JP2930773B2 - プログラマブル論理装置、この装置で使用する回路ブロック、及び前記装置への入力が論理機能で使用されるかどうかを決定する方法 - Google Patents
プログラマブル論理装置、この装置で使用する回路ブロック、及び前記装置への入力が論理機能で使用されるかどうかを決定する方法Info
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Description
装置に関するものであり、特に、ユーザによって構成で
きるプログラマブル論理装置に関するものである。
のために電子産業においてますます一般的になってきて
いる。この装置は、ユーザに標準部分を構成させて広く
様々な標準論理機能を実行する。1個の標準プログラマ
ブル論理装置が多数の異なる方法で構成できるので、特
に生産数量が多くないときには、システムにおいてその
ようなプログラマブル論理装置を使用する総合価格は、
注文設計部分の価格よりも著しく低くできる。プログラ
ムされた論理機能に変更や更新が必要であるときは、装
置の型式によっては再プログラムできる。
機能は、そのプログラマブル論理装置の全ての入力線を
使用しない。この不使用入力線は、プログラマブル論理
装置にプログラムされた論理機能の効力をもたないため
に無関係(don’t care)な入力線と呼ばれ
る。
自身と同様に論理装置を規定する構成部品は論理装置の
動作中に電力を消費する。不使用つまり無関係な入力線
に関する問題は、たとえ入力線がプログラムされた論理
機能で使用されなくとも、それらの入力線に対応する構
成部品が論理装置の通常動作中に電力を消費するという
ことである。したがって、その論理機能を実行するプロ
グラマブル論理装置により必要とされる実際の電力は、
不使用入力線の構成部品によって不必要に増大される。
により消費される電力を低くするように、不使用の入力
線に対応する回路への電力を遮断する機構の必要性が存
在する。さらに、そのような機構が論理装置の通常動作
に悪影響を及ぼさないということが望まれる。
は、入力線が論理装置で使用されるかどうかを決定する
方法を提供することである。
使用されないときは入力バッファを使用不能とする方法
を提供することである。
に悪影響を及ぼさないで入力バッファを使用不能とする
ことである。
ば、プログラマブル論理装置のプログラミング中に、入
力信号に対応するプログラミング情報がシフトレジスタ
へローディングされる。この入力情報は、第2の入力信
号、つまり相補入力信号に対応するプログラミング情報
と比較されて、2つの入力信号がプログラマブル論理装
置により使用されているかどうかを決定する。2つの入
力信号が使用されない場合は、そのような不使用を示す
ビットがメモリセルに記憶される。入力バッファが使用
されていないことに対応する相補入力信号をメモリセル
中のビットが示すときは、入力バッファは使用不能とさ
れる。
添付した特許請求の範囲に述べられている。しかしなが
ら、好ましい実施例、別の目的及びその利点はもちろ
ん、発明そのものは、添付されている図面と共に読むと
きに以下の実施例の詳細な説明を参照することにより、
最もよく理解されるだろう。
11の一部分が示されている。入力パッド24、26が
それぞれ入力バッファ20、22に接続される。各入力
バッファ20、22は真信号線14、18と相補信号線
12、16とを提供する。たった2個の入力パッド2
4、26と入力バッファ20、22が図1に示されてい
るが、実際のプログラマブル論理装置が非常に多数のも
のを有するのはもちろんである。
レイ10に接続される。ユーザは、特別な論理機能を実
行するようにAND/ORアレイ10を構成できる。プ
ログラムされたときに、論理機能で使用されない入力信
号線をもつことは普通である。本発明によれば、メモリ
セル28、30は、真信号線14、18及び相補信号線
12、16の使用又は不使用を示すビットを記憶するよ
うに用いられる。真信号線14、18及び相補信号線1
2、16が使用されるときは、メモリセル28、30中
のビットが入力バッファ20、22を使用可能とする。
しかしながら、真信号線14、18及び相補信号線1
2、16が論理機能で使用されないときは、不使用信号
線に対応する入力バッファ20、22は使用不能とされ
る。
32、34は、出力論理マクロセル36、38に接続さ
れる。出力バッファ40、42は、出力論理マクロセル
36、38と出力パッド44、46の間に接続される。
号線を必要とするならば、信号線48、50が出力論理
マクロセル36、38に接続される。同様に、入力バッ
ファ52、54は出力論理マクロセル36、38に接続
され、それぞれ真信号線62、66と相補信号線60、
64を提供する。メモリセル56、58は、プログラム
された論理機能により論理機能で使用された信号線に基
づいて入力バッファ52、54を使用可能又は使用不能
とすることができるビットを記憶する。
ANDゲート70はメモリセル28と入力パッド24に
接続される。真信号線14と相補信号線12がプログラ
ムされた論理機能により使用されないときは、ビット
“マッチ”(MATCH)74が発生されてメモリセル
28に記憶される。信号“ディスエーブル”(DISA
BLE)は、好ましくはメモリセル28の相補出力から
取り去られるので、信号“ディスエーブル”はビット
“マッチ”と相補的である。信号“ディスエーブル”6
8はローレベルにセットされ、それによりNANDゲー
ト70の出力がハイレベルに維持される。インバータ7
2はNANDゲート70に接続され、インバータ72の
出力側が真信号線14である。真信号線14の相補信号
を得るために、インバータ76がインバータ72に接続
され、相補信号線12に発生される信号が生起される。
4又はフィードバック信号線110が必要とされるとき
に使用できる他の入力バッファ54を示す。入力パッド
24はNANDゲート112に接続され、このNAND
ゲート112がNANDゲート114に接続される。メ
モリセルすなわち記憶素子28からの“ディスエーブ
ル”信号はNORゲート116、118に印加される。
“フィードバック・イネーブル”(FB Enabl
e)信号はNORゲート116及びインバータ120に
印加され、インバータ120はNORゲート118に接
続される。信号線110上のフィードバック信号はNA
NDゲート122に印加され、NORゲート118の出
力も同様である。NORゲート116はNANDゲート
112に接続され、NANDゲート122はNANDゲ
ート114に接続される。
ーブル信号はマッチ信号と同一の値を有する。ディスエ
ーブル信号がハイレベルである場合は、両方のNORゲ
ートの出力がローレベルに保持されて、NANDゲート
112及び122の出力をローレベルに、NANDゲー
ト114の出力をハイレベルに保持する。ディスエーブ
ル信号がハイレベルである場合は、フィードバック・イ
ネーブル信号の値に従って、入力パッド24の信号又は
フィードバック信号のいずれかがNANDゲート114
に印加される。こうして、ディスエーブル信号はその値
に従って両方の入力信号を使用不能とし又は使用可能と
する。
信号線が使用されているかどうかを決定するために用い
られた回路の概略ブロック図を示す。プログラミング・
データは、従来公知の直列シフトレジスタ82へシフト
される。データのコピーは、前記データがAND/OR
アレイ10へプログラムされる間、ランダムアクセスメ
モリ84に記憶される。その際、プログラミング・デー
タの第2グループは直列シフトレジスタ82へ読み込ま
れる。プログラミング・データの2つのグループのアド
レスが比較されて2つのグループが相補的であることを
保証する。プログラミング・データのアドレス指定は公
知技術である。2つのグループが互いに相補的である場
合は、比較回路86はプログラミング・データの第1グ
ループの各要素をプログラミング・データの第2グルー
プの対応する要素と比較する。データの2つのグループ
が同一であるときは、それらはプログラムされた論理機
能により必要とされず、ビット“マッチ”74がセット
される。プログラミング・データは、そのときAND/
ORアレイ10へプログラムされる。“マッチ”の値
は、第2グループがAND/ORアレイ10へプログラ
ムされるときに、第1及び第2グループに対応する入力
バッファのためにイネーブル/ディスエーブル・ビット
にプログラムされる。
ムアクセスメモリ84及び比較回路86をより詳細に示
す。直列シフトレジスタ82では2つの要素88、90
が、ランダムアクセスメモリ84では2つの要素92、
94だけが図5に示されるが、実際の装置は多数の要素
を有するのはもちろんである。
6、98は、直列シフトレジスタ82中の要素88、9
0とランダムアクセスメモリ84中の要素92、94に
接続される。要素88、90が要素92、94とそれぞ
れ同一の値である場合は、排他的NORゲート96、9
8の出力100、102はハイレベルとなる。出力10
0、102はANDゲート104に印加される。出力1
00、102が両方ハイレベルのときは、要素88、9
0と要素92、94の一致を示し、ANDゲート104
の出力はハイレベルである。ANDゲート106はAN
Dゲート104及びアドレスコンパレータ108に接続
される。要素88、90が要素92、94と相補的であ
ることをアドレスコンパレータ108が示す場合は、プ
ログラミング・データの2つのグループはプログラムさ
れた論理機能で使用されないことを示す“マッチ”信号
74が発生される。マッチ信号は反転されて図2及び図
3のマッチ信号を生成し、そして、直列シフトレジスタ
82及びランダムアクセスメモリ84中に今見いだされ
たプログラミング・データのグループによりアドレス指
定された入力に対応するメモリセル28に接続される。
の対も異なる値をもつ場合、つまり一致しない場合は、
排他的NORゲート96、98の1個又はそれ以上の出
力100、102はローレベルとなる。この場合、マッ
チ信号74はローレベルに留どまり、プログラミング・
データの2つのグループはプログラムされた論理機能で
必要とされることを示す。一方、要素88、90と要素
92、94がお互いに相補的でないことをアドレスコン
パレータ108が示す場合は、マッチ信号はローレベル
に留どまる。
EEPROM技術を用いて構成される場合は、メモリセ
ル28は同様にEPROM又はEEPROMであるべき
である。一方、AND/ORアレイ10がSRAM基本
装置である場合は、メモリセル28もSRAMであるべ
きである。もし望むならば、SRAMメモリセルは予備
(バックアップ)のバッテリをもつことができるので、
論理装置がターンオフされたときはメモリセル10中に
記憶されたデータは救われる。米国特許願第50257
2号は、SRAM式プログラマブル論理装置の好適例の
構成及び動作を記述する。
かを決定し、信号線に対応する入力の使用又は不使用に
基づいて入力バッファを使用可能又は使用不能とする自
動方法について説明した。しかしながら、プログラマブ
ル論理装置11をプログラミングするときは、使用可能
/使用不能情報はメモリセル28へ直接プログラムでき
る。さらに、この発明はAND/ORアレイを含んでい
る論理装置で使用することに限定されない。この発明は
論理装置の他の型で使用することができる。
しく図示及び説明したが、この発明の精神と範囲から逸
脱することなく、態様及び詳細の様々な変更がなされる
ということが当業者により理解されるだろう。
る。
するための論理回路を示すブロック図である。
するための他の論理回路を示すブロック図である。
信号が不使用かどうかを決定するのに用いられた比較回
路を示すブロック図である。
信号が不使用かどうかを決定するための論理回路を示す
ブロック図である。
Claims (17)
- 【請求項1】 複数の入力と、 前記入力に接続され、論理機能を規定する論理アレイ
と、 構成情報を記憶し、前記構成情報に関連した入力を選択
的に使用不能にするために各人力に接続された記憶素子
と、 前記論理アレイに接続された複数の出力と、 プログラミング・データを保持し装置の一部分をプログ
ラムするプログラミング・バッファと、 前記プログラミング・バッファに接続されて以前に入力
されたデータのコピーを記憶する複数の蓄積素子と、 前記プログラミング・バッファ及び前記複数の蓄積素子
に接続され、前記プログラミング・バッファ内のデータ
と前記複数の蓄積素子内のデータとの間で一致を示す比
較信号を発生する比較回路と、 前記比較信号に基づいて前記記憶素子内の構成情報を記
憶する手段と を備えたプログラマブル論理装置。 - 【請求項2】 各記憶素子が前記装置のプログラミング
中に書き込みできるメモリ素子である請求項第1項記載
のプログラマブル論理装置。 - 【請求項3】 各記憶素子がSRAMである請求項第2
項記載のプログラマブル論理装置。 - 【請求項4】 各記憶素子がプログラマブル読み出し専
用記憶素子である請求項第2項記載のプログラマブル論
理装置。 - 【請求項5】 各入力が入力バッファを通って前記論理
アレイに接続され、関連した記憶素子が前記論理アレイ
中の構成情報に基づいて前記入力バッファを使用可能又
は使用不能にするようにセットされる請求項第1項記載
のプログラマブル論理装置。 - 【請求項6】 前記プログラミング・バッファが直列シ
フトレジスタである請求項第1項記載のプログラマブル
論理装置。 - 【請求項7】 前記蓄積素子は、現行列の直前のプログ
ラムされた列のためのデータ入力のコピーを記憶する請
求項第1項記載のプログラマブル論理装置。 - 【請求項8】 プログラマブル論理装置で使用する回路
ブロックであって、 プログラミング・データを保持し前記装置の一部分をプ
ログラムするプログラミング・バッファと、 このプログラミング・バッファに接続されて以前に入力
されたデータのコピーを記憶する複数の蓄積素子と、 前記プログラミング・バッファ及び前記蓄積素子に接続
され、前記プログラミング・バッファのデータと、前記
複数の蓄積素子のデータとの間の一致を示す信号を発生
する比較回路と を備えた回路ブロック。 - 【請求項9】 前記プログラミング・バッファが直列シ
フトレジスタである請求項第8項記載の回路ブロック。 - 【請求項10】 各蓄積素子が前記装置のプログラミン
グ中に読み出し書き込みできるランダムアクセスメモリ
である請求項第8項記載の回路ブロック。 - 【請求項11】 前記比較回路が論理ゲートの組合せで
ある請求項第8項記載の回路ブロック。 - 【請求項12】 前記蓄積素子が現行列の直前のプログ
ラムされた列のためのデータ入力のコピーを記憶する請
求項第8項記載の回路ブロック。 - 【請求項13】 プログラマブル論理装置で使用する回
路ブロックであって、 記憶セルと、 入力信号線と、 前記記憶セル及び前記入力信号線に接続された入力バッ
ファと を備え、 前記入力バッファは、前記記憶セルが第1の値を有する
場合は使用不能とされ、前記記憶セルが第2の値を有す
る場合は使用可能とされ、かつ 前記入力バッファが前記
記憶セル及び前記入力信号線に接続されたNANDゲー
ト、このNANDゲートの出力に接続された第1のイン
バータ、並びに前記第1のインバータの出力に接続され
た第2のインバータを有し、前記第1及び第2のインバ
ータの出力が前記入力バッファの真出力及び相補出力を
規定する回路ブロック。 - 【請求項14】 プログラマブル論理装置で使用する回
路ブロックであって、 記憶セルと、 入力信号線と、 前記記憶セル及び前記入力信号線に接続された入力バッ
ファと を備え、 前記入力バッファは、前記記憶セルが第1の値を有する
場合は使用不能とされ、前記記憶セルが第2の値を有す
る場合は使用可能とされ、かつ 前記入力バッファは入力
信号線又はフィードバック信号線の任意選択によりそれ
らから出力させ、前記記憶セルの値が前記入力信号線及
びフィードバック信号線の両方を使用可能又は使用不能
とする回路ブロック。 - 【請求項15】 プログラマブル論理装置への入力が論
理機能で使用されるかどうかを決定する方法であって、 プログラミング・バッファヘの前記入力に対応する列の
ためのプログラミング・データをローディングするステ
ップと、前記ローディングされたデータと、第1の列に相補的で
ある異なる列に対応する以前にローディングされたデー
タと を比較するステップと、 前記ローディングされたデータがその相補データである
列と一致する場合は前記入力が使用されないことを示す
信号を発生するステップとを含む方法。 - 【請求項16】 前記比較するステップが前記ローディ
ングされたデータを使用されたプログラミング・データ
と比較し前記ローディングされたデータ列の直前の列を
プログラムする請求項第15項記載の方法。 - 【請求項17】 入力が使用されない場合はそのような
入力に関連した入力バッファを使用不能とするステップ
をさらに含む請求項第15項記載の方法。
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