JPH0883783A - 半導体シリコンウェーハの保管方法 - Google Patents
半導体シリコンウェーハの保管方法Info
- Publication number
- JPH0883783A JPH0883783A JP6217385A JP21738594A JPH0883783A JP H0883783 A JPH0883783 A JP H0883783A JP 6217385 A JP6217385 A JP 6217385A JP 21738594 A JP21738594 A JP 21738594A JP H0883783 A JPH0883783 A JP H0883783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- silicon wafer
- semiconductor silicon
- wafer surface
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハ表面への微粒子の付着が低減し、ま
た研磨剤中のアルカリ成分によるウェーハ表面のエッチ
ングが防止され、したがって、ウェーハ表面粗さ（マイ
クロラフネス）の悪化を防止することを可能とした半導
体ウェーハの保管方法を提供する。 【構成】 研磨後の半導体シリコンウェーハを、次の洗
浄処理を行うまでの間、オゾンを含有した純粋中に保管
する。
た研磨剤中のアルカリ成分によるウェーハ表面のエッチ
ングが防止され、したがって、ウェーハ表面粗さ（マイ
クロラフネス）の悪化を防止することを可能とした半導
体ウェーハの保管方法を提供する。 【構成】 研磨後の半導体シリコンウェーハを、次の洗
浄処理を行うまでの間、オゾンを含有した純粋中に保管
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、研磨後の半導体シリコ
ンウェーハ（以下単にウェーハということがある）を次
の洗浄処理を行なうまでの間における効果的な保管方法
に関する。
ンウェーハ（以下単にウェーハということがある）を次
の洗浄処理を行なうまでの間における効果的な保管方法
に関する。
【０００２】
【関連技術】通常、研磨後のウェーハは、洗浄を行うま
での間、純水中に保管される。しかし、研磨後のウェー
ハ表面は研磨剤中の界面活性剤に覆われた部分と、界面
活性剤に覆われない、即ちベアなウェーハ表面が混在し
ており非常に不安定である。
での間、純水中に保管される。しかし、研磨後のウェー
ハ表面は研磨剤中の界面活性剤に覆われた部分と、界面
活性剤に覆われない、即ちベアなウェーハ表面が混在し
ており非常に不安定である。
【０００３】このため保管中にウェーハ表面に微粒子の
付着が生じやすく、また研磨剤中のアルカリ成分により
ウェーハ表面はエッチングされやすいといった問題があ
り、これらは洗浄後のウェーハ品質を低下させる大きな
要因となっている。
付着が生じやすく、また研磨剤中のアルカリ成分により
ウェーハ表面はエッチングされやすいといった問題があ
り、これらは洗浄後のウェーハ品質を低下させる大きな
要因となっている。
【０００４】これらの対策として、過酸化水素水中や界
面活性剤を添加した純水中にウェーハを保管するといっ
た手段もとられているが、汚染の蓄積や薬液コスト、廃
液処理コストがかかるといった問題があった。
面活性剤を添加した純水中にウェーハを保管するといっ
た手段もとられているが、汚染の蓄積や薬液コスト、廃
液処理コストがかかるといった問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した問
題点に鑑みなされたもので、ウェーハ表面への微粒子の
付着が低減し、また研磨剤中のアルカリ成分によるウェ
ーハ表面のエッチングが防止され、したがって、ウェー
ハ表面の表面粗さ（マイクロラフネス）の悪化を防止す
ることを可能とした半導体ウェーハの保管方法を提供す
ることを目的とする。
題点に鑑みなされたもので、ウェーハ表面への微粒子の
付着が低減し、また研磨剤中のアルカリ成分によるウェ
ーハ表面のエッチングが防止され、したがって、ウェー
ハ表面の表面粗さ（マイクロラフネス）の悪化を防止す
ることを可能とした半導体ウェーハの保管方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体ウェーハの保管方法においては、研
磨後の半導体ウェーハを、次の洗浄処理を行なうまでの
間、オゾンを含有した純水中に保管するようにした。
に、本発明の半導体ウェーハの保管方法においては、研
磨後の半導体ウェーハを、次の洗浄処理を行なうまでの
間、オゾンを含有した純水中に保管するようにした。
【０００７】上記純水中のオゾン濃度は０．５ｐｐｍ以
上飽和濃度までが好ましい。オゾン濃度が０．５ｐｐｍ
に達しないと本発明の目的を十分に達成することができ
ない。上限の飽和濃度は液温によって変化するが、液温
２５℃においては少なくとも４０ｐｐｍである。
上飽和濃度までが好ましい。オゾン濃度が０．５ｐｐｍ
に達しないと本発明の目的を十分に達成することができ
ない。上限の飽和濃度は液温によって変化するが、液温
２５℃においては少なくとも４０ｐｐｍである。
【０００８】
【作用】本発明においては、研磨後のウェーハをオゾン
を含有した純水中に保管することにより、ウェーハ表面
に付着した研磨剤中の界面活性剤を除去すると同時にウ
ェーハ表面に薄い酸化膜を形成し、ウェーハ表面への微
粒子の付着を防ぎ、また研磨剤中のアルカリ成分による
ウェーハのエッチングを防止することが可能となった。
を含有した純水中に保管することにより、ウェーハ表面
に付着した研磨剤中の界面活性剤を除去すると同時にウ
ェーハ表面に薄い酸化膜を形成し、ウェーハ表面への微
粒子の付着を防ぎ、また研磨剤中のアルカリ成分による
ウェーハのエッチングを防止することが可能となった。
【０００９】
【実施例】以下に、本発明を実施例を挙げてさらに具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１０】実施例１〜５ 実験条件 試料ウェーハ：シリコンウェーハ、ｐ型、結晶方位＜１
００＞、２００ｍｍφ オゾン含有純水：毎分２リットル供給、２５℃、オゾン
濃度２ｐｐｍ ガス透過膜からなる散気管を用いる方法により製成 保管槽サイズ：３２０×６００×２８０（ｍｍ） 研磨処理：発泡ウレタン樹脂製研磨パッド、コロイダル
シリカ研磨剤、研磨荷重（２５０ｇ／ｃｍ2 ）及び研磨
時間（１０分）の研磨条件で、シリコンウェーハの最終
仕上げ研磨を行なった。
００＞、２００ｍｍφ オゾン含有純水：毎分２リットル供給、２５℃、オゾン
濃度２ｐｐｍ ガス透過膜からなる散気管を用いる方法により製成 保管槽サイズ：３２０×６００×２８０（ｍｍ） 研磨処理：発泡ウレタン樹脂製研磨パッド、コロイダル
シリカ研磨剤、研磨荷重（２５０ｇ／ｃｍ2 ）及び研磨
時間（１０分）の研磨条件で、シリコンウェーハの最終
仕上げ研磨を行なった。
【００１１】上記研磨処理後の５枚の上記試料ウェーハ
を上記オゾン含有純水中に、１時間（実施例１）、３時
間（実施例２）、５時間（実施例３）、１０時間（実施
例４）、２４時間（実施例５）、それぞれ保管した。
を上記オゾン含有純水中に、１時間（実施例１）、３時
間（実施例２）、５時間（実施例３）、１０時間（実施
例４）、２４時間（実施例５）、それぞれ保管した。
【００１２】この保管後の各試料ウェーハの面上におい
て、サイズが０．１０μｍ以上のパーティクル数（個／
２００ｍｍφ）をレーザーパーティクルカウンターＬＳ
−６０００〔日立電子エンジニアリング（株）製〕を用
いて測定し、その結果を図１に示した。
て、サイズが０．１０μｍ以上のパーティクル数（個／
２００ｍｍφ）をレーザーパーティクルカウンターＬＳ
−６０００〔日立電子エンジニアリング（株）製〕を用
いて測定し、その結果を図１に示した。
【００１３】また、この保管後の各ウェーハの表面粗さ
（マイクロラフネス）を原子間力顕微鏡Ｎａｎｏｓｃｏ
ｐｅＩＩ（デジタルインスツルメンツ社製）によって測
定し、その結果を図２に示した。
（マイクロラフネス）を原子間力顕微鏡Ｎａｎｏｓｃｏ
ｐｅＩＩ（デジタルインスツルメンツ社製）によって測
定し、その結果を図２に示した。
【００１４】比較例１〜５ 実施例１と同様の研磨後の５枚の試料ウェーハを純水中
に実施例１〜５と同様の時間それぞれ保管した。この保
管後の各試料ウェーハについて、実施例と同様にそれぞ
れパーティクル数及び表面粗さ（マイクロラフネス）を
測定して、実施例１〜５の結果とともにそれぞれ図１及
び図２に示した。
に実施例１〜５と同様の時間それぞれ保管した。この保
管後の各試料ウェーハについて、実施例と同様にそれぞ
れパーティクル数及び表面粗さ（マイクロラフネス）を
測定して、実施例１〜５の結果とともにそれぞれ図１及
び図２に示した。
【００１５】図１及び図２の結果から明らかなごとく、
本発明方法により保管した各ウェーハは、ウェーハ表面
のパーティクル数が極めて低減しており、かつウェーハ
表面の表面粗さ（マイクロラフネス）も各比較例に示し
た従来方法により保管した各ウェーハに比較して向上し
ていることがわかった。なお、実施例においてはｐ型の
ウェーハを用いたが、ｎ型のウェーハについても全く同
様の効果があることを確認している。
本発明方法により保管した各ウェーハは、ウェーハ表面
のパーティクル数が極めて低減しており、かつウェーハ
表面の表面粗さ（マイクロラフネス）も各比較例に示し
た従来方法により保管した各ウェーハに比較して向上し
ていることがわかった。なお、実施例においてはｐ型の
ウェーハを用いたが、ｎ型のウェーハについても全く同
様の効果があることを確認している。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明の保管方法に
よれば、ウェーハ表面への微粒子（パーティクル）の付
着が低減され、また研磨剤中のアルカリ成分によるウェ
ーハ表面のエッチングが防止され、したがって、ウェー
ハ表面の表面粗さ（マイクロラフネス）の悪化も防止さ
れるという効果が達成される。
よれば、ウェーハ表面への微粒子（パーティクル）の付
着が低減され、また研磨剤中のアルカリ成分によるウェ
ーハ表面のエッチングが防止され、したがって、ウェー
ハ表面の表面粗さ（マイクロラフネス）の悪化も防止さ
れるという効果が達成される。
【図１】実施例１〜５及び比較例１〜５におけるウェー
ハ保管時間とウェーハ上のパーティクル数との関係を示
すグラフである。
ハ保管時間とウェーハ上のパーティクル数との関係を示
すグラフである。
【図２】実施例１〜５及び比較例１〜５におけるウェー
ハ保管時間とウェーハ表面の表面粗さとの関係を示すグ
ラフである。
ハ保管時間とウェーハ表面の表面粗さとの関係を示すグ
ラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高松 広行 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150 信越半導体株式会社半導体白河研究 所内
Claims (2)
- 【請求項１】 研磨後の半導体シリコンウェーハを、次
の洗浄処理を行なうまでの間、オゾンを含有した純水中
に保管することを特徴とする半導体シリコンウェーハの
保管方法。 - 【請求項２】 上記純水中のオゾン濃度が０．５ｐｐｍ
以上飽和濃度以下であることを特徴とする請求項１記載
の半導体シリコンウェーハの保管方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217385A JPH0883783A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 半導体シリコンウェーハの保管方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217385A JPH0883783A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 半導体シリコンウェーハの保管方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883783A true JPH0883783A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16703352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6217385A Pending JPH0883783A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 半導体シリコンウェーハの保管方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883783A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191051B1 (en) * | 1996-06-27 | 2001-02-20 | Nec Corporation | Wafer storing system having vessel coated with ozone-proof material and method of storing semiconductor wafer |
| WO2002075798A1 (fr) * | 2001-03-16 | 2002-09-26 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Eau et procede de stockage d'une tranche de silicium |
| US6833109B1 (en) | 1999-03-26 | 2004-12-21 | Nec Electronics Corporation | Method and apparatus for storing a semiconductor wafer after its CMP polishing |
| JP2009255248A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03228328A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Nec Corp | 半導体基板の水洗方法 |
| JPH04113620A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-15 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP6217385A patent/JPH0883783A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03228328A (ja) * | 1990-02-02 | 1991-10-09 | Nec Corp | 半導体基板の水洗方法 |
| JPH04113620A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-15 | Seiko Epson Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191051B1 (en) * | 1996-06-27 | 2001-02-20 | Nec Corporation | Wafer storing system having vessel coated with ozone-proof material and method of storing semiconductor wafer |
| US6833109B1 (en) | 1999-03-26 | 2004-12-21 | Nec Electronics Corporation | Method and apparatus for storing a semiconductor wafer after its CMP polishing |
| DE10014071B4 (de) * | 1999-03-26 | 2005-12-29 | Nec Electronics Corp., Kawasaki | Verfahren zum Lagern eines Halbleiterwafers nach seinem CMP-Polieren |
| WO2002075798A1 (fr) * | 2001-03-16 | 2002-09-26 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Eau et procede de stockage d'une tranche de silicium |
| KR100853000B1 (ko) * | 2001-03-16 | 2008-08-19 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼 보관용수 및 보관방법 |
| US8303722B2 (en) | 2001-03-16 | 2012-11-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Water and method for storing silicon wafer |
| JP2009255248A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研磨装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5868855A (en) | Surface processing method and surface processing device for silicon substrates | |
| JP3154814B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP2760418B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄液及びこれを用いた半導体ウエーハの洗浄方法 | |
| US6696326B2 (en) | Cleaning method to prevent watermarks | |
| JP2914555B2 (ja) | 半導体シリコンウェーハの洗浄方法 | |
| US5626681A (en) | Method of cleaning semiconductor wafers | |
| EP0936268B1 (en) | Cleaning solution for electromaterials and method for using the same | |
| JPH11121417A (ja) | 半導体基板の処理システムおよび処理方法 | |
| JP2000228380A (ja) | 洗浄方法 | |
| JPH0883783A (ja) | 半導体シリコンウェーハの保管方法 | |
| JP2009248021A (ja) | シリコンボートの洗浄方法、シリコンボート、シリコンウェハの熱処理方法、及びシリコンウェハ | |
| JPS62252140A (ja) | ＩｎＰウエ−ハの洗浄方法 | |
| JP3076202B2 (ja) | Ｅｇ用ポリシリコン膜の被着方法 | |
| JP2713787B2 (ja) | 半導体の湿式洗浄方法 | |
| US20120065116A1 (en) | Cleaning liquid and cleaning method | |
| JPH07283182A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP2893676B2 (ja) | シリコンウェーハのｈｆ洗浄方法 | |
| JPH0817775A (ja) | 半導体装置の洗浄方法 | |
| JPH0473613B2 (ja) | ||
| JP3595681B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2843946B2 (ja) | シリコン基板表面の清浄化方法 | |
| JP2000091279A (ja) | 被鏡面研磨用半導体基板及び半導体基板の製造方法 | |
| JP2863415B2 (ja) | 半導体ウェーハのエッチングの後処理方法 | |
| JP3489329B2 (ja) | シリコンウエーハ表面の処理方法 | |
| GB2333898A (en) | Post lap cleaning |