JP3060568B2 - 蛍光表示パネル - Google Patents
蛍光表示パネルInfo
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- JP3060568B2 JP3060568B2 JP3071339A JP7133991A JP3060568B2 JP 3060568 B2 JP3060568 B2 JP 3060568B2 JP 3071339 A JP3071339 A JP 3071339A JP 7133991 A JP7133991 A JP 7133991A JP 3060568 B2 JP3060568 B2 JP 3060568B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- driving semiconductor
- display panel
- shield
- fluorescent display
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は駆動用半導体素子を真空
外囲器内に内蔵する蛍光表示パネルに関し、特に、駆動
用半導体素子を電子線や外部光線或いはフィラメントか
ら飛来するカソード構成物質等から保護する方法に関す
る。
外囲器内に内蔵する蛍光表示パネルに関し、特に、駆動
用半導体素子を電子線や外部光線或いはフィラメントか
ら飛来するカソード構成物質等から保護する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、駆動用半導体素子を電子線や外部
光線或いはフィラメントから飛来するカソード構成物質
等から保護する方法としては、駆動用半導体素子とフィ
ラメントの間に金属から成るシールドを設けていた。即
ち、この種のシールドはフィラメント支持体と同一金属
板を用いて一体形成し、整形加工したり、シールドとフ
ィラメント支持体を別々に形成し、必要な整形加工をし
た後、溶接などの方法で組み合わせたりして用いてい
た。
光線或いはフィラメントから飛来するカソード構成物質
等から保護する方法としては、駆動用半導体素子とフィ
ラメントの間に金属から成るシールドを設けていた。即
ち、この種のシールドはフィラメント支持体と同一金属
板を用いて一体形成し、整形加工したり、シールドとフ
ィラメント支持体を別々に形成し、必要な整形加工をし
た後、溶接などの方法で組み合わせたりして用いてい
た。
【０００３】更に詳しく説明すると、図２に示すよう
に、シールド１は駆動用半導体素子２とワイヤボンディ
ングエリア１０を覆うに必要な最小限の大きさと四方に
伸びた軒３を有し、フィラメント支持体４とシールド１
を繋ぐシールド接続部５を塑性変形部分として整形加工
することにより、図３に示すように、立体整形してい
た。ここで、立体整形部はフィラメント支持用の固定部
７、ゲッタ取付部８、シールド１、シールド接続部５、
そして四方に伸びた軒３である。これら以外の部分はフ
ィラメント支持体４の補強を兼ねて、平坦な状態でフィ
ラメント支持体４の一部として用いるようなシールド支
持構造が用いられていた。
に、シールド１は駆動用半導体素子２とワイヤボンディ
ングエリア１０を覆うに必要な最小限の大きさと四方に
伸びた軒３を有し、フィラメント支持体４とシールド１
を繋ぐシールド接続部５を塑性変形部分として整形加工
することにより、図３に示すように、立体整形してい
た。ここで、立体整形部はフィラメント支持用の固定部
７、ゲッタ取付部８、シールド１、シールド接続部５、
そして四方に伸びた軒３である。これら以外の部分はフ
ィラメント支持体４の補強を兼ねて、平坦な状態でフィ
ラメント支持体４の一部として用いるようなシールド支
持構造が用いられていた。
【０００４】そして、フィラメント支持体４は外部引き
出しリード６とも一体となり、このシールド支持構造に
よて、駆動用半導体素子２とワイヤボンディングエリア
１０を覆うようにして、カバーガラスと陽極基板の封止
部９に挟み込んで真空封止し、駆動用半導体素子を真空
外囲器内に内蔵する蛍光表示パネルを製造していた。
出しリード６とも一体となり、このシールド支持構造に
よて、駆動用半導体素子２とワイヤボンディングエリア
１０を覆うようにして、カバーガラスと陽極基板の封止
部９に挟み込んで真空封止し、駆動用半導体素子を真空
外囲器内に内蔵する蛍光表示パネルを製造していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のシールドは、駆動用半導体素子とワイヤボンディング
エリアを覆うように必要な大きさを有し、且つ、駆動用
半導体素子とフィラメントの間に設けることにより、電
子線や外部光線或いはフィラメントから飛来するカソー
ド構成物質等から駆動用半導体素子の素子形成面を保護
していたが、必要最小限の大きさに抑えたとしても蛍光
表示パネルのいわゆるデッドスペースが大きくなり、ま
た、フィラメントとシールド、及び駆動用半導体素子と
シールドとの間に一定の間隔を必要とするため、蛍光表
示パネルの立体的構造に従来の蛍光表示パネル以上に厳
密さが要求され、製造工程が難しくなったり、電気的特
性を確保する上で大きな制限になることがあった。
のシールドは、駆動用半導体素子とワイヤボンディング
エリアを覆うように必要な大きさを有し、且つ、駆動用
半導体素子とフィラメントの間に設けることにより、電
子線や外部光線或いはフィラメントから飛来するカソー
ド構成物質等から駆動用半導体素子の素子形成面を保護
していたが、必要最小限の大きさに抑えたとしても蛍光
表示パネルのいわゆるデッドスペースが大きくなり、ま
た、フィラメントとシールド、及び駆動用半導体素子と
シールドとの間に一定の間隔を必要とするため、蛍光表
示パネルの立体的構造に従来の蛍光表示パネル以上に厳
密さが要求され、製造工程が難しくなったり、電気的特
性を確保する上で大きな制限になることがあった。
【０００６】更に詳しく説明すると、図４に示すよう
に、シールド１は駆動用半導体素子２とワイヤボンディ
ングエリア１０を覆うに必要な最小限の平坦な部分とワ
イヤボンディングエリア１０の境界部から斜め下方に伸
びた軒３を有している。この軒３は、斜め下方に伸びる
様に形成するため、立体整形をする前の展開状態での寸
法は立体整形後の投影寸法よりも０．３〜０．５ｍｍ長
くする必要があり、シールド１の両側で０．６〜１．０
ｍｍ必要となる上に、シールド１とその両側に近接する
フィラメント支持体４またはグリッド支持枠１４との間
隔は、それらを立体整形をする時の整形型の嵌合の余裕
を取るために、それぞれ０．２〜０．５ｍｍ必要であ
り、両側で０．４〜１．０ｍｍ必要となる。更に、組み
立て工程での位置ずれを考慮するとシールド１の平坦部
はワイヤボンディングエリア１０の最外部よりも０．３
〜０．５ｍｍ外側まで出ていることが必要であり、両側
で０．６〜１．０ｍｍ必要となる。
に、シールド１は駆動用半導体素子２とワイヤボンディ
ングエリア１０を覆うに必要な最小限の平坦な部分とワ
イヤボンディングエリア１０の境界部から斜め下方に伸
びた軒３を有している。この軒３は、斜め下方に伸びる
様に形成するため、立体整形をする前の展開状態での寸
法は立体整形後の投影寸法よりも０．３〜０．５ｍｍ長
くする必要があり、シールド１の両側で０．６〜１．０
ｍｍ必要となる上に、シールド１とその両側に近接する
フィラメント支持体４またはグリッド支持枠１４との間
隔は、それらを立体整形をする時の整形型の嵌合の余裕
を取るために、それぞれ０．２〜０．５ｍｍ必要であ
り、両側で０．４〜１．０ｍｍ必要となる。更に、組み
立て工程での位置ずれを考慮するとシールド１の平坦部
はワイヤボンディングエリア１０の最外部よりも０．３
〜０．５ｍｍ外側まで出ていることが必要であり、両側
で０．６〜１．０ｍｍ必要となる。
【０００７】これらの結果として、シールドを設けるだ
けでワイヤボンディングエリアの最小必要寸法より０．
６〜３．０ｍｍ長くすることが必要である事が分かる。
けでワイヤボンディングエリアの最小必要寸法より０．
６〜３．０ｍｍ長くすることが必要である事が分かる。
【０００８】この余分と思われる寸法のために蛍光表示
パネルのサイズが大きくなり、駆動用半導体素子を内蔵
しない通常タイプの蛍光表示パネルに比べてデッドスペ
ースが大きくなり、外形寸法に於いて不利になる。反対
に、この寸法を小さくすれば、立体的構造に余裕がな
く、製造工程が難しくなるため、駆動用半導体素子を真
空外囲器内に内蔵する蛍光表示パネルの製造歩留を低下
する原因になる。
パネルのサイズが大きくなり、駆動用半導体素子を内蔵
しない通常タイプの蛍光表示パネルに比べてデッドスペ
ースが大きくなり、外形寸法に於いて不利になる。反対
に、この寸法を小さくすれば、立体的構造に余裕がな
く、製造工程が難しくなるため、駆動用半導体素子を真
空外囲器内に内蔵する蛍光表示パネルの製造歩留を低下
する原因になる。
【０００９】一方、蛍光表示パネルに於ける輝度は、主
として、フィラメントとグリッドとの間隔、フィラメン
トと陽極との間隔、グリッド電圧、陽極電圧に依存する
が、構造設計の段階では特にフィラメントとグリッド、
陽極との間隔が重要である。所定の輝度を確保するため
には、この間隔はかなり狭く、その値は１ｍｍ程度であ
る。
として、フィラメントとグリッドとの間隔、フィラメン
トと陽極との間隔、グリッド電圧、陽極電圧に依存する
が、構造設計の段階では特にフィラメントとグリッド、
陽極との間隔が重要である。所定の輝度を確保するため
には、この間隔はかなり狭く、その値は１ｍｍ程度であ
る。
【００１０】即ち、この間隔の中に、駆動用半導体素子
とシールドを配置する必要がある。ここで、フィラメン
トとシールド、及び駆動用半導体素子とシールドとの間
隔に余裕をとると、製造工程が難しくならず、製造歩留
を高くすることができるが、フィラメントとグリッド、
陽極との間隔が拡がり、所定の輝度を確保できなくなる
という致命的欠陥が生じる。
とシールドを配置する必要がある。ここで、フィラメン
トとシールド、及び駆動用半導体素子とシールドとの間
隔に余裕をとると、製造工程が難しくならず、製造歩留
を高くすることができるが、フィラメントとグリッド、
陽極との間隔が拡がり、所定の輝度を確保できなくなる
という致命的欠陥が生じる。
【００１１】従って、立体的構造に余裕がなく、製造工
程が難しく、製造歩留を高く維持することが困難であっ
ても、フィラメントとシールド、及び駆動用半導体素子
とシールドとの間隔は、厳しく抑えなければならない。
程が難しく、製造歩留を高く維持することが困難であっ
ても、フィラメントとシールド、及び駆動用半導体素子
とシールドとの間隔は、厳しく抑えなければならない。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に於ける蛍光表示
パネルは、遮光性を有する絶縁層で表面保護膜を形成し
た駆動用半導体素子を用いることにより、シールドを用
いることなく電子線や外部光線或いはフィラメントから
飛来するカソード構成物質等から駆動用半導体素子を保
護し、安定した動作を可能とする。
パネルは、遮光性を有する絶縁層で表面保護膜を形成し
た駆動用半導体素子を用いることにより、シールドを用
いることなく電子線や外部光線或いはフィラメントから
飛来するカソード構成物質等から駆動用半導体素子を保
護し、安定した動作を可能とする。
【００１３】
【実施例】次に本発明について図面を用いて説明する。
【００１４】図１は本発明の第１の実施例を示す斜視図
である。
である。
【００１５】駆動用半導体素子２はボンディングパッド
１１とダイシング部１２を残し、従来のパッシベーショ
ン層である絶縁層の上に、四三酸化鉄（Ｆｅ3 Ｏ4 ）を
分散させたリンガラス（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａ
ｔｅ−Ｇｌａｓｓ）層から成る第二のパッシベーション
膜１３を形成する。
１１とダイシング部１２を残し、従来のパッシベーショ
ン層である絶縁層の上に、四三酸化鉄（Ｆｅ3 Ｏ4 ）を
分散させたリンガラス（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａ
ｔｅ−Ｇｌａｓｓ）層から成る第二のパッシベーション
膜１３を形成する。
【００１６】一方、ガラス基板１５上にアルミニウム膜
で回路パターン、電極端子（いづれも図示せず）、ボン
ディングパッド１６を形成した後、所定の部位に絶縁
層、セグメント電極、蛍光体層、封止用のフリットガラ
ス層（いづれも図示せず）を形成する。次に、駆動用半
導体素子２をワイヤボンディングエリア１０の中心にダ
イボンディングし、駆動用半導体素子２の所定のボンデ
ィングパッド１１とガラス基板１５上のボンディングパ
ッド１６との間をボンディングワイヤ１７で接続した
後、電極部品を所定の位置に載せると同時に外部引き出
しリードの先端をガラス基板上の電極端子に機械的に接
触するようにして、カバーガラスと組み合せて約４５０
℃で封着し、次いで真空排気し、蛍光表示パネルを完成
させた。
で回路パターン、電極端子（いづれも図示せず）、ボン
ディングパッド１６を形成した後、所定の部位に絶縁
層、セグメント電極、蛍光体層、封止用のフリットガラ
ス層（いづれも図示せず）を形成する。次に、駆動用半
導体素子２をワイヤボンディングエリア１０の中心にダ
イボンディングし、駆動用半導体素子２の所定のボンデ
ィングパッド１１とガラス基板１５上のボンディングパ
ッド１６との間をボンディングワイヤ１７で接続した
後、電極部品を所定の位置に載せると同時に外部引き出
しリードの先端をガラス基板上の電極端子に機械的に接
触するようにして、カバーガラスと組み合せて約４５０
℃で封着し、次いで真空排気し、蛍光表示パネルを完成
させた。
【００１７】図１を用いて本発明の第２の実施例を説明
する。
する。
【００１８】駆動用半導体素子２はボンディングパッド
１１とダイシング部１２を残し、従来のパッシベーショ
ン層である絶縁層の上に、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）を分
散させたリンガラス（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔ
ｅ−Ｇｌａｓｓ）層から成る第二のパッシベーション膜
１３を形成する。
１１とダイシング部１２を残し、従来のパッシベーショ
ン層である絶縁層の上に、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）を分
散させたリンガラス（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔ
ｅ−Ｇｌａｓｓ）層から成る第二のパッシベーション膜
１３を形成する。
【００１９】一方、第１の実施例と同様にガラス基板１
５上にアルミニウム膜で回路パターン、電極端子（いづ
れも図示せず）、ボンディングパッド１６を形成した
後、所定の部位に絶縁層、セグメント電極、蛍光体層、
封止用のフリットガラス層（いづれも図示せず）を形成
する。次に、駆動用半導体素子２をワイヤボンディング
エリア１０の中心にダイボンディングし、駆動用半導体
素子の所定のボンディングパッド１１とガラス基板１５
上のボンディングパッド１６との間をボンディングワイ
ヤ１７で接続する。この時、駆動用半導体素子２に新た
に設けた第二のパッシベーション膜用のボンディングパ
ッド１８を同じくガラス基板上に新たに設けたフィラメ
ント電位に接続されているボンディングパッド１９にボ
ンディングワイヤ１７で接続する。
５上にアルミニウム膜で回路パターン、電極端子（いづ
れも図示せず）、ボンディングパッド１６を形成した
後、所定の部位に絶縁層、セグメント電極、蛍光体層、
封止用のフリットガラス層（いづれも図示せず）を形成
する。次に、駆動用半導体素子２をワイヤボンディング
エリア１０の中心にダイボンディングし、駆動用半導体
素子の所定のボンディングパッド１１とガラス基板１５
上のボンディングパッド１６との間をボンディングワイ
ヤ１７で接続する。この時、駆動用半導体素子２に新た
に設けた第二のパッシベーション膜用のボンディングパ
ッド１８を同じくガラス基板上に新たに設けたフィラメ
ント電位に接続されているボンディングパッド１９にボ
ンディングワイヤ１７で接続する。
【００２０】この後、再び第１の実施例と同様に電極部
品を所定の位置に載せると同時に外部引き出しリードの
先端をガラス基板上の電極端子に機械的に接触するよう
にして、カバーガラスと組み合わせて約４５０℃で封着
し、次いで真空排気し、蛍光表示パネルを完成させた。
品を所定の位置に載せると同時に外部引き出しリードの
先端をガラス基板上の電極端子に機械的に接触するよう
にして、カバーガラスと組み合わせて約４５０℃で封着
し、次いで真空排気し、蛍光表示パネルを完成させた。
【００２１】図１を用いて本発明の第３の実施例を説明
する。
する。
【００２２】駆動用半導体素子２はボンディングパッド
１１とダイシング部１２を残し、従来のパッシベーショ
ン層である絶縁層の上に、四三酸化鉄（Ｆｅ3 Ｏ4 ）を
分散させたリンガラス（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａ
ｔｅ−Ｇｌａｓｓ）ペーストを第二のパッシベーション
膜１３を形成するために塗布し、乾燥する。
１１とダイシング部１２を残し、従来のパッシベーショ
ン層である絶縁層の上に、四三酸化鉄（Ｆｅ3 Ｏ4 ）を
分散させたリンガラス（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａ
ｔｅ−Ｇｌａｓｓ）ペーストを第二のパッシベーション
膜１３を形成するために塗布し、乾燥する。
【００２３】一方、ガラス基板１５上にアルミニウム膜
で回路パターン、電極端子（いづれも図示せず）、ボン
ディングパッド１６を形成した後、所定の部位に絶縁
層、セグメント電極、蛍光体層、封止用のフリットガラ
ス層（いづれも図示せず）を形成する。次に、駆動用半
導体素子２をワイヤボンディングエリア１０の中心にダ
イボンディングし、駆動用半導体素子２の所定のボンデ
ィングパッド１１とガラス基板１５上のボンディングパ
ッド１６との間をボンディングワイヤ１７で接続した
後、電極部品を所定の位置に載せると同時に外部引き出
しリードの先端をガラス基板上の電極端子に機械的に接
触するようにして、カバーガラスと組み合せて約４５０
℃で封着する。この工程で第二のパッシベーション膜１
３が焼成され、表面保護膜として形成される。次いで真
空排気し、蛍光表示パネルを完成させた。
で回路パターン、電極端子（いづれも図示せず）、ボン
ディングパッド１６を形成した後、所定の部位に絶縁
層、セグメント電極、蛍光体層、封止用のフリットガラ
ス層（いづれも図示せず）を形成する。次に、駆動用半
導体素子２をワイヤボンディングエリア１０の中心にダ
イボンディングし、駆動用半導体素子２の所定のボンデ
ィングパッド１１とガラス基板１５上のボンディングパ
ッド１６との間をボンディングワイヤ１７で接続した
後、電極部品を所定の位置に載せると同時に外部引き出
しリードの先端をガラス基板上の電極端子に機械的に接
触するようにして、カバーガラスと組み合せて約４５０
℃で封着する。この工程で第二のパッシベーション膜１
３が焼成され、表面保護膜として形成される。次いで真
空排気し、蛍光表示パネルを完成させた。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、遮光性を有する絶
縁層から成る第二のパッシベーション膜で表面を保護し
た駆動用半導体素子を用いることにより、電子線や外部
光線或いはフィラメントから飛来するカソード構成物質
等から駆動用半導体素子を保護し、安定した動作が可能
となった。
縁層から成る第二のパッシベーション膜で表面を保護し
た駆動用半導体素子を用いることにより、電子線や外部
光線或いはフィラメントから飛来するカソード構成物質
等から駆動用半導体素子を保護し、安定した動作が可能
となった。
【００２５】一方、シールドがないために、駆動用半導
体素子とフィラメントとの間の立体的構造を余裕を生
じ、更に、駆動用半導体素子の実装面積もワイヤボンデ
ィングエリアに必要な最小寸法で済むために蛍光表示パ
ネルのサイズが大きくなることもない。即ち、シールド
を有する従来の駆動用半導体素子を真空外囲器内に内蔵
した蛍光表示パネルに比べてデッドスペースを小さくで
き、外形寸法に於いて有利になると共に、立体的構造に
余裕ができるため、製造工程が難しくならず、製造歩留
を高く維持することができるという効果があった。
体素子とフィラメントとの間の立体的構造を余裕を生
じ、更に、駆動用半導体素子の実装面積もワイヤボンデ
ィングエリアに必要な最小寸法で済むために蛍光表示パ
ネルのサイズが大きくなることもない。即ち、シールド
を有する従来の駆動用半導体素子を真空外囲器内に内蔵
した蛍光表示パネルに比べてデッドスペースを小さくで
き、外形寸法に於いて有利になると共に、立体的構造に
余裕ができるため、製造工程が難しくならず、製造歩留
を高く維持することができるという効果があった。
【００２６】なお、遮光性を有する絶縁層の材質とし
て、実施例に於いては、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）また
は、四三酸化鉄（Ｆｅ3 Ｏ4 ）を分散させたリンガラス
（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ−Ｇｌａｓｓ）層
を用いたが、これに限定されるものではない。薄膜が形
成できる遮光性の絶縁物であればどのような材料でもよ
い。
て、実施例に於いては、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）また
は、四三酸化鉄（Ｆｅ3 Ｏ4 ）を分散させたリンガラス
（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ−Ｇｌａｓｓ）層
を用いたが、これに限定されるものではない。薄膜が形
成できる遮光性の絶縁物であればどのような材料でもよ
い。
【図１】本発明の第１の実施例を示す概略図面である。
【図２】従来の蛍光表示パネルに於けるシールド構造を
示す概略図面である。
示す概略図面である。
【図３】図２に於けるシールド構造を示す斜視略図であ
る。
る。
【図４】図２に於けるシールド構造を示す断面略図であ
る。
る。
１ シールド ２ 駆動用半導体素子 ３ 軒 ４ フィラメント支持体 ５ シールド接続部 ６ 外部引き出しリード ７ 固定部 ８ ゲッタ取付部 ９ 封止部 １０ ワイヤボンディングエリア １１ チップ上のボンディングパッド １２ ダイシング部 １３ 第２のパッシベーション膜 １４ グリッド支持枠 １５ ガラス基板 １６ 基板上のボンディングパッド １７ ボンディングワイヤ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 31/15
Claims (2)
- 【請求項１】 回路パターン、電極、蛍光体層、駆動用
半導体素子を少＜とも備えたガラス基板と、カバーガラ
スとを貼り合せて成る駆動用半導体素子を内蔵する蛍光
表示パネルにおいて、前記駆動用半導体素子として四三
酸化鉄を分散させたリンガラス層から成る絶縁層で表面
保護膜を形成した駆動用半導体素子を用いたことを特徴
とする蛍光表示パネル。 - 【請求項２】 回路パターン、電極、蛍光体層、駆動用
半導体素子を少＜とも備えたガラス基板と、カバーガラ
スとを貼り合せて成る駆動用半導体素子を内蔵する蛍光
表示パネルにおいて、前記駆動用半導体素子として酸化
チタンを分散させたリンガラス層から成る絶縁層で表面
保護膜を形成した駆動用半導体素子を用いたことを特徴
とする蛍光表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071339A JP3060568B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 蛍光表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071339A JP3060568B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 蛍光表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306542A JPH04306542A (ja) | 1992-10-29 |
| JP3060568B2 true JP3060568B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=13457651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3071339A Expired - Lifetime JP3060568B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 蛍光表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3060568B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200489718Y1 (ko) * | 2017-06-12 | 2019-07-26 | (주)브랜딩포커스 | 입체 액자 |
-
1991
- 1991-04-04 JP JP3071339A patent/JP3060568B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200489718Y1 (ko) * | 2017-06-12 | 2019-07-26 | (주)브랜딩포커스 | 입체 액자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04306542A (ja) | 1992-10-29 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000328 |