JP3049807B2 - 薄膜半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
ス基板のような絶縁性非晶質材料上にオフ電流が極めて
少なく、さらにドレイン耐圧の高い薄膜半導体装置の製
造方法に関する。
に,結晶方位の揃った結晶粒径の大きな多結晶シリコン
薄膜、あるいは単結晶シリコン薄膜を形成する方法は、
SOI(Silicon On Insulator)
技術として知られている。{SOI構造形成技術,産業
図書}。 大きく分類すると、再結晶化法、エピタキシ
ャル法、絶縁層埋め込み法、貼り合わせ法という方法が
ある。再結晶化法は、レ−ザ−アニ−ルあるいは電子ビ
−ムアニ−ルによりシリコンを溶融再結晶化させる方法
と、溶融する温度までは昇温させずに固相成長させる固
相成長法の2つに分類される。比較的低温で再結晶化で
きるという点で固相成長法が優れている。550℃の低
温熱処理にもかかわらずシリコン薄膜の結晶粒が成長し
たという結果も報告されている。{IEEE Elec
tron Device Letters,vol.E
DL−8,No.8,p361,August198
7}。
に結晶性の優れたシリコン薄膜を用いて作成された薄膜
トランジスタはドレイン耐圧が小さくなる。欠陥が減少
したために低い印加電圧のもとでも空乏層がひろがりや
すくなることが原因の一つと考えられる。
に、LDD(Lightly Doped Drai
n)構造を形成する方法がある。このプロセスについて
図3で簡単に説明する。図3ではゲ−ト電極形成から、
層間絶縁膜形成までの工程を説明する。図3(a)にお
いて3−1は絶縁性非晶質材料、3−2はシリコン薄
膜、3−3はゲ−ト絶縁膜、3−4はゲ−ト電極をしめ
している。
ット領域3−5を形成する。ド−ズ量は1×1011cm
-2〜1×1013cm-2程度の低濃度とし、Nchならば
リン等のドナ−型の不純物を、またPchならばボロン
等のアクセプタ−型の不純物をイオン注入する。矢印3
−6はイオンビ−ムを示している。
ず、SiO2膜3−7を成膜する。その後、異方性エッ
チングによって該SiO2膜3−7をエッチングすると
図3(d)3−8で示されるような側壁が形成される。
次に、図3(e)に示されるようにゲ−ト電極3−4お
よび側壁3−8をマスクとしてイオン注入してソ−ス領
域3−9、およびドレイン領域3−10を形成する。該
ソ−ス、ドレイン領域のド−ズ量は1×1014〜1×1
016cm-2程度とし、前記オフセット領域3−5のド−
ズ量よりも多くする。
−12を成膜し、活性化アニ−ルを行う。その後、コン
タクト電極を形成する工程にはいる。
グを行うために、マイクロ波プラズマエッチング法や、
ECRエッチング法、あるいは低圧マグネトロンRIE
(Reactive Ion Etching)法等の
方法がある。しかし、これらの方法を例えば30cm角
の大型基板の処理に応用する場合には基板内のばらつき
が問題となる。図3(d)に示したような側壁3−8の
微妙な形状を制御しなければならないのでこの問題は大
きい。更に、SiO2膜3−7の膜厚のばらつきも影響
を与える。また、LDD構造の構造上の性質からオン電
流が低減するという問題点がある。
問題点を解決し、工程安定性に問題がある異方性エッチ
ング技術を用いないで優れたLDD型薄膜トランジスタ
を形成し、オフ電流が低く、オン電流の低減を最小限に
抑えた優れた薄膜トランジスタを作成する方法を提供す
ることを目的としている。
の製造方法は、 〔a〕 絶縁性非晶質材料上に、非単結晶半導体薄膜を
形成し島状にパタ−ニングする工程、 〔b〕 該島状にパタ−ニングされた非単結晶半導体薄
膜の上に、ゲ−ト絶縁膜を形成し、レジストマスクを形
成して該ゲ−ト絶縁膜をパタ−ニングして前記非単結晶
半導体薄膜の表面の1部を少なくとも露出させる工程、 〔c〕 前記レジストマスクとゲ−ト酸化膜をマスクと
して高濃度のイオン注入を行い、コンタクト領域を形成
する工程、 〔d〕 前記レジストマスクを剥離した後、低抵抗の不
純物添加半導体薄膜を成膜し、該不純物添加半導体薄膜
をパタ−ニングして前記ゲ−ト絶縁膜上にゲ−ト電極、
および、前記露出させた非単結晶半導体薄膜上にソ−
ス、ドレイン領域を形成する工程、 〔e〕 前記ゲ−ト電極およびソ−ス、ドレイン領域を
マスクとして不純物イオンをイオン注入してオフセット
領域を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とす
る。
ドレイン領域はそれぞれ分離され絶縁されていることを
特徴とする。
は、前記コンタクト領域、及びソ−ス、ドレイン領域の
不純物濃度よりも小さいことを特徴とする。
を作成する工程に沿って本発明の実施例1を説明する。
膜を成膜する。前記絶縁性非晶質材料としては、石英基
板、ガラス基板、窒化膜あるいはSiO2膜等が用いら
れる。石英基板を用いる場合はプロセス温度は1200
℃程度まで許容されるが、ガラス基板を用いる場合は、
600℃以下の低温プロセスに制限される。前記非単結
晶半導体薄膜を形成するには、LPCVD法、プラズマ
CVD法、スパッタ法、蒸着法、レ−ザ−アニ−ル法、
固相成長法等の方法がある。以下では、石英基板を用
い、前記非単結晶半導体薄膜として固相成長Si薄膜を
用いた場合を実施例として説明する。固相成長Si薄膜
ばかりでなく、多結晶Si薄膜やSOI(Silico
n on Insulator)にも本発明を応用する
ことができる。
装置を用い、SiH4とH2の混合ガスを13.56MH
zの高周波グロ−放電により分解させて、非晶質Si膜
1−2を石英基板1−1上に堆積させる。前記混合ガス
のSiH4分圧は10〜20%、デポ中の内圧は0.5
〜1.5torr程度である。基板温度は250℃以
下、180℃程度が適している。赤外吸収測定より結合
水素量を求めたところ約8atomic%であった。前
記非晶質Si膜1−2の堆積前にチェンバ−をフレオン
洗浄すると 、続いて堆積させられた非晶質Si膜は2
×1018cm-3の弗素を含んでいる。このような不純物
弗素を含有していると固相成長が充分に進まない。従っ
て、本発明においては、前記フレオン洗浄後、1時間程
度のダミーの堆積を行ってから、実際の堆積を行う。あ
るいは、フレオン洗浄を廃止し、ビ−ズ処理等の別の方
法でチェンバ−の洗浄を行う。
00℃で熱処理して水素を放出させる。この工程は、水
素の爆発的な脱離を防ぐことを目的としている。
せる。固相成長方法は、石英管による炉アニ−ルが便利
である。アニ−ル雰囲気としては、窒素ガス、水素ガ
ス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどを用いる。1×1
0-6から1×10-10Torrの高真空雰囲気でアニ−
ルを行ってもよい。固相成長アニ−ル温度は500℃〜
700℃とする。この様な低温アニ−ルでは選択的に、
結晶成長の活性化エネルギ−の小さな結晶方位を持つ結
晶粒のみが成長し、しかもゆっくりと大きく成長する。
発明者の実験において、アニ−ル温度600℃、アニ−
ル時間16時間で固相成長させることにより2μm以上
の大粒径シリコン薄膜が得られている。
ズマCVD法、スパッタ法、蒸着法、MBE(Mole
cular Beam Epitaxy)法、あるいは
レ−ザ−アニ−ル法等によって非単結晶シリコン薄膜を
形成してもよい。
リソグラフィ法によって図1(b)1−3に示されてい
るように島状にパタ−ニングする。
−ト酸化膜1−4を形成する。該ゲ−ト酸化膜の形成方
法としてはLPCVD法、あるいは光励起CVD法、あ
るいはプラズマCVD法、ECRプラズマCVD法、あ
るいは高真空蒸着法、あるいはプラズマ酸化法、あるい
は高圧酸化法などのような500℃以下の低温方法があ
る。該低温方法で成膜されたゲ−ト酸化膜は、熱処理す
ることによってより緻密で界面準位の少ない優れた膜と
なる。非晶質絶縁基板1−1として石英基板を用いる場
合は、熱酸化法によることができる。該熱酸化法にはd
ry酸化法とwet酸化法とがあるが、酸化温度は10
00℃以上と高いが膜質が優れていることからdry酸
化法の方が適している。
入してもよい。これは、Nch薄膜トランジスタのスレ
ッシュホルド電圧がマイナス側にシフトすることと、P
ch薄膜トランジスタのスレッシュホルド電圧がプラス
側にシフトすることを防ぐことを目的としている。前記
非晶質シリコン膜1−2のデポ膜厚が500〜1500
Å程度の場合は、ボロンのド−ズ量は1×1012〜5×
1012cm-2程度が適している。前記非晶質シリコン膜
の膜厚が500Å以下の薄い場合にはボロンド−ズ量を
少なくし、目安としては1×1012cm-2以下にする。
また、前記膜厚が1500Å以上の厚い場合にはボロン
ド−ズ量を多くし、目安としては5×1012cm-2以上
にする。
−ス、ドレイン領域を形成する部分のゲ−ト酸化膜を剥
離して図1(d)に示すような島状ゲ−ト酸化膜1−5
を形成する。
元素のイオン注入によって、ソ−ス領域1−7、および
ドレイン領域1−8を形成する。このソ−ス、ドレイン
領域のイオンド−ズ量Nhは、1×1019〜1×1021
cm-3程度が適している。
1−8はイオン注入法ばかりではなく、他の方法によっ
ても形成することができる。例えばプラズマド−ピング
法を用いることができる。平行平板型のプラズマCVD
装置を用い、フォスフィンガスあるいはジボランガスを
グロ−放電分解することによってリン、あるいはボロン
を基板上に析出させ、選択的にシリコン薄膜1−3に不
純物を添加することによってソ−ス、ドレイン領域を形
成するものである。その他、イオンシャワ−ド−ピング
法やレ−ザ−ド−ピング法なども有効な方法である。
スク1−6を剥離する。
ンタクト領域を構成する不純物添加シリコン薄膜1−1
0を成膜する。Nch薄膜トランジスタの場合はリン等
のドナ−型の不純物、Pch薄膜トランジスタの場合は
アクセプタ−型の不純物を添加する。フォスフィンガス
(PH3)とシランガス(SiH4)との混合ガス、また
はジボランガス(B2H6)とシランガスとの混合ガスを
用いたプラズマCVD法でド−プト非晶質シリコン薄膜
を成膜した後、固相成長させる方法、またはLPCVD
法によりド−プト非晶質シリコンあるいは多結晶シリコ
ン薄膜を成膜し、必要に応じてアニ−ルする方法、また
は未添加シリコン薄膜を成膜した後、プレデポ等拡散に
よって不純物を添加する方法等がある。不純物濃度は1
×1019cm-3以上、望ましくは1×1020cm-3以上
が望ましい。
極およびソ−ス、ドレイン領域を同時に形成する。図1
(h)において、1−11はゲ−ト電極、1−12はソ
−スコンタクト領域、1−13はドレインコンタクト領
域を示している。ゲ−ト電極1−11と前記ソ−スコン
タクト領域との間隔、及びゲ−ト電極と前記ドレインコ
ンタクト領域との間隔はLDD構造薄膜トランジスタの
オフセット領域の長さを決める重要なパラメ−タ−であ
る。値としては1μm以下が望ましい。
(i)に示すようなオフセット領域1−14を形成す
る。ゲ−ト電極1−11とソ−スコンタクト領域1−1
2とドレインコンタクト領域1−13をマスクとして自
己整合的にオフセット領域1−14を形成する。ソ−
ス、ドレイン領域と同様に、Nch薄膜トランジスタの
場合はドナ−型の不純物を、Pch薄膜トランジスタの
場合はアクセプタ−型の不純物をイオン注入する。オフ
セット領域の不純物濃度は、前記ソ−ス、ドレイン領域
の不純物濃度よりも少なくする。イオン注入ド−ズ量と
しては、1×1012〜1×1014cm-2程度とする。不
純物濃度では1×1017〜1×1019cm-3程度とな
る。1−15の矢印はイオンビ−ムを示している。不純
物添加方法としては、イオン注入法の他に、先にも述べ
たように、レ−ザ−ド−ピング法あるいはプラズマド−
ピング法などの方法がある。
に示されるように、層間絶縁膜1−16を積層する。該
層間絶縁膜材料としては、酸化膜あるいは窒化膜などを
用いる。絶縁性が良好ならば膜厚はいくらでもよいが、
数千Åから数μm程度が普通である。酸化膜の形成方法
としてはLPCVD法、APCVD法、プラズマCVD
法、ECRプラズマCVD法、スパッタ法等の方法があ
る。窒化膜の形成方法としては、LPCVD法あるいは
プラズマCVD法などが簡単である。反応には、アンモ
ニアガス(NH3)とシランガスと窒素ガスとの混合ガ
ス、あるいはシランガスと窒素ガスとの混合ガスなどを
用いる。
と前記ソ−ス、ドレイン領域およびオフセット領域の活
性化と結晶性の回復を目的として活性化アニ−ルを行
う。アニ−ル方法としては、1段階活性化アニ−ル法、
あるいは2段階活性化アニ−ル法等がある。2段階活性
化アニ−ル法について説明する。N2ガス雰囲気中でま
ず600〜800℃程度の温度で、1〜20時間程度の
1段階アニ−ルを行ってイオン注入されたオフセット領
域の結晶性を回復させる。600℃程度の低温では10
時間から20時間のアニ−ルを行う。また、800℃の
比較的高温では1時間から10時間の短時間のアニ−ル
をする。このような1段階アニ−ルを行った後、100
0℃以上の温度で1時間以内の2段階アニ−ルを行って
不純物イオンを活性化させる。以上のような2段階活性
化アニ−ルによって、ソ−ス、ドレイン領域の結晶性の
回復と活性化を行う。アニ−ル雰囲気は窒素だけではな
く水素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス、あるいは、
真空中でも良い。
ラズマ法、あるいは水素イオン注入法、あるいはプラズ
マ窒化膜からの水素の拡散法などの方法で水素イオンを
導入すると,結晶粒界に存在するダングリングボンド
や、ゲ−ト酸化膜界面などに存在する欠陥や、ソ−ス、
ドレイン部とチャネル部との接合部に存在する欠陥が不
活性化される。この様な水素化工程は、層間絶縁膜1−
16を積層する前におこなってもよい。または、後に述
べる、ソ−ス電極とドレイン電極を形成してから前記水
素化工程を行ってもよい。
縁膜1−16びゲ−ト絶縁膜1−5にコンタクトホ−ル
を形成し、コンタクト電極を形成してソ−ス電極1−1
7およびドレイン電極1−18とする。該ソ−ス電極及
びドレイン電極は、アルミニュウムあるいはクロムなど
の金属材料で形成する。この様にして薄膜トランジスタ
が形成される。
が必要となる場合は、図1(j)においてBPSG(b
orophosphosilicate glass)
膜を成膜し、低温リフロ−させることによってきわめて
平坦な層間絶縁膜を得ることができる。BPSG膜はA
PCVD法、LPCVD法、プラズマCVD法、スピン
オングラス法等の方法がある。750℃程度の低温でも
リフロ−することができる。図2に、リフロ−技術を用
いて作成した薄膜トランジスタについて説明する。絶縁
性非晶質材料2−1、シリコン薄膜2−2、ゲ−ト酸化
膜2−3、ソ−ス領域2−4、ドレイン領域2−5、ゲ
−ト電極2−6、オフセット領域2−7、ソ−スコンタ
クト領域2−8、ドレインコンタクト領域2−9、を形
成した後、前記の方法によりBPSG膜2−10を成膜
する。その後750〜900℃程度の熱処理によって前
記BPSG膜をリフロ−し、第2図(b)の2−11に
示すような平坦な層間絶縁膜を形成する。
て自己整合的にLDD構造を実現できるのでオフ電流の
低減に対してきわめて大きな効果が期待される。さら
に、薄膜トランジスタのOFF領域に特有のOFFリ−
ク電流のはねあがりを抑えることができる。LDD構造
が簡単な工程で実現できるので、ドレイン耐圧が100
V程度の高耐圧化が可能となる。さらに、オフセット領
域のイオン注入ド−ズ量によってもドレイン耐圧の値や
オフ電流の値を制御することができる。
D構造を作成することが可能となる。
電極との間にそれぞれソ−ス、ドレインコンタクト領域
を設けたのでコンタクト抵抗が低減した。そのために十
分大きなオン電流を得ることができるようになった。つ
まり、従来LDD構造の薄膜トランジスタはオン電流が
低下するという問題点が解決されたことになる。
ゲ−ト電極に側壁を形成しなければならなかった。しか
し、この側壁の形成のためには、絶縁膜の膜厚やエッチ
ングの異方性を正確に制御しなければならなかった。本
発明によれば側壁を形成する必要は全くない。つまり工
程管理の困難な異方性エッチング技術を用いなくてもL
DD構造の薄膜トランジスタを作成することが可能とな
る。従って、工程の容易化、歩留りの向上に大きな効果
がある。
形成されるので短チャネル化に対して効果があり、特性
のばらつきも少ない。チャネル領域の膜厚は100〜1
000Å程度と薄く、コンタクトを形成するソ−ス及び
ドレイン領域の膜厚は1000Å以上と厚くできるので
コンタクト抵抗が小さくなる。その結果、薄膜トランジ
スタのサブスレシュホルド領域の立ち上がりは非常に急
峻となり、コンタクト抵抗に制限されないような大きな
オン電流が得られる。
な層間絶縁膜を得ることができるので、その上に形成さ
れる配線の断線がきわめて少なくなり、歩留りが更に向
上する。従って、本発明の効果が最大限に発揮される。
非晶質絶縁基板上に優れた特性の薄膜トランジスタを作
製することが可能となるので、ドライバ−回路を同一基
板上に集積したアクティブマトリクス基板に応用した場
合にも十分な高速動作が実現される。さらに、電源電圧
の低減、消費電流の低減、信頼性の向上に対して大きな
効果がある。また、600℃以下の低温プロセスによる
作製も可能なので、アクティブマトリクス基板のてい価
格か及び大面積化に対してもその効果は大きい。
同一チップ内に集積した密着型イメ−ジセンサ−に応用
した場合には、読み取り速度の高速化、高解像度化、さ
らに階調をとる場合に非常に大きな効果をうみだす。高
解像度化が達成されるとカラ−読み取り用密着型イメ−
ジセンサ−への応用も容易となる。もちろん電源電圧の
低減、消費電流の低減、信頼性の向上に対してもその効
果は大きい。また低温プロセスによって作製することが
できるので、密着型イメ−ジセンサ−チップの長尺化が
可能となり、一本のチップでA4判あるいはA3判の様
な大型ファクシミリ用の読み取り装置を実現できる。従
って、センサ−チップの二本継ぎのような手数がかかり
信頼性の悪い技術を回避することができ、実装歩留りも
向上される。
ァイア基板(Al2O3)あるいはMgO・Al2O3,B
P,CaF2等の結晶性絶縁基板も用いることができ
る。
が、バイポ−ラトランジスタあろいはヘテロ接合バイポ
−ラトランジスタなど薄膜を利用した素子に対しても、
本発明を応用することができる。また、三次元デバイス
のようなSOI技術を利用した素子に対しても、本発明
を応用することができる。
体装置の製造方法を示す工程図である。
場合の本発明における薄膜半導体装置の製造方法を示す
工程図である。
ランジスタの製造方法を示す工程図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 絶縁性非晶質材料上に形成される薄膜半
導体装置に於て、 〔a〕 絶縁性非晶質材料上に、非単結晶半導体薄膜を
形成し島状にパタ−ニングする工程、 〔b〕 該島状にパタ−ニングされた非単結晶半導体薄
膜の上に、ゲ−ト絶縁膜を形成し、レジストマスクを形
成して該ゲ−ト絶縁膜をパタ−ニングして前記非単結晶
半導体薄膜の表面の1部を少なくとも露出させる工程、 〔c〕 前記レジストマスクとゲ−ト酸化膜をマスクと
して高濃度のイオン注入を行い、コンタクト領域を形成
する工程、 〔d〕 前記レジストマスクを剥離した後、低抵抗の不
純物添加半導体薄膜を成膜し、該不純物添加半導体薄膜
をパタ−ニングして前記ゲ−ト絶縁膜上にゲ−ト電極、
および、前記露出させた非単結晶半導体薄膜上にソ−
ス、ドレイン領域を形成する工程、 〔e〕 前記ゲ−ト電極およびソ−ス、ドレイン領域を
マスクとして不純物イオンをイオン注入してオフセット
領域を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする
薄膜半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記ゲ−ト電極、およびソ−ス、ドレイ
ン領域はそれぞれ分離され絶縁されていることを特徴と
する請求項1記載の薄膜半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記オフセット領域の不純物濃度は、前
記コンタクト領域、及びソ−ス、ドレイン領域の不純物
濃度よりも小さいことを特徴とする請求項1記載の薄膜
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3088369A JP3049807B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP3088369A JP3049807B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04320345A JPH04320345A (ja) | 1992-11-11 |
JP3049807B2 true JP3049807B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=13940882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP3088369A Expired - Lifetime JP3049807B2 (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3049807B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
US6737302B2 (en) | 2001-10-31 | 2004-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for field-effect transistor |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP3088369A patent/JP3049807B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPH04320345A (ja) | 1992-11-11 |
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