JPH04306542A - 蛍光表示パネル - Google Patents

蛍光表示パネル

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JPH04306542A
JPH04306542A JP7133991A JP7133991A JPH04306542A JP H04306542 A JPH04306542 A JP H04306542A JP 7133991 A JP7133991 A JP 7133991A JP 7133991 A JP7133991 A JP 7133991A JP H04306542 A JPH04306542 A JP H04306542A
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JP
Japan
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semiconductor element
driving semiconductor
shield
display panel
fluorescent display
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JP7133991A
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Jiro Yamamoto
二郎 山本
Toshiyuki Akiyama
利幸 秋山
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NEC Corp
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は駆動用半導体素子を真空
外囲器内に内蔵する蛍光表示パネルに関し、特に、駆動
用半導体素子を電子線や外部光線或いはフィラメントか
ら飛来するカソード構成物質等から保護する方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、駆動用半導体素子を電子線や外部
光線或いはフィラメントから飛来するカソード構成物質
等から保護する方法としては、駆動用半導体素子とフィ
ラメントの間に金属から成るシールドを設けていた。即
ち、この種のシールドはフィラメント支持体と同一金属
板を用いて一体形成し、整形加工したり、シールドとフ
ィラメント支持体を別々に形成し、必要な整形加工をし
た後、溶接などの方法で組み合わせたりして用いていた
【0003】更に詳しく説明すると、図2に示すように
、シールド1は駆動用半導体素子2とワイヤボンディン
グエリア10を覆うに必要な最小限の大きさと四方に伸
びた軒3を有し、フィラメント支持体4とシールド1を
繋ぐシールド接続部5を塑性変形部分として整形加工す
ることにより、図3に示すように、立体整形していた。 ここで、立体整形部はフィラメント支持用の固定部7、
ゲッタ取付部8、シールド1、シールド接続部5、そし
て四方に伸びた軒3である。これら以外の部分はフィラ
メント支持体4の補強を兼ねて、平坦な状態でフィラメ
ント支持体4の一部として用いるようなシールド支持構
造が用いられていた。
【0004】そして、フィラメント支持体4は外部引き
出しリード6とも一体となり、このシールド支持構造に
よて、駆動用半導体素子2とワイヤボンディングエリア
10を覆うようにして、カバーガラスと陽極基板の封止
部9に挟み込んで真空封止し、駆動用半導体素子を真空
外囲器内に内蔵する蛍光表示パネルを製造していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のシールドは、駆動用半導体素子とワイヤボンディング
エリアを覆うように必要な大きさを有し、且つ、駆動用
半導体素子とフィラメントの間に設けることにより、電
子線や外部光線或いはフィラメントから飛来するカソー
ド構成物質等から駆動用半導体素子の素子形成面を保護
していたが、必要最小限の大きさに抑えたとしても蛍光
表示パネルのいわゆるデッドスペースが大きくなり、ま
た、フィラメントとシールド、及び駆動用半導体素子と
シールドとの間に一定の間隔を必要とするため、蛍光表
示パネルの立体的構造に従来の蛍光表示パネル以上に厳
密さが要求され、製造工程が難しくなったり、電気的特
性を確保する上で大きな制限になることがあった。
【0006】更に詳しく説明すると、図4に示すように
、シールド1は駆動用半導体素子2とワイヤボンディン
グエリア10を覆うに必要な最小限の平坦な部分とワイ
ヤボンディングエリア10の境界部から斜め下方に伸び
た軒3を有している。この軒3は、斜め下方に伸びる様
に形成するため、立体整形をする前の展開状態での寸法
は立体整形後の投影寸法よりも0.3〜0.5mm長く
する必要があり、シールド1の両側で0.6〜1.0m
m必要となる上に、シールド1とその両側に近接するフ
ィラメント支持体4またはグリッド支持枠14との間隔
は、それらを立体整形をする時の整形型の嵌合の余裕を
取るために、それぞれ0.2〜0.5mm必要であり、
両側で0.4〜1.0mm必要となる。更に、組み立て
工程での位置ずれを考慮するとシールド1の平坦部はワ
イヤボンディングエリア10の最外部よりも0.3〜0
.5mm外側まで出ていることが必要であり、両側で0
.6〜1.0mm必要となる。
【0007】これらの結果として、シールドを設けるだ
けでワイヤボンディングエリアの最小必要寸法より0.
6〜3.0mm長くすることが必要である事が分かる。
【0008】この余分と思われる寸法のために蛍光表示
パネルのサイズが大きくなり、駆動用半導体素子を内蔵
しない通常タイプの蛍光表示パネルに比べてデッドスペ
ースが大きくなり、外形寸法に於いて不利になる。反対
に、この寸法を小さくすれば、立体的構造に余裕がなく
、製造工程が難しくなるため、駆動用半導体素子を真空
外囲器内に内蔵する蛍光表示パネルの製造歩留を低下す
る原因になる。
【0009】一方、蛍光表示パネルに於ける輝度は、主
として、フィラメントとグリッドとの間隔、フィラメン
トと陽極との間隔、グリッド電圧、陽極電圧に依存する
が、構造設計の段階では特にフィラメントとグリッド、
陽極との間隔が重要である。所定の輝度を確保するため
には、この間隔はかなり狭く、その値は1mm程度であ
る。
【0010】即ち、この間隔の中に、駆動用半導体素子
とシールドを配置する必要がある。ここで、フィラメン
トとシールド、及び駆動用半導体素子とシールドとの間
隔に余裕をとると、製造工程が難しくならず、製造歩留
を高くすることができるが、フィラメントとグリッド、
陽極との間隔が拡がり、所定の輝度を確保できなくなる
という致命的欠陥が生じる。
【0011】従って、立体的構造に余裕がなく、製造工
程が難しく、製造歩留を高く維持することが困難であっ
ても、フィラメントとシールド、及び駆動用半導体素子
とシールドとの間隔は、厳しく抑えなければならない。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明に於ける蛍光表示
パネルは、遮光性を有する絶縁層で表面保護膜を形成し
た駆動用半導体素子を用いることにより、シールドを用
いることなく電子線や外部光線或いはフィラメントから
飛来するカソード構成物質等から駆動用半導体素子を保
護し、安定した動作を可能とする。
【0013】
【実施例】次に本発明について図面を用いて説明する。
【0014】図1は本発明の第1の実施例を示す斜視図
である。
【0015】駆動用半導体素子2はボンディングパッド
11とダイシング部12を残し、従来のパッシベーショ
ン層である絶縁層の上に、四三酸化鉄(Fe3 O4 
)を分散させたリンガラス(Phospho−Sili
cate−Glass)層から成る第二のパッシベーシ
ョン膜13を形成する。
【0016】一方、ガラス基板15上にアルミニウム膜
で回路パターン、電極端子(いづれも図示せず)、ボン
ディングパッド16を形成した後、所定の部位に絶縁層
、セグメント電極、蛍光体層、封止用のフリットガラス
層(いづれも図示せず)を形成する。次に、駆動用半導
体素子2をワイヤボンディングエリア10の中心にダイ
ボンディングし、駆動用半導体素子2の所定のボンディ
ングパッド11とガラス基板15上のボンディングパッ
ド16との間をボンディングワイヤ17で接続した後、
電極部品を所定の位置に載せると同時に外部引き出しリ
ードの先端をガラス基板上の電極端子に機械的に接触す
るようにして、カバーガラスと組み合せて約450℃で
封着し、次いで真空排気し、蛍光表示パネルを完成させ
た。
【0017】図1を用いて本発明の第2の実施例を説明
する。
【0018】駆動用半導体素子2はボンディングパッド
11とダイシング部12を残し、従来のパッシベーショ
ン層である絶縁層の上に、酸化チタン(TiO2 )を
分散させたリンガラス(Phospho−Silica
te−Glass)層から成る第二のパッシベーション
膜13を形成する。
【0019】一方、第1の実施例と同様にガラス基板1
5上にアルミニウム膜で回路パターン、電極端子(いづ
れも図示せず)、ボンディングパッド16を形成した後
、所定の部位に絶縁層、セグメント電極、蛍光体層、封
止用のフリットガラス層(いづれも図示せず)を形成す
る。次に、駆動用半導体素子2をワイヤボンディングエ
リア10の中心にダイボンディングし、駆動用半導体素
子の所定のボンディングパッド11とガラス基板15上
のボンディングパッド16との間をボンディングワイヤ
17で接続する。この時、駆動用半導体素子2に新たに
設けた第二のパッシベーション膜用のボンディングパッ
ド18を同じくガラス基板上に新たに設けたフィラメン
ト電位に接続されているボンディングパッド19にボン
ディングワイヤ17で接続する。
【0020】この後、再び第1の実施例と同様に電極部
品を所定の位置に載せると同時に外部引き出しリードの
先端をガラス基板上の電極端子に機械的に接触するよう
にして、カバーガラスと組み合わせて約450℃で封着
し、次いで真空排気し、蛍光表示パネルを完成させた。
【0021】図1を用いて本発明の第3の実施例を説明
する。
【0022】駆動用半導体素子2はボンディングパッド
11とダイシング部12を残し、従来のパッシベーショ
ン層である絶縁層の上に、四三酸化鉄(Fe3 O4 
)を分散させたリンガラス(Phospho−Sili
cate−Glass)ペーストを第二のパッシベーシ
ョン膜13を形成するために塗布し、乾燥する。
【0023】一方、ガラス基板15上にアルミニウム膜
で回路パターン、電極端子(いづれも図示せず)、ボン
ディングパッド16を形成した後、所定の部位に絶縁層
、セグメント電極、蛍光体層、封止用のフリットガラス
層(いづれも図示せず)を形成する。次に、駆動用半導
体素子2をワイヤボンディングエリア10の中心にダイ
ボンディングし、駆動用半導体素子2の所定のボンディ
ングパッド11とガラス基板15上のボンディングパッ
ド16との間をボンディングワイヤ17で接続した後、
電極部品を所定の位置に載せると同時に外部引き出しリ
ードの先端をガラス基板上の電極端子に機械的に接触す
るようにして、カバーガラスと組み合せて約450℃で
封着する。この工程で第二のパッシベーション膜13が
焼成され、表面保護膜として形成される。次いで真空排
気し、蛍光表示パネルを完成させた。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、遮光性を有する絶
縁層から成る第二のパッシベーション膜で表面を保護し
た駆動用半導体素子を用いることにより、電子線や外部
光線或いはフィラメントから飛来するカソード構成物質
等から駆動用半導体素子を保護し、安定した動作が可能
となった。
【0025】一方、シールドがないために、駆動用半導
体素子とフィラメントとの間の立体的構造を余裕を生じ
、更に、駆動用半導体素子の実装面積もワイヤボンディ
ングエリアに必要な最小寸法で済むために蛍光表示パネ
ルのサイズが大きくなることもない。即ち、シールドを
有する従来の駆動用半導体素子を真空外囲器内に内蔵し
た蛍光表示パネルに比べてデッドスペースを小さくでき
、外形寸法に於いて有利になると共に、立体的構造に余
裕ができるため、製造工程が難しくならず、製造歩留を
高く維持することができるという効果があった。
【0026】なお、遮光性を有する絶縁層の材質として
、実施例に於いては、酸化チタン(TiO2 )または
、四三酸化鉄(Fe3 O4 )を分散させたリンガラ
ス(Phospho−Silicate−Glass)
層を用いたが、これに限定されるものではない。薄膜が
形成できる遮光性の絶縁物であればどのような材料でも
よい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す概略図面である。
【図2】従来の蛍光表示パネルに於けるシールド構造を
示す概略図面である。
【図3】図2に於けるシールド構造を示す斜視略図であ
る。
【図4】図2に於けるシールド構造を示す断面略図であ
る。
【符号の説明】
1    シールド 2    駆動用半導体素子 3    軒 4    フィラメント支持体 5    シールド接続部 6    外部引き出しリード 7    固定部 8    ゲッタ取付部 9    封止部 10    ワイヤボンディングエリア11    チ
ップ上のボンディングパッド12    ダイシング部 13    第2のパッシベーション膜14    グ
リッド支持枠 15    ガラス基板 16    基板上のボンディングパッド17    
ボンディングワイヤ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  回路パターン、電極、蛍光体層、駆動
    用半導体素子を少くとも備えたガラス基板と、カバーガ
    ラスとを貼り合せて成る駆動用半導体素子を内蔵する蛍
    光表示パネルにおいて、前記駆動用半導体素子として遮
    光性を有する絶縁層で表面保護膜を形成した駆動用半導
    体素子を用いたことを特徴とする蛍光表示パネル。
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