DE3038976C2 - Verfahren und Vorrichtung zur Verbesserung der Eigenschaften eines auf einen Keramikkörper aufgebrachten Kupferfilms - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Verbesserung der Eigenschaften eines auf einen Keramikkörper aufgebrachten KupferfilmsInfo
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Description
Gegenstand der Erfindung sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Verbesserung der Eigenschaften
eines auf einen Keramikkörper aufgebrachten Kupferfihns durch eine Wärmebehandlung in einer inerten Atmosphäre.
Ein Beispiel für ein Bauteil mit einem auf einem Keramikkörper aufgebrachten Kupferfilm ist ein Keramikkondensator.
Die Elektrode eines Keramikkondensators wurde bisher im allgemeinen unter Verwendung
von Silber mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit
ίο hergestellt Eine solcher Silberelektrode wird durch
Aufbringen einer Silberpaste in Form einer Schicht auf einen Keramikkörper und Brennen gebildet In letzter
Zeit ist jedoch mit dem Anstieg der Kosten für das Silbermaterial der Anteil der Kosten für solche Silberelektroden
an den Gesamtkosten eines Keramikkondensators gestiegen. Die Verwendung solcher Silberelektroden
ist daher eine Ursache für den Anstieg der Gesamtkosten von Keramikkondensatoren.
In dieser Situation ist man bestrebt, billige Elektroden zu entwickeln. Einerseits wurden verschiedene Untersuchungen in bezug auf ein Verfahren zur Herstellung von Metallfilmen, beispielsweise stromlose Plattierungsverfahren. Vakuumaufdampfverfahren, Zerstäubungsverfahren, Ionenplattierungsverfahren und dergleichen durchgeführt. Andererseits wurde die Verwendbarkeit eines billigen Metalls als Ersatz für Silber als Elektrode untersucht.
In dieser Situation ist man bestrebt, billige Elektroden zu entwickeln. Einerseits wurden verschiedene Untersuchungen in bezug auf ein Verfahren zur Herstellung von Metallfilmen, beispielsweise stromlose Plattierungsverfahren. Vakuumaufdampfverfahren, Zerstäubungsverfahren, Ionenplattierungsverfahren und dergleichen durchgeführt. Andererseits wurde die Verwendbarkeit eines billigen Metalls als Ersatz für Silber als Elektrode untersucht.
Im ersteren Fall wurde eine mit Nickel plattierte Elektrode verwendet, die unter Anwendung eines
stromlosen Plattierungsverfahrens hergestellt wurde. Eine mit Nickel plattiert Elektrode hat sich bis zu einem
gewissen Grad erfolgreich erwiesen als billige Ersatzelektrode für eine Silberelektrode. Es wurde jedoch
festgestellt, daß bei Verwendung von mit Nickel plattierten Elektroden für Keramikkondensatoren Probleme
dadurch auftreten, daß der spezifische Widerstand der Nickelelektroden selbst 7,24 χ 10~6Ohm χ cm beträgt
und somit größer ist als derjenige von Silber, der 1,62 χ 10~6Ohm χ cm beträgt. Es entsteht nun das
Problem, daß die Frequenzcharakteristik im Hochfrequenzbereich schlechter wird. Ein anderes Problem besteht
darin, daß die Lötbarkeit von mit Nickel plattierten Elektroden schlecht ist. Außerdem hat man versucht,
die gesamte Oberfläche mit einer Lötmittelschicht zu überziehen, um den spezifischen Widerstand
der mit Nickel plattierten Elektroden ?.u senken. Zum Überziehen der gesamten Oberfläche der Elektroden
mit einer Lötmittelschicht muß jedoch viel aktives Flußmittel verwendet werden. Um das überflüssige Flußmittel
nach dem Löten zu entfernen, müssen daher die Elektroden gereinigt (gesäubert) werden. Auch wenn
beim Löten der Elektrodenabschnitt durch Eintauchen in ein Lotbad behandelt wird, entstehen beispielsweise
bei einem solchen Verfahren Spannungen in dem Keramikmaterial, so daß das Keramikmaterial reißen (rissig
werden) kann.
Bei einem weiteren Versuch war man bestrebt, billige Elektroden zu entwickeln, welche die vorstehend beschriebene
Nickelelektrode ersetzen können. Unter diesen Umständen wurde erneut versucht, mit Kupfer plattierte
Elektroden unter Anwendung eines stromlosen Kupferplattierungsverfahrens herzustellen. Dabei wurde
jedoch festgestellt, daß bei der Herstellung von stromlos plattierten Kupferelektroden ein ernstes Hindernis
auftaucht. Eine unter Anwendung des stromlosen Plattierungsverfahrens hergestellte, mit Kupfer plattierte
Elektrode hat nämlich einen hohen spezifischen Widerstand, verglichen mit demjenigen eines Körpers aus
Kupfer (von massivem Kupfer). Ein ähnliches Phänomen
wurde auch bei Kupferelektroden beobachtet, die unter Anwendung eines Vakuumaufdampfverfahrens,
eines Zerstäubungsverfahrens oder eines Ionenplattierungsverfahrens hergestellt worden sind, sowie bei
Kupferelektroden, die unter Anwendung eines stromlosen Plattierungsverfahrens hergestellt worden sind. Daher
muß ein Kupferfilm, der nach den vorstehend beschriebenen verschiedenen Verfahren hergestellt worden
ist, einer zusätzlichen Bearbeitung unterzogen werden, um ihm durch Metallisieren, Verdichten, Verbessern
des Haftvermögens und Stabilisieren die Eigenschaften von massivem Kupfer zu verleihen. In der Regel
wird zu diesem Zweck eine Wärmebehandlung angewendet
Der Kupferfilm reagiert jedoch bei der Wärmebehandlung sehr aktiv mit Sauerstoff, so daß der PiIm auch
dann oxidiert wird, wenn nur eine geringe Menge Sauerstoff vorliegt Die Folge davon ist, daß augenblicklich
ein blauer Oxidfilm auf der Oberfläche des Kupferfilms entsteht Bisher war es erforderlich, den Sauerstoff aus
einem Wärmebehandlungsofen, beispielsweise den an der Ofenwand des Wärmebehandlungsofens absorbierenden
Sauerstoff, unter Verwendung einer großen Menge Stickstoff innerhalb eines langen Zeitraums vollständig
zu entfernen, bevor die Wärmebehandlung eines Kupferfilms durchgeführt wurde. Außerdem war es
erforderlich, sorgfältig darauf zu achten, daß in das Umgebungsgas kein Sauerstoffgas eingemischt war.
Mit Hilfe der herkömmlichen Verfahrensweisen war es nicht möglich, Kupferfilm mit Eigenschaften zu bilden,
die denjenigen reinen Kupfers entsprechen. Namentlich bei den Durchgangstunnelöfen wird stets frischer
Sauerstoff in die umlaufenden Förderbänder eingeschleppt, so daß sich bei diesen für eine kontunierliche
Verfahrensführung besonders gut geeigneten öfen die unerwünschte Oxidation der Kupferfilme nicht in
ausreichendem Maße verhindern läßt. Weiterhin ergibt sich das Problem, daß der in der Heizzone des Ofens vor
der Ofenwandung bzw. dem Kupferfilm desorbierte Sauerstoff in der Kühlzone des Ofens wieder von der
Oberfläche des Kupferfilms absorbiert wird, wodurch dessen Oxidation beschleunigt und begünstigt wird.
Weiterhin ergibt sich durch die von den in der Heizzone erhitzten Keramikkörpern ausgesandte Strahlungswärme
eine Aktivierung des auf den Innenwänden des Ofens adsorbierten und absorbierten Sauerstoffs, so daß
dieser für die Reaktion mit dem Kupferfilm besonders reaktiv ist. Somit war es bislang trotz der Möglichkeit
der Durchführung einer Wärmebehandlung in einer Inertgasatmosphäre nicht möglich, die Reinhei» eines
Kupferfilms zu verbessern, da es unmöglich ist, eine praktisch 100%ige Inertgasatmosphäre zu bilden und
damit die Oxidation des Kupferfilms vollständig auszuschließen.
Die Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Wärmebehandeln eines auf
eine Oberfläche eines Keramikkörpers aufgebrachten Kupferfilms anzugeben, womit es gelingt, ihn in metallisches
Kupfer zu überführen, das reinem Kupfer sehr ähnelt, seine elektrischen Eigenschaften und seine Haftung
auf der Oberfläche eines Keramikkörpers zu verbessern.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die kennzeichnenden Merkmale des Verfahrens gemäß Hauptanspruch
und der Vorrichtung gemäß Anspruch 4. Die Unteransprüche betreffen besonders bevorzugte Ausführungsformen dieses Erfindungsgegenstands.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert Dabei zeigt
F i g. 1 eine vertikale Schnittansicht einer Ausführungsform
der Vorrichtung mit einem Durchlauftunnel-5 ofen;
F i g. 2 eine Schnittansicht eines Behälters für die Aufnahme eines Keramikkörpers, der in dem Ofen gemäß
F i g. 1 verwendet werden kann;
F i g. 3 eine Schnittansicht einer ersten Abänderung des Behälters gemäß F ig. 2;
F i g. 4 eine Schnittansicht einer zweiten Abänderung des Behälters gemäß F i g. 2;
Fig.5 eine vertikale Schnittansicht einer anderen
Ausfühjfungsform der Vorrichtung mit einem Kammerofen
als einem weiteren Beispiel für den Ofen.
Die F i g. 1 zeigt eine Ausführungsform der Vorrichtung. Die Ziffer 21 bezeichnet einen Ofenkörper vom
Tunnel-Typ. Ein innerer Raum 22 des Ofenkörpers 21 ist von einer zylindrischen Innenwandoberfläche 23 begrenzt
Parallel zu der Wandoberfläche in einer relativ niedrigeren Position der Innenwandoberfläche 23 ist eine
Fördereinrichtung (Förderband) 24 vorgesehen. Die Fördereinrichtung 24 wird intermittierend oder sehr
langsam in Richtung des Pfeils 25 angetrieben. Wie dargestellt ist in einem etwa mittleren Abschnitt des Ofenkörpers
21 in der Längsrichtung eine Heizeinrichtung 26 vorgesehen. Durch die Heizeinrichtung 26 wird eine
Erhitzungszone gebildet, die sich etwa in dem zentralen Abschnitt des inneren Raumes 22 in der Längsrichtung
des Ofenkörpers 21 erstreckt. Es sind zwei Rohrleitungen 27 vorgesehen, die an beiden Enden öffnungen aufweisen,
durch die Gas in die Erhitzungszone in der Längsrichtung des Ofenkörpers 21 eingeführt wird. Die
Rohrleitungen 27 sind relativ weit oben an der innenwandoberfläche
23 angeordnet. Die Rohrleitungen 27 erstrecken sich durch die Wandoberfläche des Ofenkörpers
21 hindurch, so daß das Ende jeder Rohrleitung mit dem inneren Raum 22 in Verbindung steht. Die Endabschnitte
der beiden Rohrleitungen 27, die innen in dem inneren Raum 23 vorstehen, sind in Richtung auf den
Mittelabschnitt des inneren Raumes 22 gekrümmt. Aus einer Inertgasvorratsquelle (nicht dargestellt) wird
durch die jeweiligen Rohrleitungen 27 ein Inertgas zugeführt, so daß das Inertgas in Richtung des Pfeiles 28
einströmt. Durch das Einleiten des Inertgases durch diese Rohrleitungen 27 entsteht eine Inertgasatmosphäre
oder eine Atmosphäre, die im wesentlichen nur das Inertgas enthält, in der Erhitzungszone.
In der Längsrichtung des Ofenkörpers 21 ist in gleichen
Abständen auf der Fördereinrichtung 24 eine Vielzahl von Behältern 29, wie dargestellt, angeordnet.
In der Fig.2 besteht der Behälter 29 aus einem Behälterkörper
30 mit einer Öffnung am oberen Ende und einem Deckel 31 zum Verschließen der öffnung des
Behälterkörpers 30. Der Behälterkörper 30 und der Deckel 31 bestehen vorzugsweise aus rostfreiem Stahl,
Eisen, Kupfer, Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid, Forsterit. Quarzglas, Glaskeramik, Mullit oder Cordierit. Der
Behälter 29 hat einen solchen Aufbau, daß die innere Kammer gegenüber der äußeren Atmosphäre abgeschlossen
ist, wodurch die Innenatmosphäre konstant gehalten wird.
Nachfolgend wird die Durchführung des Verfahrens an Hand einer Ausführungsform näher beschrieben.
Zu Beginn werden Keramikkörper, auf deren Oberfläche beispielsweise unter Anwendung eines stromlosen Plattierungsverfahrens jeweils ein Kupferfilm aufgebracht worden ist. hergestellt. Dann werden die Kera-
Zu Beginn werden Keramikkörper, auf deren Oberfläche beispielsweise unter Anwendung eines stromlosen Plattierungsverfahrens jeweils ein Kupferfilm aufgebracht worden ist. hergestellt. Dann werden die Kera-
mikkörper 1 mit dem Kupferfilm auf ihrer Oberfläche
wie in F i g. 2 dargestellt in den Behälterkörper 30 eingeführt. Wenn die Keramikkörper 1 im Innern des Behälterkörpers
30 stehen, wird der Deckel 31 auf den Behälterkörper 30 aufgelegt. Vorzugsweise bei der Einführung
der Keramikörper 1 in den Behälter 29 der Volumenprozentsatz so gewählt, daß die Keramikkörper 1
50 bis 100% des Volumens des Hohlraumes im Innern des Behälters 29 ausmachen. Vorzugsweise wird die
Vielzahl der Keramikkörper 1 eher willkürlich in dem Behälter 29 angeordnet anstatt auf geordnete Weise, um
den Zwischenraum, der so zwischen der Vielzahl von Keramikkörpern 1 entsteht, zu benutzen, das Gas glatt
hindurchströmen zu lassen. Der Behälter 29 mit der darin angeordneten Vielzahl von Keramikkörpern 1 wird
dann wie in F i g. 1 dargestellt in gleichem Abstand auf der Fördereinrichtung 24 plaziert
Dann wird die Heizeinrichtung 26 auf eine solche Temperatur eingestellt, daß sich die Behälter 29 in der
Erhitzungszone auf eine Temperatur innerhalb des Bereiches von 300 bis 10000C erhitzt lassen. Außerdem
wird ein Inertgas, wie z. B. Stickstoff, Kohlenmonoxid oder Wasserstoff eingeleitet
Die in Richtung des Pfeils 25 von der Fördereinrichtung 24 transportierten Behälter 29 werden allmählich
erhitzt, bevor sie die Erhitzungszone erreichen. Als Folge davon wird die im Innern der Behälter 29 vorhandene
Luft durch die Volumenausdehnung nach außen gedrängt Gleichzeitig wird auch der absorbierte und adsorbierte
Sauerstoff, der auf dem Kupferfilm auf dem Keramikkörper 1 verblieben ist verdrängt. Dementsprechend
kommt das Innere des Behälters 29 in einen Art Vakuumzustand mit einem extrem niedrigen Sauerstoffpartialdruck.
Ein solcher Zustand ist geeignet für die Umwandlung des Kupferfilms in reines Kupfer.
Dann erreicht der Behälter 29 die Erhitzungszone. Während des Transports in der Erhitzungszone wird der
Behälter 29 bis auf die eingestellte Maximaltemperatur erhitzt Die Zeitspanne, innerhalb der die Maximaltemperatur
aufrechterhalten wird, wird so gewählt daß sie 10 Minuten beträgt In diesem Zustand strömt das in
dem inneren Raum 22 vorhanden Atmosphärengas ins Innere des Behälters 29. Auf diese Weise kommt der
Kupferfilm auf der Oberfläche des Keramikkörpers 1 in einen Zustand, der demjenigen von metallischem Kupfer
sehr nahe kommt, wodurch ein Kupferfilm mit einer erhöhten elektrischen Leitfähigkeit und einem verbesserten
Glanz erhalten wird. Die Strömungsgeschwindigkeit des Inertgases, das in die Erhitzungszone eingeführt
wird, braucht nicht besonders festgelegt zu werden und es wurde festgestellt daß weder eine geringe noch eine
große Strömungsrate einen kaum unterschiedlichen Effekt ergeben. Der Behälter 29, der die Erhitzungszone
passiert hat wird dann allmählich abgekühlt
Die F i g. 3 zeigt eine Abänderung des Behälters, der anstelle des in der F i g. 2 dargestellten Behälters 29 verwendet
werden kann. Der in F i g. 3 dargestellte Behälter 32 besteht aus einem Behälterkörper 33 mit einer
öffnung an der seitlichen Oberfläche und einem Deckel 34 zum Verschließen der öffnung des Behälterkörpers
33. Der Deckel 34 ist mittels eines Scharniers 35 an dem Behälterkörper 33 angebracht so daß das Scharnier des
Deckels 34 in Richtung des Pfeils 36 drehbar ist Der Deckel 34 kann auf diese Weise geöffnet werden, wie
durch die gestrichelte Linie in Fig.3 dargestellt Der
Behälterkörper 33 und der Deckel 34 bestehen aus dem gleichen Material wie es für den weiter oben beschriebenen
Behälter 29 angegeben worden ist
Die F i g. 4 zeigt eine weitere Abänderung des Behälters 29 gemäß F i g. 2. Der in F i g. 4 dargestellte Behälter
37 besteht aus einem Behälterkörper 38 und einem Deckel 39. Der Deckel 39 paßt so auf eine öffnung an
der oberen Oberfläche des Behälterkörpers 38, daß die öffnung durch den Deckel 39 verschlossen werden
kann. An einem geeigneten Abschnitt der Wandoberfläche des Behälters 37, beispielsweise an einem Abschnitt
der seitlichen Oberfläche des Behälterkörpers 38, ist ein 1-Weg-Ventil 40 vorgesehen. Obgleich das 1-Weg-Ventil
40 nicht im Detail dargestellt ist, kann jeder beliebige Typ eines bekannten 1-Weg-Ventils verwendet werden.
Das 1-Weg-Ventil 40 ist so konstruiert, daß es den Durchgang des Gases nur in einer Richtung aus dem
Innern des Behälters 37 nach außen erlaubt.
Die gleiche Funktion wie diejenige des Behälters 29 gemäß F i g. 2 kann auch mit dem vorstehend beschriebenen
Abänderungen des Behälters, wie in den F i g. 3 und 4 dargestellt, erfüllt werden. Insbesondere wird die
im Innern des Behälters verbleibende Luft durch die Volumenausdehnung nach außen gedrängt, es wird jedoch
verhindert daß Gas von außen nach innen strömt. Die Fig.5 zeigt eine Abänderung des Erhitzungsofens. Bei dem in Fig.5 dargestellten Erhitzungsofen
handelt es sich um einen Kammerofen (Einsatzofen). Der Kammerofen weist einen Ofenkörper 41 auf. Der
Ofenkörper 41 begrenzt einen Hohlraum 42 im Innern desselben und weist eine öffnung entlang einer seitlichen
Oberfläche auf. Die öffnung ist durch eine Tür 43 verschlossen. Der Ofenkörper 41 ist mit einer Heizeinrichtung
44 versehen. Es ist eine Rohrleitung 45 vorgesehen, die sich durch die Wandoberfläche des Ofenkörpers
41 hindurch erstreckt Die Rohrleitung 45 dient dazu, eine Einführungsöffnung für die Einführung eines
Inertgases in den Hohlraum 42, wie durch den Pfeil 46 dargestellt zu begrenzen. Es ist eine weitere Rohrleitung
47 vorgesehen, die sich durch die Wandoberfläche der Tür 43 hindurch erstreckt
Die Rohrleitung 47 dient dem Austrag des Gases im Innern des Hohlraumes 42 in Richtung des Pfeiles 48
entsprechend der Menge des durch die Rohrleitung 45 zugeführten Gases. Der Behälter 29 ist innerhalb des
Hohlraumes 42 angeordnet der durch den Ofenkörper 41 begrenzt wird. Dabei wird der Behälter 29 innerhalb
der inerten Atmosphäre erhitzt und dementsprechend wird wie im Falle des in F i g. 1 dargestellten Durchlauf erhitzungsofens
vom Tunnel-Typ der Kupferfilm auf der Oberfläche des Keramikkörpers 1 innerhalb des Behälters
29 wärmebehandelt
Nachfolgend wird ein Beispiel für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Wärmebehandeln
eines unter Anwendung eines stromlosen Kupferplattierungsverfahrens aufgebrachten Films, der viel absorbierten
und adsorbierten Sauerstoff enthält, näher beschrieben.
Ein dielektrischer Keramikkörper mit einem Durchmesser von 10,0 mm und einer Dicke von 03 mm wurde
in eine stromlose Kupferplattierungslösung eingetaucht, wodurch ein Kupferplattierungsfilm auf die gesamte
Oberfläche des Keramikkörpers aufgebracht wurde.
Dann wurde der Keramikkörper in einen Behälterkörper aus roastfreiem Stahl eingeführt und die öffnung
des Behälterkörpers wurde mit einem Deckel aus rostfreiem Stahl verschlossen. Die öffnung des Behälterkör-
pers wurde so mit dem Deckel verschlossen, daß kein Zwischenraum dazwischen entstand, um einen gasdichten
Verschluß zu erzielen. Zu diesem Zeitpunkt machte der Keramikkörper mehr als 90% des Volumens des
Behälters aus.
Dann wurde der Behälter aus rostfreiem Stahl mit dem darin angeordneten Keramikkörper in einen Tunnelofen
eingeführt und durch diesen hindurchgeführt. In den Tunnelofen wurde in einer Rate von 100 1 pro Minute
Stickstoffgas eingeleitet. Die maximale Temperatur innerhalb des Tunnelofens wurde so gewählt, daß die in
der folgenden Tabelle angegebenen Werte vorlagen, und die Behandlungsdauer bei der maximalen Temperatur
wurde so gewählt, daß sie 10 Minuten betrug, und die gesamte Wärmebehandlungsdauer wurde so gewählt,
daß sie 30 bis 60 Minuten betrug.
tan ö = 0,5%. Dies bedeutet, daß ein nach dem vorgenannten
Verfahren hergestellter Kupferfilm extrem gut als Kondensatorelektrode geeignet ist.
Obgleich das vorstehende Beispiel einen dielektrischen Keramikkörper betrifft, kann der gleiche Effekt
erzielt werden bei Anwendung auf einen Kupferfilm, der auf ein isolierendes Material, wie z. B. Aluminiumoxid,
ein Widerstandsmaterial und ein halbleitendes Material aufgebracht worden ist.
| Wärmebehandlungs | />(0hm-' χ cm"1) |
| temperatur (" C) | |
| 1,8 χ 105 | |
| 400 | 2,1 χ 105 |
| 500 | 4,2 χ 105 |
| 600 | 4,6 χ 105 |
| 700 | 4,8 χ 105 |
| 800 ~ 1000 | 5,0 χ 105 |
| (elektrische Leitfähigkeit | (5,8 χ ΙΟ= Ohm-' |
| von massivem | χ cm-n |
| reinem Kupfer) |
Der Kupferplattierungsfilm auf dem dielektrischen Keramikkörper lag nach Beendigung der Wärmebehandlung
im Zustand von reinem Kupfer mit einer fleischroten Farbtönung vor. Die Tabelle zeigt die Beziehung
zwischen der Wärmebehandlungstemperatur und der elektrischen Leitfähigkeit des Kupferplattierungsfilmes,
wobei zu beachten ist, daß die Metallisierung mit der Temperatur von 500° C als Grenzwert fortschreitet
und die elektrische Leitfähigkeit um so besser ist, je höher die Wärmebehandlungstemperatur ist, wobei
man einen Kupferplattierungsfilm erhält, der metallischem Kupfer mehr ähnelt In der Tabelle.ist auch zu
Vergleichszwecken die elektrische Leitfähigkeit eines Kupferplattierungsfilmes angegeben, der nicht wärmebehandelt
worden ist Der Kupferplattierungsfilm hatte eine Dicke von 10 μΐη.
Außerdem wurde die Haftfestigkeit des Kupferplattierangsfilmes
an der Oberfläche des Keramikkörper nach der Wärmebehandlung gemessen und es wurde
festgestellt, daß bei einer Haftfestigkeit von 300 g/cm2
vor der Wärmebehandlung nach der Wärmebehandlung ein Anstieg auf etwa das Zehnfache, beispielsweise auf
eine Haftfestigkeit von 3 kg/cm2, erzielt wurde. Der Haftfestigkeitstest wurde durchgeführt durch Anlöten
eines Leitungsdrahtes in vertikaler Richtung an den Kupferplattierungsfilm auf der größeren Oberfläche
(Hauptoberfläche) der dielektrischen Keramikkörper und der Leitungsdraht wurde mittels einer Zugtestvorrichtung
abgezogen, wobei der Wert angegeben ist bei dem sich der Kupferplattierungsfilm abziehen läßt
Außerdem wurde auch der dielektrische Verlust nach der Wärmebehandlung gemessen und es wurde festgestellt
daß bei einem dielektrischen Verlust von tan ö= 1,2% vor der Wärmebehandlung nach der Wärmebehandlung
eine drastische charakteristische Verbesserung erzielt wurde auf beispielsweise Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (10)
1. Verfahren zur Verbesserung der Eigenschaften eines auf einen Keramikkörper aufgebrachten Kupferfilms
durch eine Wärmebehandlung in einer inerten Atmosphäre, dadurch gekennzeichnet, daß man den Keramikkörper mit dem unter Anwendung
eines stromlosen Plattierungsverfahrens, eines Vakuumaufdampfverfahrens, eines Zerstäubungsverfahrens oder eines Ionenplattierungsverfahrens
aufgebrachten Kupferfilm in einem geschlossenen Behälter in einer inerten Atmosphäre unter Evakuieren
des Gases im Inneren des Behälters auf eine Temperatur von 300° C bis 1000° C erhitzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß man den Keramikkörper auf eine Temperatur von 5000C bis 10000C erhitzt
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Volumenprozentsatz
der in den Behälter eingebrachten Keramikkörper 50% bis 100% des Behältervolumens beträgt
4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 3, gekennzeichnet durch
einen gegen die äußere Atmosphäre verschließbaren Behälter (29) zur Aufnahme der Keramikkörper
(1); einen Ofen (21) mit einem Innenraum (22) zur Aufnahme des Behälters (29) und einer Heizeinrichtung
(26) zum Erhitzen der Außenatmosphäre des Behälters (29) und der Keramikkörper (1) im Inneren
des Behälters (29); und eine Einrichtung (27) zur Einführung eines Inertgases in den Innenraum (22) des
Ofens (21).
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Behälter (29) aus einem offenen
Behälterkörper (30) und einem auf die öffnung passenden Deckel (31) zum Verschließen der öffnung
besteht.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Anschlußstück (Paßstück) des Behälterkörpers
(30) und der Deckel (31) so geformt sind, daß ein Zwischenraum entsteht, der das Evakuieren
der Gase aus dem Inneren des Behälters (29) erlaubt.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Anschlußstück (Paßstück) des Behälterkörpers
(30) und der Deckel (31) so geformt sind, daß ein gasdichter Verschluß entsteht, und daß
der Behälter (29) mit einem Ventil (40) ausgestattet ist, das den Durchgang eines Gases nur in einer Richtung
aus dem Inneren des Behälters nach außen erlaubt.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Behälter (29) aus
rostfreiem Stahl, Eisen, Kupfer, Aluminiumoxid, Zirkoniumoxid, Forsterit, Quarzglas, Glaskeramik,
Mullit oder Cordierit besteht.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Ofen (21) ein
Durchlauftunnelofen ist.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß der Ofen (21) ein Kammerofen (Einsatzofen) ist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803038976 DE3038976C2 (de) | 1980-10-15 | 1980-10-15 | Verfahren und Vorrichtung zur Verbesserung der Eigenschaften eines auf einen Keramikkörper aufgebrachten Kupferfilms |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19803038976 DE3038976C2 (de) | 1980-10-15 | 1980-10-15 | Verfahren und Vorrichtung zur Verbesserung der Eigenschaften eines auf einen Keramikkörper aufgebrachten Kupferfilms |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3038976A1 DE3038976A1 (de) | 1982-04-22 |
| DE3038976C2 true DE3038976C2 (de) | 1986-05-22 |
Family
ID=6114451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19803038976 Expired DE3038976C2 (de) | 1980-10-15 | 1980-10-15 | Verfahren und Vorrichtung zur Verbesserung der Eigenschaften eines auf einen Keramikkörper aufgebrachten Kupferfilms |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3038976C2 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993020255A1 (de) * | 1992-04-02 | 1993-10-14 | Hoechst Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung eines haftfesten verbundes zwischen kupferschichten und keramik |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58166806A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-10-03 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波用誘電体セラミツク上に電極を形成する方法 |
-
1980
- 1980-10-15 DE DE19803038976 patent/DE3038976C2/de not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| NICHTS-ERMITTELT |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993020255A1 (de) * | 1992-04-02 | 1993-10-14 | Hoechst Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung eines haftfesten verbundes zwischen kupferschichten und keramik |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3038976A1 (de) | 1982-04-22 |
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