JP2000091279A - 被鏡面研磨用半導体基板及び半導体基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板表面や面取り部の鏡面研磨工程時におけ
る金属汚染や外観不良を解消し得る半導体基板とその製
造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 次工程に基板表面若しくは基板面取り部
の鏡面研磨工程が存在する被鏡面研磨用半導体基板にお
いて、該被鏡面研磨用半導体基板の表面に、前工程で形
成された酸化膜を除去した基板に薄膜状の保護膜を生成
させ、該保護膜が形成されている状態で前記鏡面研磨を
行なうことを特徴とし、好ましくは前記保護膜の膜厚
を、鏡面研磨工程により研磨される研磨代より十分小さ
く且つ研磨剤に含まれる金属不純物による金属汚染を阻
止し得る１．０ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶インゴット
から切り出されたスライス基板から鏡面研磨された半導
体基板とその製造方法に係り、特に次工程に基板表面若
しくは基板面取り部の鏡面研磨工程が存在する被鏡面研
磨用半導体基板とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子が表面に形成される半導体基
板の製造プロセスは図２に示すように、半導体単結晶イ
ンゴットを切断して薄板状のウエーハを得るスライス工
程（Ｓ１）、スライスされたウエーハの端面を面取りす
る面取り工程（Ｓ２）、ウエーハの平坦度を改善するた
めのラッピング工程（Ｓ３）、加工歪みを除去するため
のエッチング工程（Ｓ４）、半導体素子が形成される面
を鏡面研磨する表面研磨工程（Ｓ５）、が主要なもので
あり、それらの工程の前後に必要に応じて検査や洗浄が
行なわれている。

【０００３】代表的な半導体基板であるシリコンウエー
ハの場合には、チョクラルスキー法で引上げられた単結
晶シリコンインゴットに過飽和に含まれる格子間酸素
が、単結晶引上げ中の熱履歴によりドナー化しており、
あたかもｎ型不純物であるかのような挙動を示す。酸素
に起因するドナーは４００℃〜５００℃の温度帯の滞留
により生成されるので、サーマルドナーとよばれる。サ
ーマルドナーは６００℃〜７００℃で２０〜３０分の熱
処理により格子間酸素として不活性化するので、シリコ
ンウエーハ製造工程ではドナー消滅の熱処理工程（Ｓ１
１）が行なわれており、通常はエッチング工程（Ｓ４）
と鏡面研磨工程（Ｓ５）との間に行なわれている。ドナ
ー消滅熱処理は窒素雰囲気、窒素・酸素混合ガス雰囲
気、窒素雰囲気のいずれかで行なわれており、酸素を含
む雰囲気で行なった場合には薄い酸化膜が形成される。

【０００４】また、金属不純物に対するゲッタリング効
果を高めるために６００℃〜８００℃程度で１〜３時間
程度の熱処理により酸素析出核の形成を行なう場合があ
り、この酸素析出核形成熱処理も窒素雰囲気、窒素・酸
素混合ガス雰囲気、窒素雰囲気のいずれかで行なわれて
おり、酸素を含む雰囲気で行なった場合には薄い酸化膜
が形成される。

【０００５】さらに、近年の半導体集積回路の高密度化
に伴って、半導体素子のデザインルールが微細化してお
り、ウエーハからの発塵低減が求められている。前述の
半導体基板の製造工程に示したように、半導体基板の裏
面と面取り部はエッチング後の面がそのままで残ってお
り、これらの部分の平滑化が求められている。特に面取
り部は裏面に比べて面が粗くなっているため、最先端の
半導体素子製造に用いられる半導体基板では面取り部の
鏡面研磨が行なわれている。面取り部の鏡面研磨は、基
板表面の鏡面研磨と同様にウレタンの発泡体や不織布等
の研磨布を用い、コロイダルシリカ等の研磨砥粒とアル
カリ成分を分散させた研磨剤を基板の面取り部と研磨布
の間に介在させて研磨を行なうものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記ドナー消滅熱処理
や酸素析出核形成熱処理を、酸素を含む雰囲気で行なっ
た場合に形成される酸化膜には、熱処理時に基板に導入
された不純物の一部（鉄等の酸化膜に取り込まれやすい
元素）が取り込まれているため、こうした不純物が再度
基板に取り込まれることを防ぐために、酸化膜を除去す
る必要があり、通常は熱処理後に希フッ酸を用いて酸化
膜を除去している。

【０００７】酸化膜が除去された半導体基板の表面は非
常に活性であるので、次工程である基板表面や面取り部
の鏡面研磨工程で搬送系や研磨剤等からの金属汚染を受
けやすく、金属汚染度の指標である少数キャリアライフ
タイムの低下が問題となる。また、活性な基板表面に付
着した研磨剤は鏡面研磨工程の次に行なわれる洗浄工程
で除去することが困難となり、外観不良の原因となる問
題もある。

【０００８】本発明はかかる技術的課題に鑑み、基板表
面や面取り部の鏡面研磨工程時における金属汚染や外観
不良を解消し得る被鏡面研磨用半導体基板とその製造方
法を提供することを目的とする。本発明の他の目的は、
酸素を含む熱処理で形成された酸化膜を除去された半導
体基板を低汚染で研磨できる被鏡面研磨用半導体基板と
その製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的達成のため請求
項１記載の発明は、次工程に基板表面若しくは基板面取
り部の鏡面研磨工程が存在する被鏡面研磨用半導体基板
に関するもので、該被鏡面研磨用半導体基板の表面に、
前工程で形成された酸化膜を除去した基板に薄膜状の保
護膜を生成させ、該保護膜が形成されている状態で前記
鏡面研磨を行なうことを特徴とする。この場合、前記保
護膜の膜厚は請求項２に記載のように、鏡面研磨工程に
より研磨される研磨代より十分小さく且つ研磨剤に含ま
れる金属不純物による金属汚染を阻止し得る１．０ｎｍ
〜１０ｎｍの範囲であることを特徴とする。

【００１０】請求項３記載の発明は、前記基板を効果的
に製造するための半導体基板の製造方法において、酸素
を含む雰囲気で熱処理を行なった熱処理工程と、基板表
面若しくは基板面取り部の鏡面研磨工程との間に、前記
熱処理工程で形成された酸化膜を除去する工程と、保護
膜を形成する工程とを介在させたことを特徴とする。こ
の場合、前記酸素を含む雰囲気の熱処理が酸素ドナー消
滅熱処理または酸素析出核形成熱処理であり、又前記保
護膜の形成は、オゾン水への浸漬処理、過酸化水素水へ
の浸漬処理若しくはアンモニアと過酸化水素水の混合液
への浸漬処理により行なわれる。

【００１１】かかる発明によれば、基板表面や面取り部
の鏡面研磨工程は、半導体基板を回転させながら、基板
表面や面取り部に研磨布を押接させ、研磨剤を供給しな
がら行なうが、この時に半導体基板の表面が活性である
と研磨剤に含まれる金属不純物が基板に付着して基板中
に取り込まれたり、研磨剤の付着による外観不良が発生
するのだが、本発明のように保護膜を形成すると金属汚
染や外観不良の低減が可能となる。又、前記保護膜は前
工程の熱処理工程で形成された酸化膜を除去した活性な
基板表面に形成するものであるために、又前工程の熱処
理工程で形成された酸化膜が残存して前記保護膜がまだ
ら状に形成されたりすることなく、均一且つ薄膜の保護
膜の形成が可能であり、前記効果が一層増進する。

【００１２】尚、前記保護膜の膜厚は請求項２に記載の
ように１．０ｎｍ〜１０ｎｍに設定する事により、鏡面
研磨工程により研磨剤に含まれる金属不純物による金属
汚染を阻止し得、また前記鏡面研磨工程により保護膜が
研磨されて基板表面を露出させる事が出来、そして、鏡
面研磨された面取り部や基板表面は活性であるので、こ
の工程のあとの洗浄工程において再度保護膜の形成を行
なうことも好ましい。

【００１３】尚、本発明に類似する技術として特開平８
−２６４３９９号の技術が開示されている。かかる技術
は鏡面研磨されたウエーハを、半導体素子を形成するた
めにウエーハ加工メーカから半導体素子製造メーカに出
荷させる際に、前記鏡面研磨ウエーハをプラスチック容
器に保管して出荷を行なうが、この際に前記保管プラス
チック容器から放散される微量の有機物が半導体基板表
面に付着するのを阻止するために、前記鏡面研磨された
保管前のウエーハに約１ｎｍ程度の自然酸化膜（保護
膜）を形成する技術が開示されている。

【００１４】しかしながらかかる技術は本発明のよう
に、鏡面加工前の被鏡面研磨用ウエーハに関するもので
はなく、鏡面加工後の出荷ウエーハに関する技術で、本
発明の用に酸化膜除去と保護膜生成という二段構成を取
るものではなく、保護膜生成のみの一段構成の技術であ
り、従って前工程で形成された酸化膜を除去し、且つ除
去した基板に薄膜状の保護膜を生成させるという本発明
の基本構成が本従来技術に開示されていないのみなら
ず、その膜厚も０．８〜１．０ｎｍで、本発明の１．０
ｎｍ〜１０ｎｍより薄膜である。

【００１５】又、特開平６−２４４１７４号において
も、半導体基板表面を酸化して絶縁酸化膜を形成する工
程において、前記半導体基板をオゾンを含む超純水に浸
漬けして０．３〜１ｎｍ程度の表面保護用酸化膜を形成
した後、該表面保護用酸化膜がついたまま絶縁酸化膜形
成装置に搬入する技術が開示されている。

【００１６】しかしながらかかる技術においても、本発
明のように、鏡面加工前の被鏡面研磨用ウエーハに関す
るものではなく、鏡面加工後の半導体素子製造メーカに
おいてウエーハ表面に絶縁膜を形成する工程における技
術で、前記と同様に、本発明の用に酸化膜除去と保護膜
生成という二段構成を取るものではなく、保護膜生成の
みの一段構成の技術であり、本発明の基本構成が開示さ
れていないのみならず、その膜厚も０．３〜１ｎｍで、
本発明の１．０ｎｍ〜１０ｎｍより薄膜である。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示した実施形
態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に開示
される工程順序、保護膜の厚み、その生成方法などは特
に特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。本発
明は、酸素を含む雰囲気で形成された酸化膜を除去した
後の活性な基板表面に薬液を用いた処理により保護膜を
形成することでその後の鏡面研磨工程における金属汚染
や研磨剤の付着が防止できるようにしたものである。

【００１８】本発明の実施形態に係る半導体基板製造方
法は図１に示す工程から成る。即ち、前記従来技術の項
で記載のように、半導体単結晶インゴットを切断して薄
板状のウエーハを得るスライス工程（Ｓ１）、スライス
されたウエーハの端部を面取りする面取り工程（Ｓ
２）、ウエーハの平坦度を改善するためのラッピング工
程（Ｓ３）、加工歪みを除去するためのエッチング工程
（Ｓ４）を経た半導体基板は、ドナー消滅熱処理工程ま
たは酸素析出核形成熱処理工程といった酸素を含む雰囲
気の熱処理工程（Ｓ１１）により表面に酸化膜が形成さ
れる。本実施形態におけるドナー消滅熱処理あるいは酸
素析出核形成熱処理の条件は従来のものでかまわない。

【００１９】形成された酸化膜は酸化膜除去工程（Ｓ１
２）で除去される。具体的には０．５％〜１５％の希フ
ッ酸に半導体基板を浸債することで酸化膜を除去する。

【００２０】酸化膜が除去された半導体基板は次いで保
護膜形成工程（Ｓ１３）で全面に保護膜が形成される。
この場合保護膜の膜厚は、次工程の鏡面研磨工程（Ｓ５
Ａ、５Ｂ）により研磨される研磨代より十分小さく且つ
研磨剤に含まれる金属不純物による金属汚染を阻止し得
る１．０ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に設定される。

【００２１】保護膜の形成は、半導体基板をオゾン水へ
浸漬することにより行なうことが好ましく、オゾン水と
してはオゾンをｌｐｐｍｗ〜２０ｐｐｍｗ含んだ純水で
あることが好ましい。オゾン水への浸漬は常温で行なう
ことが好ましい。この場合オゾン水中のオゾン濃度が下
限より低いとより長い浸漬時間が必要となり生産性が低
下し、上限より高いとオゾン水製造に必要なオゾン発生
装置が高価となるからである。オゾン水への浸漬はオゾ
ン水を入れた洗浄槽に半導体基板を浸漬する方法の他
に、回転する半導体基板にオゾン水を供給するスピン方
式で行なうことも可能である。また、オゾン水ではな
く、オゾンを含んだ雰囲気に半導体基板を暴露すること
によっても行なうことができる。

【００２２】保護膜の形成は、前記オゾン水を用いなく
ても半導体基板を過酸化水素水へ浸漬することにより行
なうことも可能である。過酸化水素水の濃度は１％〜３
０％であることが好ましく、過酸化水素の濃度が下限よ
り低いとより長い浸漬時間が必要となり生産性が低下
し、上限より高いと特殊なグレードの過酸化水素水を用
いる必要が生じコストアップである。過酸水素水への浸
積は４０℃〜９０℃で行なうことが好ましい。

【００２３】また、保護膜の形成は、アンモニアと過酸
化水素水の混合液への浸漬処理により行なうことも可能
である。通常使われるアンモニア水３０重量％、過酸化
水素水３０重量％と純水の比率が１：１：５から１：
１：１０程度のものを６０℃〜９０℃で浸漬処理を行な
うことが好ましい。

【００２４】保護膜が形成された半導体基板は、次工程
である面取り部の鏡面研磨工程または表面鏡面研磨する
研磨工程（Ｓ５Ａ、Ｓ５Ｂ）に送られる。例えば、基板
面取り部の鏡面研磨工程（Ｓ５Ａ）は、半導体素子が形
成される両側を真空チャック等で保持して半導体基板を
回転させながら、面取り部に研磨布を押接させ、研磨剤
を供給しながら行なうが、この時に半導体基板の表面が
活性であると研磨剤に含まれる金属不純物が基板に付着
して基板中に取り込まれたり、研磨剤の付着による外観
不良が発生するのだが、本発明の実施形態のように保護
膜を形成すると金属汚染や外観不良の低減が可能とな
る。

【００２５】尚、鏡面研磨された面取り部の表面の保護
膜は完全に除去されて活性な基板面取り部が露出するの
で、この工程のあとの洗浄工程において再度前記オゾン
水や過酸化水素水を利用して保護膜の形成を行なうこと
が好ましい。この場合、基板表面には既に保護膜が形成
されているために、又面取り部においては再度研磨を行
なわないために、前記面取り鏡面研磨工程後に行なわれ
る保護膜の生成は、次工程の基板表面の鏡面研磨時にお
ける金属汚染を防ぐ事が可能な１．５〜３ｎｍ程度の膜
厚で足りる。

【００２６】又、面取り部の鏡面研磨工程は研磨布を用
いるものだけで行なうことも可能だが、エッチングに水
酸化ナトリウムのようなアルカリを用いた場合には面粗
さが大きくなるため、砥石を用いた軟研削あるいは砥粒
を固着したテープによるテープ研削を先に行ない、次い
で研磨布を用いた研磨を行なうことが好ましい。

【００２７】面取り部が鏡面研磨された半導体基板は、
次いで基板表面の鏡面研磨研磨工程（Ｓ５Ｂ）に送られ
る。前述のように面取り部を研磨しない場合には、保護
膜形成後直ちに表面研磨工程（Ｓ５Ｂ）に送られる。表
面研磨工程（Ｓ５Ｂ）でも半導体基板の表面が活性であ
ると、研磨剤に含まれる金属不純物が基板に付着して基
板中に取り込まれたり、研磨剤の付着による外観不良が
発生するのだが、本発明のように保護膜を形成すると金
属汚染や外観不良の低減が可能となる。

【００２８】表面研磨工程（Ｓ５Ｂ）は半導体素子が形
成される表面のみを研磨するものとして説明したが、本
発明は基板の両面を同時に研磨する両面研磨法にも適用
可能である。また、単に片面を研磨する代わりに両面研
磨法を用いる場合のみならず、 Ａ．エッチング→ドナー消滅熱処理工程→両面鏡面研磨
工程→面取り部鏡面研磨工程→片面仕上げ鏡面研磨とい
うプロセスにおいては、ドナー消滅熱処理工程→両面研
磨工程→（酸化膜除去工程）→（保護膜形成工程）→面
取り部鏡面研磨工程→（必要に応じ保護膜形成工程）→
片面仕上げ研磨というプロセスを形成するのがよい。

【００２９】Ｂ．エッチング→両面研磨工程→ドナー消
滅熱処理→面取り部鏡面研磨工程→片面仕上げ研磨とい
うプロセス（ここではエッチング工程が省略される可能
性あり）においては、…両面研磨工程→ドナー消滅熱処
理工程→（酸化膜除去工程）→（保護膜形成工程）→面
取り部鏡面研磨工程→（必要に応じ保護膜形成工程）→
片面仕上げ鏡面研磨というプロセスを形成するのがよ
い。

【００３０】Ｃ．エッチング→両面研磨工程→面取り部
鏡面研磨工程→ドナー消滅熱処理→片面仕上げ研磨とい
うプロセスにおいては、…面取り部鏡面研磨工程→ドナ
ー消滅熱処理→（酸化膜除去工程）→（必要に応じ保護
膜形成工程）→片面仕上げ鏡面研磨というプロセスを形
成するのがよい。

【００３１】

【実施例】（実施例１・比較例）結晶方位が＜１００＞
で、抵抗率が１０〜１２Ｑ・ｃｍのボロンドープＰ型シ
リコン単結晶から切り出し（Ｓ１）、面取り工程（Ｓ
２）、ラッピング工程（Ｓ３）、エッチング工程（Ｓ
４）を終了したエッチングウエーハ（直径２００ｍｍ）
２００枚を用意し、６５０℃、３０分間酸素雰囲気下の
ドナー消滅熱処理（Ｓ１１）を行なった。熱処理後のウ
エーハを、アンモニアと過酸化水素水の洗浄液（容量
比；ＮＨ₄ＯＨ：Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂０ ＝１：１：１０、温度
８０℃）に１０分間浸漬して表面の有機物を除去し、純
水によるリンスを行なった。次いで常温で１０％の希フ
ッ酸に浸漬して酸化膜を除去した（Ｓ１２）。

【００３２】酸化膜除去後のウエーハ２００枚の内１０
０枚を、常温でオゾンを１０ｐｐｍ含む純水に１０分間
浸漬して保護膜としての酸化膜を形成した（Ｓ１３）。
酸化膜の膜厚はエリプソメータで測定したところ２．０
ｎｍ（２０Å）であった。保護膜を形成したウエーハを
鏡面面取り装置で面取り部鏡面研磨を行なった（Ｓ５
Ａ）のち洗浄し、ウエーハ表面の鏡面研磨（Ｓ５Ｂ）
後、洗浄を行なって鏡面研磨ウェーハ１００枚を得た。
（実施例１）

【００３３】比較のために残りの１００枚については、
保護膜の形成処理を行なわずに鏡面面取り装置で面取り
部鏡面研磨を行なったのち洗浄し、ウエーハ表面の鏡面
研磨、洗浄を行なって鏡面研磨ウエーハ１００枚を得
た。（比較例１） 得られた実施例１のウエーハ１００枚と比較例２のウエ
ーハ１００枚の計２００枚のウエーハについて、集光灯
下で外観状態を観察し汚れ不良の有無を調査した。その
結果を［表１］に示す。また、保護膜形成処理を行なっ
たウエーハ５枚と行なわなかったウエーハ５枚とをヨウ
素を５％含む水溶液を入れたポリプロピレン製の袋に入
れ、μ−ＰＣＤ（Micro-wave Photoconductive Decay）
法にて少数キャリアのライフタイムを測定した。ライフ
タイムの測定はウエーハ中心と周辺より３０ｍｍ４点の
面内５点について行なった。その結果を下記［表１］に
示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】外観の汚れ不良率は保護膜を形成しなかっ
た比較例１の場合に全数に発生していたが、実施例１の
ように保護膜形成処理を行なうことで２％と大幅に低減
できた。また、重金属汚染の指標である少数キャリアの
ライフタイムも保護膜形成処理なしの比較例１に比べ実
施例１のように保護膜形成処理を行なうことにより大幅
に改善されている。尚、ライフタイムの値は各水準５枚
の面内５点測定の最大値と最小値を示した。

【００３６】（実施例２）結晶方位が＜１００＞で、抵
抗率が１０〜１２Ｑ・ｃｍのボロンドープＰ型シリコン
単結晶から切り出し（Ｓ１）、面取り工程（Ｓ２）、ラ
ッピング工程（Ｓ３）、エッチング工程（Ｓ４）を終了
したエッチングウエーハ（直径２００ｍｍ）１００枚を
用意し、６５０℃、３０分間酸素雰囲気下のドナー消滅
熱処理（Ｓ１１）を行なった。熱処理後のウエーハを、
アンモニアと過酸化水素水の洗浄液（容量比；ＮＨ₄Ｏ
Ｈ：Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏ ＝１：１：１０、温度８０℃）に１
０分間浸漬して表面の有機物を除去し、純水によるリン
スを行なった。次いで常温で１０％の希フッ酸に浸漬し
て酸化膜を除去した（Ｓ１２）。

【００３７】酸化膜除去後の１００枚を、８０℃の過酸
化水素水（容量比：Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏ＝１：１０）に１０
分間浸漬して保護膜としての酸化膜を形成した（Ｓ１
３）。酸化膜の膜厚はエリプソメータで測定したところ
２．２ｎｍ（２２Å）であった。保護膜を形成したウエ
ーハを、鏡面面取り装置で面取り部鏡面研磨を行なった
（Ｓ５Ａ）のち洗浄し、ウエーハ表面の鏡面研磨（Ｓ５
Ｂ）、洗浄を行なって鏡面研磨ウェーハ１００枚を得
た。（実施例２）

【００３８】得られた１００枚のウェーハについて、集
光灯下で外観状態を観察し汚れ不良の有無を調査した。
その結果、外観の汚れ不良率は１％であった。また、ウ
エーハ５枚をヨウ素を５％含む水溶液を入れたポリプロ
ピレン製の袋に入れ、μ−ＰＣＤ（Microwave Photocon
-ductive Decay）法にて少数キャリアのライフタイムを
測定した。ライフタイムの測定はウエーハ中心と周辺よ
り３０ｍｍ４点の面内５点について行なった。その結
果、ライフタイムは最低で３８００μｓｅｃ、最高で５
２３０μｓｅｃと、実施例１と同様な結果が得られた。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば酸
素を含む雰囲気での熱処理後に酸化膜を除去した後保護
膜を生成したウエーハを用いて、鏡面研磨を行なうこと
により低汚染でかつ外観不良を大幅に低減した鏡面研磨
ウエーハを得る事が出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態に係る単結晶インゴットか
ら切り出されたスライス基板から鏡面研磨された半導体
基板を製造するまでの動作手順を示すフロー図である。

【図２】 従来技術に係る単結晶インゴットから切り出
されたスライス基板から鏡面研磨された半導体基板を製
造するまでの動作手順を示すフロー図である。

【符号の説明】

（Ｓ１） スライス工程 （Ｓ２） ウエーハ面取り工程 （Ｓ３） ウエーハラッピング工程 （Ｓ４） エッチング工程 （Ｓ５Ａ、Ｓ５Ｂ） 鏡面研磨工程 （Ｓ１１） 酸素を含む雰囲気の熱処理工程 （Ｓ１２） 酸化膜除去工程 （Ｓ１３） 保護膜形成工程

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内藤 直樹 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社白河工場内 (72)発明者 中杉 直 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越半 導体株式会社磯部工場内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 次工程に基板表面若しくは基板面取り部
   の鏡面研磨工程が存在する被鏡面研磨用半導体基板にお
   いて、 該被鏡面研磨用半導体基板の表面に、前工程で形成され
   た酸化膜を除去した基板に薄膜状の保護膜を生成させ、
   該保護膜が形成されている状態で前記鏡面研磨を行なう
   ことを特徴とする被鏡面研磨用半導体基板。
2. 【請求項２】 前記保護膜の膜厚が、鏡面研磨工程によ
   り研磨される研磨代より十分小さく且つ研磨剤に含まれ
   る金属不純物による金属汚染を阻止し得る１．０ｎｍ〜
   １０ｎｍの範囲であることを特徴とする被鏡面研磨用半
   導体基板。
3. 【請求項３】 単結晶インゴットから切り出されたスラ
   イス基板から鏡面研磨された半導体基板を製造する方法
   において、 酸素を含む雰囲気で熱処理を行なった熱処理工程と、基
   板表面若しくは基板面取り部の鏡面研磨工程との間に、
   前記熱処理工程で形成された酸化膜を除去する工程と、
   保護膜を形成する工程とを介在させたことを特徴とする
   半導体基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記酸素を含む雰囲気の熱処理が酸素ド
   ナー消滅熱処理または酸素析出核形成熱処理であること
   を特徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記保護膜の形成工程がオゾン水への浸
   漬処理、過酸化水素水への浸漬処理若しくはアンモニア
   と過酸化水素水の混合液への浸漬処理により行なわれる
   ことを特徴とする請求項３記載の半導体基板の製造方
   法。