JP3008242U - 半導体ペレット搭載基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半田層が厚くなることなく、かつ、コスト高
を招来させずに温度補償板外周への半田の溜りを防止し
得る半導体ペレット搭載基板を提供すること。 【構成】 半導体ペレット７が半導体ペレット搭載基板
１の導体パターン４上に載置されるシリコン基板搭載部
１５と、これに連続して形成される半田溜り部１４上に
は絶縁膜１３を形成しない。これにより半導体ペレット
７を半田付けした場合に、余分な半田は、半田溜り部１
４に流出し、温度補償板６の外周に溜るようなことがな
い。このため効果的に余分な半田を逃すことができると
共に、特に工程数も増加させることもないので製造原価
を高くすることもない。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、半導体ペレットを搭載する半導体ペレット搭載基板に関し、特に該 基板上に半導体ペレットを搭載したときに、温度補償板下面の余分の半田を効果 的に逃がすことができる構造の半導体ペレット搭載基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

この種の従来の半導体ペレット搭載基板の構造を図３に示す。 図３は半導体ペレット搭載基板の一部を示した断面図である。 図において、１は半導体ペレット搭載基板全体を示している。この半導体ペレ ット搭載基板１は、金属板２上に絶縁層３が形成され、さらにこの絶縁層３上に 導体パターン４が形成されている。 上記搭載基板１の導体パターン４上には、シリコン基板５の両主面に温度補償 板６を高温半田で半田付けした半導体ペレット７が半田付けされている。

【０００３】 ところで、半導体ペレット７の下側の温度補償板６と導体パターン４間に介在 する半田８の分量は、その分量が不足するとピンホール等が発生し、半田付けが 不完全となり、半導体ペレットの放熱性や電気的特性に悪影響を与える。従って 、半田の分量は若干充分な分量としている。その結果、余分な半田は、図３に示 すように下側の温度補償板６の外周に溜っている。 一方、この部分の半田８がシリコン基板５の下面に接触すると、最悪の場合に は電気的に短絡してしまう場合がある。

【０００４】 これらの不都合を回避するため、図４及び図５に示すように、金属板５のみか らなる半導体ペレット搭載基板１の場合には、図示のように、該搭載基板１に十 字状の溝９を設けて余分な半田８を該溝９に逃がして温度補償板６の側面への半 田８の溜りを防止している。また、上記搭載基板１が導体パターンー絶縁層ー金 属板の３層構造の場合は、該搭載基板１に溝を設けることができないので、図６ 乃至図８に示すような構造を採用している。 すなわち、図６は温度補償板６を下面から見た斜視図であるが、この図から明 かなように、当該温度補償板６の下面に十字状の溝９が設けてある。この温度補 償板６は、図７及び図８に示すように、金属板２、絶縁層３及び導体パターン４ からなる半導体ペレット搭載基板１上に半田８により固着される。この場合に余 分な半田８は該温度補償板６の下面に形成した十字状の溝９に逃げるため、温度 補償板６の側面への半田８の溜りが防止できる。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、上記のいずれも構造の場合でも溝９の加工が必要となり、製造 原価を高くする。また、溝９の部分は半田層が厚くなるため、熱サイクルによる 半田疲労が発生し信頼性が低下するという問題もあった。

【０００６】

【考案の目的】

本考案は、上記のような各課題を解決するためになされたもので、半田層が厚 くなることなく、かつ、コスト高を招来させずに温度補償板外周への半田の溜り を防止し得る半導体ペレット搭載基板を提供することを目的とするものである。

【０００７】

【問題点を解決するための手段】

本考案の半導体ペレット搭載基板は、半導体ペレットが前記半導体ペレット搭 載基板の導体パターン上に載置されるシリコン基板搭載部と、このシリコン基板 搭載部に連続して形成した半田溜り部には絶縁膜が形成されないようにしたこと を特徴とするものである。

【０００８】

【作用】

本考案の半導体ペレット搭載基板は、絶縁膜によって半田溜り部が形成される ようにしたので、半導体ペレットを半田付けした場合に、余分な半田は上記の絶 縁膜が形成されていない半田溜り部に流出し、温度補償板の外周に溜るようなこ とがない。このため特にコスト高を招来させることなく、効果的に余分な半田を 逃すことができる。

【０００９】

【実施例】

以下に、本考案の実施例を図１及び図２を参照して説明する。 なお、図１は半導体ペレット搭載基板の一部を切り欠いた平面図であり、図２ は図１のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。 これらの図において、半導体ペレット搭載基板１は、従来と同様に金属板２上 に絶縁層３を有し、この絶縁層３上に導体パターン４が形成されている。この導 体パターン４上に絶縁膜１３が施される。 なお、図１では絶縁膜１３が施される部分にはハッチングを施してある。また 、二点鎖線で囲まれた範囲が半導体ペレット７が搭載される部分である。 本考案で特に注目すべき点は、図１の二点鎖線で示される部分及びこれに連続 した一部には絶縁膜１３を施さない点である。

【００１０】 すなわち、略四角形のシリコン基板搭載部１５と、このシリコン基板搭載部１ ５に連続して形成される半田溜り部１４には絶縁膜１３が施されていない。従っ て、これらの部分には導体パターン４が露出していることになる。 上記の半導体ペレット搭載基板１に半導体ペレット７を半田付けすると、図２ に示すように、下側温度補償板６と導体パターン４間に介在する余分な半田８は 、半田溜り部１４に流出し、温度補償板６の外周に溜ることが回避される。 なお、導体パターン４上の絶縁膜１３は、半田付けする部分以外の導体パター ン４の酸化からの保護や他の部品との電気的短絡防止のために、もともと施され るものなので、特別な工程を設けることなく、従来の工程を利用して容易に実施 することができる。従って特に製造原価を高くするようなこともない。

【００１１】

【考案の効果】

本考案は、上記したように絶縁膜によって半田溜り部を形成するようにしたの で、この半田溜り部に余分な半田を逃がすことができる。また、従来の絶縁膜形 成工程を利用することができるので、特別に工程数を増加させることがなく、従 って製造原価を高くすることもない等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の半導体ペレット搭載基板の一部を示す
平面図である。

【図２】図１におけるＣ−Ｃ線に沿う断面図である。

【図３】図３は従来の半導体ペレット搭載基板上に半導
体ペレットを半田付け状態の断面図である。

【図４】余分な半田を溜めるために溝を形成した従来の
半導体ペレット搭載基板の平面図である。

【図５】図４のＡ−Ａ線に沿う断面図である。

【図６】下面に溝を形成した温度補償板の斜視図であ
る。

【図７】上記温度補償板を使用して半導体ペレット搭載
基板上に半導体ペレットを半田付けした状態の平面図で
ある。

【図８】図７のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体ペレット搭載基板 ２ 金属板 ３ 絶縁層 ４ 導体パターン ５ シリコン基板 ６ 温度補償板 ７ 半導体ペレット ８ 半田 １３ 絶縁膜 １４ 半田溜り部 １５ シリコン基板搭載部

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ペレットを基板上に搭載して半田
   付けする半導体ペレット搭載基板において、半導体ペレ
   ットが前記半導体ペレット搭載基板の導体パターン上に
   載置されるシリコン基板搭載部と、このシリコン基板搭
   載部に連続して形成した半田溜り部には絶縁膜が形成さ
   れないようにしたことを特徴とする半導体ペレット搭載
   基板。