JP3015273B2 - Icチップの実装方法 - Google Patents

Icチップの実装方法

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JP3015273B2
JP3015273B2 JP7041500A JP4150095A JP3015273B2 JP 3015273 B2 JP3015273 B2 JP 3015273B2 JP 7041500 A JP7041500 A JP 7041500A JP 4150095 A JP4150095 A JP 4150095A JP 3015273 B2 JP3015273 B2 JP 3015273B2
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  • Wire Bonding (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数個の端子、電極等
のパッドを表面に配設した基板と、これらのパッドと対
向するように表面に複数個のバンプ電極が設けられた角
形のICチップとを例えば絶縁材料からなる接着剤を介
してフリップチップ方式により接続するICチップの実
装方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図は従来のICチップの基板への実装
状態の例を示す説明図であり、(a) は要部縦断面、(b)
は要部平面である。図において、1は基板であり、例
えばセラミック材料若しくはガラス繊維入エポキシ樹脂
のような材料により平板状に形成され、表面に絶縁材料
からなるレジスト2を有し、このレジスト2の一部に方
形状若しくは直交四辺形状の凹部3が形成されている。
そしてこの凹部3における基板1の表面には、複数個の
パッド4が略直交四辺形状に若しくは略平行に対向して
配設されている。
【0003】次に5はICチップであり、平面への投影
輪郭が正方形若しくは矩形のような直交四辺形状に形成
されている。6はバンプ電極であり、例えばAuのよう
な展延性の良好な金属材料によりボール状に形成され、
前記パッド4と対向するように設けられている。7は接
着剤であり、凹部3内に充填され、ICチップ5と基板
1とを接続固着すると共に、バンプ電極6とパッド4と
の電気的かつ機械的接続を確保するものである。この接
着剤7は絶縁材料からなるものの他、必要に応じて導電
性粒子を充填したものも使用できる。
【0004】上記のようなICチップ5を基板1へ実装
するには、例えば次のような工程による。まずワイヤボ
ンディング方式により、キャピラリの先端に突出させた
Auワイヤの先端を電気トーチの放電によって溶融させ
てボールを形成し、ICチップ5の例えばアルミニウム
電極(図示せず)上に接合する。次に接合したボールの
ネック部でAuワイヤを切断し、ボール状のバンプ電極
6を形成する。
【0005】次に上記のように形成したバンプ電極6の
切断部における凹凸を除去するため、例えば平滑なガラ
ス基板によってレベリングを行なう。そして基板1上の
パッド4とソフトな機械的結合を確保するために、ガラ
ス基板上に塗布した導電ペーストをバンプ電極6の端面
に転写する。
【0006】一方基板1の凹部3のパッド4が包囲する
領域内には、熱硬化性樹脂若しくはUV硬化樹脂からな
る接着剤7を、例えばマッシュルーム状に塗布若しくは
印刷しておく。この状態の基板1上に前記ICチップ5
を、パッド4とバンプ電極6とを対向させ、治具若しく
はプレス等の加圧手段を介して加圧すると共に、前記樹
脂の硬化温度以上の温度に加熱する。上記の加圧加熱に
より、パッド4とバンプ電極6とが接合されると共に、
ICチップ5と基板1との間には接着剤が溶融充填さ
れ、その後硬化するから、両者が完全に接合され得るの
である。なおUV硬化樹脂からなる接着剤7を使用する
場合には、基板1を紫外線透過材料によって形成すると
共に、加熱手段に代えて紫外線照射手段により接着剤7
を硬化させる。
【0007】次に図は従来のICチップの基板への実
装方法の他の例を示す要部断面正面図であり、(a) は実
装前の状態、(b) は実装後の状態を示し、同一部分は前
記図と同一の参照符号で示す。図において8は吸着
ツールであり、例えば下端面に開口する貫通吸気穴(図
示せず)を真空源若しくは減圧源と接続し、ICチップ
5を吸着して搬送位置決めすると共に、図(a) におい
て矢印方向に圧接することにより、接着剤7をICチッ
プ5と基板1との間に拡散的に流動充填させるためのも
のである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなICチッ
プ5の実装方法において、基板1の凹部3に塗布若しく
は印刷された接着剤は、図(b) において鎖線にて示さ
れるように初期における7aの状態から、加熱溶融、圧
接により、略同心円状に流動拡散して7bの状態にな
る。すなわち接着剤7の流動方向は半径方向であり、流
動方向と直交する流路の断面積が略等しいため、流動速
度もまた略等しいことによる。
【0009】このためICチップ5および/または凹部
3の角隅部においては、接着剤7が完全には充填されな
い場合がある。従ってICチップ5と基板1との間の接
着力が低下し、両者間の機械的および/または電気的な
接続に対する信頼性が低下するという問題点がある。ま
た接着剤7によって被覆されないパッド4が存在する場
合もあるため、これらの部位における耐候性の低下によ
り、ショートやマイグレーション等が発生することがあ
るという問題点も併存する。
【0010】一方図に示すように吸着ツール8を使用
する実装方法において、図(b) に示すように基板1の
表面に凹部3(図(a) 参照)を省略した態様の場合に
は、ICチップ5の外周部にはみ出した余剰の接着剤7
が、ICチップ5の外周部をつたって上昇し、若しくは
盛り上がり、吸着ツール8の下端部に到達する場合があ
る。このような状態で接着剤7が硬化すると、吸着ツー
ル8とICチップ5とが接着されてしまうので、両者を
分離させるための余剰の作業が必要となり、生産性を著
しく低下させるのみならず、製造コストを高騰させると
いう問題点がある。
【0011】また上記のように接着状態の吸着ツール8
とICチップ5とを分離させるために外力を印加した場
合には、ICチップ5および/または基板1ならびに両
者間に充填された接着剤7に非所望な内部応力を誘起さ
せることとなり、チップ搭載基板全体としての機能に悪
影響を及ぼし、信頼性を低下させるという問題点があ
る。
【0012】なお図に示す実装方法において、ICチ
ップ5および/または凹部3の角隅部への接着剤7の流
動充填を確保するために、例えば初期に塗布若しくは印
刷する接着剤7の量を増大させた場合には、上記角隅部
への接着剤7の充填は充分になるものの、ICチップ5
および/または凹部3の縁辺部においては、必要以上の
接着剤7が流動充填されるため、余剰の接着剤7が凹部
3からはみ出して盛り上がることになる。そしてこの余
剰の接着剤7はICチップ5の外周部をつたって上昇し
若しくは盛り上がることになり、吸着ツールを使用する
態様においては前記図に関連して記述したような問題
点も併有することになるのである。
【0013】次に余剰の接着剤7のはみ出し若しくは盛
り上がりを防止するために、基板1への初期の接着剤7
の塗布量若しくは印刷量を高精度に制御することが考え
られるが、ICチップ5が微小寸法であり、接着剤7の
量もまた微量であるため、実験室的な規模の場合は格別
として、実際の製造現場においては殆ど不可能に近く、
実現性は極めて困難である場合が多い。
【0014】本発明は上記従来技術に存在する問題点を
解決し、ICチップと基板との間に確実に接着剤を充填
させ得ると共に、はみ出した余剰の接着剤による非所望
な事故を防止し、信頼性を向上させ得るICチップの実
装方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、まず第1の発明においては、複数個のパッドを表面
に略平行に対向して配設してなる基板と、前記パッドと
対向するように表面に複数個のバンプ電極が設けられ、
かつ平面への外形投影輪郭が直交四辺形状に形成された
ICチップとを、接着剤を介してフリップチップ方式に
より接続固着するICチップの実装方法において、基板
上の前記パッドが包囲する領域内に前記接着剤を塗布し
た後、ICチップを基板上に圧接することにより、前記
接着剤をICチップと基板との間に拡散的に流動充填さ
せ、ICチップの角隅部における前記接着剤の流動速度
を縁辺部におけるそれよりも大にする、という技術的手
段を採用した。
【0016】上記の発明において、ICチップの角隅部
における接着剤の流動方向と直交する断面積を縁辺部に
おけるそれよりも小に形成することができる。また上記
の発明において、ICチップの角隅部と対向する基板の
流体摩擦を縁辺部と対向するそれよりも小に形成しても
よい。
【0017】次に第2の発明においては、複数個のパッ
ドを表面に略平行に対向して配設してなる基板と、前記
パッドと対向するように表面に複数個のバンプ電極が設
けられ、かつ平面への外形投影輪郭が直交四辺形状に形
成されたICチップとを、接着剤を介してフリップチッ
プ方式により接続固着するICチップの実装方法におい
て、基板上の前記パッドが包囲する領域内に前記接着剤
を塗布した後、ICチップを吸着ツールを介して基板上
に圧接することにより、前記接着剤をICチップと基板
との間に拡散的に流動充填させ、ICチップの前記吸着
ツール側の外周に突縁部を形成し、この突縁部により前
記接着剤の余剰分の上方への盛り上がりを阻止する、と
いう技術的手段を採用した。
【0018】
【作用】上記の構成により、ICチップの角隅部への接
着剤の流動充填を確保することができると共に、縁辺部
における余剰の接着剤のはみ出しを防止することができ
るのである。またICチップの外周部にも接着剤を付着
させる実装方法であり、吸着ツールを使用する場合にお
いても、余剰の接着剤のICチップ上方への盛り上がり
を阻止でき、チップ搭載基板全体としての信頼性を向上
させ得ると共に、製造コストの低減が可能である。
【0019】
【実施例】図1は本発明の第1実施例における基板の要
部を示す説明図であり、(a) は要部平面、(b) は(a) に
おけるA−A線断面を示し、同一部分は前記図および
と同一の参照符号で示す。図1において、10は突
起部であり、例えば平面への投影輪郭を長円形若しくは
楕円形に形成して、複数個をICチップ5の角隅部と対
向する凹部3の基板1上に設ける。なお突起部10の基
板1からの突出高さは、少なくともパッド4のそれより
も大にすることが好ましい。
【0020】上記の構成により、ICチップ5の角隅部
においては、ICチップ5と基板1との間隙がICチッ
プ5の縁辺部におけるそれよりも小であると共に、突起
部10の存在により、ICチップ5の角隅部における接
着剤(図示せず)の流動方向と直交する断面積は、縁辺
部におけるそれよりも小に形成されることになる。一方
ICチップ5の基板1への圧接により両者間において拡
散的に流動する接着剤は連続した状態で流動するから、
流体力学における連続の理により接着剤の流動速度は、
ICチップ5の角隅部におけるものは縁辺部におけるも
のより大となる。従ってICチップ5(および凹部3)
の角隅部における接着剤の流動充填を充分に確保するこ
とができるのである。
【0021】図2は本発明の第2実施例における基板の
要部を示す説明図であり、(a) は要部平面、(b) は(a)
におけるB−B線断面を示し、同一部分は前記図1と同
一の参照符号で示す。図2において11は突起部であ
り、横断面を例えば直交四辺形状に形成し、基板1の凹
部3における中央部から角隅部に亘って放射状に設け
る。
【0022】上記の構成により、ICチップ5の角隅部
においては、突起部11の存在により、ICチップ5の
角隅部における接着剤(図示せず)の流動方向と直交す
る断面積は、縁辺部のそれより小に形成されることにな
り、前記実施例の場合と同様にICチップ5の角隅部に
おける接着剤の流動充填を確保することができるのであ
る。
【0023】図3は本発明の他の実施例における基板の
要部を示す要部平面図であり、(a)は第3実施例におけ
るもの、(b) は第4実施例におけるものを示し、同一部
分は前記図1および図2と同一の参照符号で示す。図3
(a) において、12は突起部であり、平面への投影輪郭
を例えば正方形に形成して、ICチップ5の角隅部と対
向する凹部3の基板1上に設ける。なお突起部12の基
板1からの突出高さは、少なくともパッド4のそれより
大にすることが好ましい。
【0024】上記の構成により、前記実施例におけると
同様にICチップ5の角隅部における接着剤の流動充填
を確保することができる。なお突起部12を形成する材
料としては、前記図1および図2における突起部10,
11も含めて、パッド4を形成するような金属材料でも
よく、またレジスト2を形成するような絶縁材料であっ
てもよい。また突起部10〜12の平面への投影輪郭形
状若しくは横断面形状は、図1〜3に示す形状のみには
限定されず、他の形状のものも適宜選定することができ
る。
【0025】次に図3(b) において13は被覆部であ
り、凹部3における基板1の少なくともICチップ5と
対向する角隅部に設ける。この場合被覆部13を形成す
る材料としては、例えば感光性エポキシ樹脂からなるソ
ルダーレジストのような接着剤に対する流体摩擦の小な
る材料が好ましい。
【0026】上記の構成により、ICチップ5の角隅部
においては、流体摩擦の小なる被覆部13の存在によ
り、接着剤(図示せず)の流動速度が縁辺部のそれより
大になり、ICチップ5の角隅部における接着剤の流動
充填を確保することができるのである。
【0027】図4は本発明の第5実施例におけるICチ
ップを示す説明図であり、(a) は側面、(b) は(a) にお
けるC方向矢視を示す。図4において51は突縁部であ
り、平面への投影輪郭を例えば正方形に形成してなるI
Cチップ5の吸着ツール(図における符号8参照)
側、すなわちバンプ電極(図示せず)の存在しない側の
外周に設ける。
【0028】図5は図4に示すICチップを製作する手
段の例を示す要部平面図である。図5において、まず例
えば厚さ300〜400μmに形成された例えばシリコ
ンウエハ50のバンプ電極設置側の表面に、例えば20
μmの幅寸法の溝52を格子状に設ける。なお溝52の
深さ寸法はシリコンウエハ50の厚さ寸法より小とし、
前記図4(a) におけるd寸法と対応させて設定する。次
に例えば幅寸法5μmのカッターにより、前記溝52の
中央部に切断溝53を形成すれば、前記図4に示すよう
に突縁部51を有するICチップ5が形成されるのであ
る。
【0029】図6は本発明の第5実施例におけるICチ
ップの実装状態を示す要部断面正面図であり、同一部分
は前記図と同一の参照符号で示す。図6において、吸
着ツール8を介してICチップ5を基板1に圧接する
と、接着剤7は両者間に流動充填してICチップ5の外
周部に到達し、更に上方に若干盛り上がる。しかしなが
らICチップ5の吸着ツール8側の外周には突縁部51
が形成されているため、接着剤7の余剰分の上方への盛
り上がりが堰止められ、吸着ツール8への到達を阻止さ
れるのである。
【0030】
【発明の効果】本発明は以上記述のような構成および作
用であるから、下記の効果を期待できる。
【0031】(1) ICチップの角隅部に接着剤が容易か
つ完全に充填されるため、ICチップと基板との接着力
が充分に確保されると共に、両者間の機械的かつ電気的
な接続に対する信頼性が向上する。
【0032】(2) 接着剤によって基板上のパッド若しく
は電極等が完全に被覆されるため、ショートやマイグレ
ーション等の発生が防止され、耐候性を向上させ得る。
(3) 吸着ツールを使用してICチップを搬送位置決め圧
接して実装する場合においても、余剰の接着剤が吸着ツ
ール側に盛り上がって付着することがないため、生産性
が向上すると共に、製造コストを低減させ得る。
【0033】(4) 吸着ツールにICチップが接着される
という非所望な事故がないため、チップ搭載基板全体と
しての機能が保証され、信頼性を向上させ得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例における基板の要部を示す
説明図であり、(a) は要部平面、(b) は(a) におけるA
−A線断面を示す。
【図2】本発明の第2実施例における基板の要部を示す
説明図であり、(a) は要部平面、(b) は(a) におけるB
−B線断面を示す。
【図3】本発明の他の実施例における基板の要部を示す
要部平面図であり、(a) は第3実施例におけるもの、
(b) は第4実施例におけるものを示す。
【図4】本発明の第5実施例におけるICチップを示す
説明図であり、(a) は側面、(b) は(a) におけるC方向
矢視を示す。
【図5】図4に示すICチップを製作する手段の例を示
す要部平面図である。
【図6】本発明の第5実施例におけるICチップの実装
状態を示す要部断面正面図である。
【図7】従来のICチップの基板への実装方法の他の例
を示す要部断面正面図であり、(a) は実装前の状態、
(b) は実装後の状態を示す。
【図8】従来のICチップの基板への実装状態の例を示
す説明図であり、(a) は要部縦断面、(b) は要部平面を
示す。
【符号の説明】
1 基板 4 パッド 5 ICチップ 6 バンプ電極 7 接着剤 8 吸着ツール
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−67648(JP,A) 特開 昭64−25425(JP,A) 実開 平1−174924(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 311 H01L 21/52

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数個のパッドを表面に略平行に対向し
    て配設してなる基板と、前記パッドと対向するように表
    面に複数個のバンプ電極が設けられ、かつ平面への外形
    投影輪郭が直交四辺形状に形成されたICチップとを、
    接着剤を介してフリップチップ方式により接続固着する
    ICチップの実装方法において、 基板上の前記パッドが包囲する領域内に前記接着剤を塗
    布した後、ICチップを基板上に圧接することにより、
    前記接着剤をICチップと基板との間に拡散的に流動充
    填させ、ICチップの角隅部における前記接着剤の流動
    速度を縁辺部におけるそれよりも大にしたことを特徴と
    するICチップの実装方法。
  2. 【請求項2】 ICチップの角隅部における接着剤の流
    動方向と直交する断面積を縁辺部におけるそれよりも小
    に形成したことを特徴とする請求項1記載のICチップ
    の実装方法。
  3. 【請求項3】 ICチップの角隅部と対向する基板の流
    体摩擦を縁辺部と対向するそれよりも小に形成したこと
    を特徴とする請求項1若しくは2記載のICチップの実
    装方法。
  4. 【請求項4】 複数個のパッドを表面に略平行に対向し
    て配設してなる基板と、前記パッドと対向するように表
    面に複数個のバンプ電極が設けられ、かつ平面への外形
    投影輪郭が直交四辺形状に形成されたICチップとを、
    接着剤を介してフリップチップ方式により接続固着する
    ICチップの実装方法において、 基板上の前記パッドが包囲する領域内に前記接着剤を塗
    布した後、ICチップを吸着ツールを介して基板上に圧
    接することにより、前記接着剤をICチップと基板との
    間に拡散的に流動充填させ、ICチップの前記吸着ツー
    ル側の外周に突縁部を形成し、この突縁部により前記接
    着剤の余剰分の上方への盛り上がりを阻止することを特
    徴とするICチップの実装方法。
JP7041500A 1995-03-01 1995-03-01 Icチップの実装方法 Expired - Lifetime JP3015273B2 (ja)

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JP4097333B2 (ja) * 1998-09-30 2008-06-11 松下電器産業株式会社 Icチップ実装機
KR20030012191A (ko) * 2001-07-31 2003-02-12 주식회사 심텍 다이틸트 방지용 구리도트를 갖는 윈도우 칩 스케일패키지용 인쇄회로기판
JP2006286798A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Toray Eng Co Ltd 実装方法および装置
JP2009188275A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Sharp Corp 半導体チップ、半導体装置、半導体装置の製造方法、および液晶モジュール
JP2010231728A (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 Sinfonia Technology Co Ltd Icチップ実装体の製造装置

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