JP2893676B2 - シリコンウェーハのｈｆ洗浄方法 - Google Patents
シリコンウェーハのｈｆ洗浄方法Info
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- Detergent Compositions (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェーハ（以
下単にウェーハということがある）のＨＦ洗浄方法の改
良に関する。
下単にウェーハということがある）のＨＦ洗浄方法の改
良に関する。
【０００２】
【関連技術】ＨＦ（弗酸) 洗浄は金属イオンの除去能力
が高いことから、ウェーハの洗浄にも使用されている
が、ウェーハがパーティクル汚染を受けやすいという問
題があり、パーティクル汚染を嫌う工程では通常塩酸・
過酸化水素水溶液による洗浄が行われている。ウェーハ
の上にパーティクルが存在すると、デバイスプロセスで
のステッパーによる露光時にパーティクルの存在する部
分が陰となり配線不良が発生しデバイスの収率を著しく
低下させる不利がある。一方デバイスの高集積化に伴
い、ウェーハ上の金属イオンレベルの低減が求められて
おり、パーティクル汚染の少ないＨＦ洗浄の必要性は高
まっている。
が高いことから、ウェーハの洗浄にも使用されている
が、ウェーハがパーティクル汚染を受けやすいという問
題があり、パーティクル汚染を嫌う工程では通常塩酸・
過酸化水素水溶液による洗浄が行われている。ウェーハ
の上にパーティクルが存在すると、デバイスプロセスで
のステッパーによる露光時にパーティクルの存在する部
分が陰となり配線不良が発生しデバイスの収率を著しく
低下させる不利がある。一方デバイスの高集積化に伴
い、ウェーハ上の金属イオンレベルの低減が求められて
おり、パーティクル汚染の少ないＨＦ洗浄の必要性は高
まっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、ウェーハ
のＨＦ洗浄におけるパーティクル汚染の低減をはかるべ
く鋭意研究を続けた結果、ＨＦ槽及びその水洗用の純水
槽におけるウェーハの出し入れ方法がＨＦ洗浄でのパー
ティクル汚染の低減において重要であることを見いだ
し、本発明を完成した。本発明は、パーティクル汚染を
低減した新規なウェーハのＨＦ洗浄方法を提供すること
を目的とする。
のＨＦ洗浄におけるパーティクル汚染の低減をはかるべ
く鋭意研究を続けた結果、ＨＦ槽及びその水洗用の純水
槽におけるウェーハの出し入れ方法がＨＦ洗浄でのパー
ティクル汚染の低減において重要であることを見いだ
し、本発明を完成した。本発明は、パーティクル汚染を
低減した新規なウェーハのＨＦ洗浄方法を提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明方法においては、ＨＦ槽及びその後の純水槽
を用いてシリコンウェーハの洗浄を行なうにあたり、上
記ＨＦ槽及び純水槽でのシリコンウェーハの出し入れ速
度を１〜５０ｍｍ／ｓｅｃとし、かつ該ＨＦ槽及び純水
槽での液面の上下動の振幅（液面の振れ幅）を４ｍｍ以
下とするものである。
め、本発明方法においては、ＨＦ槽及びその後の純水槽
を用いてシリコンウェーハの洗浄を行なうにあたり、上
記ＨＦ槽及び純水槽でのシリコンウェーハの出し入れ速
度を１〜５０ｍｍ／ｓｅｃとし、かつ該ＨＦ槽及び純水
槽での液面の上下動の振幅（液面の振れ幅）を４ｍｍ以
下とするものである。
【０００５】上記したＨＦ槽及び純水槽でのシリコンウ
ェーハの出し入れ速度は、好ましくは１〜４０ｍｍ／ｓ
ｅｃであり、さらに好ましくは５〜２０ｍｍ／ｓｅｃで
ある。
ェーハの出し入れ速度は、好ましくは１〜４０ｍｍ／ｓ
ｅｃであり、さらに好ましくは５〜２０ｍｍ／ｓｅｃで
ある。
【０００６】上記したＨＦ槽及び純水槽での液面の上下
動の振幅は、好ましくは、２ｍｍ以下であり、さらに好
ましくは１ｍｍ以下である。
動の振幅は、好ましくは、２ｍｍ以下であり、さらに好
ましくは１ｍｍ以下である。
【０００７】上記したシリコンウェーハの出し入れ速度
が上記した上限の数値を越えるとパーティクル汚染の低
減効果はなくなり、また上記液面の上下動の振幅の上限
値を越えるとパーティクル汚染の低減効果はなくなって
しまう。
が上記した上限の数値を越えるとパーティクル汚染の低
減効果はなくなり、また上記液面の上下動の振幅の上限
値を越えるとパーティクル汚染の低減効果はなくなって
しまう。
【０００８】一方、上記したシリコンウェーハの出し入
れ速度が下限値以下となると洗浄工程の作業能率が低下
して好ましくない。また、液面の上下動の振幅は小さい
方が良好であり、特に限定する必要がない。
れ速度が下限値以下となると洗浄工程の作業能率が低下
して好ましくない。また、液面の上下動の振幅は小さい
方が良好であり、特に限定する必要がない。
【０００９】
【実施例】以下に実施例をあげて説明する。
【００１０】（実験例１） 試料シリコンウェーハ：ＣＺ、ｐ型、直径２００ｍｍ、
結晶方位＜１００＞ 使用したＨＦ槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ）、ＨＦ
濃度０．５％ 使用した純水槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ） 浸漬時間：３分 ＨＦ槽及び純水槽でのウェーハの出し入れ速度：５、１
０、２０、４０、６０、８０、１００、１２０及び１４
０ｍｍ／ｓｅｃと変化させた。 出し入れ時のウェーハの姿勢：液面に対してほぼ垂直に
立てた状態とした。 ＨＦ槽及び純水槽の液面の上下動の幅（液面の振れ
幅）：２ｍｍと一定にした。
結晶方位＜１００＞ 使用したＨＦ槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ）、ＨＦ
濃度０．５％ 使用した純水槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ） 浸漬時間：３分 ＨＦ槽及び純水槽でのウェーハの出し入れ速度：５、１
０、２０、４０、６０、８０、１００、１２０及び１４
０ｍｍ／ｓｅｃと変化させた。 出し入れ時のウェーハの姿勢：液面に対してほぼ垂直に
立てた状態とした。 ＨＦ槽及び純水槽の液面の上下動の幅（液面の振れ
幅）：２ｍｍと一定にした。
【００１１】９枚の試料シリコンウェーハについて、そ
れぞれの洗浄条件を上記のように変化させてＨＦ洗浄
（ＨＦ槽における洗浄及びその後の純水槽における水
洗）を行った。
れぞれの洗浄条件を上記のように変化させてＨＦ洗浄
（ＨＦ槽における洗浄及びその後の純水槽における水
洗）を行った。
【００１２】このＨＦ洗浄後のウェーハ鏡面について、
パーティクルサイズが０．１０μｍ以上のパーティクル
数（個／２００ｍｍφ）をレーザーパーティクルカウン
ターＬＳ−６０００〔日立電子エンジニアリング（株）
製〕を用いて測定し、その結果を図１に示した。なお、
液面の上下動の変位測定は超音波式変位センサーＵＤ−
１１００〔キーエンス（株）製〕を用いて行った。
パーティクルサイズが０．１０μｍ以上のパーティクル
数（個／２００ｍｍφ）をレーザーパーティクルカウン
ターＬＳ−６０００〔日立電子エンジニアリング（株）
製〕を用いて測定し、その結果を図１に示した。なお、
液面の上下動の変位測定は超音波式変位センサーＵＤ−
１１００〔キーエンス（株）製〕を用いて行った。
【００１３】図１の結果から明らかなごとく、液面の上
下動の振幅が２ｍｍの場合にはウェーハの出し入れ速度
を４０ｍｍ／ｓｅｃ以下とすることにより、パーティク
ル（汚染）レベルが、従来のレベルとされる２００〜５
００個／２００ｍｍφの１／２以下となることが確認さ
れた。
下動の振幅が２ｍｍの場合にはウェーハの出し入れ速度
を４０ｍｍ／ｓｅｃ以下とすることにより、パーティク
ル（汚染）レベルが、従来のレベルとされる２００〜５
００個／２００ｍｍφの１／２以下となることが確認さ
れた。
【００１４】（実験例２） 試料シリコンウェーハ：ＣＺ、ｐ型、直径２００ｍｍ、
結晶方位＜１００＞ 使用したＨＦ槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ）、ＨＦ
濃度０．５％ 使用した純水槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ） 浸漬時間：３分 ＨＦ槽及び純水槽でのウェーハの出し入れ速度：１０ｍ
ｍ／ｓｅｃと一定にした。 出し入れ時のウェーハの姿勢：液面に対してほぼ垂直に
立てた状態とした。 ＨＦ槽及び純水槽の液面の上下動の幅（液面の振れ
幅）：１、２、４、６、８及び１０ｍｍと変化させた。
結晶方位＜１００＞ 使用したＨＦ槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ）、ＨＦ
濃度０．５％ 使用した純水槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ） 浸漬時間：３分 ＨＦ槽及び純水槽でのウェーハの出し入れ速度：１０ｍ
ｍ／ｓｅｃと一定にした。 出し入れ時のウェーハの姿勢：液面に対してほぼ垂直に
立てた状態とした。 ＨＦ槽及び純水槽の液面の上下動の幅（液面の振れ
幅）：１、２、４、６、８及び１０ｍｍと変化させた。
【００１５】６枚の試料シリコンウェーハについて、そ
れぞれの洗浄条件を上記のように変化させてＨＦ洗浄
（ＨＦ槽における洗浄及びその後の純水槽における水
洗）を行った。
れぞれの洗浄条件を上記のように変化させてＨＦ洗浄
（ＨＦ槽における洗浄及びその後の純水槽における水
洗）を行った。
【００１６】このＨＦ洗浄後のウェーハ鏡面について、
パーティクルサイズが０．１０μｍ以上のパーティクル
数（個／２００ｍｍφ）を実験例１と同様に測定し、そ
の結果を図２に示した。図２の結果から明らかなごと
く、ＨＦ槽及び純水槽での液面の上下動の振幅を４ｍｍ
以下とすればパーティクル（汚染）レベルが、従来のレ
ベルとされる２００〜５００個／２００ｍｍφの１／２
以下となることが判った。
パーティクルサイズが０．１０μｍ以上のパーティクル
数（個／２００ｍｍφ）を実験例１と同様に測定し、そ
の結果を図２に示した。図２の結果から明らかなごと
く、ＨＦ槽及び純水槽での液面の上下動の振幅を４ｍｍ
以下とすればパーティクル（汚染）レベルが、従来のレ
ベルとされる２００〜５００個／２００ｍｍφの１／２
以下となることが判った。
【００１７】（実験例３） 試料シリコンウェーハ：ＣＺ、ｐ型、直径２００ｍｍ、
結晶方位＜１００＞ 使用したＨＦ槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ）、ＨＦ
濃度０．５％ 使用した純水槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ） 浸漬時間：３分 ＨＦ槽及び純水槽でのウェーハの出し入れ速度：５、１
０、２０、４０、６０、８０、１００、１２０及び１４
０ｍｍ／ｓｅｃと変化させた。 出し入れ時のウェーハの姿勢：液面に対してほぼ垂直に
立てた状態とした。 ＨＦ槽及び純水槽の液面の上下動の幅（液面の振れ
幅）：８ｍｍと一定にした。
結晶方位＜１００＞ 使用したＨＦ槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ）、ＨＦ
濃度０．５％ 使用した純水槽：３２０×３０×２８０（ｍｍ） 浸漬時間：３分 ＨＦ槽及び純水槽でのウェーハの出し入れ速度：５、１
０、２０、４０、６０、８０、１００、１２０及び１４
０ｍｍ／ｓｅｃと変化させた。 出し入れ時のウェーハの姿勢：液面に対してほぼ垂直に
立てた状態とした。 ＨＦ槽及び純水槽の液面の上下動の幅（液面の振れ
幅）：８ｍｍと一定にした。
【００１８】９枚の試料シリコンウェーハについて、そ
れぞれの洗浄条件を上記のように変化させてＨＦ洗浄
（ＨＦ槽における洗浄及びその後の純水槽における水
洗）を行った。
れぞれの洗浄条件を上記のように変化させてＨＦ洗浄
（ＨＦ槽における洗浄及びその後の純水槽における水
洗）を行った。
【００１９】このＨＦ洗浄後のウェーハ鏡面について、
パーティクルサイズが０．１０μｍ以上のパーティクル
数（個／２００ｍｍφ）を実験例１と同様に測定し、そ
の結果を図３に示した。図３の結果から明らかなごと
く、ＨＦ槽及び純水槽へのウェーハの出し入れ速度が４
０ｍｍ／ｓｅｃ以下であってもパーティクル（汚染）レ
ベルが改善しないことがわかった。
パーティクルサイズが０．１０μｍ以上のパーティクル
数（個／２００ｍｍφ）を実験例１と同様に測定し、そ
の結果を図３に示した。図３の結果から明らかなごと
く、ＨＦ槽及び純水槽へのウェーハの出し入れ速度が４
０ｍｍ／ｓｅｃ以下であってもパーティクル（汚染）レ
ベルが改善しないことがわかった。
【００２０】なお、上記実験例１〜３において、ＨＦ槽
は循環濾過を行なっており、液中パーティクル数が１個
／ｍｌ以下となり、安定状態となったところで実験を行
なった。液中パーティクル数の測定は、液中パーティク
ルカウンターＫＬ−２２〔リオン（株）製〕を用いて行
なった。
は循環濾過を行なっており、液中パーティクル数が１個
／ｍｌ以下となり、安定状態となったところで実験を行
なった。液中パーティクル数の測定は、液中パーティク
ルカウンターＫＬ−２２〔リオン（株）製〕を用いて行
なった。
【００２１】上記の実験例１〜３の結果から、ＨＦ洗浄
後のウェーハのパーティクル汚染レベルの低減（１２０
個／２００ｍｍφ以下）にはＨＦ槽及び純水槽へのウェ
ーハの出し入れ速度を５０ｍｍ／ｓｅｃ以下とし、好ま
しくは４０ｍｍ／ｓｅｃ以下、さらに好ましくは、２０
ｍｍ／ｓｅｃ以下とする必要があり、かつ同様にＨＦ槽
及び純水槽の液面の上下動の振幅を４ｍｍ以下、好まし
くは２ｍｍ以下、さらに好ましくは１ｍｍ以下とする必
要があることがわかった。これは、ウェーハ表面と液面
間の界面形状の乱れが小さくなるためであろうと推量さ
れる。
後のウェーハのパーティクル汚染レベルの低減（１２０
個／２００ｍｍφ以下）にはＨＦ槽及び純水槽へのウェ
ーハの出し入れ速度を５０ｍｍ／ｓｅｃ以下とし、好ま
しくは４０ｍｍ／ｓｅｃ以下、さらに好ましくは、２０
ｍｍ／ｓｅｃ以下とする必要があり、かつ同様にＨＦ槽
及び純水槽の液面の上下動の振幅を４ｍｍ以下、好まし
くは２ｍｍ以下、さらに好ましくは１ｍｍ以下とする必
要があることがわかった。これは、ウェーハ表面と液面
間の界面形状の乱れが小さくなるためであろうと推量さ
れる。
【００２２】なお、ウェーハの出し入れ速度はあまり低
いと作業能率が低下するので、１ｍｍ／ｓｅｃ以上、好
ましくは５ｍｍ／ｓｅｃ以上とするのがよい。ＨＦ濃度
は０．５％の実験例を示したが、ＨＦ洗浄の効果がある
限りＨＦ濃度に特別の限定はない。通常は、０．１％〜
１０％程度の範囲で充分であるが、その他のＨＦ濃度を
採用することもできる。また、実験例で用いたシリコン
ウェーハはｐ型であるが、これはｎ型においても全く同
様の効果があることは確認している。さらに、実験例で
は浸漬時間として３分を示したが、浸漬時間の影響は特
になく、その他の浸漬時間でも同様の効果が得られるこ
とは確認している。
いと作業能率が低下するので、１ｍｍ／ｓｅｃ以上、好
ましくは５ｍｍ／ｓｅｃ以上とするのがよい。ＨＦ濃度
は０．５％の実験例を示したが、ＨＦ洗浄の効果がある
限りＨＦ濃度に特別の限定はない。通常は、０．１％〜
１０％程度の範囲で充分であるが、その他のＨＦ濃度を
採用することもできる。また、実験例で用いたシリコン
ウェーハはｐ型であるが、これはｎ型においても全く同
様の効果があることは確認している。さらに、実験例で
は浸漬時間として３分を示したが、浸漬時間の影響は特
になく、その他の浸漬時間でも同様の効果が得られるこ
とは確認している。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、Ｈ
Ｆ洗浄後のウェーハ上におけるパーティクル汚染レベル
を大幅に低減することができ、デバイスプロセスにおけ
る不都合を回避し、デバイス収率を向上させることが可
能となる。
Ｆ洗浄後のウェーハ上におけるパーティクル汚染レベル
を大幅に低減することができ、デバイスプロセスにおけ
る不都合を回避し、デバイス収率を向上させることが可
能となる。
【図１】実験例１におけるウェーハの出し入れ速度とウ
ェーハ上のパーティクル数との関係を示すグラフであ
る。
ェーハ上のパーティクル数との関係を示すグラフであ
る。
【図２】実験例２における液面の振れ幅（上下動の振
幅）とウェーハ上のパーティクル数との関係を示すグラ
フである。
幅）とウェーハ上のパーティクル数との関係を示すグラ
フである。
【図３】実験例３におけるウェーハの出し入れ速度とウ
ェーハ上のパーティクル数との関係を示すグラフであ
る。
ェーハ上のパーティクル数との関係を示すグラフであ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高松 広行 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社 半導体白河 研究所内 (72)発明者 鈴木 盛江 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社 半導体白河 研究所内 (56)参考文献 特開 平６−163492（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304 H01L 21/306
Claims (5)
- 【請求項１】 ＨＦ槽及びその水洗用の純水槽を用いて
シリコンウェーハのＨＦ洗浄を行なうにあたり、上記Ｈ
Ｆ槽及び純水槽でのシリコンウェーハの出し入れ速度を
１〜５０ｍｍ／ｓｅｃとし、かつ該ＨＦ槽及び純水槽で
の液面の上下動の振幅を４ｍｍ以下とすることを特徴と
するシリコンウェーハのＨＦ洗浄方法。 - 【請求項２】 上記シリコンウェーハの出し入れ速度を
１〜４０ｍｍ／ｓｅｃとすることを特徴とする請求項１
記載のシリコンウェーハのＨＦ洗浄方法。 - 【請求項３】 上記シリコンウェーハの出し入れ速度を
５〜２０ｍｍ／ｓｅｃとすることを特徴とする請求項１
記載のシリコンウェーハのＨＦ洗浄方法。 - 【請求項４】 上記ＨＦ槽及び純水槽での液面の上下動
の振幅を２ｍｍ以下とすることを特徴とする請求項１〜
３のいずれか１項に記載のシリコンウェーハのＨＦ洗浄
方法。 - 【請求項５】 上記ＨＦ槽及び純水槽での液面の上下動
の振幅を１ｍｍ以下とすることを特徴とする請求項１〜
３のいずれか１項に記載のシリコンウェーハのＨＦ洗浄
方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6105116A JP2893676B2 (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | シリコンウェーハのｈｆ洗浄方法 |
| EP95302875A EP0683509B1 (en) | 1994-05-19 | 1995-04-27 | HF cleaning method of silicon wafers |
| MYPI95001117A MY115356A (en) | 1994-05-19 | 1995-04-27 | Hf cleaning method of silicon wafers |
| DE69503318T DE69503318T2 (de) | 1994-05-19 | 1995-04-27 | HF-Reinigungsverfahren für Siliziumscheiben |
| US08/439,560 US5662743A (en) | 1994-05-19 | 1995-05-11 | Method of cleaning silicon wafers in cleaning baths with controlled vertical surface oscillations and controlled in/out speeds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6105116A JP2893676B2 (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | シリコンウェーハのｈｆ洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312357A JPH07312357A (ja) | 1995-11-28 |
| JP2893676B2 true JP2893676B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=14398862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6105116A Expired - Fee Related JP2893676B2 (ja) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | シリコンウェーハのｈｆ洗浄方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5662743A (ja) |
| EP (1) | EP0683509B1 (ja) |
| JP (1) | JP2893676B2 (ja) |
| DE (1) | DE69503318T2 (ja) |
| MY (1) | MY115356A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190129876A (ko) * | 2017-03-29 | 2019-11-20 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼의 세정방법 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5837662A (en) * | 1997-12-12 | 1998-11-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
| DE10036691A1 (de) * | 2000-07-27 | 2002-02-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur chemischen Behandlung von Halbleiterscheiben |
| JP2008060102A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板の洗浄乾燥方法 |
| RU2658105C1 (ru) * | 2017-06-19 | 2018-06-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева - КАИ" (КНИТУ-КАИ) | Способ предварительной подготовки поверхности кремниевой подложки к технологическим процессам |
| CN112157055A (zh) * | 2020-08-20 | 2021-01-01 | 洛阳中硅高科技有限公司 | 清洗处理方法、酸温度控制设备和清洗处理设备 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5158616A (en) * | 1988-07-22 | 1992-10-27 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning a substrate |
| JP2733771B2 (ja) * | 1988-07-29 | 1998-03-30 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 液体による処理装置 |
| FI97920C (fi) * | 1991-02-27 | 1997-03-10 | Okmetic Oy | Tapa puhdistaa puolijohdevalmiste |
| JPH05134397A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-05-28 | Nikon Corp | ガラス基板の洗浄方法、及び洗浄装置 |
| US5277715A (en) * | 1992-06-04 | 1994-01-11 | Micron Semiconductor, Inc. | Method of reducing particulate concentration in process fluids |
| US5415698A (en) * | 1992-06-29 | 1995-05-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for cleaning semiconductor wafers |
| US5346556A (en) * | 1993-11-01 | 1994-09-13 | Xerox Corporation | Lathing and cleaning process for photoreceptor substrates |
-
1994
- 1994-05-19 JP JP6105116A patent/JP2893676B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-27 EP EP95302875A patent/EP0683509B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-27 MY MYPI95001117A patent/MY115356A/en unknown
- 1995-04-27 DE DE69503318T patent/DE69503318T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-11 US US08/439,560 patent/US5662743A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190129876A (ko) * | 2017-03-29 | 2019-11-20 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 반도체 웨이퍼의 세정방법 |
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