JP2983137B2 - マイクロ波増幅器 - Google Patents
マイクロ波増幅器Info
- Publication number
- JP2983137B2 JP2983137B2 JP6028092A JP2809294A JP2983137B2 JP 2983137 B2 JP2983137 B2 JP 2983137B2 JP 6028092 A JP6028092 A JP 6028092A JP 2809294 A JP2809294 A JP 2809294A JP 2983137 B2 JP2983137 B2 JP 2983137B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- input
- circuit board
- printed circuit
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の入出力間
の電磁結合を防止するシールド構造を備えたマイクロ波
増幅器に関する。
の電磁結合を防止するシールド構造を備えたマイクロ波
増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を用いたマイクロ波増
幅器は、半導体素子の入出力間の電磁結合を防ぐために
図２に示すようなシールド構造を備えている。図２
（ａ）は、マイクロ波増幅器の一部を切欠して示す斜視
図、同図（ｂ）はＡ−Ａ線矢視断面図、同図（ｃ）はＢ
−Ｂ線矢視断面図である。
幅器は、半導体素子の入出力間の電磁結合を防ぐために
図２に示すようなシールド構造を備えている。図２
（ａ）は、マイクロ波増幅器の一部を切欠して示す斜視
図、同図（ｂ）はＡ−Ａ線矢視断面図、同図（ｃ）はＢ
−Ｂ線矢視断面図である。
【０００３】図２において、１はプリント基板で、この
プリント基板１上に例えば電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）等の半導体素子２を装着している。この半導体素子
２は、接地リード３をプリント基板１の接地パターン上
に位置させ、接地リード３と接地パターンとを半田付け
して接続している。符号４は、この半田付け部を示して
いる。
プリント基板１上に例えば電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）等の半導体素子２を装着している。この半導体素子
２は、接地リード３をプリント基板１の接地パターン上
に位置させ、接地リード３と接地パターンとを半田付け
して接続している。符号４は、この半田付け部を示して
いる。
【０００４】そして、半導体素子２を含む増幅回路と外
部との電磁結合を防止するためにプリント基板１上にシ
ールドケース６を設けている。更に、このシールドケー
ス６には、半導体素子２の入出力端子５間を遮蔽するよ
うにシールド板７を設けている。このシールド板７は、
半導体素子２及び半田付け部４に接触しないように窓８
を形成している。この窓８の大きさは、例えば半導体素
子２として直径が２ｍｍ、厚さが１ｍｍ〜１．５ｍｍの
素子を用いた場合、図２（ｃ）に示すように幅ｄが６ｍ
ｍ、高さｔが３ｍｍ程度に設定される。上記また、シー
ルドケース６は、周辺部に設けた支持部（図示せず）が
プリント基板１にネジにより固定され、プリント基板１
上の接地パターンに接続される。
部との電磁結合を防止するためにプリント基板１上にシ
ールドケース６を設けている。更に、このシールドケー
ス６には、半導体素子２の入出力端子５間を遮蔽するよ
うにシールド板７を設けている。このシールド板７は、
半導体素子２及び半田付け部４に接触しないように窓８
を形成している。この窓８の大きさは、例えば半導体素
子２として直径が２ｍｍ、厚さが１ｍｍ〜１．５ｍｍの
素子を用いた場合、図２（ｃ）に示すように幅ｄが６ｍ
ｍ、高さｔが３ｍｍ程度に設定される。上記また、シー
ルドケース６は、周辺部に設けた支持部（図示せず）が
プリント基板１にネジにより固定され、プリント基板１
上の接地パターンに接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように半導体素
子２の上部にシールド板７を配置することにより、ある
程度のシールド効果を得ることができる。しかし、従来
の方法では、シールド板７が半導体素子２及び半田付け
部４に接触しないように比較的大きな窓８を形成してい
るので、図２（ｂ）に示すように半導体素子２の入出力
間に電磁結合Ｍが生じ、正帰還発振や周波数特性の劣化
を生じるという問題があった。
子２の上部にシールド板７を配置することにより、ある
程度のシールド効果を得ることができる。しかし、従来
の方法では、シールド板７が半導体素子２及び半田付け
部４に接触しないように比較的大きな窓８を形成してい
るので、図２（ｂ）に示すように半導体素子２の入出力
間に電磁結合Ｍが生じ、正帰還発振や周波数特性の劣化
を生じるという問題があった。
【０００６】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、半導体素子の入出力間の電磁結合を無くして正帰還
発振や周波数特性の劣化を確実に防止し得るマイクロ波
増幅器を提供することを目的とする。
で、半導体素子の入出力間の電磁結合を無くして正帰還
発振や周波数特性の劣化を確実に防止し得るマイクロ波
増幅器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子を
用いたマイクロ波増幅器において、左右両端に入出力端
子を有すると共に上記入出力端子間において該入出力端
子と直角な方向に接地リードを有し、該接地リードがプ
リント基板の接地パターンに半田付けされる半導体素子
と、上記半導体素子の入出力端子間を遮蔽するように上
記プリント基板上に設けられ、上記半導体素子に対応す
る部分に該半導体素子より僅かに大きい窓を形成すると
共に、上記接地リードの半田付け部分に対応する位置に
半田当接部を形成してなるシールド板と、このシールド
板を上記半田当接部が上記接地リードの半田付け部分に
圧接するように上記プリント基板に保持する手段とを具
備したことを特徴とする。
用いたマイクロ波増幅器において、左右両端に入出力端
子を有すると共に上記入出力端子間において該入出力端
子と直角な方向に接地リードを有し、該接地リードがプ
リント基板の接地パターンに半田付けされる半導体素子
と、上記半導体素子の入出力端子間を遮蔽するように上
記プリント基板上に設けられ、上記半導体素子に対応す
る部分に該半導体素子より僅かに大きい窓を形成すると
共に、上記接地リードの半田付け部分に対応する位置に
半田当接部を形成してなるシールド板と、このシールド
板を上記半田当接部が上記接地リードの半田付け部分に
圧接するように上記プリント基板に保持する手段とを具
備したことを特徴とする。
【０００８】
【作用】上記のように半導体素子の入出力間を遮蔽する
シールド板の窓の幅を半導体素子より僅かに大きく形成
すると共に、半導体素子の接地リードに対応する位置に
半田当接部を形成し、この半田当接部を上記接地リード
部分に盛られた半田の上部に圧接させることにより、シ
ールド板と半導体素子の入出力間との隙間を小さくして
入出力間の電磁結合を無くすことができる。この結果、
半導体素子の入出力間の電磁結合によって生じる正帰還
発振や周波数特性の劣化を確実に防止することが可能と
なる。
シールド板の窓の幅を半導体素子より僅かに大きく形成
すると共に、半導体素子の接地リードに対応する位置に
半田当接部を形成し、この半田当接部を上記接地リード
部分に盛られた半田の上部に圧接させることにより、シ
ールド板と半導体素子の入出力間との隙間を小さくして
入出力間の電磁結合を無くすことができる。この結果、
半導体素子の入出力間の電磁結合によって生じる正帰還
発振や周波数特性の劣化を確実に防止することが可能と
なる。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。図１は、本発明の一実施例に係るマイクロ波増
幅器を示すもので、図１（ａ）は、一部を切欠して示す
斜視図、同図（ｂ）はＡ−Ａ線矢視断面図、同図（ｃ）
はＢ−Ｂ線矢視断面図である。
明する。図１は、本発明の一実施例に係るマイクロ波増
幅器を示すもので、図１（ａ）は、一部を切欠して示す
斜視図、同図（ｂ）はＡ−Ａ線矢視断面図、同図（ｃ）
はＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【００１０】図１において、１はプリント基板で、この
プリント基板１上に例えば電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）等の半導体素子２を装着している。この半導体素子
２は、接地リード３をプリント基板１の接地パターン上
に位置させ、接地リード３と接地パターンとを半田付け
（半田付け部４）により接続している。
プリント基板１上に例えば電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）等の半導体素子２を装着している。この半導体素子
２は、接地リード３をプリント基板１の接地パターン上
に位置させ、接地リード３と接地パターンとを半田付け
（半田付け部４）により接続している。
【００１１】そして、半導体素子２を含む増幅回路と外
部との電磁結合を防止するためにプリント基板１上にシ
ールドケース１０を設けている。更に、このシールドケ
ース１０には、半導体素子２の入出力端子５間を遮蔽す
るようにシールド板１１を設けている。このシールド板
１１は、半導体素子２に接触しないように窓１２を形成
している。この窓１２は、幅ｄを半導体素子２の径より
僅かに大きく形成すると共に、下端部両側、つまり、半
田付け部４に対応する位置に半田当接部としてテーパ部
１３を形成し、このテーパ部１３が接地パターン面に盛
られた半田付け部４の上部に当接するようにしている。
上記窓１２の大きさは、例えば半導体素子２として直径
が２ｍｍ、厚さが１ｍｍ〜１．５ｍｍの素子を用いた場
合、図１（ｃ）に示すように幅ｄが４ｍｍ程度に設定さ
れる。この場合、窓１２の高さは、従来と同じ３ｍｍ程
度に設定される。
部との電磁結合を防止するためにプリント基板１上にシ
ールドケース１０を設けている。更に、このシールドケ
ース１０には、半導体素子２の入出力端子５間を遮蔽す
るようにシールド板１１を設けている。このシールド板
１１は、半導体素子２に接触しないように窓１２を形成
している。この窓１２は、幅ｄを半導体素子２の径より
僅かに大きく形成すると共に、下端部両側、つまり、半
田付け部４に対応する位置に半田当接部としてテーパ部
１３を形成し、このテーパ部１３が接地パターン面に盛
られた半田付け部４の上部に当接するようにしている。
上記窓１２の大きさは、例えば半導体素子２として直径
が２ｍｍ、厚さが１ｍｍ〜１．５ｍｍの素子を用いた場
合、図１（ｃ）に示すように幅ｄが４ｍｍ程度に設定さ
れる。この場合、窓１２の高さは、従来と同じ３ｍｍ程
度に設定される。
【００１２】そして、シールドケース１０は、各辺部に
設けた支持部１４をプリント基板１にネジ１５により固
定し、プリント基板１上の接地パターンに接続する。こ
のシールドケース１０をネジ止めする際に、シールド板
１１に形成したテーパ部１３を半田付け部４に上部に圧
接することにより、該半田付け部４を押し潰すようにし
ている。
設けた支持部１４をプリント基板１にネジ１５により固
定し、プリント基板１上の接地パターンに接続する。こ
のシールドケース１０をネジ止めする際に、シールド板
１１に形成したテーパ部１３を半田付け部４に上部に圧
接することにより、該半田付け部４を押し潰すようにし
ている。
【００１３】上記のようにシールド板１１に形成したテ
ーパ部１３で半田付け部４を押し潰すように構成するこ
とにより、シールド板１１を半導体素子２の近傍で確実
に接地できると共に、窓１２の幅を小さく形成でき、半
導体素子２の入出力間の隙間を小さくして電磁結合を防
止することができる。従って、半導体素子２の入出力間
の電磁結合によって生じる正帰還発振や周波数特性の劣
化を確実に防止することができる。
ーパ部１３で半田付け部４を押し潰すように構成するこ
とにより、シールド板１１を半導体素子２の近傍で確実
に接地できると共に、窓１２の幅を小さく形成でき、半
導体素子２の入出力間の隙間を小さくして電磁結合を防
止することができる。従って、半導体素子２の入出力間
の電磁結合によって生じる正帰還発振や周波数特性の劣
化を確実に防止することができる。
【００１４】なお、上記実施例では、シールド板１１の
下部に半田当接部としてテーパ部１３を形成したが、そ
の他、半田当接部を階段状に形成して半田付け部４に圧
接するようにしても良い。
下部に半田当接部としてテーパ部１３を形成したが、そ
の他、半田当接部を階段状に形成して半田付け部４に圧
接するようにしても良い。
【００１５】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、半
導体素子の入出力間を遮蔽するシールド板の窓の幅を半
導体素子より僅かに大きく形成すると共に、半導体素子
の接地リードに対応する位置に半田当接部を形成し、こ
の半田当接部が上記接地リード部分に盛られた半田の上
部に圧接するようにしたので、シールド板と半導体素子
の入出力間との隙間を小さくして、入出力間の電磁結合
を無くすことができる。従って、半導体素子の入出力間
の電磁結合によって生じる正帰還発振や周波数特性の劣
化を確実に防止することができる。
導体素子の入出力間を遮蔽するシールド板の窓の幅を半
導体素子より僅かに大きく形成すると共に、半導体素子
の接地リードに対応する位置に半田当接部を形成し、こ
の半田当接部が上記接地リード部分に盛られた半田の上
部に圧接するようにしたので、シールド板と半導体素子
の入出力間との隙間を小さくして、入出力間の電磁結合
を無くすことができる。従って、半導体素子の入出力間
の電磁結合によって生じる正帰還発振や周波数特性の劣
化を確実に防止することができる。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例に係るマイクロ波増
幅器の構成を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢
視断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図。
幅器の構成を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢
視断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図。
【図２】（ａ）は従来のマイクロ波増幅器の構成を示す
斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）
は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図。
斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）
は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図。
１ プリント基板 ２ 半導体素子 ３ 接地リード ４ 半田付け部 ５ 入出力端子 １０ シールドケース １１ シールド板 １２ 窓 １３ テーパ部 １４ 支持部 １５ ネジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03F 3/60 H05K 9/00
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を用いたマイクロ波増幅器に
おいて、左右両端に入出力端子を有すると共に上記入出
力端子間において該入出力端子と直角な方向に接地リー
ドを有し、該接地リードがプリント基板の接地パターン
に半田付けされる半導体素子と、上記半導体素子の入出
力端子間を遮蔽するように上記プリント基板上に設けら
れ、上記半導体素子に対応する部分に該半導体素子より
僅かに大きい窓を形成すると共に、上記接地リードの半
田付け部分に対応する位置に半田当接部を形成してなる
シールド板と、このシールド板を上記半田当接部が上記
接地リードの半田付け部分に圧接するように上記プリン
ト基板に保持する手段とを具備したことを特徴とするマ
イクロ波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6028092A JP2983137B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | マイクロ波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6028092A JP2983137B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | マイクロ波増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240644A JPH07240644A (ja) | 1995-09-12 |
| JP2983137B2 true JP2983137B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=12239150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6028092A Expired - Fee Related JP2983137B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | マイクロ波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2983137B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2891299B2 (ja) * | 1997-05-02 | 1999-05-17 | 日本電気株式会社 | 半導体マイクロ波増幅器 |
| KR100526238B1 (ko) * | 1998-07-20 | 2006-01-12 | 삼성전기주식회사 | 발진방지기능을 구비한 저잡음증폭기 |
-
1994
- 1994-02-25 JP JP6028092A patent/JP2983137B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07240644A (ja) | 1995-09-12 |
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