JP2950342B2 - Ｘ線回転アノード - Google Patents
Ｘ線回転アノードInfo
- Publication number
- JP2950342B2 JP2950342B2 JP3000217A JP21791A JP2950342B2 JP 2950342 B2 JP2950342 B2 JP 2950342B2 JP 3000217 A JP3000217 A JP 3000217A JP 21791 A JP21791 A JP 21791A JP 2950342 B2 JP2950342 B2 JP 2950342B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- carbide
- tungsten
- ray
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
- H01J35/108—Substrates for and bonding of emissive target, e.g. composite structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/08—Targets (anodes) and X-ray converters
- H01J2235/083—Bonding or fixing with the support or substrate
- H01J2235/084—Target-substrate interlayers or structures, e.g. to control or prevent diffusion or improve adhesion
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は黒鉛の担体と、タングス
テン又はタングステン合金のターゲット層と、担体及び
ターゲット層間に存在するシリコン−カーバイド層とか
らなるＸ線回転アノードに係る。
テン又はタングステン合金のターゲット層と、担体及び
ターゲット層間に存在するシリコン−カーバイド層とか
らなるＸ線回転アノードに係る。
【０００２】
【従来の技術】そのようなＸ線回転アノードはＸ線管、
特に医療用Ｘ線管に用いられる。該Ｘ線管では、カソー
ドから生じる高エネルギーの電子が回転アノードのター
ゲット層上に発せられる。電子がターゲット層に届く
時、該エネルギーの少量だけがＸ線の形で放射され；大
部分（略９９％）は熱に変換される。Ｘ線管内は真空な
ので、熱の消失は主として放射により起こる。黒鉛は高
熱放出係数を有する材料である。更に、その特定の質量
はモリブデン又はモリブデンを含む合金のような他の従
来の担体材料に対して低い。低い特定の質量は回転アノ
ードの高速を可能にし、従って熱負荷の増加を可能にす
る。
特に医療用Ｘ線管に用いられる。該Ｘ線管では、カソー
ドから生じる高エネルギーの電子が回転アノードのター
ゲット層上に発せられる。電子がターゲット層に届く
時、該エネルギーの少量だけがＸ線の形で放射され；大
部分（略９９％）は熱に変換される。Ｘ線管内は真空な
ので、熱の消失は主として放射により起こる。黒鉛は高
熱放出係数を有する材料である。更に、その特定の質量
はモリブデン又はモリブデンを含む合金のような他の従
来の担体材料に対して低い。低い特定の質量は回転アノ
ードの高速を可能にし、従って熱負荷の増加を可能にす
る。
【０００３】前記のタイプのＸ線回転アノードはフラン
ス国特許明細書第２５９３３２５号で知られている。該
明細書に記載のＸ線回転アノードは黒鉛の担体と、タン
グステン又はタングステン合金のターゲット層と、例え
ばレニウム又はシリコンカーバイドの中間層とからな
る。かかる中間層は、ターゲット層及び担体間の接着を
強め、黒鉛からタングステン層への炭素の拡散を減少す
る。
ス国特許明細書第２５９３３２５号で知られている。該
明細書に記載のＸ線回転アノードは黒鉛の担体と、タン
グステン又はタングステン合金のターゲット層と、例え
ばレニウム又はシリコンカーバイドの中間層とからな
る。かかる中間層は、ターゲット層及び担体間の接着を
強め、黒鉛からタングステン層への炭素の拡散を減少す
る。
【０００４】熱放射による熱の発生を増すため、Ｘ線回
転アノードの動作温度を現在の約１４００℃から約１６
００℃に増すことが望ましい。
転アノードの動作温度を現在の約１４００℃から約１６
００℃に増すことが望ましい。
【０００５】供給された放射エネルギーは放射体の絶対
温度の第４のパワーに比例するので、この温度増加は熱
放射エネルギーの出力が倍増されることを意味する。
温度の第４のパワーに比例するので、この温度増加は熱
放射エネルギーの出力が倍増されることを意味する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】公知のＸ線回転アノー
ドの欠点は、そのような高動作温度にてシリコンカーバ
イド中間層から生じる炭素はタングステン層に拡散し、
タングステンカーバイドを形成することである。そのよ
うな高動作温度にて、レニウム中間層は黒鉛担体からタ
ングステン層への炭素の拡散を十分に防がず、これによ
りタングステンカーバイドは更に形成される。かかるタ
ングステンカーバイドはもろく各中間層及びタングステ
ンターゲット層間に機械的応力を生じる。タングステン
ターゲット層及び中間層間の層間剥離は温度の大きな変
化で起こり、それによりターゲット層を中間層を介して
黒鉛担体に十分に接触させない。次にターゲット層の温
度は制御できないくらい上昇し、その結果ターゲット層
は完全に分離及び／又は溶融される。
ドの欠点は、そのような高動作温度にてシリコンカーバ
イド中間層から生じる炭素はタングステン層に拡散し、
タングステンカーバイドを形成することである。そのよ
うな高動作温度にて、レニウム中間層は黒鉛担体からタ
ングステン層への炭素の拡散を十分に防がず、これによ
りタングステンカーバイドは更に形成される。かかるタ
ングステンカーバイドはもろく各中間層及びタングステ
ンターゲット層間に機械的応力を生じる。タングステン
ターゲット層及び中間層間の層間剥離は温度の大きな変
化で起こり、それによりターゲット層を中間層を介して
黒鉛担体に十分に接触させない。次にターゲット層の温
度は制御できないくらい上昇し、その結果ターゲット層
は完全に分離及び／又は溶融される。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的の一つは、
前記のタイプのＸ線回転アノードを提供することで、こ
こで前記欠点は克服される。
前記のタイプのＸ線回転アノードを提供することで、こ
こで前記欠点は克服される。
【０００８】この為に、本発明によるＸ線回転アノード
は、窒化チタン層がシリコン−カーバイド層及びターゲ
ット層間に介在されることを特徴とする。該窒化チタン
層はシリコン−カーバイド層からの炭素に対する拡散障
壁層として役立つ。出願人が行なった実験は、シリコン
−カーバイド層が省かれる時、窒化チタン層の使用が黒
鉛担体から生じる炭素の拡散を十分に防がないことを示
した。シリコン−カーバイド及び窒化チタンの二重中間
層の組合せは、はっきり示される炭素拡散なしに、長い
温度負荷を最小には１６００℃まで可能にする。
は、窒化チタン層がシリコン−カーバイド層及びターゲ
ット層間に介在されることを特徴とする。該窒化チタン
層はシリコン−カーバイド層からの炭素に対する拡散障
壁層として役立つ。出願人が行なった実験は、シリコン
−カーバイド層が省かれる時、窒化チタン層の使用が黒
鉛担体から生じる炭素の拡散を十分に防がないことを示
した。シリコン−カーバイド及び窒化チタンの二重中間
層の組合せは、はっきり示される炭素拡散なしに、長い
温度負荷を最小には１６００℃まで可能にする。
【０００９】本発明によるＸ線回転アノードの望ましい
実施例は、窒化チタン層が２から２０μｍの厚さを有す
ることを特徴とする。２μｍ以下の厚さで、炭素拡散は
十分に防がれず、一方２０μｍの厚さ以上で、層の熱伝
導は著しく低下する。望ましい層の厚さは略４μｍであ
る。窒化チタン層は、望ましくは例えばＴｉＣｌ4 及び
Ｎ2 の反応による「化学的蒸着」（ＣＶＤ）で与えられ
るが、スパッタリング又は反応スパッタリングによって
も得られる。
実施例は、窒化チタン層が２から２０μｍの厚さを有す
ることを特徴とする。２μｍ以下の厚さで、炭素拡散は
十分に防がれず、一方２０μｍの厚さ以上で、層の熱伝
導は著しく低下する。望ましい層の厚さは略４μｍであ
る。窒化チタン層は、望ましくは例えばＴｉＣｌ4 及び
Ｎ2 の反応による「化学的蒸着」（ＣＶＤ）で与えられ
るが、スパッタリング又は反応スパッタリングによって
も得られる。
【００１０】本発明によるＸ線回転アノードの他の実施
例は、シリコン−カーバイド層が２０から１５０μｍ間
の厚さを有することを特徴とする。２０μｍの厚さ以下
で、黒鉛担体からの炭素の拡散は十分に防がれず、一方
１５０μｍ以上の厚さで、層の熱伝導は著しく低下し、
もろさが増す。望ましい層の厚さは略６０μｍである。
シリコン−カーバイド層は例えばアルキルクロロシラン
及びＨ2 の反応によりＣＶＤにより有利に与えられう
る。望ましいシランは例えばジメチルジクロロシランで
ある。
例は、シリコン−カーバイド層が２０から１５０μｍ間
の厚さを有することを特徴とする。２０μｍの厚さ以下
で、黒鉛担体からの炭素の拡散は十分に防がれず、一方
１５０μｍ以上の厚さで、層の熱伝導は著しく低下し、
もろさが増す。望ましい層の厚さは略６０μｍである。
シリコン−カーバイド層は例えばアルキルクロロシラン
及びＨ2 の反応によりＣＶＤにより有利に与えられう
る。望ましいシランは例えばジメチルジクロロシランで
ある。
【００１１】本発明によるＸ線回転アノードのターゲッ
ト層はタングステン又はタングステン合金からなる。こ
の為に公知の全ての合金は望ましい結果を生じる。特に
満足な結果はタングステン−レニウム合金（０−１０ａ
ｔ％のレニウム）で得られる。ターゲット層はプラズマ
スプレー塗装、アークスプレー塗装、火炎パウダースプ
レー塗装及び火炎ワイヤスプレー塗装のような熱スプレ
ー塗装により与えられるが、望ましくはＣＶＤが用いら
れる。タングステン層はＨ2 とのＷＦ6 の反応により与
えられ、反応混合へのＲｅＦ6 の付加はタングステン−
レニウム合金の形成を導く。
ト層はタングステン又はタングステン合金からなる。こ
の為に公知の全ての合金は望ましい結果を生じる。特に
満足な結果はタングステン−レニウム合金（０−１０ａ
ｔ％のレニウム）で得られる。ターゲット層はプラズマ
スプレー塗装、アークスプレー塗装、火炎パウダースプ
レー塗装及び火炎ワイヤスプレー塗装のような熱スプレ
ー塗装により与えられるが、望ましくはＣＶＤが用いら
れる。タングステン層はＨ2 とのＷＦ6 の反応により与
えられ、反応混合へのＲｅＦ6 の付加はタングステン−
レニウム合金の形成を導く。
【００１２】
【実施例】本発明は、実施例及び機械的作業を受けた後
本発明によるＸ線回転アノードの概略的断面図である添
付図面により更に詳細に説明される。
本発明によるＸ線回転アノードの概略的断面図である添
付図面により更に詳細に説明される。
【００１３】添付図面中、参照番号１は本発明によるＸ
線回転式アノードの概略断面図を示す。黒鉛担体は９０
mmの直径を有する黒鉛ディスク３からなり、超音波的に
蒸留水により続いてイソプロパノールにより清浄され
る。次に、ディスクは１０００℃の温度で一時間真空状
態で焼鈍される。６０μｍの厚さを有するシリコン−カ
ーバイド層７はＣＶＤにより「熱壁」反応器で与えられ
る。一気圧１２００℃の温度で反応が行なわれ、Ｈ2 及
び１０ｖｏｌ％のジメチルジクロロシランの混合体が反
応器に導入される。シリコン−カーバイド層の析出速度
は一時間当たり略１５μｍである。次に、ディスクは室
温でジクロロジフルオロエタンで超音波清浄される。
線回転式アノードの概略断面図を示す。黒鉛担体は９０
mmの直径を有する黒鉛ディスク３からなり、超音波的に
蒸留水により続いてイソプロパノールにより清浄され
る。次に、ディスクは１０００℃の温度で一時間真空状
態で焼鈍される。６０μｍの厚さを有するシリコン−カ
ーバイド層７はＣＶＤにより「熱壁」反応器で与えられ
る。一気圧１２００℃の温度で反応が行なわれ、Ｈ2 及
び１０ｖｏｌ％のジメチルジクロロシランの混合体が反
応器に導入される。シリコン−カーバイド層の析出速度
は一時間当たり略１５μｍである。次に、ディスクは室
温でジクロロジフルオロエタンで超音波清浄される。
【００１４】次に、４μｍの圧さを有する窒化チタン層
９はＣＶＤにより「熱壁」反応器で与えられる。一気圧
で９００°の温度で反応が行なわれる。反応混合はＨ2
と、２ｖｏｌ％のＴｉｃｌ4 及び２０ｖｏｌ％のＮ２と
からなる。窒化チタン層の析出速度は一時間当たり略１
μｍである。
９はＣＶＤにより「熱壁」反応器で与えられる。一気圧
で９００°の温度で反応が行なわれる。反応混合はＨ2
と、２ｖｏｌ％のＴｉｃｌ4 及び２０ｖｏｌ％のＮ２と
からなる。窒化チタン層の析出速度は一時間当たり略１
μｍである。
【００１５】「熱壁」反応器では、７００μｍの厚さの
タングステン−レニウム合金の層１１が窒化チタン層９
上に設けられる。１０ミリバールの圧力，、８５０℃の
温度で反応が行なわれる。１０００ｓｃｃｍのＨ2 、１
００ｓｃｃｍのＷＦ6 ，１０ｓｃｃｍのＲｅＦ6 が反応
器空間内に導入される。タングステン−レニウム層の析
出速度は一時間当り１００μｍである。この作業では、
ディスクの一側１５が被覆される。得られたタングステ
ン層は１０ａｔ％のレニウム（Ｒｅ）を含む。ディスク
は図示されていない軸を収納する円筒形中央開口５が設
けられる。タングステン−レニウム（Ｗ−Ｒｅ）層１１
はシリコン−カーバイドにより５００μｍの厚さに磨か
れる。ディスクの下側１３は又シリコン−カーバイド及
び窒化チタン（図示せず）の層を含む。これらの層はダ
イヤモンドを設けた研磨ディスクにより黒鉛まで磨減さ
れ、これにより下側１３は黒鉛面を有する。
タングステン−レニウム合金の層１１が窒化チタン層９
上に設けられる。１０ミリバールの圧力，、８５０℃の
温度で反応が行なわれる。１０００ｓｃｃｍのＨ2 、１
００ｓｃｃｍのＷＦ6 ，１０ｓｃｃｍのＲｅＦ6 が反応
器空間内に導入される。タングステン−レニウム層の析
出速度は一時間当り１００μｍである。この作業では、
ディスクの一側１５が被覆される。得られたタングステ
ン層は１０ａｔ％のレニウム（Ｒｅ）を含む。ディスク
は図示されていない軸を収納する円筒形中央開口５が設
けられる。タングステン−レニウム（Ｗ−Ｒｅ）層１１
はシリコン−カーバイドにより５００μｍの厚さに磨か
れる。ディスクの下側１３は又シリコン−カーバイド及
び窒化チタン（図示せず）の層を含む。これらの層はダ
イヤモンドを設けた研磨ディスクにより黒鉛まで磨減さ
れ、これにより下側１３は黒鉛面を有する。
【００１６】従って、処理されたＸ線アノード１は超音
波的に蒸留水で、次にイソプロパノールにより清浄され
る。次にＸ線アノードは１０００℃で一時間真空状態で
焼成される。
波的に蒸留水で、次にイソプロパノールにより清浄され
る。次にＸ線アノードは１０００℃で一時間真空状態で
焼成される。
【００１７】本発明によるＸ線アノードは１６００℃で
６時間真空状態で焼成される。Ｘ線アノードの金属組織
部が作られ、その部分は顕微鏡検査を受ける。カーバイ
ドは窒化チタン及びタングステン間の中間面で検出され
ない。分離の兆しは層状構造に観測されない。 比較例１ 比較例として、Ｘ線アノードはこの違いを有する上記方
法により構造され、この場合は６０μｍの厚さを有する
シリコン−カーバイドの一つの中間層が用いられる。１
６００℃で６時間の真空状態での熱処理の後、タングス
テン−カーバイドはシリコンカーバイド及びタングステ
ンの界面に沿って観測される。 比較例２ 比較例１は、１０μｍの厚さを有する窒化チタンの一つ
の中間層を用いて、繰り返される。該温度処理は窒化チ
タン及びタングステンの界面に沿ってタングステンカー
バイドを生じる。 比較例３ 比較例１は、１０μｍの厚さを有するレニウムの一つの
中間層を用いて繰り返される。該温度処理はレニウム及
びタングステンの界面に沿ってタングステンカーバイド
を生じる。
６時間真空状態で焼成される。Ｘ線アノードの金属組織
部が作られ、その部分は顕微鏡検査を受ける。カーバイ
ドは窒化チタン及びタングステン間の中間面で検出され
ない。分離の兆しは層状構造に観測されない。 比較例１ 比較例として、Ｘ線アノードはこの違いを有する上記方
法により構造され、この場合は６０μｍの厚さを有する
シリコン−カーバイドの一つの中間層が用いられる。１
６００℃で６時間の真空状態での熱処理の後、タングス
テン−カーバイドはシリコンカーバイド及びタングステ
ンの界面に沿って観測される。 比較例２ 比較例１は、１０μｍの厚さを有する窒化チタンの一つ
の中間層を用いて、繰り返される。該温度処理は窒化チ
タン及びタングステンの界面に沿ってタングステンカー
バイドを生じる。 比較例３ 比較例１は、１０μｍの厚さを有するレニウムの一つの
中間層を用いて繰り返される。該温度処理はレニウム及
びタングステンの界面に沿ってタングステンカーバイド
を生じる。
【００１８】比較例は、シリコンカーバイド、窒化チタ
ン又はレニウムの中間層がカーバイドの形成を妨がない
ことを示す。シリコンカーバイド及び窒化チタンからな
る中間層は炭素用の優れた拡散隔壁であり、カーバイド
の形成を十分に防ぐ。
ン又はレニウムの中間層がカーバイドの形成を妨がない
ことを示す。シリコンカーバイド及び窒化チタンからな
る中間層は炭素用の優れた拡散隔壁であり、カーバイド
の形成を十分に防ぐ。
【図１】Ｘ線回転アノードの断面図である。
１ Ｘ線回転アノード ３ 黒鉛ディスク ５ 開口 ７ シリコン−カーバイド層 ９ 窒化チタン層 １１ Ｗ−Ｒｅ層 １３ 下側 １５ 一側
フロントページの続き (73)特許権者 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔ ｈｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 ベルナルド ジョゼフ ピーテル ヴァ ン リーネン オランダ国 5621 ビーエー アインド ーフェン フルーネヴァウツウエッハ １番地 (72)発明者 ヘルマン ウィリブロダス ピーテルズ マ オランダ国 5621 ビーエー アインド ーフェン フルーネヴァウツウエッハ １番地 (56)参考文献 特開 平３−159043（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−228553（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 35/10
Claims (5)
- 【請求項１】 黒鉛の担体及びタングステン又はタング
ステン合金のターゲット層と、担体及びターゲット層間
に存在するシリコン−カーバイドとからなり、窒化チタ
ン層はシリコン−カーバイド層及びターゲット層間に介
在することを特徴とするＸ線回転アノード。 - 【請求項２】 窒化チタン層は２から２０μｍの厚さを
有することを特徴とする請求項１のＸ線回転アノード。 - 【請求項３】 シリコン−カーバイド層は２０から１５
０μｍの間の厚さを有することを特徴とする請求項１又
は２のＸ線回転アノード。 - 【請求項４】 ターゲット層は０−１０ａｔ％のレニウ
ムを含むことを特徴とする請求項１，２又は３のＸ線回
転アノード。 - 【請求項５】 シリコン−カーバイド，窒化チタン及び
ターゲット層がＣＶＤにより設けられることを特徴とす
る請求項１乃至４のうちいずれか一項のＸ線回転アノー
ド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9000061 | 1990-01-10 | ||
| NL9000061A NL9000061A (nl) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | Roentgendraaianode. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04154033A JPH04154033A (ja) | 1992-05-27 |
| JP2950342B2 true JP2950342B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=19856394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3000217A Expired - Lifetime JP2950342B2 (ja) | 1990-01-10 | 1991-01-07 | Ｘ線回転アノード |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5099506A (ja) |
| EP (1) | EP0436983B1 (ja) |
| JP (1) | JP2950342B2 (ja) |
| AT (1) | ATE120032T1 (ja) |
| DE (1) | DE69017877T2 (ja) |
| NL (1) | NL9000061A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6289080B1 (en) * | 1999-11-22 | 2001-09-11 | General Electric Company | X-ray target |
| DE102004025997A1 (de) * | 2004-05-27 | 2005-12-22 | Feinfocus Gmbh | Einrichtung zur Erzeugung und Emission von XUV-Strahlung |
| US7197116B2 (en) * | 2004-11-16 | 2007-03-27 | General Electric Company | Wide scanning x-ray source |
| US8165269B2 (en) * | 2008-09-26 | 2012-04-24 | Varian Medical Systems, Inc. | X-ray target with high strength bond |
| CN102257591B (zh) * | 2008-12-17 | 2014-06-04 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 将高z焦点轨迹层附着于用作旋转阳极靶的碳-碳复合衬底 |
| FR2962591B1 (fr) | 2010-07-06 | 2017-04-14 | Acerde | Anode pour l'emission de rayons x et procede de fabrication d'une telle anode |
| US9142383B2 (en) | 2012-04-30 | 2015-09-22 | Schlumberger Technology Corporation | Device and method for monitoring X-ray generation |
| JP2013239317A (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-28 | Canon Inc | 放射線発生ターゲット、放射線発生装置および放射線撮影システム |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USH547H (en) * | 1986-11-13 | 1988-11-01 | General Electric Company | X-ray tube target |
| FR2242775A1 (en) * | 1973-08-31 | 1975-03-28 | Radiologie Cie Gle | Rotary anode for X-ray tubes - using pseudo-monocrystalline graphite for better heat conduction |
| USRE31560E (en) * | 1977-04-18 | 1984-04-17 | General Electric Company | Graphite disc assembly for a rotating x-ray anode tube |
| FR2593325A1 (fr) * | 1986-01-21 | 1987-07-24 | Thomson Cgr | Anode tournante a graphite pour tube radiogene |
| JPH0731993B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1995-04-10 | 株式会社日立製作所 | Ｘ線管用ターゲット及びそれを用いたｘ線管 |
| FR2651370B1 (fr) * | 1989-08-31 | 1991-12-06 | Comurhex | Anticathode tournante de tube a rayons x. |
| US4972449A (en) * | 1990-03-19 | 1990-11-20 | General Electric Company | X-ray tube target |
-
1990
- 1990-01-10 NL NL9000061A patent/NL9000061A/nl not_active Application Discontinuation
- 1990-12-18 EP EP90203388A patent/EP0436983B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-18 DE DE69017877T patent/DE69017877T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-18 AT AT90203388T patent/ATE120032T1/de not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-01-04 US US07/638,256 patent/US5099506A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-07 JP JP3000217A patent/JP2950342B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE120032T1 (de) | 1995-04-15 |
| EP0436983B1 (en) | 1995-03-15 |
| EP0436983A1 (en) | 1991-07-17 |
| US5099506A (en) | 1992-03-24 |
| NL9000061A (nl) | 1991-08-01 |
| DE69017877D1 (de) | 1995-04-20 |
| DE69017877T2 (de) | 1995-10-12 |
| JPH04154033A (ja) | 1992-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4972449A (en) | X-ray tube target | |
| US4516255A (en) | Rotating anode for X-ray tubes | |
| US4090103A (en) | X-ray target | |
| US5414748A (en) | X-ray tube anode target | |
| US20110249803A1 (en) | Attachment of a high-z focal track layer to a carbon-carbon composite substrate serving as a rotary anode target | |
| JP2950342B2 (ja) | Ｘ線回転アノード | |
| US5148463A (en) | Adherent focal track structures for X-ray target anodes having diffusion barrier film therein and method of preparation thereof | |
| JPH01112646A (ja) | Ｘ線管ターゲット用の熱放射性被膜 | |
| JPS6232573B2 (ja) | ||
| US6301333B1 (en) | Process for coating amorphous carbon coating on to an x-ray target | |
| JP2955605B2 (ja) | Ｘ線管用回転陽極及びその製造方法 | |
| JPH0334244A (ja) | コーティング付き物品 | |
| JPS63228553A (ja) | Ｘ線管用ターゲット及びそれを用いたｘ線管 | |
| JP2000082430A (ja) | Ｘ線発生用ターゲット及びこれを用いたｘ線管 | |
| JPH02172149A (ja) | 回転陽極ｘ線管用ターゲツト | |
| JP2791977B2 (ja) | Ｘ線管用回転陽極及びその製造方法 | |
| JPS6139352A (ja) | Ｘ線管回転陽極とその製法 | |
| JPH07153370A (ja) | 放電管 | |
| JPS6166349A (ja) | Ｘ線管用回転陽極タ−ゲツトおよびその製造方法 | |
| EP0185598B1 (fr) | Anode tournante pour tube à rayons X | |
| JP3233308B2 (ja) | Ｘ線管用回転陽極 | |
| JPS5981847A (ja) | 高出力ｘ線回転陽極 | |
| JP2766931B2 (ja) | Ｘ線管用ターゲット及びその製造方法並びにｘ線管 | |
| JPH021329B2 (ja) | ||
| JPH05307941A (ja) | 回転陽極ｘ線管 |