JP2936527B2 - バイアス回路 - Google Patents
バイアス回路Info
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- JP2936527B2 JP2936527B2 JP4155534A JP15553492A JP2936527B2 JP 2936527 B2 JP2936527 B2 JP 2936527B2 JP 4155534 A JP4155534 A JP 4155534A JP 15553492 A JP15553492 A JP 15553492A JP 2936527 B2 JP2936527 B2 JP 2936527B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G15/08—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing using a solid developer, e.g. powder developer
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の集積回路（Ｉ
Ｃ）を動作させる共通バイアス回路に関する。
Ｃ）を動作させる共通バイアス回路に関する。
【０００２】
【発明の背景】集積回路（ＩＣ）を１個の電圧供給源か
ら動作させるために、バイアス点はＩＣチップの内部ま
たは外部において設定される。これは、例えば、日本の
（株）東芝が製作したＴＡ７６３０型ＩＣでは、ＩＣの
内部において行われる。このような場合、複数の大きな
コンデンサをＩＣのハウジング内に収めることは実際的
でないから、バイアス電圧はＩＣチップのピンにおいて
得られ、そこに１個の大きなフィルタコンデンサを結合
させる。代りの方法として、やはり日本の（株）東芝が
製作したＴＡ９１８７型チップの場合のように、外部の
抵抗分割器またはツエナーダイオード回路により、ＩＣ
の外部においてバイアスを設定することができる。ＩＣ
の設計は種々異なるから、またＩＣ間のバラツキや他の
構成部品の許容誤差の故に、バイアス電圧の大きさの許
容誤差が予期される。バイアス電圧のこの許容誤差の故
に、結合コンデンサを使用し、この直流成分がチップ間
で結合されるのを阻止し、許容誤差電圧が増幅されるの
を防止する。漏話あるいはチップ内の帰還を除去するた
めに、各バイアス電源を濾波することも必要である。
ら動作させるために、バイアス点はＩＣチップの内部ま
たは外部において設定される。これは、例えば、日本の
（株）東芝が製作したＴＡ７６３０型ＩＣでは、ＩＣの
内部において行われる。このような場合、複数の大きな
コンデンサをＩＣのハウジング内に収めることは実際的
でないから、バイアス電圧はＩＣチップのピンにおいて
得られ、そこに１個の大きなフィルタコンデンサを結合
させる。代りの方法として、やはり日本の（株）東芝が
製作したＴＡ９１８７型チップの場合のように、外部の
抵抗分割器またはツエナーダイオード回路により、ＩＣ
の外部においてバイアスを設定することができる。ＩＣ
の設計は種々異なるから、またＩＣ間のバラツキや他の
構成部品の許容誤差の故に、バイアス電圧の大きさの許
容誤差が予期される。バイアス電圧のこの許容誤差の故
に、結合コンデンサを使用し、この直流成分がチップ間
で結合されるのを阻止し、許容誤差電圧が増幅されるの
を防止する。漏話あるいはチップ内の帰還を除去するた
めに、各バイアス電源を濾波することも必要である。
【０００３】これは、集積回路（ＩＣ内部で発生される
バイアス電源を有する集積回路を含む）において、同じ
ＩＣ内に配置された個々の増幅器の部分にバイアスを供
給するために慣行となっている。このような場合、チッ
プ内のバイアス電源および個々の部分は、信号結合コン
デンサ無しで互いに動作するように設計されている。こ
のような場合、チップ内でこの両立性を確保するため
に、チップを設計する際に注意が払われる。このこと
は、ＩＣ設計者が制御し得ない他のチップと共に動作さ
せることのできる個別のＩＣ全てについては事実ではな
い。
バイアス電源を有する集積回路を含む）において、同じ
ＩＣ内に配置された個々の増幅器の部分にバイアスを供
給するために慣行となっている。このような場合、チッ
プ内のバイアス電源および個々の部分は、信号結合コン
デンサ無しで互いに動作するように設計されている。こ
のような場合、チップ内でこの両立性を確保するため
に、チップを設計する際に注意が払われる。このこと
は、ＩＣ設計者が制御し得ない他のチップと共に動作さ
せることのできる個別のＩＣ全てについては事実ではな
い。
【０００４】同じハウジング内の個々の部分に内部バイ
アスを供給するＩＣのいくつかの例は、１９８６年に米
国のＲＣＡ社が版権を取得した「線形応用データブック
のためのＲＣＡ集積回路」に示されている。特に、「Ｃ
Ａ３０６０相互コンダクタンス演算増幅器アレイ」のブ
ロック図は、バイアス調整器を１個備えた３個の演算増
幅器を示している。３レベルの比較回路は、３個の演算
増幅器の各々がこのバイアス調整器からバイアスを受け
取っていることを示している。同様な状況は、集積回路
ＣＡ３４０１，ＣＡ３４５０，ＣＡ３４９３，ＣＡ５４
２２のブロック図およびＣＡ３１３０の応用例ノートに
示されており、これらは全て同一チップ上にある演算増
幅器がやはり同じチップ上にある共通のバイアス回路網
からバイアスを受け取っており、またＶ＋端子から電力
を受け取っていることを示している。
アスを供給するＩＣのいくつかの例は、１９８６年に米
国のＲＣＡ社が版権を取得した「線形応用データブック
のためのＲＣＡ集積回路」に示されている。特に、「Ｃ
Ａ３０６０相互コンダクタンス演算増幅器アレイ」のブ
ロック図は、バイアス調整器を１個備えた３個の演算増
幅器を示している。３レベルの比較回路は、３個の演算
増幅器の各々がこのバイアス調整器からバイアスを受け
取っていることを示している。同様な状況は、集積回路
ＣＡ３４０１，ＣＡ３４５０，ＣＡ３４９３，ＣＡ５４
２２のブロック図およびＣＡ３１３０の応用例ノートに
示されており、これらは全て同一チップ上にある演算増
幅器がやはり同じチップ上にある共通のバイアス回路網
からバイアスを受け取っており、またＶ＋端子から電力
を受け取っていることを示している。
【０００５】本発明は、個別のＩＣが全て同じバイアス
レベル（例えば、テレビジョン受像機内にあるチップの
うちの幾つかまたは全てに結合されている同一の電源電
圧の１／２）で動作するとすれば、バイアス／フィルタ
点を一緒に結合してすべてのＩＣを同一のバイアス電圧
に結合させることができる、と言うことを認識する。こ
れにより、個別のＩＣは信号リード線が直流結合される
と共に、チップ間で信号を結合するのに必要となる交流
結合コンデンサが省かれる。その上、各ＩＣに必要とさ
れる個々のバイアス・バイパスコンデンサが必要でなく
なる。従って、個々のＩＣ間で必要とされる信号結合コ
ンデンサを省くことができると共に、個別のＩＣに必要
とされる個々のバイアス・バイパスコンデンサを省くこ
とができることが望まれる。
レベル（例えば、テレビジョン受像機内にあるチップの
うちの幾つかまたは全てに結合されている同一の電源電
圧の１／２）で動作するとすれば、バイアス／フィルタ
点を一緒に結合してすべてのＩＣを同一のバイアス電圧
に結合させることができる、と言うことを認識する。こ
れにより、個別のＩＣは信号リード線が直流結合される
と共に、チップ間で信号を結合するのに必要となる交流
結合コンデンサが省かれる。その上、各ＩＣに必要とさ
れる個々のバイアス・バイパスコンデンサが必要でなく
なる。従って、個々のＩＣ間で必要とされる信号結合コ
ンデンサを省くことができると共に、個別のＩＣに必要
とされる個々のバイアス・バイパスコンデンサを省くこ
とができることが望まれる。
【０００６】ここで言う、個別のＩＣおよびチップに
は、モノリシック回路、およびハイブリッドＩＣやカプ
セル入りモジュールのような非モノリシックＩＣも含ま
れる。
は、モノリシック回路、およびハイブリッドＩＣやカプ
セル入りモジュールのような非モノリシックＩＣも含ま
れる。
【０００７】
【発明の概要】簡単に言うと、本発明は、個別のＩＣ間
で必要とされる信号結合コンデンサを省き、且つ個別の
ＩＣに必要とされる個々のバイアス・バイパスコンデン
サを省くために、個別のＩＣの個々のバイアス回路を一
緒に直流結合することにより、個別の集積回路を共通の
バイアス源で動作させる回路に関する。
で必要とされる信号結合コンデンサを省き、且つ個別の
ＩＣに必要とされる個々のバイアス・バイパスコンデン
サを省くために、個別のＩＣの個々のバイアス回路を一
緒に直流結合することにより、個別の集積回路を共通の
バイアス源で動作させる回路に関する。
【０００８】
【実施例】ここで図１に関連して述べると、従来技術に
よるバイアス回路の構成がブロック図で示されている。
集積回路１０のバイアスは外部のバイアス発生回路１２
により発生される。バイアス発生回路１２は抵抗１４が
ツエナーダイオード１６に結合され、この直列回路は正
の電源電圧Ｖｃｃと大地との間に結合されている。コン
デンサ１８はツエナーダイオード１６の両端間に結合さ
れ、ツエナーダイオード１６に発生するバイアス電圧を
濾波し、バイアス電圧はライン２０においてＩＣ１０に
供給される。この実施例では、バイアスはＶｃｃ／２で
ある。
よるバイアス回路の構成がブロック図で示されている。
集積回路１０のバイアスは外部のバイアス発生回路１２
により発生される。バイアス発生回路１２は抵抗１４が
ツエナーダイオード１６に結合され、この直列回路は正
の電源電圧Ｖｃｃと大地との間に結合されている。コン
デンサ１８はツエナーダイオード１６の両端間に結合さ
れ、ツエナーダイオード１６に発生するバイアス電圧を
濾波し、バイアス電圧はライン２０においてＩＣ１０に
供給される。この実施例では、バイアスはＶｃｃ／２で
ある。
【０００９】ＩＣ２２のバイアスはＶｃｃと大地との間
に結合された直列の抵抗２４と２６により内部で発生さ
れ、バイアスは接続部２８に発生される。先に述べた理
由により、フィルタコンデンサ３０がバイアス・ノード
２８に結合され、交流結合コンデンサ３２と３４は交流
信号をＩＣチップ２２に結合するために必要とされる。
に結合された直列の抵抗２４と２６により内部で発生さ
れ、バイアスは接続部２８に発生される。先に述べた理
由により、フィルタコンデンサ３０がバイアス・ノード
２８に結合され、交流結合コンデンサ３２と３４は交流
信号をＩＣチップ２２に結合するために必要とされる。
【００１０】図２に関連して述べると、図１と共通の要
素には同じ番号が付けられており、本発明によるバイア
ス回路の構成のブロック図が示されている。ＩＣ２２の
バイアス・ノード即ち接続点２８は、ＩＣ１０のバイア
ス・ピンと同様に、バイアス発生回路１２のバイアス・
ノード即ち出力２９に結合される。有利なことに、“短
絡路”１９を介してＩＣバイアス回路（抵抗２４と２
６）のバイアス・ノード２８をバイアス回路１２のバイ
アス・ノード２９に接続すると、これら２つのバイアス
電圧は等しくなり、この等化により、コンデンサ結合の
必要が無くなる。交流信号結合コンデンサ３２と３４は
もはや必要とされず、フィルタコンデンサ３０は余分な
ものとして省かれる。抵抗３６と３８は図１の抵抗４０
の代りとなり、ほとんど電圧降下を生じることなくバイ
アス電圧をバイアス発生回路１２からＩＣ１０に結合さ
せると共に、コンデンサ１８を介して交流信号を大地に
短絡させないようにするために、交流的絶縁を行う。
素には同じ番号が付けられており、本発明によるバイア
ス回路の構成のブロック図が示されている。ＩＣ２２の
バイアス・ノード即ち接続点２８は、ＩＣ１０のバイア
ス・ピンと同様に、バイアス発生回路１２のバイアス・
ノード即ち出力２９に結合される。有利なことに、“短
絡路”１９を介してＩＣバイアス回路（抵抗２４と２
６）のバイアス・ノード２８をバイアス回路１２のバイ
アス・ノード２９に接続すると、これら２つのバイアス
電圧は等しくなり、この等化により、コンデンサ結合の
必要が無くなる。交流信号結合コンデンサ３２と３４は
もはや必要とされず、フィルタコンデンサ３０は余分な
ものとして省かれる。抵抗３６と３８は図１の抵抗４０
の代りとなり、ほとんど電圧降下を生じることなくバイ
アス電圧をバイアス発生回路１２からＩＣ１０に結合さ
せると共に、コンデンサ１８を介して交流信号を大地に
短絡させないようにするために、交流的絶縁を行う。
【００１１】このようにして、例示的ＩＣは、全て個別
のＩＣのバイアス／フィルタ点を一緒に結合することに
より、同じバイアス電圧（Ｖｃｃ／２）で動作する。こ
れにより、各段は直流結合され、個々のバイアス・バイ
パスコンデンサは省かれる。その上、Ｖｃｃの分数のバ
イアス電源は交流信号用のアースとなるので、種々のＩ
Ｃ間のアース変調に係わる問題は減少され、あるいは排
除される。共通バイアス発生回路１２は、ＩＣ内部にあ
る一般にインピーダンスの高いバイアス発生回路を“圧
倒する”のに十分なだけ低いインピーダンスを有するこ
とが望ましいことに注目すべきである。
のＩＣのバイアス／フィルタ点を一緒に結合することに
より、同じバイアス電圧（Ｖｃｃ／２）で動作する。こ
れにより、各段は直流結合され、個々のバイアス・バイ
パスコンデンサは省かれる。その上、Ｖｃｃの分数のバ
イアス電源は交流信号用のアースとなるので、種々のＩ
Ｃ間のアース変調に係わる問題は減少され、あるいは排
除される。共通バイアス発生回路１２は、ＩＣ内部にあ
る一般にインピーダンスの高いバイアス発生回路を“圧
倒する”のに十分なだけ低いインピーダンスを有するこ
とが望ましいことに注目すべきである。
【００１２】この方法は、適当であるならば、Ｖｃｃま
たは大地を基準に分数の他のバイアス点（例えば、Ｖ
ｃｃ／３）にも有効であることに注目すべきである。更
に、共通にバイアス結合されたＩＣのうちの幾つかに対
して、バイアス電圧は大地を基準とするＶｃｃの完全に
正確な分数とはならずに個々のＩＣのダイナミックレン
ジが僅かに減少することに注目すべきである。
たは大地を基準に分数の他のバイアス点（例えば、Ｖ
ｃｃ／３）にも有効であることに注目すべきである。更
に、共通にバイアス結合されたＩＣのうちの幾つかに対
して、バイアス電圧は大地を基準とするＶｃｃの完全に
正確な分数とはならずに個々のＩＣのダイナミックレン
ジが僅かに減少することに注目すべきである。
【００１３】例示的実施例では、増幅器４０と４２はＬ
Ｍ３２４のＩＣであり、また、適するならば、バイアス
回路（図示せず）を他のＩＣと共通にする。
Ｍ３２４のＩＣであり、また、適するならば、バイアス
回路（図示せず）を他のＩＣと共通にする。
【図面の簡単な説明】
【図１】個別のＩＣのための、従来技術によるバイアス
接続のブロック図を示す。
接続のブロック図を示す。
【図２】本発明の特徴に従う、個別のＩＣのためのバイ
アス回路の結合のブロック図を示す。
アス回路の結合のブロック図を示す。
１０ 集積回路 １２ 外部バイアス発生回路 １６ ツエナーダイオード １８ コンデンサ ２２ 集積回路（ＩＣ） ２４ 直列抵抗 ２６ 直列抵抗 ３０ フィルタコンデンサ ３２ 交流信号結合コンデンサ ３４ 交流信号結合コンデンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｇ 3/00 (56)参考文献 特開 平２−234502（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−201176（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−91009（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−88506（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−190909（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03F 3/68 H01L 27/04 H03G 3/00
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の回路と、第１のバイアス・ノードを有し、 前記第１の回路に第１
の直流バイアス電圧を供給する第１のバイアス電圧源
と、 前記第１の回路とは別個の第２の回路と、第２のバイアス・ノードを有し、前記第１の直流バイア
ス電圧のレベルとは異なるレベルの第２の直流バイアス
電圧を前記第２の回路に供給する 第２のバイアス電圧源
と、前記第１のバイアス・ノードと前記第２のバイアス・ノ
ードとの間に結合され、前記第１と第２の直流バイアス
電圧を等しくするための直流短絡路とから成る 、バイア
ス回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US696562 | 1991-05-06 | ||
| US07/696,562 US5128723A (en) | 1991-05-06 | 1991-05-06 | Scavengeless development system having toner deposited on a doner roller from a toner mover |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05181983A JPH05181983A (ja) | 1993-07-23 |
| JP2936527B2 true JP2936527B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=24797584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4155534A Expired - Lifetime JP2936527B2 (ja) | 1991-05-06 | 1992-05-01 | バイアス回路 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5128723A (ja) |
| JP (1) | JP2936527B2 (ja) |
| KR (1) | KR100290968B1 (ja) |
| CN (1) | CN1031969C (ja) |
| GB (1) | GB2258574B (ja) |
| MY (1) | MY109253A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5204495A (en) * | 1992-06-01 | 1993-04-20 | Xerox Corporation | Developer unit disturbing brush |
| US5245392A (en) * | 1992-10-02 | 1993-09-14 | Xerox Corporation | Donor roll for scavengeless development in a xerographic apparatus |
| US5322970A (en) * | 1993-04-23 | 1994-06-21 | Xerox Corporation | Ceramic donor roll for scavengeless development in a xerographic apparatus |
| US5387967A (en) * | 1993-09-23 | 1995-02-07 | Xerox Corporation | Single-component electrophotographic development system |
| US5570170A (en) * | 1993-12-27 | 1996-10-29 | Moore Business Forms, Inc. | Electrostatic printing apparatus with a hopper and applicator roller with method of applying toner to and declumping the applicator roller |
| US5420672A (en) * | 1994-01-03 | 1995-05-30 | Xerox Corporation | Concept for prevention of scavengeless nip wire contamination with toner |
| JP3224205B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2001-10-29 | 松下電器産業株式会社 | 高耐圧混成集積回路装置 |
| US5950057A (en) * | 1998-06-01 | 1999-09-07 | Xerox Corporation | Hybrid scavengeless development using ion charging |
| US5923932A (en) * | 1998-09-28 | 1999-07-13 | Xerox Corporation | Hybrid scavengeless development using a method for preventing a ghosting print defect |
| US6330417B1 (en) | 2000-04-20 | 2001-12-11 | Xerox Corporation | Aluminized roll including anodization layer |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58201176A (ja) * | 1982-05-20 | 1983-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加算・減算回路 |
| JPS6188538A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61241454A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-27 | Honda Motor Co Ltd | 内燃エンジンの吸気２次空気供給装置 |
| JPS6291009A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 増幅器のバイアス回路 |
| NL8600292A (nl) * | 1986-02-07 | 1987-09-01 | Philips Nv | Brugversterker. |
| US4926217A (en) * | 1986-08-11 | 1990-05-15 | Xerox Corporation | Particle transport |
| JPS6395653A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体集積回路電源供給方式 |
| JPS63103820A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 粒状硫安の製造方法 |
| JPS63154407A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-27 | Bridgestone Corp | 空気入りラジアルタイヤ |
| US4868600A (en) * | 1988-03-21 | 1989-09-19 | Xerox Corporation | Scavengeless development apparatus for use in highlight color imaging |
| JPH01276660A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Nec Corp | Ｌｓｉの電源供給回路 |
| US4876575A (en) * | 1988-05-31 | 1989-10-24 | Xerox Corporation | Printing apparatus including apparatus and method for charging and metering toner particles |
| JPH023957A (ja) * | 1988-06-21 | 1990-01-09 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPH02234502A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-17 | Nec Corp | 信号処理回路 |
| JPH0388506A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Sharp Corp | 直結形増幅器 |
| US4990797A (en) * | 1989-09-26 | 1991-02-05 | Analog Devices, Inc. | Reference voltage distribution system |
| US4972230A (en) * | 1989-10-31 | 1990-11-20 | Xerox Corporation | Toner usage detector based on current biasing mixing means |
| US5010367A (en) * | 1989-12-11 | 1991-04-23 | Xerox Corporation | Dual AC development system for controlling the spacing of a toner cloud |
| US4990958A (en) * | 1989-12-26 | 1991-02-05 | Xerox Corporation | Reload member for a single component development housing |
-
1991
- 1991-05-06 US US07/696,562 patent/US5128723A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-17 MY MYPI92000422A patent/MY109253A/en unknown
- 1992-05-01 GB GB9209514A patent/GB2258574B/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-01 JP JP4155534A patent/JP2936527B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-02 KR KR1019920007514A patent/KR100290968B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-05-05 CN CN92103361A patent/CN1031969C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-16 US US07/945,847 patent/US5306960A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920022670A (ko) | 1992-12-19 |
| JPH05181983A (ja) | 1993-07-23 |
| US5128723A (en) | 1992-07-07 |
| US5306960A (en) | 1994-04-26 |
| GB2258574B (en) | 1995-01-04 |
| GB2258574A (en) | 1993-02-10 |
| MY109253A (en) | 1996-12-31 |
| CN1066539A (zh) | 1992-11-25 |
| CN1031969C (zh) | 1996-06-05 |
| GB9209514D0 (en) | 1992-06-17 |
| KR100290968B1 (ko) | 2001-06-01 |
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