JP2944215B2 - 銅層とセラミックとの間に強力な結合を作り出す方法 - Google Patents
銅層とセラミックとの間に強力な結合を作り出す方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、粉末銅または銅合金の熱溶射によって施さ
れた銅層と、セラミックとの間に強力な結合を作り出す
方法に関する。
れた銅層と、セラミックとの間に強力な結合を作り出す
方法に関する。
高導電性金属としての銅を易熱伝導性絶縁体としての
酸化物セラミックに結合することは、電子部材の分野に
おいて特に工業的に重要なことである。銅層はスリップ
導体層、電極層、センサー層として、またはその他に、
特に大量の熱を発生する他の部材上への冷却用放熱器の
ような酸化物セラミックのはんだ付の接続層として用い
られる。
酸化物セラミックに結合することは、電子部材の分野に
おいて特に工業的に重要なことである。銅層はスリップ
導体層、電極層、センサー層として、またはその他に、
特に大量の熱を発生する他の部材上への冷却用放熱器の
ような酸化物セラミックのはんだ付の接続層として用い
られる。
銅をセラミックへ直接施す様々な方法はすでに公知で
ある。例えば、DE−Ａ−38 24 249には、セラミック表
面を事前に粗くしそして後熱処理でパラジウム核形成を
した後に、外部電流なしで付着させることが記載されて
いる。この方法は、最高の厚さが５μｍまでの金属層に
のみ可能であるという欠点を有する。
ある。例えば、DE−Ａ−38 24 249には、セラミック表
面を事前に粗くしそして後熱処理でパラジウム核形成を
した後に、外部電流なしで付着させることが記載されて
いる。この方法は、最高の厚さが５μｍまでの金属層に
のみ可能であるという欠点を有する。
DE−Ａ−30 36 128には直接銅結合方法（DCB）が記載
されており、100−900μｍの厚さの銅シートを約1070℃
でセラミック表面に施している。しかしながら、DCB法
は、大量の銅を使用することになるので、100μｍより
厚い層を施す場合にのみ経済的である。
されており、100−900μｍの厚さの銅シートを約1070℃
でセラミック表面に施している。しかしながら、DCB法
は、大量の銅を使用することになるので、100μｍより
厚い層を施す場合にのみ経済的である。
真空中での陰極アトマイゼーションまたはDE−Ａ−28
24 249に記載のような銅の後電着による基体の金属被
覆は、最高50μｍまでの層の厚さの場合に経済的に行う
ことができる。施した層とセラミック材料との間の結合
強度は、陰極アトマイゼーションの場合、特にクロム、
チタンのいわゆるカップリング層によって増加するが、
このカップリング層はエッチングによるストリップ導体
のその後の加工を著しく不利にする。
24 249に記載のような銅の後電着による基体の金属被
覆は、最高50μｍまでの層の厚さの場合に経済的に行う
ことができる。施した層とセラミック材料との間の結合
強度は、陰極アトマイゼーションの場合、特にクロム、
チタンのいわゆるカップリング層によって増加するが、
このカップリング層はエッチングによるストリップ導体
のその後の加工を著しく不利にする。
真空室で事前のプラズマエッチング処理を行い、同じ
真空室でスパッタリングによって銅を施すことは、１−
２μｍまでの層の厚さにのみ経済的に可能である。
真空室でスパッタリングによって銅を施すことは、１−
２μｍまでの層の厚さにのみ経済的に可能である。
熱溶射では、銅を金属および非金属材料のいずれにも
施すことができることは公知である。そのような被覆を
用いると、接触抵抗、およびはんだ付け可能な化合物等
の上記材料への適用が改良される。このように施された
層は、処理の間の銅の酸化により、純粋な電解銅に比べ
て電気抵抗が高い。真空中でまたは保護ガス室中での様
々な熱溶射法は技術的に非常に複雑であり、電子部材の
部材形状を考慮すると、大量生産には全く経済的ではな
い。
施すことができることは公知である。そのような被覆を
用いると、接触抵抗、およびはんだ付け可能な化合物等
の上記材料への適用が改良される。このように施された
層は、処理の間の銅の酸化により、純粋な電解銅に比べ
て電気抵抗が高い。真空中でまたは保護ガス室中での様
々な熱溶射法は技術的に非常に複雑であり、電子部材の
部材形状を考慮すると、大量生産には全く経済的ではな
い。
さらに、現代の高度技術において求められる表面形状
の非常に高い寸法精度は、公知の処理工程でのさらにコ
ストのかかる機械的処理によって可能なだけであり、い
くつかの部品にとってそれは全く達成することができな
いものである。
の非常に高い寸法精度は、公知の処理工程でのさらにコ
ストのかかる機械的処理によって可能なだけであり、い
くつかの部品にとってそれは全く達成することができな
いものである。
従って、本発明の目的は、５μｍ−300μｍの広い範
囲において好ましい厚さを有し、そして電解銅の導電度
に近い導電度を有し、また同時に厚さの変化の少ない、
十分に強力に結合した層の製造を可能にする簡単な方法
で熱溶射することにより、銅または銅合金をセラミック
部材に施すことである。
囲において好ましい厚さを有し、そして電解銅の導電度
に近い導電度を有し、また同時に厚さの変化の少ない、
十分に強力に結合した層の製造を可能にする簡単な方法
で熱溶射することにより、銅または銅合金をセラミック
部材に施すことである。
この目的は、初めに述べた一般的な方法で達成され、
その特徴は平均粒径が≦20μｍの微細な銅粉末を熱溶射
によってセラミック表面に施すことである。
その特徴は平均粒径が≦20μｍの微細な銅粉末を熱溶射
によってセラミック表面に施すことである。
本発明に適していることが分かったセラミック材料
は、特に酸化物セラミック材料、例えば酸化アルミニウ
ム、酸化ベリリウムまたは酸化ジルコニウムであるが、
非酸化物セラミック材料、例えば窒化アルミニウムも非
常に有利な可能性を有する。本発明の方法の特に有利な
具体例では、まず、表面形状を大きく変えることなく、
セラミック表面を粗くする処理を施す。好ましくは、純
度が90−100％（酸化アルミニウム）の酸化アルミニウ
ム基体を鉱酸、特に硫酸およびリン酸を1:1の比で含有
する混合物で約45分、少なくとも約180℃、好ましくは2
20−260℃で処理する。次に表面を水ですすぎ、その
後、循環空気オーブンで150−200℃にて乾燥する。乾燥
時間は長い時間、好ましくは少なくとも24時間である。
このように処理した酸化アルミニウム基体の表面粗さRz
は、DIN 4768に従って測定して、２−５μｍである。
は、特に酸化物セラミック材料、例えば酸化アルミニウ
ム、酸化ベリリウムまたは酸化ジルコニウムであるが、
非酸化物セラミック材料、例えば窒化アルミニウムも非
常に有利な可能性を有する。本発明の方法の特に有利な
具体例では、まず、表面形状を大きく変えることなく、
セラミック表面を粗くする処理を施す。好ましくは、純
度が90−100％（酸化アルミニウム）の酸化アルミニウ
ム基体を鉱酸、特に硫酸およびリン酸を1:1の比で含有
する混合物で約45分、少なくとも約180℃、好ましくは2
20−260℃で処理する。次に表面を水ですすぎ、その
後、循環空気オーブンで150−200℃にて乾燥する。乾燥
時間は長い時間、好ましくは少なくとも24時間である。
このように処理した酸化アルミニウム基体の表面粗さRz
は、DIN 4768に従って測定して、２−５μｍである。
あるいは、鉱酸を使用する代わりに、セラミック表面
をサンドブラスト処理することによって銅層を施すため
の準備をしてもよい。好ましくは、このためにサンドブ
ラスト装置を使用して表面を粗くすることができ、適し
たブラスト研磨剤は好ましくは鉱物ブラスト材、例えば
特に炭化珪素、酸化アルミニウムである。本発明の好ま
しいブラスト条件はブラスト圧４−６バール、粒度10−
80μｍ、ノズルから処理表面までの距離100−150mmおよ
び処理表面を横切るノズルの動く速度0.5−1m/秒であ
る。
をサンドブラスト処理することによって銅層を施すため
の準備をしてもよい。好ましくは、このためにサンドブ
ラスト装置を使用して表面を粗くすることができ、適し
たブラスト研磨剤は好ましくは鉱物ブラスト材、例えば
特に炭化珪素、酸化アルミニウムである。本発明の好ま
しいブラスト条件はブラスト圧４−６バール、粒度10−
80μｍ、ノズルから処理表面までの距離100−150mmおよ
び処理表面を横切るノズルの動く速度0.5−1m/秒であ
る。
表面を粗くする上記の別法の後に、例えば、アルコー
ル浴、好ましくはイソプロパノールの浴中で、あるいは
140−160℃の熱硫酸中で超音波を用いて行う洗浄工程が
続くと都合がよい。洗浄工程は、本発明の目的のため
に、表面にまだ存在する汚染物の効果的な除去を確実に
行うものである。循環空気オーブン内で洗浄表面を150
−200℃にて乾燥した後、表面を本発明に従って同様に
被覆することができる。
ル浴、好ましくはイソプロパノールの浴中で、あるいは
140−160℃の熱硫酸中で超音波を用いて行う洗浄工程が
続くと都合がよい。洗浄工程は、本発明の目的のため
に、表面にまだ存在する汚染物の効果的な除去を確実に
行うものである。循環空気オーブン内で洗浄表面を150
−200℃にて乾燥した後、表面を本発明に従って同様に
被覆することができる。
銅および銅合金を施すのは本発明では、粉末材料を熱
溶射することによって行う。本発明での使用が好ましい
方法はプラズマ溶射および高速溶射である。粉末の性質
を様々な熱溶射処理および作用にあわせる。本発明の銅
粉末の粒度d50は、サイラスレーザー光散乱法で測定し
て、８−12μｍであるのが好ましい。銅または銅合金の
純度は、導電性をもたらす成分に基づいて、少なくとも
99％であるのが都合がよい。合金成分として、貴金属、
例えば銀、金またはパラジウムを30％以下の量で銅との
合金にすることができる。銅または銅合金のリン含有率
は測光法で測定して0.08−0.15％であり、一方、酸素含
有率は不活性ガス流中での熱抽出による測定で0.2−0.3
％である。意外にも、好ましくは0.10−0.12％のリン含
有率は導電性を妨げず、それどころか施される銅層の酸
化作用へプラスの効果を及ぼすことが分かった。
溶射することによって行う。本発明での使用が好ましい
方法はプラズマ溶射および高速溶射である。粉末の性質
を様々な熱溶射処理および作用にあわせる。本発明の銅
粉末の粒度d50は、サイラスレーザー光散乱法で測定し
て、８−12μｍであるのが好ましい。銅または銅合金の
純度は、導電性をもたらす成分に基づいて、少なくとも
99％であるのが都合がよい。合金成分として、貴金属、
例えば銀、金またはパラジウムを30％以下の量で銅との
合金にすることができる。銅または銅合金のリン含有率
は測光法で測定して0.08−0.15％であり、一方、酸素含
有率は不活性ガス流中での熱抽出による測定で0.2−0.3
％である。意外にも、好ましくは0.10−0.12％のリン含
有率は導電性を妨げず、それどころか施される銅層の酸
化作用へプラスの効果を及ぼすことが分かった。
プラズマ溶射法では、使用プラズマガスは不活性ガ
ス、例えば窒素、水素または貴ガスおよび／またはこれ
らの混合物であり、30−60リットル／分のアルゴンが好
ましい。プラズマバーナーの電力は好ましくは10−15k
W、特に好ましくは12kWであり、バーナーは被覆すべき
基体を40−100mm、好ましくは40−70mmの距離で10−100
m/分の速度にて横切る。そのような条件下で、本発明で
は２−8kg/時間の被覆速度が得られる。
ス、例えば窒素、水素または貴ガスおよび／またはこれ
らの混合物であり、30−60リットル／分のアルゴンが好
ましい。プラズマバーナーの電力は好ましくは10−15k
W、特に好ましくは12kWであり、バーナーは被覆すべき
基体を40−100mm、好ましくは40−70mmの距離で10−100
m/分の速度にて横切る。そのような条件下で、本発明で
は２−8kg/時間の被覆速度が得られる。
被覆すべきセラミック部材は酸化物形成を少なくする
ため、および被覆内および被覆される本体内の残留応力
を防ぐために、被覆工程の間、冷却されているのが好ま
しい。このために、微結晶質または液体状のCO2を約40
−60バールの高圧で用いるのが好ましい。熱溶射の冷却
のために液体状でCO2を用いることは公知であるが、同
時にCO2による表面のブラスティングが生じ、これによ
って強力に酸化された非常に小さい妨害粒子が被覆中に
埋め込まれるのが抑制されることは当業者にとって意外
なことである。
ため、および被覆内および被覆される本体内の残留応力
を防ぐために、被覆工程の間、冷却されているのが好ま
しい。このために、微結晶質または液体状のCO2を約40
−60バールの高圧で用いるのが好ましい。熱溶射の冷却
のために液体状でCO2を用いることは公知であるが、同
時にCO2による表面のブラスティングが生じ、これによ
って強力に酸化された非常に小さい妨害粒子が被覆中に
埋め込まれるのが抑制されることは当業者にとって意外
なことである。
本発明の方法によって施された銅層の厚さは５−300
μｍであり、厚さの変化は比較的薄い層では約20％まで
であり、比較的厚い層ではわずか約５％までにすぎな
い。DIN 50 160に従って面から引き離すことによって測
定した層の結合強度は３−10MPaである。塗布された層
の結合強度をさらに改良するために、本発明の範囲に
は、さらに後熱処理を行うことが含まれる。後熱処理は
600−800℃の様々な加熱帯域を有するトンネルキルンで
行い、少なくとも５分、好ましくは比較的厚い層の場合
は少なくとも10分行う。熱処理は還元雰囲気を存在させ
て行うかまたは真空中で行い、95％のアルゴンおよび５
％の水素の混合物が還元雰囲気として特に適している。
このように製造した層の導電度は一般に30−57m/Ω・mm
2、好ましくは40−57m/Ω・mm2である。
μｍであり、厚さの変化は比較的薄い層では約20％まで
であり、比較的厚い層ではわずか約５％までにすぎな
い。DIN 50 160に従って面から引き離すことによって測
定した層の結合強度は３−10MPaである。塗布された層
の結合強度をさらに改良するために、本発明の範囲に
は、さらに後熱処理を行うことが含まれる。後熱処理は
600−800℃の様々な加熱帯域を有するトンネルキルンで
行い、少なくとも５分、好ましくは比較的厚い層の場合
は少なくとも10分行う。熱処理は還元雰囲気を存在させ
て行うかまたは真空中で行い、95％のアルゴンおよび５
％の水素の混合物が還元雰囲気として特に適している。
このように製造した層の導電度は一般に30−57m/Ω・mm
2、好ましくは40−57m/Ω・mm2である。
図１は、本発明の被覆プロセスをどのように実施する
ことができるかを略図で示したものである。参照番号を
用いて、プラズマガス２が導入されるプラズマバーナー
を詳しく示してある。銅粉末４はまず計量装置５に入
れ、粉末担体ガスと共に供給パイプ３を経て熱ガス流に
供給され、次にセラミックプレート６上に付着する。セ
ラミックプレート６は方向Ｃに可動性の前進設備７上に
取り付けられ、そして二酸化炭素冷却８によって冷却さ
れる。図示された装置は、望ましくはプラズマ溶射Ａま
たは高速溶射Ｂに使用しうる。
ことができるかを略図で示したものである。参照番号を
用いて、プラズマガス２が導入されるプラズマバーナー
を詳しく示してある。銅粉末４はまず計量装置５に入
れ、粉末担体ガスと共に供給パイプ３を経て熱ガス流に
供給され、次にセラミックプレート６上に付着する。セ
ラミックプレート６は方向Ｃに可動性の前進設備７上に
取り付けられ、そして二酸化炭素冷却８によって冷却さ
れる。図示された装置は、望ましくはプラズマ溶射Ａま
たは高速溶射Ｂに使用しうる。
本発明の方法によって得られる被覆セラミック部材
は、写真平板技術による電気ストリップ導体（electric
al strip conductors）の形成（電気的パス又はネット
ワークの様な微細構造の形成）に使用するのが特に適し
ており、そのようなストリップ導体は特に、少なくとも
30m/Ω・mm2の導電度および少なくとも20MPaの結合強度
を有し、都合のよいことにはフラックスなしで機械はん
だ付けを行うことができる。
は、写真平板技術による電気ストリップ導体（electric
al strip conductors）の形成（電気的パス又はネット
ワークの様な微細構造の形成）に使用するのが特に適し
ており、そのようなストリップ導体は特に、少なくとも
30m/Ω・mm2の導電度および少なくとも20MPaの結合強度
を有し、都合のよいことにはフラックスなしで機械はん
だ付けを行うことができる。
本発明を次に実施例で説明するが、本発明は記載の具
体例に限定されるものではない。
体例に限定されるものではない。
実施例１ 硫酸と燐酸との混合物（混合比1:1）を用いて240℃で
45分間、酸化アルミニウムプレートを粗く表面処理し
た。プレートの稜の長さが100×100mm、厚さが0.6mmで
あり、これを図１に示すようなプラズマ溶射装置を用い
て銅で被覆し、その後、水ですすぎ、200℃で40分間、
オーブン中で乾燥した。
45分間、酸化アルミニウムプレートを粗く表面処理し
た。プレートの稜の長さが100×100mm、厚さが0.6mmで
あり、これを図１に示すようなプラズマ溶射装置を用い
て銅で被覆し、その後、水ですすぎ、200℃で40分間、
オーブン中で乾燥した。
その際、表面処理されたプレートの表面粗さRz（DIN4
768）は3.5μｍであった。このプレートをプラズマ溶射
法によって粒度d50が８−10μｍの銅粉末で被覆した。
768）は3.5μｍであった。このプレートをプラズマ溶射
法によって粒度d50が８−10μｍの銅粉末で被覆した。
使用したプラズマガスは40リットル／分のアルゴンで
あった。バーナーの電力は12kWであり、バーナーはプレ
ート表面から60mmの距離で40m/分の速度にて横切って動
いた。冷却のために、CO2を液体状で２つのノズルから
圧力60バールで吹き付けた。
あった。バーナーの電力は12kWであり、バーナーはプレ
ート表面から60mmの距離で40m/分の速度にて横切って動
いた。冷却のために、CO2を液体状で２つのノズルから
圧力60バールで吹き付けた。
このように製造した銅層の厚さは75μｍであり、表面
粗さRzは８−10μｍ（DIN 4768）であった。導電度は6m
/Ω・mm2であり、結合強度は5MPaと測定された。次に、
被覆プレートを多帯域トンネルキルン中で600および800
℃にて10分間、95％のアルゴンおよび５％の水素を含有
する雰囲気下で後熱処理を行った。この時の銅層の導電
度は35m/Ω・mm2であり、結合強度は30MPaであった。
粗さRzは８−10μｍ（DIN 4768）であった。導電度は6m
/Ω・mm2であり、結合強度は5MPaと測定された。次に、
被覆プレートを多帯域トンネルキルン中で600および800
℃にて10分間、95％のアルゴンおよび５％の水素を含有
する雰囲気下で後熱処理を行った。この時の銅層の導電
度は35m/Ω・mm2であり、結合強度は30MPaであった。
実施例２ 実施例１のような酸化アルミニウムプレートを、実施
例１と同じ条件下で銅層で被覆した。しかしながら、銅
層の厚さはわずか30μｍであった。後熱処理を実施例１
と同じ条件下で行った後、施した銅層の導電度を測定し
たところ、45m/Ω・mm2であり、結合強度は31MPaであっ
た。
例１と同じ条件下で銅層で被覆した。しかしながら、銅
層の厚さはわずか30μｍであった。後熱処理を実施例１
と同じ条件下で行った後、施した銅層の導電度を測定し
たところ、45m/Ω・mm2であり、結合強度は31MPaであっ
た。
比較例 実施例１と同じように前処理した酸化アルミニウムプ
レートを、プラズマ溶射法によって平均粒度が40−80μ
ｍの一般的な銅粉末で被覆した。プラズマ溶射の間、7k
g/時の被覆速度を27kWのバーナー電力で設定した。使用
プラズマガスは、混合比15:1の窒素と水素との混合物で
あった。バーナーの加工物からの距離は125mmであっ
た。
レートを、プラズマ溶射法によって平均粒度が40−80μ
ｍの一般的な銅粉末で被覆した。プラズマ溶射の間、7k
g/時の被覆速度を27kWのバーナー電力で設定した。使用
プラズマガスは、混合比15:1の窒素と水素との混合物で
あった。バーナーの加工物からの距離は125mmであっ
た。
20％の被覆プレートは熱の過度の発生の結果、熱ガス
ジェットによって破壊された。比較例で製造された銅層
は、粗さRzが30μｍを越える表面構造を有していた。測
定した導電度は5m/Ω・mm2未満の値であった。
ジェットによって破壊された。比較例で製造された銅層
は、粗さRzが30μｍを越える表面構造を有していた。測
定した導電度は5m/Ω・mm2未満の値であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハンス，カルステン ドイツ連邦共和国デー―8255 ノッセ ン，アム・バーンホフ 27 (72)発明者 フォン・カイザー，カルル−フリードリ ッヒ ドイツ連邦共和国デー―6229 シュラン ゲンバート，ボルンヴィーズヴェーク 20 (56)参考文献 特開 昭63−120496（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−59887（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 4/00 - 6/00 C04B 41/88
Claims (9)
- 【請求項１】粉末状の銅または銅合金の熱溶射によって
施された銅層と、セラミックとの間に強力な結合を作り
出す方法において、サイラスレーザー光散乱法で測定し
た粒度d50が≦20μｍの銅または銅合金の微粉末をセラ
ミック表面に熱溶射して、得られた被覆セラミックを60
0〜800℃の温度で少なくとも５分間にわたって後熱処理
をし、その結果、導電度が少なくとも30m/Ω・mm2およ
び結合強度が少なくとも20MPaの銅層を形成する上記方
法。 - 【請求項２】使用セラミック材料が、酸化物セラミック
材料または非酸化物セラミック材料である請求項１の方
法。 - 【請求項３】セラミック表面にまず、表面を粗くする処
理を施し、その後、該表面を洗滌し、そして少なくとも
180℃の温度で少なくとも24時間乾燥する、請求項１ま
たは請求項２の方法。 - 【請求項４】用いる熱溶射法がプラズマ溶射または高速
火炎溶射法である、請求項１乃至請求項３のいずれかに
記載の方法。 - 【請求項５】サイラスレーザー光散乱法で測定して、銅
または銅合金の粉末の粒度d50が８〜12μｍであり、そ
して前記銅合金は貴金属を30重量％以下含有するもので
ある、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項６】銅粉末の純度が少なくとも99％であり、そ
のリン含有率が0.08〜0.15重量％であり、そしてその酸
素含有率が0.2〜0.3重量％である、請求項１乃至請求項
５のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】被覆すべきセラミックを被覆工程の間冷却
する、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の方法。 - 【請求項８】冷却を微結晶質または液体状のCO2を用い
て40〜60バールの高圧で実施する、請求項７に記載の方
法。 - 【請求項９】被覆の表面粗さRzが≦10μｍである、請求
項１乃至８のいずれかの方法によって製造された銅また
は銅合金で被覆されたセラミック部材。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4210900A DE4210900A1 (de) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | Verfahren zur Herstellung eines haftfesten Verbundes zwischen Kupferschichten und Keramik |
| DE4210900.0 | 1992-04-02 | ||
| PCT/EP1993/000675 WO1993020255A1 (de) | 1992-04-02 | 1993-03-19 | Verfahren zur herstellung eines haftfesten verbundes zwischen kupferschichten und keramik |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07501855A JPH07501855A (ja) | 1995-02-23 |
| JP2944215B2 true JP2944215B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=6455759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5517032A Expired - Lifetime JP2944215B2 (ja) | 1992-04-02 | 1993-03-19 | 銅層とセラミックとの間に強力な結合を作り出す方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5648123A (ja) |
| EP (1) | EP0733129B1 (ja) |
| JP (1) | JP2944215B2 (ja) |
| CA (1) | CA2133422C (ja) |
| DE (2) | DE4210900A1 (ja) |
| ES (1) | ES2121996T3 (ja) |
| NO (1) | NO943647D0 (ja) |
| WO (1) | WO1993020255A1 (ja) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05166969A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-07-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| DE4339345C2 (de) * | 1993-11-18 | 1995-08-24 | Difk Deutsches Inst Fuer Feuer | Verfahren zum Auftragen einer Hartstoffschicht mittels Plasmaspritzen |
| JP3114538B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2000-12-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電体素子及びその製造方法 |
| DE19610015C2 (de) * | 1996-03-14 | 1999-12-02 | Hoechst Ag | Thermisches Auftragsverfahren für dünne keramische Schichten und Vorrichtung zum Auftragen |
| DE19611735A1 (de) * | 1996-03-25 | 1997-10-02 | Air Liquide Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Bearbeitung eines Substrats |
| US5762711A (en) * | 1996-11-15 | 1998-06-09 | Honeywell Inc. | Coating delicate circuits |
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| JP2009290135A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Fujitsu Ltd | プリント配線板の製造方法および導電性接合剤 |
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| KR101758586B1 (ko) * | 2014-02-12 | 2017-07-14 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 구리/세라믹스 접합체 및 파워 모듈용 기판 |
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