JPS6166349A - X線管用回転陽極タ−ゲツトおよびその製造方法 - Google Patents

X線管用回転陽極タ−ゲツトおよびその製造方法

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JPS6166349A
JPS6166349A JP18774384A JP18774384A JPS6166349A JP S6166349 A JPS6166349 A JP S6166349A JP 18774384 A JP18774384 A JP 18774384A JP 18774384 A JP18774384 A JP 18774384A JP S6166349 A JPS6166349 A JP S6166349A
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ray tube
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rotating anode
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Noboru Baba
昇 馬場
Tsuneo Yamada
常雄 山田
Yusaku Nakagawa
雄策 中川
Munetomo Kotabe
小田部 宗倫
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Hitachi Healthcare Manufacturing Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00X-ray tubes
    • H01J35/02Details
    • H01J35/04Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
    • H01J35/08Anodes; Anti cathodes
    • H01J35/10Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
    • H01J35/108Substrates for and bonding of emissive target, e.g. composite structures

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はX線管用回転陽極ターゲットおよびその製造方
法に係り、特に軽量、大口径の大容量X線管用回転陽極
ターゲットの構造およびその製造方法に関する。
〔発明の背景〕
熱陰極を利用してX線を発生させるX線管は、陰極に対
向して熱電子衝撃を受ける陽極が設けられている。医療
用X線管の陽極は、回転構造になっており、一般に回転
陽極ターゲット(以下、単にターゲットと称す)と呼ば
れている。このターゲットは回転軸の上部に取付けられ
て円盤状をなし、この円盤の表面に熱陽極から放出され
る電子線を照射することによりX線を発生させるもので
ある。
従来、このようなターゲットとしては、タングステンお
よびタングステン合金とモリブデンから焼結鍛造等で製
造した全金属製のものが一般的である。近年、医療機器
の急激な進歩によって、スループプロット(単位時間当
りの患者数)を大きく且つ鮮明な情報を得る等の必要か
ら高出力化を図るため大容量ターゲットが要求されてい
る。
大容量ターゲットを得るためにはターゲット基板からの
熱放射をよくすると共に、ターゲット基板を大口径化し
て単位面積当りに蓄積される熱量を小さくする必要があ
る。さらに、回転数を上げてターゲット基板からの熱放
出を向上させることが必要である。
この要求に厄するターゲットとして、■電子放射面(X
a源発生部)のみをタングステンあるいはタングステン
合金とし、その他の部分はこれらの合金より比重が小さ
く且つ比熱の大きいモリブデンを用いた金属ターゲット
、■熱放射をよくするために電子放射面とは反対の面に
金属酸化物(例えば、T iOz 、hLxos、Zr
0z 、CaO等)の単体あるいは混合粉末を溶射法等
によシ吹付けて黒化処理したもの、さらに■金属ターゲ
ットの裏面に黒鉛を高融点金属ろうで接着したターゲッ
ト等が開発されている。
しかし、従来のターゲットでは比重の大きい金属が主体
であシ、ターゲットを大口径にして回転数を上げるとタ
ーゲットを支持する回転軸その他の部品が強度的に限界
がある一方、撮映時におけるターゲットのクイックスタ
ート、ストップに限界が生ずる。
そこで最近ではこの問題を解決するため、軽量且つ耐熱
性に優れる黒鉛基板上にX線発生源材料のタングステン
やタングステン合金をCVD((::hemical 
vapor Deposition )法によシ積層し
たターゲットが研究されている。このターゲットは基板
が軽量の黒鉛であるため大口径のターゲットとして好都
合である。
しかしながら、このターゲットでは、回転数を上げて大
容量高輝度化を図るには黒鉛自体の材料破壊強度面で限
度があシ強度的に問題を有していた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、軽量、大口径でかつ高速回転に耐えう
る大容量のX線管用ターゲットを提供することにある。
〔発明の概要〕
熱陰極から放出された電子線はターゲット表面で七のエ
ネルギーのほとんどが熱に変換される。
従ってターゲット基板に要求される性質は耐熱性。
熱伝導性が高いことおよび回転強度が大きいことである
。これらを満足するものとしてセラミックスがある。特
にBed(酸化ベリリウム)を含有した5iC(炭化珪
素)は黒鉛にくらべ5〜10倍の曲げ強度があシ熱伝導
率も金属アルミニウムと同等で黒鉛の2倍程度の性質を
有する。
しかしこのセラミックスを基板材として用いる場合には
1つの問題点が残る。セラミックスは難加工性であり一
般的な傘形ターゲットを得るには高価である。そこで安
価で且つセラミックスの回転強度得性を生かすことがで
きるターゲットを発明するに至った。すなわち第1の本
発明は、軽量で且つ高速回転に耐え得る大容量のX線管
用回転陽極ターゲットに関するもので、中心に回転軸を
軸止する取付穴を有すると共に1上面の外周に傘形傾斜
部を有するX線管用回転陽極ターゲットにおいて、前記
ターゲットが電気伝導材と高強度材とを交互に積層する
円盤状複合体であって、該複合体の少なくとも上部が電
気伝導材であることを特徴としている。
一方、第2の発明は、上記の軽量且つ高速回転に耐え得
る大容量のXm管用回転陽極ターゲットの割れを発生す
ることなく且つ簡単に得ることができる製造方法に関し
、中心に回転軸を軸止する取付穴を有すると共に上部円
周に傘形傾斜部を有する複合体からなるX線管用回転陽
極ターゲットを製造する方法において、前記複合体の中
心部に中子材を介在させて電気伝導材と高強度材とを交
互に積層し焼成することを特徴とするものでおる。
第1図は本発明のX線管用回転陽極ターゲットの一例を
示す断面図であって、セラミックス1上に黒鉛2を積層
しその上面の円周に形成される傘形傾斜部3にX線発生
材料が被覆されている。そして円盤上の複合体の中心を
貫通して回転軸の取付穴4が形成されている。このよう
なターゲットを製造するに際して、黒鉛の型内にセラミ
ックス粉末を入れて、ホットプレスによシ焼成し、その
後黒鉛の型を大気中で燃焼させて除去するか、あるいは
研摩によって取シ除くことによって円盤状の複合体が得
られる。このようにして得られるターゲット基板は、傘
形傾斜部3が黒鉛2で形成されているため加工が容易で
あシ且つ回転数を上げるために必要な強度はセラミック
ス1で維持するため軽量で且つ高速回転に耐え得る大容
量のX線管用回転陽極ターゲットを得ることができる。
このターゲットは陽極であるため、絶縁性のセラミック
スをターゲット基板として用いるにはX線発生源材料3
と回転軸とを導通する必要がある。本発明のターゲット
は、第1図に示すように、基板の表面が電気伝導性材料
である黒鉛2で形成されているため傘形傾斜部のX線発
生源材料3と回転軸とは導通される。
一方、第1図に示したターゲットを試作し回転破壊試験
を行って従来の黒鉛基板のみのターゲットと比較すると
、本発明のターゲットは従来のターゲットよ93倍以上
の高速回転に耐え得ることができる。このターゲットを
製造するに際しては、ターゲットの上面の傘形傾斜部3
にCVD法でX線発生源材料を被覆した層、ターゲット
の裏面のセラミックス層1さらに基板の中心に穿設する
回転軸取付穴41等を仕上げ加工する際にセラミックス
基板上に夛ラックが発生することがある。このクラック
は応力集中の起点となって破損につながる。破損の原因
を詳しく調査してみると、クラックは回転軸取付穴のセ
ラミックスのエッチ部が起点であると共に、ミクロ的観
察でクラックの伝播は黒鉛の界面で止っている。すなわ
ち黒鉛はクラックの伝播の防止材として働くものでアシ
、セラミックスと黒鉛とを交互に積層した複合体をター
ゲットとして用いれば、軽量、大口径で且つ高速回転に
耐え得る大容量のX線管用夕、−ゲットを製造すること
ができることを見出した。
さらに、ターゲットの回転軸取付穴となる部分はセラミ
ックスと黒鉛とを交互に積層して焼成する際に、高耐熱
性で且つセラミックスより加工性が容易である材料を中
子として介在させれば取付穴の加工が容易となシ、より
安価なターゲットを製造することができる。
第2の発明はこのような見知に基づいてなされたもので
、中心に中子材を介’EEさせ電気伝導材と高強度材と
を交互に積層して形成することt−特徴としている。こ
のように製造されるターゲット基板は少なくとも上部が
黒鉛ある−はM鉛を主体とする材料であることが好まし
い。ま九、lR層される複合体の中心に設けた中子材は
高耐熱性ンよび高加工性の材料から形成されているから
ホットプレスを行った後の大関は仕上げが容易となる。
以下、本発明の実施例ta明する。
〔発明の実施例〕
〈実施例1〉 黒鉛トセラミックスの複合体の製作は、SiCとBeO
の粉末および焼結助剤を混合して造粒し、圧粉成形後、
黒鉛星材に充填してホットプレスした。黒鉛は引gkI
jE[250kgf/cd 、比重1.7?。
熱膨張係数46XIQ−’/Cで、FD−11材相当品
(日立化成(株)a)1kM!Aた。黒鉛とセラミック
スとの複合体をターゲット基板として用いる場合、その
界面の密層力が問題であり、少なくとも強度の小さい黒
鉛内部で破壊することが望ましい。そこでホットプレス
して得た複合体から15mQx 12tam厚さく8i
C2m、黒鉛10■厚さ〕の引張試験片を採取し、複合
体の両端面に引張治具を熱硬化性エポキシ樹脂で接着し
た後引張試験を行った。また実際のX線管用ターゲット
では電子線照射エネルギーのほとんどが熱に変換される
ため、ターゲット基板は熱サイクルを受ける。そこで本
複合体は200〜1o00t:’に加熱した後、5o−
xooc/adsの冷却速度で急熱急冷する熱ティクル
を3回縁シ返す熱処理を施したものについて引張試験を
行った。
第2図は焼成材および熱処理材の引張試験の比較結果を
示すグラフであって、焼成材および熱処理材とも200
 kg f/ad程度の引張強度を示し、引張破断部は
いずれも黒鉛内部であった。従って黒鉛とセラミックス
の複合体界面は急熱急冷の熱サイクルにも充分耐え得る
基板であることが判明した。
〈実施例2〉 セラミックスの焼成に用いる黒鉛散材はホットプレスで
強固に接着し、接着ろう等は一切不要である。これを利
用して第3図に示す断面構造のターゲットを製作した。
傘形傾斜部3の仕上げ等でチャックされるターゲット上
下面は黒鉛2とし、セラミックスエをテンドイツチした
もので超音波加工によって精度よく仕上げられた回転軸
の取付用穴4と電子線の照射を受ける傘形傾斜部3のX
線発生源材料5からなる。本ターゲットは同一形状の黒
鉛のみで製作したものと比較すると2倍以上の回転破壊
強度を有することがわかった。さらに第1図に示した構
造は裏面がセラミックス1であるのに対し、第2図では
黒鉛2であるため仕上げ加工が容易である。
〈実施例3〉 ターゲットは高速回転物であシ、回転軸の取付用穴4の
加工精度は100〜1000分の1mが要求される。実
施例2で述べた超音波加工では穴開は加工に相当の時間
がかかる。そこでセラミックス焼成時に予め黒鉛製の中
子を挿入してホットプレスしてその後穴開は加工を行っ
た。その結果穴開は加工!IC要する時間が4分の1以
下に短縮できた。さらに回転破壊強度は実施例2と同様
であることがわかつ九。
〈実施例4〉 黒鉛とセラミックスの積層複合体にクラックが発生した
場合、黒鉛がクラックの伝播を阻止する。
そこで実施例2および3で述べた積層をさらに多層にす
れば、万一にセラミックスにクラックが発生した場合で
も最少限にくい止められ、安全性の面からも優れている
。そこで第4図に示す断面構造であって、その中心部に
黒鉛性中子6を介在させ2層のセラ“ミックス1,1を
挾み込む状態で黒鉛2.2.2でサンドイッチ構造にし
た多重積層基板を製作した。その後、第5図に示すよう
に傘形傾斜部3と回転軸取付用穴4を加工し、X線発生
源材料5を傘形傾斜部3上に設けてターゲットを作製試
作した。その結果、回転破壊強度は実施例2と同等であ
ることがわかった。さらにセラミックスlの1枚当シの
肉厚が薄いため、均質のセラミックスが得られる。特に
860人、as tcでは、その高熱伝導性が肉厚およ
び径方向に対し均−区な)良好な基板が得られる。なお
、中子の中心を穴開は加工する際に1第6図に示すよう
に回転軸取付穴4の内周部に中子材6を残すような断面
構造にしても上記と同様の効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、大口径にした場合にお
いても軽量であシ、且つ高速回転に耐え得る大容量のX
線管用回転陽極ターゲットが得られる。さらに傘形傾斜
部の加工および回転軸の取付穴の穴開は加工が容易でア
シ且つ加工割れを発生することなく簡単に安価なX線管
用回転陽極ターゲットを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のX線管用回転陽極ターゲットの一例を
示す断面図、第2図は焼成材および熱処理材からなるタ
ーゲットの引張試験の比較結果を示すグラフ、第3図〜
第6図は本発明の他の実施例を示す断面図である。 1・・・セラミックス、2・・・黒鉛、3・・・傘形傾
斜部、4・・・回転軸取付穴、5・・・X線発生材料、
6・・・中子材。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、中心に回転軸を軸止する取付穴を有すると共に、上
    面の外周に傘形傾斜部を有するX線管用回転陽極ターゲ
    ットにおいて、前記ターゲットが電気伝導材と高強度材
    とを交互に積層する円盤状複合体であつて、該複合体の
    少なくとも上部が電気伝導材であることを特徴とするX
    線管用回転陽極ターゲット。 2、特許請求の範囲第1項において、前記傘形傾斜部は
    電気伝導材からなることを特徴とするX線管用回転陽極
    ターゲット。 3、特許請求の範囲第1項において、前記円盤状複合体
    は高強度材が1以上積層されていることを特徴とするX
    線管用回転陽極ターゲット。 4、特許請求の範囲第1項及び第2項において前記電気
    伝導材は黒鉛を主体とする材料であることを特徴とする
    X線管用回転陽極ターゲット。 5、特許請求の範囲第1項〜第3項において、前記高強
    度材は高熱伝導セラミックスであることを特徴とするX
    線管用回転陽極ターゲット。 6、特許請求の範囲第1項〜第5項において、前記傘形
    傾斜部がX線発生源材料からなることを特徴とするX線
    管用回転陽極ターゲット。 7、中心に回転軸を軸止する取付穴を有すると共に上部
    円周に傘形傾斜部を有する複合体からなるX線管用回転
    陽極ターゲットを製造する方法において、前記複合体の
    中央部に中子材を介在させて電気伝導材と高強度材とを
    交互に積層して焼成することを特徴とするX線管用回転
    陽極ターゲットの製造方法。 8、特許請求の範囲第7項において、前記中子材は黒鉛
    、モリブデン、タングステン等の高融点材であることを
    特徴とするX線管用回転陽極ターゲット。
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