JP2916904B2 - 半導体ウエーハの洗浄装置 - Google Patents

半導体ウエーハの洗浄装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエーハの
洗浄装置に係るもので、詳しくは、ウエーハを洗浄する
ときに、洗浄槽の内部から発生する異物質及びウエーハ
から落ちる異物質を外部に排出して洗浄効率を向上し得
る半導体ウエーハの洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近来、半導体素子の高集積化に従い、ウ
エーハの表面に残留する微細粒子（異物質）が該半導体
素子の電気的特性に大きな影響を与えている。そこで、
このようなウエーハの表面の微細粒子を除去するための
ウエーハ洗浄技術が、半導体製造技術において非常に重
要な課題となっている。
【０００３】現在、ＬＳＩの生産技術は、既に２μｍサ
イズの半導体素子を量産する段階に入っているが、この
ような微細な半導体素子の製造工程では、高い洗浄性能
と該高い洗浄性能を維持するための洗浄度管理とが必要
になる。従って、ウエーハの大径化及び半導体チップサ
イズの小型化に適合する洗浄装置の開発が推進され、特
に洗浄槽に供給される洗浄液（又は洗浄水）を節減し得
る洗浄装置の開発が最大目標となっている。
【０００４】従来の半導体ウエーハの洗浄装置は、図４
〜図６に示したように、下部に洗浄液供給管１a 及び複
数個の洗浄液排出管１b が夫々装着された外部洗浄槽
（以下、外槽と称す）１と、該外槽１の内部に設置され
た内部洗浄槽（以下、内槽と称す）２と、該内槽２の底
面に設置され洗浄液をウエーハＷに分配供給するバッフ
ルプレート３と、該バッフルプレート３の上部に設置さ
れウエーハＷを搭載する搭載台４と、から構成され、上
記供給管１a には、洗浄液をポンピングして前記内槽２
の内部に供給するポンプ６と、洗浄液の流れを調節する
バルブ７と、異物質を濾過して洗浄液を浄化するフィル
ター８と、が夫々装着されていた。また、前記搭載台４
は、その上面に所定間隔毎に複数の搭載溝４a が切刻形
成され、これら搭載溝４a に複数のウエーハＷが夫々搭
載されるようになっていた。
【０００５】ここで、上記のように構成された従来の半
導体ウエーハの洗浄装置におけるウエーハの洗浄工程を
以下に説明する。先ず、洗浄すべきウエーハＷをウエー
ハチャック（図示省略）を用いて内槽２の内部に移送収
納させ、搭載台４上に搭載させる。次いで、ポンプ６を
駆動すると、供給管１a を通って内槽２の内部に洗浄液
が供給され、該洗浄液はバッフルプレート３により分配
されて、前記搭載台４に搭載されたウエーハＷを洗浄す
る。
【０００６】洗浄液の継続的な供給により内槽２内に洗
浄液が満ちると、内槽２上方の開放部から洗浄液が溢れ
て外槽１に流出し、該流出した洗浄液は外槽１の下部に
連結された洗浄液排出管１b を介して順次排出され、ポ
ンプ６の駆動，バルブ７による供給量調節及びフィルタ
ー８の濾過過程とを経て内槽２の内部に再供給されて循
環される。
【０００７】前記循環される洗浄液の汚染が進行する
と、所定の汚染基準に従って洗浄液が廃棄処分される。
このような従来の半導体ウエーハの洗浄装置は、米国特
許第5,370,142 号等に開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の半導体ウエーハの洗浄装置においては、洗浄の際、
ウエーハＷが夫々搭載された複数の搭載溝４a に異物質
が付着して継続累積され、洗浄装置内の主な汚染源にな
るという不都合な点があった。即ち、搭載台４を上記の
ように固定式とした場合、搭載溝４a に異物質が継続累
積されることになる一方、前記搭載台４を移動式とした
場合には、搭載溝４aに異物質が累積されると共に外部
の異物質も搭載台４に付着して洗浄装置の内部に持ち込
まれるため、洗浄装置内の汚染が進むという不都合な点
があった。
【０００９】本発明の目的は、搭載台に形成されたウエ
ーハ搭載溝及び搭載台の表面に付着して累積される異物
質を効率的に除去し得る半導体ウエーハの洗浄装置を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、請求項１記載の発明に係る半導体ウエーハの洗
浄装置は、上方が開放された外槽と、該外槽の内部に設
置され上方が開放された内槽と、前記外槽から洗浄液を
排出する排出管と、前記内槽に対して洗浄液を供給する
第１供給管と、前記内槽の内部に設置されウエーハを搭
載するための搭載溝が形成された搭載台と、該搭載台に
搭載されたウエーハに対して前記第１供給管を介して供
給された洗浄液を分配供給するバッフルプレートと、前
記搭載台に搭載されるウエーハの下方に設置され、その
先端が前記内槽の周壁を貫通して前記外槽内に開放され
ると共に、上部に異物質流入孔が複数形成され、該異物
質流入孔を介して管内に流入した異物質を管内を流れる
洗浄液と共に前記外槽に排出させる異物質排出管と、前
記第１供給管から分岐して配管されて前記異物質排出管
の基端側に接続され、前記異物質排出管内に洗浄液を供
給する第２供給管と、前記第１供給管に洗浄液を供給す
るためのポンプと、該ポンプ下流側の前記第１供給管に
介装される第１バルブ及びフィルターと、を含んで構成
される。
【００１１】かかる構成によると、ウエーハ及び該ウエ
ーハが搭載される搭載台から剥離した異物質が前記異物
質排出管の中に流入すると、該異物質排出管の中を流れ
る洗浄液と共に外槽に排出される。請求項２記載の発明
では、前記異物質排出管の異物質流入孔が、前記搭載台
に形成される搭載溝と共に前記ウエーハを搭載する搭載
溝として形成される構成とした。
【００１２】かかる構成によると、ウエーハ及び搭載台
から剥離した異物質が、ウエーハが搭載される搭載溝を
介して異物質排出管内に流入して排出される。
【００１３】請求項３記載の発明では、前記第２供給管
に、洗浄液の流れを調節するための第２バルブを装着す
る構成とした。かかる構成によると、本来の洗浄作用の
ために内槽に供給される洗浄液に対して、異物質排出管
に供給される洗浄液の流量が個別に調整される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。図１及び図２は本発明に係る半導体
ウエーハの洗浄装置の実施の形態を示すものであり、こ
の図に示す半導体ウエーハの洗浄装置は、洗浄液を供給
する第１供給管１０a と洗浄液を排出する排出管１０b
とが下部に連結され、かつ、上方が開放された外槽１０
を備え、該外槽１０の内部に上方が開放された内槽１１
が収納設置される。
【００１５】前記内槽１１の内部底面には、第１供給管
１０a から内槽１１に供給される洗浄液を各ウエーハＷ
に分配供給するバッフルプレート１２が設置され、該バ
ッフルプレート１２の上部にはウエーハＷが搭載される
複数の搭載溝１３ａを有した搭載台１３が設置されてい
る。また、上記第１供給管１０には、洗浄液をポンピン
グして上記内槽１１の内部に供給するポンプ１５と、洗
浄液の流れを調節する第１バルブ１６と、異物質を濾過
するフィルター１７と、が夫々装着されている。
【００１６】そして、前記第１供給管１０a から分岐し
て前記バッフルプレート１２の上方側まで第２供給管２
０が屈曲配管され、該第２供給管２０の先方側端に異物
質排出管１８の基端（一方端）が連結される。前記異物
質排出管１８は、前記バッフルプレート１２の上方に前
記搭載台１３におけるウエーハＷの搭載列方向に沿って
前記内槽１１内部下方に配管され、該異物質排出管１８
の先方側端（他方端）は前記内槽１１の周壁を貫通して
外槽１０内に開放されている。
【００１７】また、図２及び図３に示したように、前記
異物質排出管１８上部には、所定間隔毎に複数の異物質
流入孔１８a が切刻形成され、それら異物質流入孔１８
a に前記搭載台１３に搭載されたウエーハＷの下部が挿
置され、ウエーハ及び搭載台１３に付着された異物質が
剥離して、前記異物質流入孔１８a から上記異物質排出
管１８内に流入するようになっている。
【００１８】即ち、前記異物質流入孔１８ａは、搭載台
１３の搭載溝１３ａと共に、ウエーハＷを搭載する搭載
溝としても機能するように構成してある。また、上記第
２供給管２０には、第２バルブ１９が装着され、上記異
物質排出管１８に供給される洗浄液の量と圧力とを適切
に調節するようになっている。以下に、上記構成の半導
体ウエーハの洗浄装置がウエーハを洗浄する動作を説明
する。
【００１９】先ず、ウエーハＷが搭載台１３上の各搭載
溝１３ａと異物質排出管１８の異物質流入孔１８とに夫
々係合搭載された状態で、第１供給管１０a を通って内
槽１１の内部に洗浄液が供給されると、該洗浄液はバッ
フルプレート１２によって各ウエーハＷに分配供給さ
れ、上記搭載台１３及び異物質排出管１８上のウエーハ
Ｗを洗浄する。
【００２０】次いで、洗浄液が継続供給され内槽１１が
洗浄液で満ちると、洗浄液は内槽１１から溢れて外槽１
０に排出され、第１供給管１０a のポンプ１５の駆動，
第１バルブ１６の供給量調節及びフィルター１７による
濾過過程とを経て内槽１１の内部に再供給される。この
ように洗浄液が反復循環されてウエーハＷが洗浄される
が、循環する洗浄液の汚染が進行すると、所定汚染基準
に従い洗浄液を廃棄処分する。
【００２１】一方、このように搭載台１３及び異物質排
出管１８上のウエーハＷを洗浄するときに、前記第１供
給管１０a から分岐された第２供給管２０を通って前記
洗浄液が異物質排出管１８内にも同時に供給される。こ
のとき、ウエーハＷ及び搭載台１３上の異物質が剥離し
て異物質流入孔１８a に流入すると、該流入した異物質
は、異物質排出管１８内を流れる洗浄液と共に、外槽１
０に一旦流入した後、排出管１０ｂを通って外部に排出
される。
【００２２】上記異物質排出管１８に供給する洗浄液の
スピードは第２バルブ１９の開度により調節されるが、
ウエーハＷの重さに応じてウエーハＷの支持及び洗浄に
適合する範囲内で該第２バルブ１９の開度を調節する。
このようにして、前記異物質排出管１８により内槽１１
の内部から洗浄液と共に排出された異物質は、フィルタ
ー１７により濾過され、異物質が濾過除去された洗浄液
のみが循環される。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によると、ウエーハ及び搭載台上の異物質を外槽に排
出するように構成したため、搭載台の搭載溝等に対する
異物質の付着・累積を防止でき、以て、洗浄効率を向上
し得るという効果がある。
【００２４】請求項２記載の発明によると、異物質排出
管の異物質流入孔を、ウエーハを搭載するための搭載溝
として機能させることで、ウエーハ及び搭載台上の異物
質を効率良く排出させることができるという効果があ
る。
【００２５】請求項３記載の発明によると、異物質排出
管に供給する洗浄液の量を適切に調節することで、洗浄
性能を低下させることなく効率良く異物質を排出させる
ことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体ウエーハの洗浄装置の実施
の形態を示す概略構成図である。
【図２】前記実施の形態において搭載台にウエーハを搭
載した状態を示す斜視図である。
【図３】前記実施の形態における異物質排出管の構成及
び作用を示す説明図である。
【図４】従来の半導体ウエーハの洗浄装置を示す概略構
成図である。
【図５】従来の搭載台にウエーハを搭載した状態を示す
斜視図である。
【図６】従来の搭載台の搭載溝にウエーハを搭載した状
態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０ 外槽 １０ａ 第１供給管 １０ｂ 排出管 １１ 内槽 １２ バッフルプレート １３ 搭載台 １３ａ 搭載溝 １５ ポンプ １６ 第１バルブ １７ フィルター １８ 異物質排出管 １８ａ 異物質流入孔 １９ 第２バルブ ２０ 第２供給管 Ｗ ウエーハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−229339（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−123723（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−7622（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−6992（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−106293（ＪＰ，Ａ) 実開 平７−22541（ＪＰ，Ｕ)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】上方が開放された外槽と、該外槽の内部に
    設置され上方が開放された内槽と、前記外槽から洗浄液
    を排出する排出管と、前記内槽に対して洗浄液を供給す
    る第１供給管と、前記内槽の内部に設置されウエーハを
    搭載するための搭載溝が形成された搭載台と、該搭載台
    に搭載されたウエーハに対して前記第１供給管を介して
    供給された洗浄液を分配供給するバッフルプレートと、
    前記搭載台に搭載されるウエーハの下方に設置され、そ
    の先端が前記内槽の周壁を貫通して前記外槽内に開放さ
    れると共に、上部に異物質流入孔が複数形成され、該異
    物質流入孔を介して管内に流入した異物質を管内を流れ
    る洗浄液と共に前記外槽に排出させる異物質排出管と、
    前記第１供給管から分岐して配管されて前記異物質排出
    管の基端側に接続され、前記異物質排出管内に洗浄液を
    供給する第２供給管と、前記第１供給管に洗浄液を供給
    するためのポンプと、該ポンプ下流側の前記第１供給管
    に介装される第１バルブ及びフィルターと、を含んで構
    成されたことを特徴とする半導体ウエーハの洗浄装置。
  2. 【請求項２】前記異物質排出管の異物質流入孔が、前記
    搭載台に形成される搭載溝と共に前記ウエーハを搭載す
    る搭載溝として形成されることを特徴とする請求項１記
    載の半導体ウエーハの洗浄装置。
  3. 【請求項３】前記第２供給管に、洗浄液の流れを調節す
    るための第２バルブを装着したことを特徴とする請求項
    １又は２に記載の半導体ウエーハの洗浄装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3683485B2 (ja) * 2000-09-05 2005-08-17 東京応化工業株式会社 洗浄液の供給システム
FR2814692A1 (fr) * 2000-09-30 2002-04-05 Georges Lucien Michel Enceinte de nettoyage modulaire multifonctions
CN1310291C (zh) * 2001-04-10 2007-04-11 华邦电子股份有限公司 具有防止管壁堵塞功能的芯片洗净设备
CN100385618C (zh) * 2005-09-08 2008-04-30 联华电子股份有限公司 晶片洁净装置的晶片保护系统以及晶片清洗工艺
CN101295622B (zh) * 2007-04-24 2010-08-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 清洗晶圆的装置及方法
CN107634022B (zh) * 2017-10-27 2023-12-29 镇江佳鑫精工设备有限公司 一种半导体零件清洗装置
JP6631687B1 (ja) * 2018-12-25 2020-01-15 株式会社Sumco 半導体ウェーハの洗浄槽および洗浄方法
CN110544654B (zh) * 2019-08-27 2022-04-15 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种硅片处理装置和处理方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4325394A (en) * 1980-08-25 1982-04-20 Micro Air Systems, Inc. Submersible motor chemical processing apparatus
JPS59134834A (ja) * 1983-01-21 1984-08-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの洗浄装置
JPS60229339A (ja) * 1984-04-26 1985-11-14 Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd 湿式洗浄装置
US4669612A (en) * 1985-02-20 1987-06-02 Empak Inc. Disk processing cassette
JPS62123723A (ja) * 1985-11-22 1987-06-05 Mitsubishi Electric Corp ウエハ洗浄装置
JPS647622A (en) * 1987-06-30 1989-01-11 Nec Corp Device for treatment of semiconductor substrate
JP2837725B2 (ja) * 1990-02-08 1998-12-16 富士通株式会社 半導体ウェーハの液体処理装置
JPH03250732A (ja) * 1990-02-28 1991-11-08 Fuji Electric Co Ltd 半導体ウェーハの洗浄装置
JPH0458529A (ja) * 1990-06-28 1992-02-25 Fujitsu Ltd 洗浄装置および洗浄方法
JPH0475341A (ja) * 1990-07-18 1992-03-10 Fujitsu Ltd 半導体基板洗浄方法及び洗浄装置
JP2901098B2 (ja) * 1991-04-02 1999-06-02 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置および洗浄方法
JPH05291228A (ja) * 1992-04-07 1993-11-05 Fujitsu Ltd ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法
JPH0689889A (ja) * 1992-09-09 1994-03-29 Fujitsu Ltd ウェハ洗浄装置
JP3194209B2 (ja) * 1992-11-10 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置
JP2586378B2 (ja) * 1993-06-15 1997-02-26 日本電気株式会社 半導体装置の製造装置
JPH0722541U (ja) * 1993-09-29 1995-04-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3410780B2 (ja) * 1993-09-30 2003-05-26 株式会社東芝 ガス絶縁開閉装置
JP2912538B2 (ja) * 1993-12-08 1999-06-28 大日本スクリーン製造株式会社 浸漬型基板処理装置

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