JP2901188B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は素子領域及び配線領域を有し、配線領域内
に設けられたデータバスをバス駆動回路により駆動する
ようにした半導体集積回路に関する。
に設けられたデータバスをバス駆動回路により駆動する
ようにした半導体集積回路に関する。
(従来の技術) 第5図は一般的なマイクロコントローラのレイアウト
を示す図である。マイクロコントローラの内部には、CP
U11,ROM12,RAM13,タイマ14及び入出力ポート15等の種々
の機能ブロックが存在している。これら機能ブロック間
のデータ転送はデータバス16を介して行われる。このデ
ータバス16はデータを転送するための信号線の集合であ
り、4ビットのマイクロコントローラの場合には4本の
信号線が、8ビットの場合には8本の信号線がそれぞれ
設けられている。
を示す図である。マイクロコントローラの内部には、CP
U11,ROM12,RAM13,タイマ14及び入出力ポート15等の種々
の機能ブロックが存在している。これら機能ブロック間
のデータ転送はデータバス16を介して行われる。このデ
ータバス16はデータを転送するための信号線の集合であ
り、4ビットのマイクロコントローラの場合には4本の
信号線が、8ビットの場合には8本の信号線がそれぞれ
設けられている。
第6図は、第5図のようにレイアウトされたマイクロ
コントローラが8ビット構成のものであり、データバス
16がD0〜D7からなる8本の信号線で構成されている場合
のデータバス16、タイマ14及び入出力ポート15の一部の
具体的な回路図であり、第7図はこのデータバス16の中
の1本の信号線D5を使用してデータの転送を行なう場合
の動作の一例を示すタイミングチャートである。
コントローラが8ビット構成のものであり、データバス
16がD0〜D7からなる8本の信号線で構成されている場合
のデータバス16、タイマ14及び入出力ポート15の一部の
具体的な回路図であり、第7図はこのデータバス16の中
の1本の信号線D5を使用してデータの転送を行なう場合
の動作の一例を示すタイミングチャートである。
まず、クロック信号φが“0"の期間では、信号線D5に
接続されているプリチャージ用のPチャネルMOSトラン
ジスタ21がオンし、この信号線D5が“1"にプリチャージ
される。クロック信号φが“1"の期間、制御信号Aが
“1"にされていれば、タイマ14内のANDゲート22の出力
が“1"になり、このゲート22の出力が供給されるNチャ
ネルMOSトランジスタ23がオンする。このとき、タイマ1
4内のデータData1が“1"であればNチャネルMOSトラン
ジスタ24がオンするので、信号線D5は上記両トランジス
タ23,24を直列に介して基準電圧(GND)に放電され、信
号線D5のデータは“0"になる。他方、この期間に入出力
ポート15内の制御信号Bが“1"であればANDゲート25の
出力が“1"になり、このゲート25の出力がクロック信号
として供給されるラッチ回路26により、上記信号線D5上
の“0"のデータがラッチされ、その反転出力データData
2が“1"になる(第7図中の期間T1)。
接続されているプリチャージ用のPチャネルMOSトラン
ジスタ21がオンし、この信号線D5が“1"にプリチャージ
される。クロック信号φが“1"の期間、制御信号Aが
“1"にされていれば、タイマ14内のANDゲート22の出力
が“1"になり、このゲート22の出力が供給されるNチャ
ネルMOSトランジスタ23がオンする。このとき、タイマ1
4内のデータData1が“1"であればNチャネルMOSトラン
ジスタ24がオンするので、信号線D5は上記両トランジス
タ23,24を直列に介して基準電圧(GND)に放電され、信
号線D5のデータは“0"になる。他方、この期間に入出力
ポート15内の制御信号Bが“1"であればANDゲート25の
出力が“1"になり、このゲート25の出力がクロック信号
として供給されるラッチ回路26により、上記信号線D5上
の“0"のデータがラッチされ、その反転出力データData
2が“1"になる(第7図中の期間T1)。
また、クロック信号φが“1"、制御信号Aが“1"、デ
ータData1が“1"のときに制御信号Bが“0"ならば、タ
イマ14により信号線D5のデータは“0"に設定されるが、
入出力ポート15内のラッチ回路26にはクロック信号が供
給されないので、ラッチ回路26の出力データData2は変
化しない(第7図中の期間T2)。
ータData1が“1"のときに制御信号Bが“0"ならば、タ
イマ14により信号線D5のデータは“0"に設定されるが、
入出力ポート15内のラッチ回路26にはクロック信号が供
給されないので、ラッチ回路26の出力データData2は変
化しない(第7図中の期間T2)。
さらに、クロック信号φが“1"で制御信号Aが“1"の
とき、タイマ14内のデータData1が“0"であれば、Nチ
ャネルMOSトランジスタ23はオフする。このときは信号
線D5から基準電圧GNDに至る電流経路が形成されないの
で、予めプリチャージされた信号線D5の“1"のデータ
は、この信号線に存在する寄生容量によってそのままダ
イナミックに保持される。他方、この期間に制御信号B
が“1"であれば、ラッチ回路26により上記信号線D5上の
“1"のデータがラッチされ、その反転出力データData2
が“0"になる(第7図中の期間T3)。
とき、タイマ14内のデータData1が“0"であれば、Nチ
ャネルMOSトランジスタ23はオフする。このときは信号
線D5から基準電圧GNDに至る電流経路が形成されないの
で、予めプリチャージされた信号線D5の“1"のデータ
は、この信号線に存在する寄生容量によってそのままダ
イナミックに保持される。他方、この期間に制御信号B
が“1"であれば、ラッチ回路26により上記信号線D5上の
“1"のデータがラッチされ、その反転出力データData2
が“0"になる(第7図中の期間T3)。
このように、データバスを使用してデータを転送する
場合に、予めプリチャージ期間にデータバスの寄生容量
に蓄えられた電荷を放電するか否かによってデータを転
送する方法は、データバスの寄生容量に電荷を蓄えるプ
リチャージ期間中にはデータの転送が行なえないという
問題がある。しかし、データバスを駆動するバスドライ
バとしての2個のMOSトランジスタ23,24がNチャネルMO
Sトランジスタのみで構成されているため、データバス
に寄生する容量がPチャネル及びNチャネル両方のMOS
トランジスタを用いたCMOS型のバスドライバに比べて少
なくなり、データ転送速度の高速化を図ることができる
という長所がある。
場合に、予めプリチャージ期間にデータバスの寄生容量
に蓄えられた電荷を放電するか否かによってデータを転
送する方法は、データバスの寄生容量に電荷を蓄えるプ
リチャージ期間中にはデータの転送が行なえないという
問題がある。しかし、データバスを駆動するバスドライ
バとしての2個のMOSトランジスタ23,24がNチャネルMO
Sトランジスタのみで構成されているため、データバス
に寄生する容量がPチャネル及びNチャネル両方のMOS
トランジスタを用いたCMOS型のバスドライバに比べて少
なくなり、データ転送速度の高速化を図ることができる
という長所がある。
第8図は上記第6図回路におけるバスドライバを構成
する2個のNチャネルMOSトランジスタ23,24をLSI上に
形成した場合の従来のパターン平面図である。なお、第
6図と対応する箇所には同じ符号を付している。データ
バス16を構成する8本の信号線D0〜D7は、チップ上の配
線領域30において、それぞれ金属、例えばアルミニウム
によって構成されている。また、この配線領域30内に
は、上記信号線D7に隣接して他の信号線31が何本か形成
されている。これらの配線31もアルミニウムによって構
成されている。さらに、上記信号線31に隣接した素子領
域32内には、アルミニウムによって構成された基準電圧
(GND)用の電源配線33が設けられている。
する2個のNチャネルMOSトランジスタ23,24をLSI上に
形成した場合の従来のパターン平面図である。なお、第
6図と対応する箇所には同じ符号を付している。データ
バス16を構成する8本の信号線D0〜D7は、チップ上の配
線領域30において、それぞれ金属、例えばアルミニウム
によって構成されている。また、この配線領域30内に
は、上記信号線D7に隣接して他の信号線31が何本か形成
されている。これらの配線31もアルミニウムによって構
成されている。さらに、上記信号線31に隣接した素子領
域32内には、アルミニウムによって構成された基準電圧
(GND)用の電源配線33が設けられている。
また、第8図において、34,35及び36は前記2個のN
チャネルMOSトランジスタ23,24のソース,ドレインとな
るN型拡散層であり、拡散層34はコンタクトホール37を
介して前記信号線D5と接続され、拡散層36はコンタクト
ホール38を介してGNDの電源配線33と接続されている。
さらに拡散層34,35の相互間には前記NチャネルMOSトラ
ンジスタ23のゲート電極となり、前記ANDゲート22の出
力である信号A・φが供給される多結晶シリコン配線39
が設けられ、同様に拡散層35,36相互間には前記Nチャ
ネルMOSトランジスタ24のゲート電極となり、前記デー
タData1が供給される多結晶シリコン配線40が設けられ
ている。
チャネルMOSトランジスタ23,24のソース,ドレインとな
るN型拡散層であり、拡散層34はコンタクトホール37を
介して前記信号線D5と接続され、拡散層36はコンタクト
ホール38を介してGNDの電源配線33と接続されている。
さらに拡散層34,35の相互間には前記NチャネルMOSトラ
ンジスタ23のゲート電極となり、前記ANDゲート22の出
力である信号A・φが供給される多結晶シリコン配線39
が設けられ、同様に拡散層35,36相互間には前記Nチャ
ネルMOSトランジスタ24のゲート電極となり、前記デー
タData1が供給される多結晶シリコン配線40が設けられ
ている。
このように従来では、バスドライバが接続されるGND
用の電源配線として、通常、素子領域内に設けられ、論
理回路を構成するときに使用されるGND用の電源配線が
共用される。ところで、配線領域30と素子領域32内に設
けられた電源配線33との間には図示しないが、種々の素
子が形成されている場合が多い。このため、拡散層36の
長さは必然的に長くなり、この拡散層36における等価抵
抗は高いものになる。
用の電源配線として、通常、素子領域内に設けられ、論
理回路を構成するときに使用されるGND用の電源配線が
共用される。ところで、配線領域30と素子領域32内に設
けられた電源配線33との間には図示しないが、種々の素
子が形成されている場合が多い。このため、拡散層36の
長さは必然的に長くなり、この拡散層36における等価抵
抗は高いものになる。
また、LSIに内蔵される機能ブロックが複雑な処理を
行ない、その構成が巨大化するのに伴い、上記配線領域
30は拡大していく。また、データのビット長が4ビッ
ト、8ビットから16ビット、32ビットへと大きくなるこ
とも配線領域の拡大に拍車をかけている。
行ない、その構成が巨大化するのに伴い、上記配線領域
30は拡大していく。また、データのビット長が4ビッ
ト、8ビットから16ビット、32ビットへと大きくなるこ
とも配線領域の拡大に拍車をかけている。
第9図はデータのビット長が32ビットになり、これに
よりデータバス16がD0〜D31の32本の信号線に増加する
ことによって配線領域30が拡大した場合の、前記第8図
に対応するパターン平面図である。配線領域30が拡大す
ることにより、拡散層36の長さは第8図の場合と比べて
長くなる。
よりデータバス16がD0〜D31の32本の信号線に増加する
ことによって配線領域30が拡大した場合の、前記第8図
に対応するパターン平面図である。配線領域30が拡大す
ることにより、拡散層36の長さは第8図の場合と比べて
長くなる。
第10図は上記第9図のバスドライバの等価回路図であ
る。この場合、N型拡散層36が長くなることにより、バ
スドライバ内のトランジスタ24(第8図に図示)のソー
スとGND用の電源配線33との間には等価的に大きな抵抗
Rが挿入されたことになる。このようにトランジスタ24
のソース側に大きな抵抗が入ることにより、信号線D5の
放電特性が悪化することになる。すなわち、信号線D5を
放電する際には、2個のMOSトランジスタ23,24及び上記
抵抗Rを直列に介して電流が流れる。そして、この電流
が流れることにより上記抵抗Rに電圧降下が発生し、こ
れによりトランジスタ24のソース電位が上昇する。この
結果、このトランジスタ24は、電流の流れ始めでは第11
図の特性図中のa点で動作していたものが、ソース電位
が上昇することによってドレイン,ソース間電圧VDS及
びゲート,ソース間電圧VGSが共に低下し、b点に動作
点が移動する。その結果、バスドライバに流れる電流の
値が減少し、信号線D5の電荷が放電されるのに要する時
間が長くなる。また、ソース電位の上昇はNチャネルMO
Sトランジスタのチャネル下の電位とソース電位との電
位差VBSを低下させることになる。VBSの低下はNシャネ
ルMOSトランジスタにより大きなバックゲートバイアス
効果を発生させ、その閾値電圧を上昇させるため、電流
はさらに減少する。
る。この場合、N型拡散層36が長くなることにより、バ
スドライバ内のトランジスタ24(第8図に図示)のソー
スとGND用の電源配線33との間には等価的に大きな抵抗
Rが挿入されたことになる。このようにトランジスタ24
のソース側に大きな抵抗が入ることにより、信号線D5の
放電特性が悪化することになる。すなわち、信号線D5を
放電する際には、2個のMOSトランジスタ23,24及び上記
抵抗Rを直列に介して電流が流れる。そして、この電流
が流れることにより上記抵抗Rに電圧降下が発生し、こ
れによりトランジスタ24のソース電位が上昇する。この
結果、このトランジスタ24は、電流の流れ始めでは第11
図の特性図中のa点で動作していたものが、ソース電位
が上昇することによってドレイン,ソース間電圧VDS及
びゲート,ソース間電圧VGSが共に低下し、b点に動作
点が移動する。その結果、バスドライバに流れる電流の
値が減少し、信号線D5の電荷が放電されるのに要する時
間が長くなる。また、ソース電位の上昇はNチャネルMO
Sトランジスタのチャネル下の電位とソース電位との電
位差VBSを低下させることになる。VBSの低下はNシャネ
ルMOSトランジスタにより大きなバックゲートバイアス
効果を発生させ、その閾値電圧を上昇させるため、電流
はさらに減少する。
従来、素子領域内のGNDの電源配線をバスドライバで
共用することは、バスドライバのソース抵抗の増大を招
き、バスドライバの放電特性を悪化させるという欠点が
ある。
共用することは、バスドライバのソース抵抗の増大を招
き、バスドライバの放電特性を悪化させるという欠点が
ある。
(発明が解決しようとする課題) このように従来では、バス駆動回路を素子領域に設け
られた電源配線に接続しているので、バス駆動回路の放
電特性が悪化し、データ転送の高速化を図ることができ
ないという欠点がある。
られた電源配線に接続しているので、バス駆動回路の放
電特性が悪化し、データ転送の高速化を図ることができ
ないという欠点がある。
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもの
であり、その目的は、バス駆動回路の放電特性を悪化さ
せることがなく、データの転送が高速に行なえる半導体
集積回路を提供することにある。
であり、その目的は、バス駆動回路の放電特性を悪化さ
せることがなく、データの転送が高速に行なえる半導体
集積回路を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明の半導体集積回路は、素子領域及び配線領域
を有する半導体集積回路において、上記配線領域内に形
成され複数の信号配線が並行して配設されたデータバス
と、上記配線領域内で上記複数の信号配線の相互間に設
けられ、これら信号配線と並行して配設され、予めプリ
チャージされた上記信号配線をプリチャージレベルとは
異なるレベルに設定するための電源電位を伝達する1つ
の電源配線と、上記信号配線のうちのいずれか1つに一
端が接続され、上記1つの電源配線に他端が接続され、
ソース、ドレイン拡散層が上記配線領域下部の基板内に
形成された少なくとも1個のMOSトランジスタで構成さ
れたバス駆動回路と を具備したことを特徴とする。
を有する半導体集積回路において、上記配線領域内に形
成され複数の信号配線が並行して配設されたデータバス
と、上記配線領域内で上記複数の信号配線の相互間に設
けられ、これら信号配線と並行して配設され、予めプリ
チャージされた上記信号配線をプリチャージレベルとは
異なるレベルに設定するための電源電位を伝達する1つ
の電源配線と、上記信号配線のうちのいずれか1つに一
端が接続され、上記1つの電源配線に他端が接続され、
ソース、ドレイン拡散層が上記配線領域下部の基板内に
形成された少なくとも1個のMOSトランジスタで構成さ
れたバス駆動回路と を具備したことを特徴とする。
この発明の半導体集積回路は、素子領域及び配線領域
を有する半導体集積回路において、上記配線領域内に形
成され複数の信号配線が並行して配設されたデータバス
と、上記配線領域内で上記複数の信号配線の相互間に設
けられ、これら信号配線と並行しかつ互いに隣り合わな
いようにして配設され、予めプリチャージされた上記信
号配線をプリチャージレベルとは異なるレベルに設定す
るための電源電位をそれぞれ伝達する2つ以上の電源配
線と、上記信号配線のうちのいずれか1つに一端が接続
され、上記2つ以上の電源配線のうちのいずれか1つに
他端が接続され、ソース、ドレイン拡散層が上記配線領
域下部の基板内に形成されたそれぞれ少なくとも1個の
MOSトランジスタで構成された2つ以上のバス駆動回路
とを具備したことを特徴とする。
を有する半導体集積回路において、上記配線領域内に形
成され複数の信号配線が並行して配設されたデータバス
と、上記配線領域内で上記複数の信号配線の相互間に設
けられ、これら信号配線と並行しかつ互いに隣り合わな
いようにして配設され、予めプリチャージされた上記信
号配線をプリチャージレベルとは異なるレベルに設定す
るための電源電位をそれぞれ伝達する2つ以上の電源配
線と、上記信号配線のうちのいずれか1つに一端が接続
され、上記2つ以上の電源配線のうちのいずれか1つに
他端が接続され、ソース、ドレイン拡散層が上記配線領
域下部の基板内に形成されたそれぞれ少なくとも1個の
MOSトランジスタで構成された2つ以上のバス駆動回路
とを具備したことを特徴とする。
(作用) 配線領域内にバス駆動回路専用の電源配線を設けるこ
とにより、配線領域が拡大しても、バス駆動回路を構成
するMOSトランジスタの拡散層の長さが長くならず、こ
れにより拡散層における抵抗の増大を防止することがで
きる。さらに、バス駆動回路専用の電源配線をデータバ
スの信号配線の相互間に配置することにより、バス駆動
回路を構成するMOSトランジスタの拡散層の長さをより
短縮することができる。
とにより、配線領域が拡大しても、バス駆動回路を構成
するMOSトランジスタの拡散層の長さが長くならず、こ
れにより拡散層における抵抗の増大を防止することがで
きる。さらに、バス駆動回路専用の電源配線をデータバ
スの信号配線の相互間に配置することにより、バス駆動
回路を構成するMOSトランジスタの拡散層の長さをより
短縮することができる。
(実施例) 以下、図面を参照してこの発明を実施例により説明す
る。
る。
第1図はこの発明の途中で考えられた半導体集積回路
のパターン平面図であり、前記第6図回路におけるバス
ドライバを構成する2個のNチャネルMOSトランジスタ2
3,24をLSI上に形成した場合のものである。なお、第1
図において、前記第6図と対応する箇所には同じ符号を
付して説明を行なう。データバス16はそれぞれ金属、例
えばアルミニウムからなる8本の信号線D0〜D7によって
構成されており、このデータバス16はチップ上の配線領
域30に形成されている。また、配線領域30内には上記デ
ータバス16に隣接して、アルミニウムによって構成され
た基準電圧(GND)用の電源配線41が設けられている。
のパターン平面図であり、前記第6図回路におけるバス
ドライバを構成する2個のNチャネルMOSトランジスタ2
3,24をLSI上に形成した場合のものである。なお、第1
図において、前記第6図と対応する箇所には同じ符号を
付して説明を行なう。データバス16はそれぞれ金属、例
えばアルミニウムからなる8本の信号線D0〜D7によって
構成されており、このデータバス16はチップ上の配線領
域30に形成されている。また、配線領域30内には上記デ
ータバス16に隣接して、アルミニウムによって構成され
た基準電圧(GND)用の電源配線41が設けられている。
また、第1図において、34,35及び36は前記2個のN
チャネルMOSトランジスタ23,24のソース,ドレインとな
るN型拡散層であり、拡散層34はコンタクトホール37を
介してデータバス16を構成する1本の信号線、例えば信
号線D5と接続され、拡散層36はコンタクトホール38を介
してGNDの電源配線41と接続されている。さらに拡散層3
4,35の相互間には前記NチャネルMOSトランジスタ23の
ゲート電極となり、前記ANDゲート22の出力である信号
A・φが供給される多結晶シリコン配線39が設けられ、
同様に拡散層35,36相互間には前記NチャネルMOSトラン
ジスタ24のゲート電極となり、前記データData1が供給
される多結晶シリコン配線40が設けられている。
チャネルMOSトランジスタ23,24のソース,ドレインとな
るN型拡散層であり、拡散層34はコンタクトホール37を
介してデータバス16を構成する1本の信号線、例えば信
号線D5と接続され、拡散層36はコンタクトホール38を介
してGNDの電源配線41と接続されている。さらに拡散層3
4,35の相互間には前記NチャネルMOSトランジスタ23の
ゲート電極となり、前記ANDゲート22の出力である信号
A・φが供給される多結晶シリコン配線39が設けられ、
同様に拡散層35,36相互間には前記NチャネルMOSトラン
ジスタ24のゲート電極となり、前記データData1が供給
される多結晶シリコン配線40が設けられている。
第2図は第1図におけるA−A′線に沿った素子構造
を示す断面図であり、図中、42はP型基板、43はフィー
ルド酸化膜である。
を示す断面図であり、図中、42はP型基板、43はフィー
ルド酸化膜である。
第1図の半導体集積回路では、配線領域30内にバスド
ライバ専用のGNDの電源配線41を設け、この電源配線41
にバスドライバとしてのトランジスタの拡散層36を接続
するようにしている。このため、データバス16と上記電
源配線41との間には従来のように素子領域内の各種素子
が形成されていないので、上記拡散層36の長さを従来よ
りも短くすることができる。この結果、前記第10図の等
価回路中の抵抗Rの値を低減させることができ、これに
よってデータバスの放電特性の悪化を防止することがで
きる。すなわち、単時間でデータバスの放電を行なわせ
ることができ、これによりデータ転送の高速化を図るこ
とができる。
ライバ専用のGNDの電源配線41を設け、この電源配線41
にバスドライバとしてのトランジスタの拡散層36を接続
するようにしている。このため、データバス16と上記電
源配線41との間には従来のように素子領域内の各種素子
が形成されていないので、上記拡散層36の長さを従来よ
りも短くすることができる。この結果、前記第10図の等
価回路中の抵抗Rの値を低減させることができ、これに
よってデータバスの放電特性の悪化を防止することがで
きる。すなわち、単時間でデータバスの放電を行なわせ
ることができ、これによりデータ転送の高速化を図るこ
とができる。
第3図はこの発明に係る半導体集積回路の第1の実施
例によるパターン平面図である。この実施例では、前記
電源配線41を、データバス16を構成する8本の信号線D0
〜D7のちょうど中間、すなわち信号線D3とD4の間に配置
するようにしたものである。なお、この実施例ではデー
タバス16の信号線D7を駆動するバスドライバ51と、デー
タバス16の信号線D1を駆動するバスドライバ52の2個の
バスドライバが図示されている。N型拡散層53,54及び5
5は一方のバスドライバ51内の2個のNチャネルMOSトラ
ンジスタのソース,ドレインを構成しており、拡散層53
はコンタクトホール56を介して上記電源配線41に接続さ
れ、拡散層55はコンタクトホール57を介して上記信号線
D7に接続されており、拡散層53,54の相互間には一方の
NチャネルMOSトランジスタのゲート電極となる多結晶
シリコン配線58が設けられ、同様に拡散層54,55相互間
には他方のNチャネルMOSトランジスタのゲート電極と
なる多結晶シリコン配線59が設けられている。同様に、
N型拡散層60,61及び62は他方のバスドライバ52内の2
個のNチャネルMOSトランジスタのソース,ドレインを
構成しており、拡散層60はコンタクトホール63を介して
上記信号線D1に接続され、拡散層62はコンタクトホール
64を介して上記電源配線41に接続されており、拡散層6
0,61の相互間には一方のNチャネルMOSトランジスタの
ゲート電極となる多結晶シリコン配線65が設けられ、同
様に拡散層61,62相互間には他方のNチャネルMOSトラン
ジスタのゲート電極となる多結晶シリコン配線66が設け
られている。また、配線領域30内には、データバス16の
信号線D0に隣接して他の信号線67が形成されており、信
号線D7に隣接して他の信号線68が形成されている。
例によるパターン平面図である。この実施例では、前記
電源配線41を、データバス16を構成する8本の信号線D0
〜D7のちょうど中間、すなわち信号線D3とD4の間に配置
するようにしたものである。なお、この実施例ではデー
タバス16の信号線D7を駆動するバスドライバ51と、デー
タバス16の信号線D1を駆動するバスドライバ52の2個の
バスドライバが図示されている。N型拡散層53,54及び5
5は一方のバスドライバ51内の2個のNチャネルMOSトラ
ンジスタのソース,ドレインを構成しており、拡散層53
はコンタクトホール56を介して上記電源配線41に接続さ
れ、拡散層55はコンタクトホール57を介して上記信号線
D7に接続されており、拡散層53,54の相互間には一方の
NチャネルMOSトランジスタのゲート電極となる多結晶
シリコン配線58が設けられ、同様に拡散層54,55相互間
には他方のNチャネルMOSトランジスタのゲート電極と
なる多結晶シリコン配線59が設けられている。同様に、
N型拡散層60,61及び62は他方のバスドライバ52内の2
個のNチャネルMOSトランジスタのソース,ドレインを
構成しており、拡散層60はコンタクトホール63を介して
上記信号線D1に接続され、拡散層62はコンタクトホール
64を介して上記電源配線41に接続されており、拡散層6
0,61の相互間には一方のNチャネルMOSトランジスタの
ゲート電極となる多結晶シリコン配線65が設けられ、同
様に拡散層61,62相互間には他方のNチャネルMOSトラン
ジスタのゲート電極となる多結晶シリコン配線66が設け
られている。また、配線領域30内には、データバス16の
信号線D0に隣接して他の信号線67が形成されており、信
号線D7に隣接して他の信号線68が形成されている。
この実施例のように、データバス16を構成する8本の
信号線D0〜D7の中間に電源配線41を配置することによ
り、GNDの電源配線41から最も遠く離れたデータバス16
内の信号線D0もしくはD7との間の距離は高々信号線Dの
3本分の距離となる。これに対し、第1図の場合、GND
の電源配線41から最も遠く離れたデータバス16内の信号
線D0との間の距離は信号線Dの7本分以上の距離とな
る。この結果、この実施例によれば、最も遅いデータバ
スの放電時間を、第1図の場合よりも短縮することがで
きる。
信号線D0〜D7の中間に電源配線41を配置することによ
り、GNDの電源配線41から最も遠く離れたデータバス16
内の信号線D0もしくはD7との間の距離は高々信号線Dの
3本分の距離となる。これに対し、第1図の場合、GND
の電源配線41から最も遠く離れたデータバス16内の信号
線D0との間の距離は信号線Dの7本分以上の距離とな
る。この結果、この実施例によれば、最も遅いデータバ
スの放電時間を、第1図の場合よりも短縮することがで
きる。
第4図はこの発明に係る半導体集積回路の第2の実施
例によるパターン平面図である。この実施例は、第3図
の実施例に対してデータバス16が16本の信号線D0〜D15
に増加しており、これによりデータバス16の間には2本
の電源配線41A,41Bを配置したものである。すなわち、
一方の電源配線41Aは信号線D3とD4の間に配置し、他方
の電源配線41Bは信号線D11とD12の間に配置している。
なお、第4図では、データバス16の信号線D9を駆動する
バスドライバ71と、データバス16の信号線D7を駆動する
バスドライバ72の2個のバスドライバが図示されてい
る。N型拡散層73,74及び75は一方のバスドライバ71内
の2個のNチャネルMOSトランジスタのソース,ドレイ
ンを構成しており、拡散層73はコンタクトホール76を介
して上記信号線D9に接続され、拡散層75はコンタクトホ
ール77を介して上記電源配線41Bに接続されており、拡
散層73,74の相互間には一方のNチャネルMOSトランジス
タのゲート電極となる多結晶シリコン配線78が設けら
れ、同様に拡散層74,75相互間には他方のNチャネルMOS
トランジスタのゲート電極となる多結晶シリコン配線79
が設けられている。同様に、N型拡散層80,81及び82は
他方のバスドライバ72内の2個のNシャネルMOSトラン
ジスタのソース,ドレインを構成しており、拡散層80は
コンタクトホール83を介して上記電源配線41Aに接続さ
れ、拡散層82はコンタクトホール84を介して上記信号線
D7に接続されており、拡散層80,81の相互間には一方の
NチャネルMOSトランジスタのゲート電極となる多結晶
シリコン配線85が設けられ、同様に拡散層81,82相互間
には他方のNチャネルMOSトランジスタのゲート電極と
なる多結晶シリコン配線86が設けられている。また、配
線領域30内には、データバス16の信号線D0に隣接して他
の信号線67が形成されており、信号線D7に隣接して他の
信号線68が形成されている。
例によるパターン平面図である。この実施例は、第3図
の実施例に対してデータバス16が16本の信号線D0〜D15
に増加しており、これによりデータバス16の間には2本
の電源配線41A,41Bを配置したものである。すなわち、
一方の電源配線41Aは信号線D3とD4の間に配置し、他方
の電源配線41Bは信号線D11とD12の間に配置している。
なお、第4図では、データバス16の信号線D9を駆動する
バスドライバ71と、データバス16の信号線D7を駆動する
バスドライバ72の2個のバスドライバが図示されてい
る。N型拡散層73,74及び75は一方のバスドライバ71内
の2個のNチャネルMOSトランジスタのソース,ドレイ
ンを構成しており、拡散層73はコンタクトホール76を介
して上記信号線D9に接続され、拡散層75はコンタクトホ
ール77を介して上記電源配線41Bに接続されており、拡
散層73,74の相互間には一方のNチャネルMOSトランジス
タのゲート電極となる多結晶シリコン配線78が設けら
れ、同様に拡散層74,75相互間には他方のNチャネルMOS
トランジスタのゲート電極となる多結晶シリコン配線79
が設けられている。同様に、N型拡散層80,81及び82は
他方のバスドライバ72内の2個のNシャネルMOSトラン
ジスタのソース,ドレインを構成しており、拡散層80は
コンタクトホール83を介して上記電源配線41Aに接続さ
れ、拡散層82はコンタクトホール84を介して上記信号線
D7に接続されており、拡散層80,81の相互間には一方の
NチャネルMOSトランジスタのゲート電極となる多結晶
シリコン配線85が設けられ、同様に拡散層81,82相互間
には他方のNチャネルMOSトランジスタのゲート電極と
なる多結晶シリコン配線86が設けられている。また、配
線領域30内には、データバス16の信号線D0に隣接して他
の信号線67が形成されており、信号線D7に隣接して他の
信号線68が形成されている。
この実施例は、データバスの信号線の数が増加して配
線領域30が拡大された場合に、配線領域30内に設けられ
るGND用の電源配線の数を必要に応じて増加させるよう
にしたものである。従って、この実施例によれば、デー
タバスの信号線の数が増加して配線領域30が拡大された
場合であっても、GND用の電源配線と接続される各拡散
層の長さを従来よりも短くすることができ、これにより
データ転送の高速化を図ることができる。
線領域30が拡大された場合に、配線領域30内に設けられ
るGND用の電源配線の数を必要に応じて増加させるよう
にしたものである。従って、この実施例によれば、デー
タバスの信号線の数が増加して配線領域30が拡大された
場合であっても、GND用の電源配線と接続される各拡散
層の長さを従来よりも短くすることができ、これにより
データ転送の高速化を図ることができる。
なお、この実施例の場合、GND用の電源配線の数は2
本に限定されるものではなく、データバスを構成する信
号線の数に応じて複数本設けるようにすればよい。
本に限定されるものではなく、データバスを構成する信
号線の数に応じて複数本設けるようにすればよい。
[発明の効果] 以上説明したようにこの発明によれば、配線領域内に
バス駆動回路専用の電源配線を設けるように構成したの
で、バス駆動回路の放電特性を悪化させることがなく、
データの転送が高速に行なえる半導体集積回路を提供す
ることができる。
バス駆動回路専用の電源配線を設けるように構成したの
で、バス駆動回路の放電特性を悪化させることがなく、
データの転送が高速に行なえる半導体集積回路を提供す
ることができる。
第1図はこの発明の途中で考えられた半導体集積回路の
パターン平面図、第2図は第1図におけるA−A′線に
沿った素子構造を示す断面図、第3図はこの発明に係る
半導体集積回路の第1の実施例によるパターン平面図、
第4図はこの発明に係る半導体集積回路の第2の実施例
によるパターン平面図、第5図は一般的なマイクロコン
トロ ーラのレイアウトを示す図、第6図は第5図のマイクロ
コントローラの一部の具体的な回路図、第7図は第6図
回路の動作の一例を示すタイミングチャート、第8図は
上記第6図回路をLSI上に形成した場合のその一部の従
来の構成を示すパターン平面図、第9図は配線領域が拡
大した場合の上記第8図に対応したパターン平面図、第
10図は上記第9図のバスドライバの等価回路図、第11図
は第10図の等価回路の特性図である。 16……データベース、30……配線領域、34,35,36,53,5
4,55,60,61,62,73,74,75,80,81,82……N型拡散層、37,
38,76,77,83,84……コンタクトホール、39,40,78,79,8
5,86……多結晶シリコン配線、41,41A,41B……電源配
線。
パターン平面図、第2図は第1図におけるA−A′線に
沿った素子構造を示す断面図、第3図はこの発明に係る
半導体集積回路の第1の実施例によるパターン平面図、
第4図はこの発明に係る半導体集積回路の第2の実施例
によるパターン平面図、第5図は一般的なマイクロコン
トロ ーラのレイアウトを示す図、第6図は第5図のマイクロ
コントローラの一部の具体的な回路図、第7図は第6図
回路の動作の一例を示すタイミングチャート、第8図は
上記第6図回路をLSI上に形成した場合のその一部の従
来の構成を示すパターン平面図、第9図は配線領域が拡
大した場合の上記第8図に対応したパターン平面図、第
10図は上記第9図のバスドライバの等価回路図、第11図
は第10図の等価回路の特性図である。 16……データベース、30……配線領域、34,35,36,53,5
4,55,60,61,62,73,74,75,80,81,82……N型拡散層、37,
38,76,77,83,84……コンタクトホール、39,40,78,79,8
5,86……多結晶シリコン配線、41,41A,41B……電源配
線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安藤 和正 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地1 東芝マイコンエンジニアリング株式会 社内 (56)参考文献 特開 昭61−20349(JP,A) 特開 昭63−229511(JP,A) 特開 昭63−126263(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】素子領域及び配線領域を有する半導体集積
回路において、 上記配線領域内に形成され複数の信号配線が並行して配
設されたデータバスと、 上記配線領域内で上記複数の信号配線の相互間に設けら
れ、これら信号配線と並行して配設され、予めプリチャ
ージされた上記信号配線をプリチャージレベルとは異な
るレベルに設定するための電源電位を伝達する1つの電
源配線と、 上記信号配線のうちのいずれか1つに一端が接続され、
上記1つの電源配線に他端が接続され、ソース、ドレイ
ン拡散層が上記配線領域下部の基板内に形成された少な
くとも1個のMOSトランジスタで構成されたバス駆動回
路と を具備したことを特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項2】素子領域及び配線領域を有する半導体集積
回路において、 上記配線領域内に形成され複数の信号配線が並行して配
設されたデータバスと、 上記配線領域内で上記複数の信号配線の相互間に設けら
れ、これら信号配線と並行しかつ互いに隣り合わないよ
うにして配設され、予めプリチャージされた上記信号配
線をプリチャージレベルとは異なるレベルに設定するた
めの電源電位をそれぞれ伝達する2つ以上の電源配線
と、 上記信号配線のうちのいずれか1つに一端が接続され、
上記2つ以上の電源配線のうちのいずれか1つに他端が
接続され、ソース、ドレイン拡散層が上記配線領域下部
の基板内に形成されたそれぞれ少なくとも1個のMOSト
ランジスタで構成された2つ以上のバス駆動回路と を具備したことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63333615A JP2901188B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 半導体集積回路 |
KR1019890019153A KR930007183B1 (ko) | 1988-12-28 | 1989-12-21 | 반도체 집적회로 |
EP89124039A EP0376291B1 (en) | 1988-12-28 | 1989-12-28 | Semiconductor integrated circuit |
DE68928096T DE68928096T2 (de) | 1988-12-28 | 1989-12-28 | Integrierter Halbleiterschaltkreis |
US07/928,769 US5301349A (en) | 1988-12-28 | 1992-08-17 | Single chip computer having ground wire formed immediately parallel a data bus and drivers formed directly under the data bus for high speed data transfer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63333615A JP2901188B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03209757A JPH03209757A (ja) | 1991-09-12 |
JP2901188B2 true JP2901188B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=18268032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63333615A Expired - Lifetime JP2901188B2 (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 半導体集積回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0376291B1 (ja) |
JP (1) | JP2901188B2 (ja) |
KR (1) | KR930007183B1 (ja) |
DE (1) | DE68928096T2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940006676B1 (ko) * | 1991-10-14 | 1994-07-25 | 삼성전자 주식회사 | 시험회로를 내장한 기억용 반도체 집적회로 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6030170A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-15 | Hitachi Ltd | 高集積読み出し専用メモリ |
JPS6120349A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-29 | Hitachi Ltd | Lsi集合体 |
JPS63126263A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPS63229511A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63333615A patent/JP2901188B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-12-21 KR KR1019890019153A patent/KR930007183B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-12-28 EP EP89124039A patent/EP0376291B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-28 DE DE68928096T patent/DE68928096T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68928096T2 (de) | 1997-10-16 |
EP0376291A3 (en) | 1991-01-30 |
KR930007183B1 (ko) | 1993-07-31 |
EP0376291B1 (en) | 1997-06-04 |
KR900010782A (ko) | 1990-07-09 |
DE68928096D1 (de) | 1997-07-10 |
EP0376291A2 (en) | 1990-07-04 |
JPH03209757A (ja) | 1991-09-12 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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