JP3052626B2 - 論理集積回路 - Google Patents

論理集積回路

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JP3052626B2
JP3052626B2 JP4326364A JP32636492A JP3052626B2 JP 3052626 B2 JP3052626 B2 JP 3052626B2 JP 4326364 A JP4326364 A JP 4326364A JP 32636492 A JP32636492 A JP 32636492A JP 3052626 B2 JP3052626 B2 JP 3052626B2
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JP
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signal
clock
bit
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祐之 東福
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NEC Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は論理集積回路に関し、特
に消去可能プログラマブルROMとテストモード時にセ
ルアドレスを指定するアドレス部を有する論理集積回路
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年マイクロコンピュータ等の論理集積
回路において、内蔵するROMを消去可能プログラマブ
ルROM(以下、EPROMという)に置きかえて、紫
外線消去の為に窓付ケースに組んだROMコードデバッ
ク評価用モールドケースに組んだ少量多品種量産用を目
的とした製品が開発されている。
【0003】この内蔵するEPROMの基本的な試験と
しては、前ビットが消去されているかをチェックした
後、図5に示すアドレス部2C内のアドレスカウンタ5
がn=6,m=3の場合には、EPROMセルの並びは
通常図6に示すように行方向・列方向にアドレスの増加
に従って連続的に配列されている。
【0004】図6に示す市松模様に配値された○で囲ま
れたアドレス0,2,4,6,9,B,D,F…にチェ
ッカーパターンデータを書込んだ後、前アドレスのデー
タを読み出してEPROMセルの隣接セル間の相互作用
が無い事を確認している。
【0005】特に図5に示すように外部からのアドレス
インクリメントクロック信号SCによりアドレスが
“1”だけ加算される構成の被試験EPROM1にチェ
ッカーパターンデータを書込む手順は、図7に示す流れ
図になる。
【0006】ここで、(2)の書込後は自動的にアドレ
スはインクリメントされる。また(9),(10)およ
び(17),(18)に示すように、単純に書込とアド
レスインクリメントがくり返して連続せずに、途中でア
ドレスインクリメントが2回続く場合と書込が2回続く
場合もある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の論理集
積回路は、外部からアドレスインクリメントクロック信
号を入力して被試験EPROMを試験する場合にアドレ
スを“1”だけ加算してしていくだけなので、EPRO
Mセルにチェッカーパターンデータを書込むのに途中に
アドレスインクリメントがくり返すのではなく、途中に
アドレスクリメントが2回連続する場合と書込が2回連
続する場合が生じるので、EPROMのセルの配列に合
わせてチェッカーパターンデータを書込む手順を作成す
るのが簡単にできないという欠点があった。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の諭理集積回路
は、アドレスインクリメントクロック信号によりnビッ
トのアドレスが+1される消去可能プログラマブルRO
Mと、前記アドレスインクリメントクロック信号及びア
ドレスリセット信号を入力して前記nビットのアドレス
を前記消去可能プログラマブルROMに供給するアドレ
ス部とを有する諭理集積回路において、前記アドレス部
が、前記アドレスインクリメントクロック信号の供給毎
に前記アドレスの最下位ビットである最下位アドレス信
号対応の第1の最下位アドレス候補信号と第1のクロッ
ク候補信号を出力する1ビットの第1のアドレスカウン
タと、テストモード切換信号の供給に応答して前記アド
レスインクリメントクロック信号と前記第1のクロック
候補信号とのいずれか一方を第1のクロック信号として
出力する第1の切換手段と、第2のクロック信号の供給
に応答して消去可能プログラマブルROMの一辺のセル
配列を選択する上位mビットのアドレス信号を供給する
mビットの第3のアドレスカウンタと、前記第1のクロ
ック信号の供給に応答して前記アドレスの(n−m)ビ
ット目から前記最下位アドレスの1つ上位の第2ビット
目までの第n−m〜第2ビットのアドレス信号と前記第
2のクロック信号とを供給する第2のアドレスカウンタ
と、ストアドレス切換信号と前記アドレスの(n−m
1)ビット目のアドレス信号である前記第3のアドレ
スカウンタの最下位アドレス信号との排他的論理和をと
り第2の最下位アドレス候補信号を出力する排他的論理
手段と、前記テストモード切換信号の供給に応答して前
記第1及び第2の最下位アドレス候補信号のいずれか一
方を前記最下位アドレス信号として出力する第2の切換
手段とを備え、前記テストモード時に、前記セル配列を
前記上位mビットのアドレス信号で選択し、前記(n−
m+1)ビット目のアドレス信号を前記テストアドレス
切換信号で同相または逆相に切り換えて前記第1の最下
位アドレス候補信号の代わりに前記最下位アドレス信号
として供給し、前記アドレスインクリメントクロック信
号を前記第2のアドレスカウンタに入力することを特徴
とするものである。
【0009】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例のブロック図である。論理
集積回路は、被試験EPROM1と6ビットのアドレス
信号をEPROM1に供給するアドレス部2とを有して
いる。
【0010】アドレス部2は、EPROM1の一辺のセ
ル配列を選択する上位3ビットのアドレス信号A4,A
5,A6を供給する3ビットアドレスカウンタ5と、E
PROM1の2ビット目と3ビット目のアドレス信号A
2,A3を供給する2ビットアドレスカウンタ4と、ア
ドレスインクリメントクロック信号SCがクロック入力
される1ビットアドレスカウンタ3と、テストモード切
換信号T1により1ビットアドレスカウンタ3のクロッ
ク出力C1とアドレスインクリメントクロック信号SC
を切り換えて2ビットアドレスカウンタ4のクロック入
力にするアンドオアゲート6と、テストアドレス切換信
号T2と4ビット目のアドレス信号A4の排他的論理和
をとるエクスクルーシブオアゲート8と、テストモード
切換信号T1によりエクスクルーシブオアゲート8の出
力a4と1ビットアドレスカウンタ3のアドレス出力a
1を切り換えてEPROM1の最下位アドレス信号A1
を供給するアンドオアゲート7を有している。
【0011】被試験EPROM1は、8ビット出力の5
12ビットEPROMでありアドレスはnとして6ビッ
トで選択される。
【0012】通常動作時には、テストモード切換信号T
1がローレベルになり、アドレスインクリメントクロッ
ク信号SCが1ビットアドレスカウンタ3のクロックと
して入力され、1ビットアドレスカウンタ3のクロック
出力信号C1が2ビットアドレスカウンタ3と4と5が
直列につながり6ビットカウンタとして動作する。
【0013】EPROM1の最下位アドレス信号A1に
は1ビットアドレスカウンタ3のアドレス出力信号a1
が供給されるようにアンドオアゲート7が切り換えら
れ、アドレスインクリメントクロック信号SCによりE
PROM1のアドレスが“1”加算される図5の従来の
回路と同じ動作を行なう。
【0014】次にテストモード時のテストアドレス切換
信号T2=0の時の回路動作を図3のタイミングチャー
トを参照して説明する。最初にアドレスカウンタリセッ
ト信号SRを“H”レベルにしてアドレスカウンタ3,
4,5の内容をリセットしEPROM1のアドレスを0
番地にして、テストモード切換信号T1を“H”レベル
にしてテスト回路が動作するモードに切り換える。
【0015】エクスクルーシブオアゲート8はテストア
ドレス切換信号T2が“L”レベルなので4ビット目の
アドレス信号A4がそのままa4になる。EPROM1
の最下位アドレス信号A1にはエクスクルーシブオアゲ
ート8の出力a4が供給されるようにアンドオアゲート
7が切り換えられる。
【0016】アドレスインクリメントクロック信号SC
は2ビットアドレスカウンタ4のクロック入力になるよ
うアンドオアゲート6が切り換えられているので、アド
レスインクリメントクロック信号SCが1回はいると2
ビットアドレスカウンタ4がカウントアップしてアドレ
ス信号A2が“H”レベルになる。
【0017】アドレス信号A1はアドレス信号A2と同
じ“L”レベルで供給され、他のアドレス信号A3,A
4,A5,A6は全て“L”レベルなのでEPROM1
のアドレスは2番地が選択される。
【0018】アドレスインクリメントクロック信号SC
が2回はいると2ビットアドレスカウンタ4がカウント
アップしてアドレス信号A2が“L”レベル,A3が
“H”レベルになりEPROM1のアドレスは4番地が
選択される。同様にアドレスインクリメントクロック信
号SCが3回はいるとEPROM1のアドレスは6番地
が選択される。
【0019】次にアドレスインクリメントクロック信号
SCが4回はいると、2ビットアドレスカウンタ4から
クロック出力信号が発生し3ビットアドレスカウンタ5
のクロック入力となるので3ビットアドレスカウンタ5
がカウントアップしてアドレス信号A4が“H”レベル
になる。アドレス信号A4が“H”レベルになるとエク
スクルーシブオアゲート8の出力が“H”レベルにな
り、アドレス信号A1が“H”レベルに変化する。
【0020】他のアドレス信号A2,A3,A5,A6
は“L”レベルなのでEPROM1のアドレスは9番地
が選択される。
【0021】以後アドレスインクリメントクロック信号
SCが4回はいる毎に3ビットアドレスカウンタ5のア
ドレス出力信号A4が反転し、アドレス信号A4が同相
でアドレス信号A1に供給されるので、アドレスインク
リメントクロック信号SCを入力していくと、EPRO
M1のアドレスは0,2,4,6,9,B,D,F,1
0…と選択されていき、これは、図6に示すEPROM
のセル配列で○で囲まれたチェッカーパターンデータを
書込むアドレスが選択されていくことになる。
【0022】次にテストモード時のテストアドレス切換
信号T2=1の時の回路動作を図3のタイミングチャー
トを参照して説明していくが、今までの説明と重複する
部分の説明は省略する。
【0023】最初にEPROM1のアドレスを0番地に
した後、テストモード切換信号T1とテストアドレス切
換信号T2を“H”レベルにしてテスト回路が動作する
モードに切り換える。エクスクルーシブオアゲート8は
テストアドレス切換信号T2が“H”レベルなので4ビ
ット目のアドレス信号A4を反転した信号がa4に出力
される。
【0024】EPROM1の最下位アドレス信号A1に
はa4すなわちアドレス信号A4の逆相の信号が供給さ
れることになるので、アドレス信号A1は“H”レベル
に変化しEPROM1のアドレスは1番地が選択され
る。
【0025】以後アドレスインクリメントクロック信号
SCが4回はいる毎に3ビットアドレスカウンタ5のア
ドレス出力信号A4が反転し、アドレス信号A4が逆相
でアドレス信号A1に供給されるので、アドレスインク
リメントクロック信号SCを入力していくとEPROM
1のアドレスは1,3,5,7,8,A,C,E,11
…と選択されていき、これは図6に示すEPROMのセ
ル配列で○で囲まれていないチェッカーバーパターンデ
ータの書込むアドレスが選択されていくことになる。
【0026】図4は本発明の第2の実施例のブロック図
である。この実施例ではアンドオアゲート6の代わりに
トランスファゲート17,18を使用し、アンドオアゲ
ート7の代わりにトランスファゲート15,16を使用
し、エクスクルーシブオアゲート8の代わりにインバー
タ11,12トランスファゲート13,14を使用して
構成される。
【0027】外部入力信号T1,T2,SC,SRに対
するアドレス部2のアドレス信号出カA1〜A6の諭理
動作は図1の回路と全く同じであり、動作波形は図2
タイミングチャートで示される。
【0028】特に回路素子として第1の実施例のアンド
オアゲート,エクスクルーシブオアゲートの代わりにト
ランスファゲートを使用しているので素子数が少なくな
り、半導体集積回路化に適した回路になっている。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、EPRO
Mの基本的なテストであるEPROMのセルに市松模様
のチェッカーパターンデータあるいは逆のチェッカーバ
ーパターンデータを書込むアドレスだけをテストモード
信号を設けたアドレス部の出力により選択することがで
きる。
【0030】そして外部からアドレスをインクリメント
しながら書込パターンをくり返し使って書込んでいくだ
けでEPROMセルにチェッカーパターンデータあるい
はチェッカーバーパターンデータを書込むテストパター
を簡単に作成する事ができる。さらに無駄なアドレス
インクリメントが不要になることで入力テストパターン
数がはぼ半分に減少し、その分テスト時間が短縮され
る。
【0031】また高機能のLSIテスタを使わずに簡単
な実装試験器を使っても、単にくり返し入力を入れるだ
けでEPROMセルにチェッカーパターンデータあるい
はチェッカーバーパターンデータを書込む事ができ、E
PROMの容量が大きくなってもテストを容易に行な
事ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の第1の実施例のブロック図であ
る。
【図2】図1の回路の第1の動作を示すタイミングチャ
ートである。
【図3】図1の回路の第2の動作を示すタイミングチャ
ートである。
【図4】本発明の第2の実施例のブロック図。
【図5】従来の論理集積回路の一例のブロック図であ
る。
【図6】図5のEPROMのセル配列を示す模式図であ
る。
【図7】図5のEPROMにチェッカーパターンデータ
を書込む流れ図である。
【符号の説明】
1 被試験EPROM 2,2a アドレス部 3 1ビットアドレスカウンタ 4 2ビットアドレスカウンタ 5 3ビットアドレスカウンタ 6,7 アンドオアゲート 8 エクスクルーシブオアゲート 9,11,12 インバータ 10 3ビットアドレス 13,18 トランスファゲート A1〜A6 EPROMアドレス信号 SC アドレスインクリメントクロック信号 SR アドレスカウンタリセット信号 T1 テストモード切換信号 T2 テストアドレス切換信号

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アドレスインクリメントクロック信号に
    よりnビットのアドレスが+1される消去可能プログラ
    マブルROMと、前記アドレスインクリメントクロック
    信号及びアドレスリセット信号を入力して前記nビット
    のアドレスを前記消去可能プログラマブルROMに供給
    するアドレス部とを有する諭理集積回路において、 前記アドレス部が、前記アドレスインクリメントクロッ
    ク信号の供給毎に前記アドレスの最下位ビットである最
    下位アドレス信号対応の第1の最下位アドレス候補信号
    と第1のクロック候補信号を出力する1ビットの第1の
    アドレスカウンタと、 テストモード切換信号の供給に応答して前記アドレスイ
    ンクリメントクロック信号と前記第1のクロック候補信
    号とのいずれか一方を第1のクロック信号として出力す
    る第1の切換手段と、 第2のクロック信号の供給に応答して消去可能プログラ
    マブルROMの一辺のセル配列を選択する上位mビット
    のアドレス信号を供給するmビットの第3のアドレスカ
    ウンタと、 前記第1のクロック信号の供給に応答して前記アドレス
    の(n−m)ビット目から前記最下位アドレスの1つ上
    位の第2ビット目までの第n−m〜第2ビットのアドレ
    ス信号と前記第2のクロック信号とを供給する第2のア
    ドレスカウンタと、 ストアドレス切換信号と前記アドレスの(n−m
    1)ビット目のアドレス信号である前記第3のアドレス
    カウンタの最下位アドレス信号との排他的論理和をとり
    第2の最下位アドレス候補信号を出力する排他的論理手
    段と、 前記テストモード切換信号の供給に応答して前記第1及
    び第2の最下位アドレス候補信号のいずれか一方を前記
    最下位アドレス信号として出力する第2の切換手段とを
    備え、 前記テストモード時に、前記セル配列を前記上位mビッ
    トのアドレス信号で選択し、前記(n−m+1)ビット
    目のアドレス信号を前記テストアドレス切換信号で同相
    または逆相に切り換えて前記第1の最下位アドレス候補
    信号の代わりに前記最下位アドレス信号として供給し、
    前記アドレスインクリメントクロック信号を前記第2の
    アドレスカウンタに入力することを特徴とする諭理集積
    回路。
  2. 【請求項2】 前記第1の切換手段が、前記テストモー
    ド切換信号とこのテストモード切換信号の反転信号との
    各々をそれぞれ一方の入力端に入力し前記アドレスイン
    クリメントクロック信号と前記第1のクロック候補信号
    との各々をそれぞれ他方の入力端に入力する第1,第2
    のアンドゲートとこれら第1,第2のアンドゲートの各
    々の出力を入力するオアゲートとから成る第1のアンド
    オアゲートを備え、 前記第2の切換手段が、前記テストモード切換信号とこ
    のテストモード切換信号の反転信号との各々をそれぞれ
    一方の入力端に入力し前記第1,第2の最下位アドレス
    候補信号の各々をそれぞれ他方の入力端に入力する第
    3,第4のアンドゲートとこれら第3,第4のアンドゲ
    ートの各々の出力を入力するオアゲートとから成る第2
    のアンドオアゲートを備え、 前記排他的論理手段が、前記テストアドレス切換信号と
    前記第3のアドレスカウンタの最下位アドレス信号とを
    入力するエクスクルシブオアゲートを備えることを特徴
    とする請求項1記載の諭理集積回路。
  3. 【請求項3】 前記第1の切換手段が、前記テストモー
    ド切換信号とこのテストモード切換信号の反転信号との
    各々を制御信号とし前記アドレスインクリメントクロッ
    ク信号と前記第1のクロック候補信号との各々の通過/
    遮断を制御する第1及び第2のトランスファゲートを備
    え、 前記第2の切換手段が、前記テストモード切換信号とこ
    のテストモード切換信号の反転信号との各々を制御信号
    とし前記第1,第2の最下位アドレス候補信号の各々の
    通過/遮断を制御する第3及び第4のトランスファゲー
    トを備え、 前記排他的論理手段が、前記テストアドレス切換信号と
    このテストアドレス切換信号の反転信号との各々を制御
    信号とし前記第3のアドレスカウンタの最下位アドレス
    信号とこの第3のアドレスカウンタの最下位アドレス信
    号の反転信号との各々の通過/遮断を制御する第5及び
    第6のトランスファゲートを備えることを特徴とする請
    求項1記載の諭理集積回路。
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