れ出る樹脂がリードに付着することがない。したがっ
て、より信頼性の高い半導体装置を提供することができ
る。
【００１３】（５）この半導体装置の製造装置におい
て、前記リードフレームは、予め決められた異なる複数
種類のピッチで前記リードが形成された複数種類のリー
ドフレームのうちのいずれか一つであり、前記タイバー
の一部は、前記複数種類のリードフレームのいずれであ
っても重複する位置に形成され、前記溝は、前記タイバ
ーの前記重複する部分に面して形成されてもよい。
て、前記リードフレームは、予め決められた異なる複数
種類のピッチで前記リードが形成された複数種類のリー
ドフレームのうちのいずれか一つであり、前記タイバー
の一部は、前記複数種類のリードフレームのいずれであ
っても重複する位置に形成され、前記溝は、前記タイバ
ーの前記重複する部分に面して形成されてもよい。
【００１４】これによって、異なるリードフレームに搭
載された半導体チップであっても、金型を汎用して用い
ることができるので、製造工程に優れた半導体装置を製
造することができる。
載された半導体チップであっても、金型を汎用して用い
ることができるので、製造工程に優れた半導体装置を製
造することができる。
【００１５】（６）本発明に係る半導体装置の製造方法
は、リードフレームのダイパッドに搭載した半導体チッ
プを上型及び下型からなる金型のキャビティに配置し、
前記キャビティに樹脂を注入して前記半導体チップを封
止する工程を含み、前記工程で、前記半導体チップを前
記キャビティに配置したときに前記上型及び前記下型の
プレス領域に位置する前記リードフレームのタイバーに
おける少なくとも一方の面に面して、前記金型に形成さ
れた溝から空気を抜きながら前記樹脂を注入する。
は、リードフレームのダイパッドに搭載した半導体チッ
プを上型及び下型からなる金型のキャビティに配置し、
前記キャビティに樹脂を注入して前記半導体チップを封
止する工程を含み、前記工程で、前記半導体チップを前
記キャビティに配置したときに前記上型及び前記下型の
プレス領域に位置する前記リードフレームのタイバーに
おける少なくとも一方の面に面して、前記金型に形成さ
れた溝から空気を抜きながら前記樹脂を注入する。
【００１６】本発明によれば、キャビティに配置した半
導体チップを樹脂で封止するときに、タイバーに面する
ように金型に形成された溝から空気を抜きながら樹脂を
注入する。すなわち、リードフレームにおけるタイバー
が位置するキャビティの側面から、空気を抜くことがで
きる。したがって、ボイドの発生による樹脂の未充填の
領域を容易になくすことができる。また、樹脂が溝に入
り込んでリードフレームに漏れ出た場合であっても、樹
脂の漏れ出る領域は、タイバーの部分であるのでその後
の工程で切除することができる。さらに、溝の形成によ
って空気を十分に抜くことによって、樹脂の注入速度及
び充填速度を上げることができるので、封止工程の加工
条件を幅広く選択することができる。したがって、製造
工程に優れ、かつ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができる。
導体チップを樹脂で封止するときに、タイバーに面する
ように金型に形成された溝から空気を抜きながら樹脂を
注入する。すなわち、リードフレームにおけるタイバー
が位置するキャビティの側面から、空気を抜くことがで
きる。したがって、ボイドの発生による樹脂の未充填の
領域を容易になくすことができる。また、樹脂が溝に入
り込んでリードフレームに漏れ出た場合であっても、樹
脂の漏れ出る領域は、タイバーの部分であるのでその後
の工程で切除することができる。さらに、溝の形成によ
って空気を十分に抜くことによって、樹脂の注入速度及
び充填速度を上げることができるので、封止工程の加工
条件を幅広く選択することができる。したがって、製造
工程に優れ、かつ、信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができる。
【００１７】（７）この半導体装置の製造方法におい
て、前記溝は前記上型に形成されており、前記工程で、
前記リードフレームにおける前記上型を向く面の側の樹
脂の充填を促進してもよい。
て、前記溝は前記上型に形成されており、前記工程で、
前記リードフレームにおける前記上型を向く面の側の樹
脂の充填を促進してもよい。
【００１８】これによって、従来、樹脂の流れが比較的
遅いとされたキャビティ内のリードフレームの上側にお
ける樹脂の流れを、リードフレームの上側における空気
の抜けを良くすることによって、促進することができ
る。すなわち、キャビティ内に充填される樹脂の偏りを
小さくして、ボイドの発生による未充填の領域をなくす
ことができる。したがって、さらに信頼性の高い半導体
装置を製造することができる。
遅いとされたキャビティ内のリードフレームの上側にお
ける樹脂の流れを、リードフレームの上側における空気
の抜けを良くすることによって、促進することができ
る。すなわち、キャビティ内に充填される樹脂の偏りを
小さくして、ボイドの発生による未充填の領域をなくす
ことができる。したがって、さらに信頼性の高い半導体
装置を製造することができる。
【００１９】（８）この半導体装置の製造方法におい
て、前記工程で、前記樹脂が前記タイバー上に漏れ出る
ように、前記樹脂を注入し、前記工程後に、前記タイバ
ーを前記漏れ出た樹脂とともに切除する工程をさらに含
んでもよい。
て、前記工程で、前記樹脂が前記タイバー上に漏れ出る
ように、前記樹脂を注入し、前記工程後に、前記タイバ
ーを前記漏れ出た樹脂とともに切除する工程をさらに含
んでもよい。
【００２０】これによって、既存の工程であるタイバー
カットによって、タイバーとタイバー上の樹脂とを同時
に取り除くことができるので、工程数を増やすことなく
信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
カットによって、タイバーとタイバー上の樹脂とを同時
に取り除くことができるので、工程数を増やすことなく
信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００２１】（９）本発明に係る半導体装置は、上記半
導体装置の製造方法から製造されてなる。
導体装置の製造方法から製造されてなる。
【００２２】（１０）本発明に係る回路基板は、上記半
導体装置が搭載されている。
導体装置が搭載されている。
【００２３】（１１）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。
導体装置を有する。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施の形
態について図面を参照して説明する。
態について図面を参照して説明する。
【００２５】（第１の実施の形態）図１〜図４は、本実
施の形態に係る半導体装置の製造装置を説明するための
図である。
施の形態に係る半導体装置の製造装置を説明するための
図である。
【００２６】図１は、半導体チップ１０が搭載されたリ
ードフレーム２０の平面図である。図２は、図１に示す
II−II線断面図であり、リード２４を挟んだ部分の金型
４０を示す図である。図３は、図１に示すIII−III線断
面図であり、リード間を接続するタイバー２６を挟んだ
部分の金型４０を示す図である。図４は、図１に示すIV
−IV線断面図であり、リード２４を接続するタイバー２
６の外側における金型４０を示す図である。なお、III
−III線とII−II線とは平行となっており、IV−IV線はI
I−II線及びIII−III線に対して直交している。
ードフレーム２０の平面図である。図２は、図１に示す
II−II線断面図であり、リード２４を挟んだ部分の金型
４０を示す図である。図３は、図１に示すIII−III線断
面図であり、リード間を接続するタイバー２６を挟んだ
部分の金型４０を示す図である。図４は、図１に示すIV
−IV線断面図であり、リード２４を接続するタイバー２
６の外側における金型４０を示す図である。なお、III
−III線とII−II線とは平行となっており、IV−IV線はI
I−II線及びIII−III線に対して直交している。
【００２７】半導体チップ１０は、周知のように電極
（図示しない）が形成されており、該電極とリードフレ
ーム２０の複数のリード２４とがワイヤ（図示しない）
によって電気的に接続される。半導体チップ１０は一般
的に、平面において矩形（正方形又は長方形）であるこ
とが多い。
（図示しない）が形成されており、該電極とリードフレ
ーム２０の複数のリード２４とがワイヤ（図示しない）
によって電気的に接続される。半導体チップ１０は一般
的に、平面において矩形（正方形又は長方形）であるこ
とが多い。
【００２８】リードフレーム２０は、半導体チップ１０
を搭載するためのダイパッド２２と、複数のリード２４
と、それぞれのリード２４を接続するタイバー２６と、
を含む。ダイパッド２２は一般に矩形であることが多
く、半導体チップ１０はダイパッド２２上に接着剤によ
って固着される。複数のリード２４は、封止領域の側端
部から突出するアウターリード部と、封止領域内のイン
ナーリード部とからなっている。複数のリード２４のそ
れぞれは、タイバー２６によって接続されている。詳し
く言うと、タイバー２６はリード２４の延びる方向と直
交して、一対のリード２４を接続する。タイバー２６
は、上型４２及び下型４４によってリード２４を挟んだ
ときにできる各リード間の隙間を塞いで、キャビティ３
０に注入される樹脂が容易に漏れ出すことのないように
するためのものである。
を搭載するためのダイパッド２２と、複数のリード２４
と、それぞれのリード２４を接続するタイバー２６と、
を含む。ダイパッド２２は一般に矩形であることが多
く、半導体チップ１０はダイパッド２２上に接着剤によ
って固着される。複数のリード２４は、封止領域の側端
部から突出するアウターリード部と、封止領域内のイン
ナーリード部とからなっている。複数のリード２４のそ
れぞれは、タイバー２６によって接続されている。詳し
く言うと、タイバー２６はリード２４の延びる方向と直
交して、一対のリード２４を接続する。タイバー２６
は、上型４２及び下型４４によってリード２４を挟んだ
ときにできる各リード間の隙間を塞いで、キャビティ３
０に注入される樹脂が容易に漏れ出すことのないように
するためのものである。
【００２９】キャビティ３０は、ダイパッド２２に搭載
した半導体チップ１０を配置する領域であり、キャビテ
ィ３０の形状に合わせて封止部が形作られる。キャビテ
ィ３０は、開閉自在な金型４０の上型４２及び下型４４
で囲まれることによって構成される空間である。上型４
２及び下型４４のプレス領域には、一対のリード２４を
相互に接続するタイバー２６と複数のリード２４とが位
置し、プレス領域によってキャビティ３０は囲まれてい
る。プレス領域に位置するリード２４とタイバー２６
は、リード２４とタイバー２６を変形させない程度であ
って、それらから間隔を空けない程度に、上型４２と下
型４４との対向する双方向から挟まれている。なお、キ
ャビティ３０は、平面上において半導体チップ１０の形
状の相似形となることが多く、矩形であることが一般的
である。半導体チップ１０をキャビティ３０のほぼ中央
に配置することが好ましく、これによって、半導体チッ
プ１０を樹脂によって確実に封止することができる。
した半導体チップ１０を配置する領域であり、キャビテ
ィ３０の形状に合わせて封止部が形作られる。キャビテ
ィ３０は、開閉自在な金型４０の上型４２及び下型４４
で囲まれることによって構成される空間である。上型４
２及び下型４４のプレス領域には、一対のリード２４を
相互に接続するタイバー２６と複数のリード２４とが位
置し、プレス領域によってキャビティ３０は囲まれてい
る。プレス領域に位置するリード２４とタイバー２６
は、リード２４とタイバー２６を変形させない程度であ
って、それらから間隔を空けない程度に、上型４２と下
型４４との対向する双方向から挟まれている。なお、キ
ャビティ３０は、平面上において半導体チップ１０の形
状の相似形となることが多く、矩形であることが一般的
である。半導体チップ１０をキャビティ３０のほぼ中央
に配置することが好ましく、これによって、半導体チッ
プ１０を樹脂によって確実に封止することができる。
【００３０】溝５０は、キャビティ３０に連通して、金
型４０に形成される。詳しく言うと、溝５０は、金型４
０の上型４２及び下型４４におけるプレス領域に形成さ
れ、溝５０の構成する空間はキャビティ３０の空間につ
ながっている。この場合に、溝５０は、プレス領域にお
ける金型４０の外側に連通して形成されてもよく、連通
せずに形成されてもよい。いずれの場合であっても、キ
ャビティ３０の空気をキャビティ３０の外側に押し出す
ことは可能である。溝５０は、上型４２と下型４４との
いずれか一方、又は両方において、少なくとも一つ（一
つ又は複数）形成されていればよい。
型４０に形成される。詳しく言うと、溝５０は、金型４
０の上型４２及び下型４４におけるプレス領域に形成さ
れ、溝５０の構成する空間はキャビティ３０の空間につ
ながっている。この場合に、溝５０は、プレス領域にお
ける金型４０の外側に連通して形成されてもよく、連通
せずに形成されてもよい。いずれの場合であっても、キ
ャビティ３０の空気をキャビティ３０の外側に押し出す
ことは可能である。溝５０は、上型４２と下型４４との
いずれか一方、又は両方において、少なくとも一つ（一
つ又は複数）形成されていればよい。
【００３１】溝５０は、プレス領域に位置するタイバー
２６に面して形成されている。すなわち、溝５０は、リ
ードフレーム２０におけるタイバー２６の部分を通るよ
うに形成されている。この場合に、溝５０は、リード２
４の延びる方向に平行な方向に形成される。例えば、上
型４２に溝５０が形成された場合に、溝５０はリード２
４と平行な方向であって、かつ、タイバー２６上を通過
して形成されるので、溝５０はリード２４の真上を通ら
ない。この場合に、図４の一点鎖線で囲まれた拡大図に
示すように、溝５０は、リード２４上を避けて、タイバ
ー２６の内側を通って形成されることが好ましい。すな
わち、キャビティ３０から溝５０を通って樹脂が漏れ出
たとしても、樹脂がタイバー２６の範囲内に留めること
のできるように、溝５０を形成することが好ましい。こ
れによって、漏れ出る樹脂がリード２４に付着すること
がないので、より信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とができる。また、プレス領域にタイバー２６が位置す
ればよく、図３に示すようにリード２４の一部がプレス
領域に位置しても構わない。なお、溝５０が金型４０の
外側に連通しないように形成された場合でも、溝５０は
タイバー２６に面して形成される。
２６に面して形成されている。すなわち、溝５０は、リ
ードフレーム２０におけるタイバー２６の部分を通るよ
うに形成されている。この場合に、溝５０は、リード２
４の延びる方向に平行な方向に形成される。例えば、上
型４２に溝５０が形成された場合に、溝５０はリード２
４と平行な方向であって、かつ、タイバー２６上を通過
して形成されるので、溝５０はリード２４の真上を通ら
ない。この場合に、図４の一点鎖線で囲まれた拡大図に
示すように、溝５０は、リード２４上を避けて、タイバ
ー２６の内側を通って形成されることが好ましい。すな
わち、キャビティ３０から溝５０を通って樹脂が漏れ出
たとしても、樹脂がタイバー２６の範囲内に留めること
のできるように、溝５０を形成することが好ましい。こ
れによって、漏れ出る樹脂がリード２４に付着すること
がないので、より信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とができる。また、プレス領域にタイバー２６が位置す
ればよく、図３に示すようにリード２４の一部がプレス
領域に位置しても構わない。なお、溝５０が金型４０の
外側に連通しないように形成された場合でも、溝５０は
タイバー２６に面して形成される。
【００３２】溝５０の長手方向と直交した方向における
溝５０の切り口は、例えば、矩形、Ｖ字、又は半円等の
いずれであってもよく、その形状は上述のものに限定さ
れない。また、溝５０の断面積は、キャビティ３０の空
気を十分に抜くことのできる大きさで、かつ、注入した
樹脂が容易に漏れ出すことのない大きさに設定すること
が好ましい。溝５０の断面積は、リード２４によって区
分された一つのタイバー２６における、リード２４の延
びる方向とは直交する方向の断面積よりも小さいことが
好ましい。具体的には、溝５０の幅は、３０μｍ程度で
あることが好ましい。
溝５０の切り口は、例えば、矩形、Ｖ字、又は半円等の
いずれであってもよく、その形状は上述のものに限定さ
れない。また、溝５０の断面積は、キャビティ３０の空
気を十分に抜くことのできる大きさで、かつ、注入した
樹脂が容易に漏れ出すことのない大きさに設定すること
が好ましい。溝５０の断面積は、リード２４によって区
分された一つのタイバー２６における、リード２４の延
びる方向とは直交する方向の断面積よりも小さいことが
好ましい。具体的には、溝５０の幅は、３０μｍ程度で
あることが好ましい。
【００３３】溝５０が上型４２及び下型４４との両方に
形成されている場合に、上型４２と下型４４とのいずれ
か一方の溝５０の切り口の断面積は、他方よりも大きく
なるように形成してもよい。例えば、それぞれの溝５０
の深さを等しく設定した場合に、リード２４によって区
分された各タイバー２６の幅の範囲内において、溝５０
の幅がそれぞれ異なるように形成してもよい。これによ
って、キャビティ３０の空気の抜ける量を操作し、キャ
ビティ３０の上側と下側との樹脂の充填速度を均一にす
ることができるので、キャビティ３０内の樹脂の偏りを
小さくすることができる。すなわち、ボイドをなくしつ
つ樹脂を確実にキャビティ３０に充填することができる
ので、信頼性の高い半導体装置を提供することができ
る。
形成されている場合に、上型４２と下型４４とのいずれ
か一方の溝５０の切り口の断面積は、他方よりも大きく
なるように形成してもよい。例えば、それぞれの溝５０
の深さを等しく設定した場合に、リード２４によって区
分された各タイバー２６の幅の範囲内において、溝５０
の幅がそれぞれ異なるように形成してもよい。これによ
って、キャビティ３０の空気の抜ける量を操作し、キャ
ビティ３０の上側と下側との樹脂の充填速度を均一にす
ることができるので、キャビティ３０内の樹脂の偏りを
小さくすることができる。すなわち、ボイドをなくしつ
つ樹脂を確実にキャビティ３０に充填することができる
ので、信頼性の高い半導体装置を提供することができ
る。
【００３４】本発明によれば、金型４０には溝５０が形
成されており、その溝５０は、ダイパッド２２に搭載さ
れた半導体チップ１０をキャビティ３０に配置したとき
に、上型４２と下型４４とのプレス領域に挟まれたタイ
バー２６に面して形成されている。これによって、例え
ば、従来のエアベントとともにリードフレーム２０にお
けるタイバー２２が位置するキャビティ３０の側面から
も、空気を抜くことができる。したがって、ボイドの発
生による樹脂の未充填の領域を容易になくすことができ
る。また、樹脂が溝５０に入り込んでリードフレーム２
０に漏れ出た場合であっても、樹脂の漏れ出る領域は、
タイバー２６の部分であるのでその後の工程で切除する
ことができる。さらに、溝５０の形成によって空気を十
分に抜くことによって、樹脂の注入速度及び充填速度を
大きくすることができので、封止工程の加工条件を幅広
く選択することができる。したがって、製造工程に優
れ、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
成されており、その溝５０は、ダイパッド２２に搭載さ
れた半導体チップ１０をキャビティ３０に配置したとき
に、上型４２と下型４４とのプレス領域に挟まれたタイ
バー２６に面して形成されている。これによって、例え
ば、従来のエアベントとともにリードフレーム２０にお
けるタイバー２２が位置するキャビティ３０の側面から
も、空気を抜くことができる。したがって、ボイドの発
生による樹脂の未充填の領域を容易になくすことができ
る。また、樹脂が溝５０に入り込んでリードフレーム２
０に漏れ出た場合であっても、樹脂の漏れ出る領域は、
タイバー２６の部分であるのでその後の工程で切除する
ことができる。さらに、溝５０の形成によって空気を十
分に抜くことによって、樹脂の注入速度及び充填速度を
大きくすることができので、封止工程の加工条件を幅広
く選択することができる。したがって、製造工程に優
れ、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供することがで
きる。
【００３５】なお、溝５０は、リードフレーム２０にお
けるリード２４を除くその他の樹脂止めとなる領域に形
成されてもよい。すなわち、リードフレーム２０におけ
る、上型４２及び下型４４のプレス領域に位置する部分
のうち、リード２４を除く部分に面して溝５０が形成さ
れてもよい。言い換えると、リードフレーム２０のプレ
ス領域に位置する部分のうち、後の工程で切除される領
域であってもよい。例えば、リードフレーム２０におけ
る、ダイパッド２２を吊るために形成された吊りリード
２８に接続して形成された外枠に面して、溝５０が形成
されてもよい。また、設計の都合上形成された、半導体
チップ１０と電気的に導通していないダミーのリードに
面して、溝５０が形成されてもよい。いずれの場合にお
いても、タイバー２６に面して形成された溝５０と同等
の効果を得ることができる。
けるリード２４を除くその他の樹脂止めとなる領域に形
成されてもよい。すなわち、リードフレーム２０におけ
る、上型４２及び下型４４のプレス領域に位置する部分
のうち、リード２４を除く部分に面して溝５０が形成さ
れてもよい。言い換えると、リードフレーム２０のプレ
ス領域に位置する部分のうち、後の工程で切除される領
域であってもよい。例えば、リードフレーム２０におけ
る、ダイパッド２２を吊るために形成された吊りリード
２８に接続して形成された外枠に面して、溝５０が形成
されてもよい。また、設計の都合上形成された、半導体
チップ１０と電気的に導通していないダミーのリードに
面して、溝５０が形成されてもよい。いずれの場合にお
いても、タイバー２６に面して形成された溝５０と同等
の効果を得ることができる。
【００３６】次に、本実施の形態における半導体装置の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００３７】ダイパッド２２に搭載した半導体チップ１
０を、キャビティ３０に配置して樹脂を注入するとき
に、タイバー２６に面するように金型４０に形成された
溝５０から空気を抜きながら樹脂を注入する。一般に、
キャビティ３０に樹脂を注入して半導体チップ１０を封
止するときには、キャビティ３０内に空気を残さずに半
導体チップ１０を封止する必要がある。すなわち、樹脂
の注入のときに、キャビティ３０内を完全に樹脂で満た
す直前まで、キャビティ３０の空気を抜き続けることが
好ましい。
０を、キャビティ３０に配置して樹脂を注入するとき
に、タイバー２６に面するように金型４０に形成された
溝５０から空気を抜きながら樹脂を注入する。一般に、
キャビティ３０に樹脂を注入して半導体チップ１０を封
止するときには、キャビティ３０内に空気を残さずに半
導体チップ１０を封止する必要がある。すなわち、樹脂
の注入のときに、キャビティ３０内を完全に樹脂で満た
す直前まで、キャビティ３０の空気を抜き続けることが
好ましい。
【００３８】溝５０に樹脂が入り込むということは、あ
る程度、キャビティ３０に樹脂が満たされたということ
であり、また、溝５０は、キャビティ３０の周りに複数
形成されている。したがって、複数の溝５０から離れ
た、キャビティ３０の中央部分から、確実に樹脂を充填
させることができる。さらに、キャビティ３０内から溝
５０を介して樹脂が漏れ出てもよいので、キャビティ３
０内を確実に樹脂で満たすことができる。なお、樹脂を
キャビティ３０の外側に押し出すということは、これに
よってキャビティ３０内の空気を押し出すことができる
ので、キャビティ３０内のボイドの発生を抑えることが
できる。また、樹脂を、最終的に切除するタイバー２６
に漏らすので、封止領域以外の余分な樹脂を改めて取り
除く工程は必要がない。さらに、溝５０の形成によっ
て、従来のエアベントとともに空気を十分に抜くことに
よって、樹脂の注入速度及び充填速度を上げることがで
きので、封止工程の加工条件を幅広く選択することがで
きる。したがって、製造工程に優れ、かつ、信頼性の高
い半導体装置を製造することができる。
る程度、キャビティ３０に樹脂が満たされたということ
であり、また、溝５０は、キャビティ３０の周りに複数
形成されている。したがって、複数の溝５０から離れ
た、キャビティ３０の中央部分から、確実に樹脂を充填
させることができる。さらに、キャビティ３０内から溝
５０を介して樹脂が漏れ出てもよいので、キャビティ３
０内を確実に樹脂で満たすことができる。なお、樹脂を
キャビティ３０の外側に押し出すということは、これに
よってキャビティ３０内の空気を押し出すことができる
ので、キャビティ３０内のボイドの発生を抑えることが
できる。また、樹脂を、最終的に切除するタイバー２６
に漏らすので、封止領域以外の余分な樹脂を改めて取り
除く工程は必要がない。さらに、溝５０の形成によっ
て、従来のエアベントとともに空気を十分に抜くことに
よって、樹脂の注入速度及び充填速度を上げることがで
きので、封止工程の加工条件を幅広く選択することがで
きる。したがって、製造工程に優れ、かつ、信頼性の高
い半導体装置を製造することができる。
【００３９】樹脂がタイバー２６上に漏れ出るように、
樹脂を注入して半導体チップ１０を封止した後に、タイ
バー２６をタイバー２６上の漏れ出た樹脂とともに切除
してもよい。これによって、既存の工程であるタイバー
カットによって、タイバー２６とタイバー２６上の樹脂
とを同時に取り除くことができるので、工程数を増やす
ことなく信頼性の高い半導体装置を製造することができ
る。
樹脂を注入して半導体チップ１０を封止した後に、タイ
バー２６をタイバー２６上の漏れ出た樹脂とともに切除
してもよい。これによって、既存の工程であるタイバー
カットによって、タイバー２６とタイバー２６上の樹脂
とを同時に取り除くことができるので、工程数を増やす
ことなく信頼性の高い半導体装置を製造することができ
る。
【００４０】なお、溝５０をリードフレーム２０におけ
るリード２４を除くその他の樹脂止めとなる領域に形成
した場合でも、該樹脂止めとなる領域を、漏れ出た樹脂
とともに切除してもよい。すなわち、封止領域以外の余
分な樹脂を改めて取り除く工程は必要がないので、工程
数を増やすことなく信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができる。
るリード２４を除くその他の樹脂止めとなる領域に形成
した場合でも、該樹脂止めとなる領域を、漏れ出た樹脂
とともに切除してもよい。すなわち、封止領域以外の余
分な樹脂を改めて取り除く工程は必要がないので、工程
数を増やすことなく信頼性の高い半導体装置を製造する
ことができる。
【００４１】（第２の実施の形態）図５に本実施の形態
に係る半導体装置の製造装置を示す。同図は、本実施の
形態に係る、リード２４を接続するタイバー２６の外側
における金型４０の断面を示す図であり、断面の切り口
線は図４と同様である。
に係る半導体装置の製造装置を示す。同図は、本実施の
形態に係る、リード２４を接続するタイバー２６の外側
における金型４０の断面を示す図であり、断面の切り口
線は図４と同様である。
【００４２】本実施の形態に係る金型４０には、上型４
２に溝５０が形成されている。その他の構成は、第１の
実施の形態と同様とすることができる。一般的に、キャ
ビティ３０におけるリードフレーム２０上側と下側と
に、ほぼ等しく樹脂を注入するが、この場合に、注入さ
れた樹脂は重力による影響で下側が先に充填されてしま
う。そこで、上型４２に溝５０を形成することによっ
て、キャビティ３０の上側における空気の抜けをよくし
て、上側の樹脂の流れを促進し、樹脂の偏りを小さくす
ることができる。すなわち、ボイドの発生による未充填
の領域をなくすことができるので、さらに信頼性の高い
半導体装置を製造することができる。
２に溝５０が形成されている。その他の構成は、第１の
実施の形態と同様とすることができる。一般的に、キャ
ビティ３０におけるリードフレーム２０上側と下側と
に、ほぼ等しく樹脂を注入するが、この場合に、注入さ
れた樹脂は重力による影響で下側が先に充填されてしま
う。そこで、上型４２に溝５０を形成することによっ
て、キャビティ３０の上側における空気の抜けをよくし
て、上側の樹脂の流れを促進し、樹脂の偏りを小さくす
ることができる。すなわち、ボイドの発生による未充填
の領域をなくすことができるので、さらに信頼性の高い
半導体装置を製造することができる。
【００４３】なお、溝５０を形成しない場合にキャビテ
ィ３０における上側の充填速度が小さい場合は、上述の
ように上型４２のみに溝５０を形成してもよく、下型４
４に形成される溝５０に対して上型４２に形成される溝
５０の数を多く形成してもよい。いずれにしても、この
場合は、キャビティ３０における上側の空気の抜けをよ
くすることができれば、溝５０の形成形態は上述のもの
に限られない。
ィ３０における上側の充填速度が小さい場合は、上述の
ように上型４２のみに溝５０を形成してもよく、下型４
４に形成される溝５０に対して上型４２に形成される溝
５０の数を多く形成してもよい。いずれにしても、この
場合は、キャビティ３０における上側の空気の抜けをよ
くすることができれば、溝５０の形成形態は上述のもの
に限られない。
【００４４】また、溝５０を形成しない場合にキャビテ
ィ３０に注入された樹脂の流れが遅い側に、溝５０を形
成してキャビティ３０内の樹脂の偏りを小さくしてもよ
い。樹脂の流れが遅い側に溝５０を形成し、溝５０に樹
脂を入り込ませることができれば、未充填部分の空気を
押し出すようにして、キャビティ３０の全体に樹脂を充
填することができる。
ィ３０に注入された樹脂の流れが遅い側に、溝５０を形
成してキャビティ３０内の樹脂の偏りを小さくしてもよ
い。樹脂の流れが遅い側に溝５０を形成し、溝５０に樹
脂を入り込ませることができれば、未充填部分の空気を
押し出すようにして、キャビティ３０の全体に樹脂を充
填することができる。
【００４５】なお、溝５０が形成されていない場合のキ
ャビティ３０における上側と下側のそれぞれの樹脂の充
填速度及び注入速度の偏りは、それぞれに通じる樹脂注
入口（ゲート）の開口部の大きさ及び向きによって生ず
ることが多い。
ャビティ３０における上側と下側のそれぞれの樹脂の充
填速度及び注入速度の偏りは、それぞれに通じる樹脂注
入口（ゲート）の開口部の大きさ及び向きによって生ず
ることが多い。
【００４６】（第３の実施の形態）図６は、本実施の形
態に係る半導体装置の製造装置を示す図である。同図
は、ピッチの異なるそれぞれのリードフレーム２０、６
０におけるタイバー２６の外側の断面と、リードフレー
ム２０、６０を金型４０に配置したときの金型４０の断
面と、を示す図である。
態に係る半導体装置の製造装置を示す図である。同図
は、ピッチの異なるそれぞれのリードフレーム２０、６
０におけるタイバー２６の外側の断面と、リードフレー
ム２０、６０を金型４０に配置したときの金型４０の断
面と、を示す図である。
【００４７】溝５０は、異なる複数種類のピッチのリー
ド２４、６４が形成された、リードフレーム２０、６０
のいずれであっても重複するタイバー２６、６６の一部
に面して形成されていてもよい。周知のように、リード
ピッチには規格によって定められた複数の種類があり、
各種のリードフレーム２０、６０によってタイバー２
６、６６の位置は様々である。この場合に、各種のリー
ドフレーム２０、６０に形成されたタイバー２６、６６
を金型４０のプレス領域に配置したときに、タイバー２
６、６６の重複する部分を通って、溝５０は形成されて
もよい。すなわち、各種のリードフレーム２０、６０を
金型４０に配置した場合でも、溝５０の形成領域にリー
ドフレーム２０、６０のいずれかのタイバー２６、６６
の一部が配置されるように、位置を決めて溝５０を形成
してもよい。この場合に、溝５０の断面の大きさは、図
６に示すようにタイバー２６、６６の重複部分の大きさ
によって、それぞれ異なって設定されてもよい。その他
の構成は、上述の実施の形態と同様とすることができ
る。
ド２４、６４が形成された、リードフレーム２０、６０
のいずれであっても重複するタイバー２６、６６の一部
に面して形成されていてもよい。周知のように、リード
ピッチには規格によって定められた複数の種類があり、
各種のリードフレーム２０、６０によってタイバー２
６、６６の位置は様々である。この場合に、各種のリー
ドフレーム２０、６０に形成されたタイバー２６、６６
を金型４０のプレス領域に配置したときに、タイバー２
６、６６の重複する部分を通って、溝５０は形成されて
もよい。すなわち、各種のリードフレーム２０、６０を
金型４０に配置した場合でも、溝５０の形成領域にリー
ドフレーム２０、６０のいずれかのタイバー２６、６６
の一部が配置されるように、位置を決めて溝５０を形成
してもよい。この場合に、溝５０の断面の大きさは、図
６に示すようにタイバー２６、６６の重複部分の大きさ
によって、それぞれ異なって設定されてもよい。その他
の構成は、上述の実施の形態と同様とすることができ
る。
【００４８】これによって、異なるリードフレーム２
０、６０に搭載された半導体チップ１０であっても、金
型４０を汎用して用いることができるので、製造工程に
優れた半導体装置を製造することができる。
０、６０に搭載された半導体チップ１０であっても、金
型４０を汎用して用いることができるので、製造工程に
優れた半導体装置を製造することができる。
【００４９】図７には、本発明によって製造されてなる
半導体装置１を実装した回路基板１００が示されてい
る。回路基板には例えばガラスエポキシ基板等の有機系
基板を用いることが一般的である。回路基板には例えば
銅等からなる配線パターンが所望の回路となるように形
成されていて、それらの配線パターンと半導体装置の外
部端子とを機械的に接続することでそれらの電気的導通
を図る。
半導体装置１を実装した回路基板１００が示されてい
る。回路基板には例えばガラスエポキシ基板等の有機系
基板を用いることが一般的である。回路基板には例えば
銅等からなる配線パターンが所望の回路となるように形
成されていて、それらの配線パターンと半導体装置の外
部端子とを機械的に接続することでそれらの電気的導通
を図る。
【００５０】そして、本発明を適用した半導体装置１を
有する電子機器として、図８にはノート型パーソナルコ
ンピュータ２００、図９には携帯電話３００が示されて
いる。
有する電子機器として、図８にはノート型パーソナルコ
ンピュータ２００、図９には携帯電話３００が示されて
いる。
【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造装置を説明するためのリードフレ
ームの平面図である。
係る半導体装置の製造装置を説明するためのリードフレ
ームの平面図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造装置の断面を示す図である。
係る半導体装置の製造装置の断面を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造装置の断面を示す図である。
係る半導体装置の製造装置の断面を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造装置の断面を示す図である。
係る半導体装置の製造装置の断面を示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した第２の実施の形態に
係る半導体装置の製造装置の断面を示す図である。
係る半導体装置の製造装置の断面を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第３の実施の形態に
係る半導体装置の製造装置を説明するための図である。
係る半導体装置の製造装置を説明するための図である。
【図７】図７は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を搭載する回路基板を
示す図である。
法から製造されてなる半導体装置を搭載する回路基板を
示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した半導体装置の製造方
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。
法から製造されてなる半導体装置を有する電子機器を示
す図である。
１０ 半導体チップ ２０ リードフレーム ２２ ダイパッド ２４ リード ２６ タイバー ２８ 吊りリード ３０ キャビティ ４０ 金型 ４２ 上型 ４４ 下型 ５０ 溝 ６０ リードフレーム ６４ リード ６６ タイバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２９Ｌ 31:34 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (11)
- 【請求項１】 複数のリードを有するリードフレームの
ダイパッドに搭載された半導体チップを樹脂封止するた
めの上型及び下型からなる金型を含み、 前記金型は、 前記上型及び前記下型のそれぞれのプレス領域で囲まれ
て形成され、前記半導体チップを配置するためのキャビ
ティと、 前記キャビティに連通し、かつ、前記半導体チップを前
記キャビティに配置したときに、前記プレス領域に位置
する前記リードフレームのタイバーに面する溝と、 が形成されてなる半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造装置に
おいて、 前記溝は、前記上型のみに形成された半導体装置の製造
装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の製造装置に
おいて、 前記溝は、前記上型及び前記下型のいずれにおいても形
成されており、いずれか一方における前記溝の断面積
が、他方よりも大きい半導体装置の製造装置。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の半導体装置の製造装置において、 前記溝は、前記リードフレームにおける前記リード上を
避けて、前記タイバーの領域の内側を通って形成された
半導体装置の製造装置。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のいずれかに記載
の半導体装置の製造装置において、 前記リードフレームは、予め決められた異なる複数種類
のピッチで前記リードが形成された複数種類のリードフ
レームのうちのいずれか一つであり、 前記タイバーの一部は、前記複数種類のリードフレーム
のいずれであっても重複する位置に形成され、 前記溝は、前記タイバーの前記重複する部分に面して形
成された半導体装置の製造装置。 - 【請求項６】 リードフレームのダイパッドに搭載した
半導体チップを上型及び下型からなる金型のキャビティ
に配置し、前記キャビティに樹脂を注入して前記半導体
チップを封止する工程を含み、 前記工程で、前記半導体チップを前記キャビティに配置
したときに前記上型及び前記下型のプレス領域に位置す
る前記リードフレームのタイバーにおける少なくとも一
方の面に面して、前記金型に形成された溝から空気を抜
きながら前記樹脂を注入する半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記溝は前記上型に形成されており、 前記工程で、前記リードフレームにおける前記上型を向
く面の側の樹脂の充填を促進する半導体装置の製造方
法。 - 【請求項８】 請求項６又は請求項７に記載の半導体装
置の製造方法において、 前記工程で、前記樹脂が前記タイバー上に漏れ出るよう
に、前記樹脂を注入し、 前記工程後に、前記タイバーを前記漏れ出た樹脂ととも
に切除する工程をさらに含む半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項６から請求項８のいずれかに記載
の製造方法で製造されてなる半導体装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置が搭載され
た回路基板。 - 【請求項１１】 請求項９記載の半導体装置を有する電
子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34968099A JP2001168123A (ja) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34968099A JP2001168123A (ja) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168123A true JP2001168123A (ja) | 2001-06-22 |
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ID=18405383
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|---|---|---|---|
| JP34968099A Withdrawn JP2001168123A (ja) | 1999-12-09 | 1999-12-09 | 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の製造装置、回路基板並びに電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001168123A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102299084A (zh) * | 2010-06-23 | 2011-12-28 | 深圳市华龙精密模具有限公司 | 一种塑封模具及其中的上引线条和下引线条 |
| WO2018056426A1 (ja) * | 2016-09-26 | 2018-03-29 | 株式会社パウデック | 半導体パッケージ、モジュールおよび電気機器 |
| JP2018056538A (ja) * | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 株式会社パウデック | 半導体パッケージ、モジュールおよび電気機器 |
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1999
- 1999-12-09 JP JP34968099A patent/JP2001168123A/ja not_active Withdrawn
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